模拟电子技术习题及解答
填空题
1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。
7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压V th约为0.5伏。
8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。
10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。
12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。
15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。
17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。
18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则I BQ增大，I CQ增大，U CEQ减小。
19、三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。
20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压V a = 1.2V， V b = 0.5V, V c = 3.6V, 试问该三极管是硅管管（材料），NPN型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的 C 。
21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为80 dB，总的电压放大倍数为10000。
22、三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正偏、集电结反偏。某放大电路中的三极管，测得管脚电压V a = -1V，V b =-3.2V, V c =-3.9V, 这是硅管（硅、锗），NPN型，集电极管脚是a。
23、三种不同耦合方式的放大电路分别为：阻容（RC）耦合、直接耦合和_变压器耦合_，其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。
24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载，而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。
25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 4 kΩ。
26、为了保证三极管工作在放大区，要求：
①发射结正向偏置，集电结反向偏置。②对于ＮＰＮ型三极管，应使V BC＜0。
27、放大器级间耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和变压器耦合三大类。
28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，共射组态有电流放大作用，共射和共集组态有倒相作用；共集组态带负载能力强，共集组态向信号源索取的电流小，共基组态的频率响应好。
29、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。
1
2
30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有 直接耦合 ， 阻容耦合 ， 变压器耦合 。
31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察V O 和V I 的波形，则V O 和V I 的相位差
为 1800 ；当为共集电极电路时，则V O 和V I 的相位差为 0 。
32、放大器有两种不同性质的失真，分别是 饱和 失真和 截止 失真。
33、晶体管工作在饱和区时，发射结 a ，集电结 a ；工作在放大区时，集电结 b ，发射结 a 。
（填写a 正偏，b 反偏，c 零偏）
34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可
选用 共射 组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用 共集 组态。
35、场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻 大 ，热稳定性 好
36、影响放大电路通频带下限频率f L 的是 隔直 电容和 极间 电容。
37、三极管工作在放大区时，它的发射结保持 正向 偏置，集电结保持 反向 偏置。
38、场效应管有 共源 、 共栅 、 共漏 三种组态。
39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带 窄 。
40、场效应管从结构上分成 结型FET 和 MOSFET 两大类型，它属于 电压 控制型器件。
41、场效应管属于 电压控制电流 型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是 电流控制
电流 型器件。
42、场效应管是 电压控制电流器件 器件，只依靠 多数载流子 导电。
43、根据场效应管的输出特性，其工作情况可以分为 可变电阻区 、恒流区、 击穿区 和截止区
四个区域。
44、当栅源电压等于零时，增强型FET 无 导电沟道，结型FET 的沟道电阻 最小 。
45、FET 是 电压控制 器件，BJT 是 电流控制 器件。
46、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为 甲类 。
47、一个输出功率为10W 的扩音机电路，若用乙类推挽功放，则应选额定功耗至少应为 2W 的
功率管 2 只。
48、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为 甲类 ，为了消除交越失真
常采用 甲乙类 电路。
49、乙类功放的主要优点是 效率高 ，但出现交越失真，克服交越失真的方法是 采用甲乙
类 。
50、乙类互补对称功率放大电路产生特有的失真现象叫 交越 失真。
51、双电源互补对称功率放大电路（OCL ）中V CC =8v ，R L =8Ω，电路的最大输出功率为 4W ，此时应
选用最大功耗大于 0.8W 功率管。
52、差动放大电路中的长尾电阻Ｒe 或恒流管的作用是引人一个 共模负 反馈。
53、已知某差动放大电路A d =100、K CMR =60dB ，则其A C = 0.1 。集成电路运算放大器一般由 差
分输入级 、中间级、输出级、 偏置电路 四部分组成。
54、差分式放大电路能放大直流和交流信号，它对 差模信号 具有放大能力，它对 共模信
号 具有抑制能力。
55、差动放大电路能够抑制 零漂 和 共模输入信号 。
56、电路如图1所示，T 1、T 2和T 3的特性完全相同，则I 2≈ 0.4 mA ，I 3≈0.2mA ，
则R 3≈ 10 k Ω。
图
1
3
57、集成运放通常由 输入级 、中间级；输出级、 偏置级 四个部分组成。
58、正反馈是指 反馈信号增强净输入信号 ；负反馈是指 反馈信号减弱净输入信号 。
59、电流并联负反馈能稳定电路的 输出电流 ，同时使输入电阻 减小 。
60、负反馈对放大电路性能的改善体现在：提高 增益的稳定性 、减小 非线性失真 、
抑制 反馈环内噪声 、扩展 频带 、改变输入电阻和输出电阻。
61、为了分别达到下列要求，应引人何种类型的反馈：
①降低电路对信号源索取的电流： 串联负反馈 。
②当环境温度变化或换用不同β值的三极管时，要求放大电路的静态工作点保持稳定： 直流负反
馈 。
③稳定输出电流： 电流负反馈 。
62、电压串联负反馈能稳定电路的 输出电压 ，同时使输入电阻 大 。
63、某负反馈放大电路的开环放大倍数Ａ=100000，反馈系数Ｆ＝0.01，则闭环放大倍数
f A ≈ 100 。
64
01=+F 。 65、负反馈放大电路的四种基本类型是 电压串联 、 电压并联 、 电流串联 、 电流并联 。
66、为稳定电路的输出信号，电路应采用 负 反馈。为了产生一个正弦波信号，电路应采用 正 反馈。
67、理想集成运算放大器的理想化条件是A ud = ∞ 、R id = ∞ 、K CMR = ∞ 、R O = 0
68、理想运算放大器的理想化条件中有A vd = 无穷 ，K CMR = 无穷 。
69、电流源电路的特点是，直流等效电阻 小 ，交流等效电阻 大 。
70、电流源的特点是输出电流 恒定 ，直流等效电阻 小 ，交流等效电阻 大 。
71、工作在线性区的理想集成运放有两条重要结论是 虚断 和 虚短 。
72、理想运算放大器，A d = 无穷大 、R i = 无穷大 、R o = 0 。
73、在构成电压比较器时集成运放工作在开环或 正反馈 状态。
74、如果有用信号频率高于1000Hz, 可选用 高通 滤波器；如果希望500 Hz 以下的有用信号，
可选用 低通 滤波器。
75、选取频率高于1000Hz 的信号时, 可选用 高通 滤波器；抑制50 Hz 的交流干扰时，可选用 带阻 滤波器；如果希望抑制500 Hz 以下的信号，可选用 高通 滤波器。
76、有用信号频率高于1000Hz, 可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰，可选用 带阻 滤波器；如果希望只通过500Hz 到1kHz 的有用信号，可选用 带通 滤波器。
77、根据工作信号频率范围滤波器可以分为：低通滤波器、 高通滤波器 、带通滤波器及 带阻滤波器 。
78、集成运算放大器在 线性 状态和 理想工作 条件下，得出两个重要结论，它们是： 虚断 和 虚短 。
79 输出级大多采用 共集 电路。
81、正弦波振荡电路产生振荡时，幅度平衡条件为 1=F ，相位平衡条件为
πn F A 2±=Φ+Φ n=0、1、2… 。
82、信号发生器原理是在电路负反馈时?
?F A = -1 ，例如 自激 电路。在正反馈时
??F A = 1 ，例如 文氏 振荡电路。
83、石英晶体振荡器是 LC 振荡电路 的特殊形式，因而振荡频率具有很高的稳定性。
84
1=F A 、其中相位平衡条件是=φ+φf a π
n 2，n 为整数 、为使电路起振，幅值条件是 1> 。
4
85、正弦波振荡电路必须由 放大电路 、 反馈网络 、 选频网络 、 稳幅环节 四部分组成。
86、RC 正弦波振荡电路达到稳定平衡状态时有：V A = 3 、V F = 31 、
0ωω== RC 1 。 87、正弦波自激振荡电路振荡的平衡条件是
1=F A 、 π??n f a 2=+ n 为整数 。 88、正弦波振荡电路起振的条件是1>F A 和 πn F A 2±=Φ+Φ n 为整数。
89、有用信号频率高于1000Hz, 可选用 高通 滤波器。文氏电桥振荡器中的放大电路电压放大
倍数 A f ≥3 ，才能满足起振条件。
90、为了稳定电路的输出信号，电路应采用 交流负 反馈。为了产生一个正弦波信号，电路应采用 正 反馈。
91、直流电源是将电网电压的 交流电 转换成 直流电 的能量转换电路。
92、三端集成稳压器7805输出电压 +5 V ，7915输出电压 -15 V 。
93、直流电源一般由下列四部分组成，他们分别为：电源变压器、滤波电路、 稳压 电路和 整
流 电路。稳压集成电路W7810输出电压 +10 V 。
94、将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路；半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入
的交流电压（即变压器副边电压）有效值的 0.45 倍；全波整流电路输出的直流电压平均值等
于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的 0.9 倍。
95、三端集成稳压器7915的输出电压为 -15 伏。
96、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是 输出取样电压 。
97、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是 调整管的的状态不同 。
98、小功率稳压电源一般由 电源变压器 、 整流电路 、 滤波器 、 稳压电路 等四部分构
成。
99、 幅度失真 和 相位失真 总称为频率失真。
100、串联反馈式稳压电路由 调整管 、 比较放大 、 基准电压 、 取样环节 四部分组成。
单项选择题
1、半导体二极管加正向电压时，有（ ）
A 、电流大电阻小
B 、电流大电阻大
C 、电流小电阻小
D 、电流小电阻大
2、PN 结正向偏置时，其内电场被（ ）
A 、削弱
B 、增强
C 、不变
D 、不确定
3、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ）
A 、反向偏置击穿状态
B 、反向偏置未击穿状态
C 、正向偏置导通状态
D 、正向偏置未导通状态
4、在本征半导体中掺入（ ）构成P 型半导体。
A 、3价元素
B 、4价元素
C 、5价元素
D 、6价元素
5、 PN 结V —I 特性的表达示为（ ）
A 、)1(/-=T D V v S D e I i
B 、D v S D e I i )1(-=
C、
1
/-
=T
D
V
v
S
D
e
I
i
D、
T
D
V
v
D
e
i/
=
6、多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）
A、变宽
B、变窄
C、不变
D、与各单级放大电路无关
7、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（）
A、 10kΩ
B、2kΩ
C、4kΩ
D、3kΩ
8、三极管工作于放大状态的条件是（）
A、发射结正偏，集电结反偏
B、发射结正偏，集电结正偏
C、发射结反偏，集电结正偏
D、发射结反偏，集电结反偏
9、三极管电流源电路的特点是（）
A、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小
B、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大
C、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小
D、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大
10、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源V CC应当（）
A、短路
B、开路
C、保留不变
D、电流源
11、带射极电阻R e的共射放大电路，在并联交流旁路电容C e后，其电压放大倍数将（）
A、减小
B、增大
C、不变
D、变为零
12、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）
A、输入电阻大
B、输入电阻小
C、输出电阻大
D、输出电阻小
13、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（）
A、共射电路
B、共基电路
C、共集电路
D、共集-共基串联电路
14、某NPN型三极管的输出特性曲线如图1所示，当V CE=6V，其电流放大系数β为（）
图1
5
A、β
=100 B、
β
=50
C、β
=150 D、
β
=25
15、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V，（见图2所示）则此三极管为（）
A、PNP型锗三极管
B、NPN型锗三极管
C、PNP型硅三极管
D、NPN型硅三极管
16、多级放大电路的级数越多，则其（）
A、放大倍数越大，而通频带越窄
B、放大倍数越大，而通频带越宽
C、放大倍数越小，而通频带越宽
D、放大倍数越小，而通频带越窄
17、当放大电路的电压增益为-20dB时，说明它的电压放大倍数为（）
A、20倍
B、-20倍
C、-10倍
D、0.1倍
18、当用外加电压法测试放大器的输出电阻时，要求（）
A、独立信号源短路，负载开路
B、独立信号源短路，负载短路
C、独立信号源开路，负载开路
D、独立信号源开路，负载短路
19、场效应管放大电路的输入电阻，主要由（）决定
A、管子类型
B、g m
C、偏置电路
D、V GS
20、场效应管的工作原理是（）
A、输入电流控制输出电流
B、输入电流控制输出电压
C、输入电压控制输出电压
D、输入电压控制输出电流
21、场效应管属于（）
A、单极性电压控制型器件
B、双极性电压控制型器件
C、单极性电流控制型器件
D、双极性电压控制型器件
22、如图3所示电路为（）
图2
6
7
A 、甲类OCL 功率放大电路
B 、乙类OCL 功率放大电路
C 、甲乙类OCL 功率放大电路
D 、甲乙类OTL 功率放大电路
23、与甲类功率放大方式比较，乙类OCL 互补对称功放的主要优点是（ ）
A 、不用输出变压器
B 、不用输出端大电容
C 、效率高
D 、无交越失真
24、与乙类功率放大方式比较，甲乙类OCL 互补对称功放的主要优点是（ ）
A 、不用输出变压器
B 、不用输出端大电容
C 、效率高
D 、无交越失真
25、在甲乙类功放中，一个电源的互补对称电路中每个管子工作电压
CE V 与电路中所加电源CC V 关系表示正确的是（ ）
A 、CC CE V V =
B 、C
C CE V V 2
1= C 、CC CE V V 2= D 、以上都不正确 26、通用型集成运放适用于放大( )
A 、高频信号
B 、低频信号
C 、任何频率信号
D 、中频信号
27、集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是（ ）
A 、反相输入端为虚地
B 、输入电阻大
C 、电流并联负反馈
D 、电压串联负反馈
28、下列对集成电路运算放大器描述正确的是（ ）
A 、是一种低电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路
B 、是一种高电压增益、低输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路
C 、是一种高电压增益、高输入电阻和高输出电阻的多级直接耦合放大电路
D 、是一种高电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路
29、共模抑制比K CMR 越大，表明电路（ ）
A 、放大倍数越稳定
B 、交流放大倍数越大
图3
8
C 、抑制温漂能力越强
D 、输入信号中的差模成分越大
30、差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（ ）
A 、增加一倍
B 、为双端输入时的一半
C 、不变
D 、不确定
31、电流源的特点是直流等效电阻( )
A 、大
B 、小
C 、恒定
D 、不定
32、串联负反馈放大电路环内的输入电阻是无反馈时输入电阻的（ ）
A 、1＋AF 倍
B 、1/(1＋AF)倍
C 、1/F 倍
D 、1/AF 倍
33、为了使放大电路的输入电阻增大，输出电阻减小，应当采用（ ）
A 、电压串联负反馈
B 、电压并联负反馈
C 、电流串联负反馈
D 、电流并联负反馈
34、为了稳定放大电路的输出电流，并增大输入电阻，应当引入（ ）
A 、电流串联负反馈
B 、电流并联负反馈
C 、电压串联负反馈
D 、电压并联负反馈
35、如图4为两级电路，接入R F 后引入了级间（ ）
A 、电流并联负反馈
B 、电流串联负反馈
C 、电压并联负反馈
D 、电压串联负反馈 36、某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）
A 、电流串联负反馈
B 、电压并联负反馈
C 、电流并联负反馈
D 、电压串联负反馈
37、某传感器产生的电压信号(几乎不能提供电流)，经过放大后希望输出电压与信号成正比，此放大电路应选（ ）
A 、电流串联负反馈
B 、电压并联负反馈
C 、电流并联负反馈
D 、电压串联负反馈
38、某电路有用信号频率为2kHz ，可选用（ ）
A 、低通滤波器
B 、高通滤波器
C 、带通滤波器
D 、带阻滤波器
图4 图4
9
39、文氏桥振荡器中的放大电路电压放大倍数（ ）才能满足起振条件
A 、为1/3时
B 、为3时
C 、＞3
D 、＞1/3
40、LC 正弦波振荡器电路的振荡频率为（ ）
A 、LC f 10=
B 、LC
f 10= C 、LC f π210= D 、LC
f π210= 41、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的相位平衡条件是（ ）
A 、2n π，n 为整数
B 、(2n+1)π，n 为整数
C 、n π/2，n 为整数
D 、不确定
42、RC 串并联正弦波振荡电路的振荡频率为（ ）
A 、RC f 621π=
B 、R
C f π21= C 、RC f π21
= D 、RC f π41=
43、桥式整流电路若变压器二次电压为t u ωsin 2102
=V ，则每个整流管所承受的最大反向电压为（ ）
A 、210V
B 、220V
C 、20V
D 、2V
44、图5为单相桥式整流滤波电路，u i 为正弦电压，其有效值为U i =20V ，f=50Hz 。若实际测得其输出电压为28.28V ，这是由于（ ）的结果
A 、C 开路
B 、
C 的容量过小
C 、C 的容量过大
D 、R L 开路 45、在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则（ ）
A 、输出电压约为2U D
B 、输出电压约为U D /2
C 、整流管将因电流过大而烧坏
D 、变为半波整流
46、直流稳压电源中滤波电路的目的是（ ）
A 、将交流变为直流
B 、将高频变为低频
C 、将交、直流混合量中的交流成分滤掉
D 、保护电源 图3
C
图5
47、在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为（）
A、U0=0.45U2
B、U0=1.2U2
C、U0=0.9U2
D、U0=1.4U2
单项选择题答案
1、A
2、A
3、A
4、A
5、A
6、B
7、C
8、A
9、B 10、A 11、
B 12、B 13、
C 14、B 15、
D 16、A 17、D 18、A 19、C 20、D 21、A 22、
C 23、C 24、
D 25、B 26、B 27、A 28、D 29、C 30、C 31、B 32、A 33、A 34、A 35、A 36、D 37、A 38、C 39、C 40、C 41、A 42、B 43、A 44、D 45、C 46、C 47、
判断题
1.工作在放大状态中的晶体管两个电极的电流如图P
2.1所示。
（1）求另一个电极的电流，并在图中标出实际方向。
（2）判断e、b和c极，并标出该晶体管的符号。
2.工作在放大状态中的晶体管两个电极的电流如图P2.2所示。（1）求另一个电极的电流，并在图中标出实际方向。（2）标出e、b和c极，并判断出该管是NPN型还是PNP型管。
P2.2 图解 P2.2
3.测得放大电路中正常工作的晶体管三个电极对地电位U1\ U2\ U3分别为下述数值，试判断他们是硅管还是锗管？是NPN型还是PNP型？并确定e、b和c极。
（1）U1=2.5V,U2=6V,U3=1.8V;解：U1是b, U2是c, U3是e,NPN型硅管；
（2）U1=-6V,U2=3V,U3=-2.7V;解：U1是c, U2是b U3是e,PNP型锗管；
（3）U1=1.7V,U2=-2V,U3=0V;解：U1是b, U2是e, U3是c,NPN型锗管；
（4）U1=-7V,U2=-2V,U3=-2.3V;解：U1是c, U2是e, U3是b,PNP型锗管；
（5）U1=0.7V,U2=0V,U3=5V;解：U1是b, U2是e, U3是c,NPN型硅管；
（6）U1=-1.3V,U2=-10V,U3=-2V;解：U1是e, U2是c, U3是b,PNP型硅管；
10
11
（7）U1=8V,U2=2.7V,U3=3V;解：U1是c, U2是e, U3是b,NPN 型锗管；
（8）U1=6V,U2=11.3V,U3=12V;解：U1是c, U2是b, U3是e,PNP 型硅管；
4.如果在电路中测得晶体管的三个电极对地的电压如下图所示，试判断晶体管所处的工作状态。
解：（a ）截止；（b ）饱和；（c ）放大；（d ）放大；（e ）饱和；（f ）截止。 5.根据放大电路的组成原则，分析图P2.5各电路是否具有放大功能，并说明原因。
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P2.5
答：（a)不能。因为输入信号被V BB 短路；（b ）可能。（c)不能。图中V BB 极性接反，使NPN 管发射结反偏，不满足放大要求。（d)不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。（e)不能。因为输入信号被C 2短路。（f)不能。因为输出信号被C 3短路，恒为零。
6. 试判断图6-5所示各电路中交流反馈的极性。
o
(a)
(b)
o
(c)
图6-5 例6-3 例6-4电路图
解：图6-5(a ）所示电路中，因射极电容E C 的旁路作用，电阻E2R 上不存在交流反馈信号，所以对交流反馈而言，只有E1R 构成反馈通路。设输入信号i u 的瞬时极性为正，如图(a)中所标示，经VT 倒相放大后，其集电极电位为负，发射极电位(即反馈信号f u )为正，因而使该放大电路的净输入信号电压be u 比没有反馈(即没有E1R )时的be u 减小了，所以由E1R 引入的交流反馈是负反馈。 图6-5(b)所示电路中，第一级为单端输入-单端输出的差分放大电路，其输入信号与输出信号分别在1VT 的基极与2VT 的集电极，它们的相位相同。第二级为3VT 组成的共集电极电路，其输出信号与输入信号相位相同。对级间交流反馈而言F R 与B2R 为反馈网络的元件。设输入信号i u 的瞬时极性为⊕，则基极的交流电位b1u 也为⊕，第一级的输出信号c2u 为⊕，第二级的输出信号e3u 为⊕，经F R 与B2R 反馈到2VT 管基极的反馈信号b2f u u =也为⊕，因而使该电路的净输入信号电压b2b1id u u u -=比没有反馈时减小了，所以F R 与B2R 引入的是负反
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馈。
图6-5 (c)所示电路中，F R 是反馈网络的元件。对交流信号而言，设i u 的瞬时极性为⊕，则运放1A 同相端电位+u 的极性也为⊕，由1A 组成的电压跟随器的输出电压o1u 也为⊕，第二级输出电压o u 与其输入电压o1u 反相。根据上述分析，可画出输入电流i i 、净输人电流id i 和反馈电流f i 的瞬时流向如图中箭头所示。因而净输入电流f i id i i i -=比没有反馈时减小了，所以该电路中F R 引入了负反馈。
R
(a) (b) (c) (d)
(e) (f) (g) (h)
（i ） （j ） 解：(a)、（b ）（f ）（g ）（h ）（i)不能振。（c ）（d ）（e ）（j ）能振。
7.
GS /V i D
（a）（b）（c）
（d）（e）（f）
解：(a)是P沟道耗尽型MOS管；(b)是P沟道结型场效应管；(c)是N沟道增强型MOS管；
(d)是N沟道结型场效应管；(e) 是P沟道增强型MOS管；(f)是N沟道耗尽型MOS管；
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模拟电子技术习题
一、选择题：（共10题，每题1分。合计10分） 第一章： 1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入（ ）元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（ ）。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在（ ）区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 第二章： 1. 对于直接耦合基本放大电路，（ ）的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路，（ ）的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中，（ ）电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管，如果当C I 从1mA 变为1.9mA ，E I 从1.01mA 变为1.92mA ，那么它的 约为（ ）。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（ ），管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u 第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t u u O O i o /V /V 1010 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t 模拟电子技术基础习题与解答 2.4.1电路如图题所示。（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。 解（1）求二极管的电流和电压 mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=?=Ω ??-=-=- V V V V D O 4.17.022=?== （2）求v o 的变化范围 图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解所示，温度 T ＝300 K 。 Ω≈==02.36.826mA mV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时，则 mV V r R r V v d d DD O 6) 02.321000(02.32122±=Ω?+Ω??±=+?=? O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ?-?+，即～。 2.4.3二极管电路如图所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端电压V AO 。设二极管是理想的。 解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。 图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，V AO ＝－12V 。 图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。 图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 －6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。 2.4.4 试判断图题 中二极管是导通还是截止，为什么？ 解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有 V V k k V A 115)10140(10=?Ω +Ω= V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=?Ω+Ω+?Ω+Ω= D 被反偏而截止。 图b ：将D 断开，以“地”为参考点，有 V V k k V A 115)10140(10=?Ω +Ω= V V k k V k k V B 5.115)525(5)10()218(2=?Ω+Ω+-?Ω+Ω= 《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型 + + +++ + ------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止 三、判断题 （ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 （ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 （ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 （ ）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 （ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。 （ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。 （ ）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。 （ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。 （ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示： 第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“V”和“X”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P型半导体。() (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其Rs大的特点。() (6)若耗尽型N沟道MOS管的U Gs大于零，则其输入电阻会明显变小。() 解：(1) V (2) X (3) V (4) X (5) V (6) X 二、选择正确答案填入空内。 (1) ____________________________________ PN结加正向电压时， 空间电荷区将______________________________ 。 A.变窄 B.基本不变 C.变 宽 (2) _______________________________________________ 设二极管 的端电压为U,则二极管的电流方程是______________________ 。 A. I s e U B. Is^^ C. I s(e UU T-1) (3)稳压管的稳压区是其工作在________ 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)_____________________________________________________ 当晶 体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为_______________ 。 模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用 1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷 2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子 3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小 B．基本不变 C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大 B．基本不变 C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ ) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I 时会损坏。( × ) F 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1．4 分析计算题 =，试写出各电路的输出电压Uo值。1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on) ＝(6—V＝ V。 解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U 模拟电子技术 习题答案 电工电子教学部 2012.2 第一章 绪论 一、填空题： 1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。 2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。 3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。 4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。 5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。 6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。 7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。 8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。 9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。 10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。 11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。 12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。 13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。 14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。 15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。 二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A 10V 50pA 10mV 5001011i o r ?==== -.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上 的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。该放大电路使用哪一类电路模型最方便？ 解：直接将它与10Ω扬声器连接， 扬声器上的电压V 10V 1Ω 10Ω 10V 1Ω10M Ω1Ω1056o -=?≈?+= V 在拾音头与扬声器之间接入放大电路后，使用电压放大电路模型，则等效电路如下图所示 第1章习题答案 1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。 （1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。（√） （2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。（×） （3）线性电路一定是模拟电路。（√） （4）模拟电路一定是线性电路。（×） （5）放大器一定是线性电路。（√） （6）线性电路一定是放大器。（×） （7）放大器是有源的线性网络。（√） （8）放大器的增益有可能有不同的量纲。（√） （9）放大器的零点是指放大器输出为0。（×） （10）放大器的增益一定是大于1的。（×） 2 填空题： （1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。 （2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。 （3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。 （4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。 （5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。 （6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。 （7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。 （8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。 （10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带 f BW是250KHZ。 3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。如通过实验法求信号源的 内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。 解:提示：按照输入阻抗、输出阻抗定义完成，电流通过测电阻压降得到。 4. 现有：宽频信号发生器1个，示波器1个，互导型放大器1个，1K电阻1个。如通过实验法求放大 器的通频带增益、上限截止频率及下限截止频率，请写出实验步骤。 解: 提示：放大器输入接信号源，输出接电阻，从0HZ开始不断加大频率，由示波器观测输入信号和输出信号的幅值并做纪录，绘出通频带各点图形。 第2章习题答案 半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。 解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波 一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。 半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是； 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于 电流，而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成分。 12在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=( ); Av1是( )放大器，Av2是( ) 放大器，Av3是( )放大器。 13集成运算放大器在( )状态和( )条件下，得出两个重要结论他们是：( ) 和( ) 14单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压Vo=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。 二、选择题： 1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。 第1章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ×) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ×) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 R大的特点。( √ ) GS U大于零，则其输入电阻会明显变小。( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的 GS 二、选择正确答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。 A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，=100，U BE =0.7V 。 试问： (1)R b =50k 时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =? 解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-==， 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -==， /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -==Ω (120) 1．纯净的半导体叫（）。掺入3价杂质元素形成的半导体叫（），它主要靠导电（）。 A．空穴B．本征半导体C．P型半导体D．自由电子 2．PN结正偏时，多子的（）运动较强，PN结变薄，结电阻较（）。 A．扩散B．漂移C．小D．大 3．三极管有（）和（）两种载流子参与导电，故称作（）极型晶体管；而场效应管称作（）极型晶体管。A．双极B．空穴C．单极D．自由电子 4．负反馈放大电路的含义是（）。 A．输出与输入之间有信号通路 B．电路中存在反向传输的信号通路 C．除放大电路之外还有信号通路 D．电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号 5．一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB，当信号频率恰好是上限频率时，实际电压增益为（）。A．43dB B．40dB C．37dB D．3dB 6．通常在下面基本组态放大电路中，输入电阻最大的是（）；输出电阻最小的是（）；高频特性最好的电路是（）。 A．共射电路B．共集电路C．共基电路D．共源电路 7．集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。 A．便于设计B．放大交流信号C．不易制作大容量电容 8．功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使（）。 A．电压放大倍数大B．不失真输出电压大C．带负载能力强 9．欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（）；欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（）。 A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈10．为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用（）滤波电路。 A．带阻B．带通C．低通D．有源 11．直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、（）、稳压。 A．比较B．滤波C．调整 (210) 1．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（） 2．电路只要满足，就一定会产生正弦波振荡。（） 3．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（） 4．若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（） 5．功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（） 1．设图3-1中二极管、为理想二极管，判断它们是导通还是截止？输出电压= ？（4分） 第一章习题解答 1.1 解： 由公式：)1(-=T D u u s D e I i 可求得电流外加电压为V u D 5.0=时 A A e i mv v D μμ5.22)1(101.03 10 265.06 =-?=-?- 时V u D 7.0= mA mA e i mv V D 3.49)1(101.03 10 267.09=-?=-?- 1.2 解： ① 当R=1ΩK 时 假设二极管导通 V U V U on D 7.3)3()(0-=+-= mA K V R U I L 7.317.300-=Ω -== mA I I I mA K V R U V I on D 6.17.33.53.51)7.039(39021) (2=-=+==--= --= ②当R=4K Ω时，也假设二极管导通 00,I U 同① mA I I I mA K V I 4.27.33.13.14)7.039(0212-=-=+==--= V K mA R I U mA I I mA K V R R V I I L L 8.118.18.18.1)14(990 002021-=Ω?-==-=-==Ω +=+= =∴ 二极管截止，故 1.3解： a ： 刚接通21,V V 均正向偏置而可能导通但由于V 2导通后，A 点电位下降为-6V 迫使V 1反向截止 V U AO 6-= b ：21,V V 反向截至，V U AO 10= c. 刚接通21,V V 均正向偏置而可能导通但由于V 1导通后，将使A 、O 点电位差为零。电位相等,V 1导通，V 2截止。 d. 21,V V 均正向反偏，V 1导通21,V V 公共端电位为零，能保证V 2导通，A 点电位也为零，V 0U AO =。 1.4 解： 9mA .4mA )1.27(I I I 7mA 560V )1.26(R U 6V I 1mA .21K 1V .2R U I 1V .237V .03U U 01201L 00on D 0=-=-==Ω -=-= =Ω == =?=?=）（ 1.5 解： I U 变化1V ±时，相当于给6V 直流电源串接一个变化范围为1V ±的信号源，由二极管的动态电阻d r 为： 6mV .272100U U U 6mV .271V R R //3r R //3r U 3.59mA .426mV I U r 000L d L d 0Q T d ±=?±='=±?+= ?Ω ===）（ 1.6 解： a ： b ： 1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压6Z U V =，最小稳定电流 min 5Z I mA =，最大稳定电流max 25Z I mA =。 (1)分别计算I U 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压O U 的值； (2)若35I U V =时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？ 解：(1)只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时，输出电压才为6V 。 首先假设稳压管工作在稳压状态，则有 ① I U 为10V ，8-=-=-=-Z L I Z Z D R R L U U U I I I mA R R 小于5mA, 所以稳压管不工作在稳压状态，起普通二极管的作用。 ∴V U I 10=时，V U R R R U I L L O 3.3=+= ； ②I U 为15V ，3-=-= -=-Z L I Z Z D R R L U U U I I I mA R R min 5Z I mA =，最大稳定电流max 25Z I mA =。 小于5mA, 所以稳压管不工作在稳压状态，起普通二极管的作用。 V U I 15=时，5L O I L R U U V R R = =+； ③I U 为35V ，17-=-= -=Z L I Z Z D R R L U U U I I I mA R R 介于 min 5Z I mA =与 max 25Z I mA =之间。所以稳压管工作在稳压状态。 ∴V U U Z O 6==。 (2)当负载开路时，mA I mA R U U I Z Z I Z 2529max =>=-= ，故稳压管将被烧毁。 1.15电路如图P1.15所示，T 的输出特性如图Pl.14所示,分析当I u =4V 、8V 、12V 三种情况下场效应管分别工作在什么区域。 第1章绪论 1.1 教学要求 本章是模拟电子技术课程教学的开篇，旨在让学生对这门课程的发展历程、课程内容、特点和学习方法进行了解，以唤醒学生的学习兴趣，激发学生的学习欲望。 1.2 基本概念 1. 信号及其分类 信号是携带信息的载体，可以分为模拟信号和数字信号两大类。模拟信号是指在时间上和幅度上均具有连续性的信号，从宏观上看，我们周围的大多数物理量都是时间连续、数值连续的变量，如压力、温度及转速等。这些变量通过相应的传感器都可转换为模拟信号。数字信号是指幅度随时间不连续变化的、离散的信号，如电报码和用电平的高与低表示的二值逻辑信号等。 2. 电子线路及其分类 用于产生、传输和处理模拟信号的电子电路称为模拟电路，如放大电路、滤波电路、电压/电流变换电路等，典型设备有收音机、电视机、扩音机等；用于产生、传输和处理数字信号的电子电路称为数字电路，典型设备是电子计算机等。模拟电路和数字电路统称为电子线路。目前，模拟电路和数字电路的结合越来越广泛，在技术上正趋向于把模拟信号数字化，以获取更好的效果，如数码相机、数码电视机等。 3. 电子技术及其分类 电子技术是研究电子器件、电子电路和电子系统及其应用的科学技术，可分为模拟电子技术和数字电子技术。研究模拟电路的电子技术就是模拟电子技术，研究数字电路的电子技术就是数字电子技术。 4. 电子管 电子管就是一个特殊的灯泡，不过除灯丝以外，还有几个“极”，里面的灯丝与极都有连线与各自的管脚相连。最简单的电子管是二极管，它有两个极(阴极和阳极，有的灯丝还兼作阴极)，其中，阴极有发射电子的作用，阳极有接收电子的作用。二极管具有单向导电的特性，可用作整流和检波。在二极管的基础上增加一个栅极就成了电子三极管，栅极 第一章 常用半导体器件 自 测 题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。 A. I S e U B. T U U I e S C. )1e (S －T U U I （3）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。 解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。求图所 示电路中U O1和U O2各为多少伏。 解：U O1＝6V，U O2＝5V。 五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。 《模拟电子技术》练习题 一、填空题 1． 在N 型半导体中， 是多数载流子， 是少数载流子。 2． 电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝0.7V ，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。 （a ） （b ） 图1-1 3．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在 状态；VD 2工作在 状态；电流 O I mA 。 4．PN 结具有 特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的 区内。 5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = -5.2 V ，则 与该晶体管对应的电极是：管脚1为 极，2为 极，3为 极，晶体管为 型（PNP 或NPN ），所用材料为 （硅或锗）。 6. 电压放大电路要求是要有较 的输入电阻和较 的输出电阻。 7． 在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生 失真；乙类功率放大电路的缺点是存在 失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在 现象。 8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位 （填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位 。 9．射极输出器具有输入电阻 和输出电阻 的特点。。 10．为稳定输出电压，应引入 负反馈；为提高输入电阻，应引入 负反馈；当信号源的内阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入 负反馈；由集成运放构成线性放大电路时，应引入 反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。 I O 11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于 区，图（b ）所示的集成运放工作于 区。 图1-3 二、单项选择题（每小题3分，共15分） 1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（ ）。 A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通 D ．D 1和D 2均截止 2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，2.5V ，3.2V ，则这三个极分别为（ ）。 A ．C ， B ，E B ． C ，E ，B C ．E ，C ，B D ．B ， E ，C 3．在图2-2中，V CC =12V ，R C =3k Ω，β=50，U BEQ 可忽略不计，若使U CEQ =6V ，则R B 应为（ ）。 A ．360 k Ω B ．300 k Ω C ．300 Ω D ．400 k Ω 4．工作在放大区的某晶体管当i B 从20μA 增大到30μA 时，i C 从2mA 增大到4mA ，那么它的 值约为（ ）。 A. 50 B. 200 C. 20 D ．100 5．射极输出器（ ）。 A ．有电流放大作用，没有电压放大作用 B ．有电压放大作用，没有电流放大作用 C ．既有电流放大作用，也有电压放大作用 6．某测量放大电路，要求输入电阻高，输出电流稳定，应引入（ ）。 A ．串联电流负反馈 B ．串联电压负反馈 图2-1 4V 0V +V CC 图2-2 R B 模拟电子技术基础参考 文献 IMB standardization office【IMB 5AB- IMBK 08- IMB 2C】 模拟电子技术基础参考文献 [1]华中理工大学电子学教研室编,康华光主编.陈大钦副主编(电子技术基础)(模拟部分)第四版.北京.高等教育出版社.1999 [2]西安交通大学电子学教研室编,沈尚贤主编(电子技术导论),北京.高等教育出版社,1985 [3]谢嘉奎主编:[电子线路](第四版),北京高等教育出版社,1999 [4]北方交通大学,冯民昌主编:[模拟集成电路系统](第2版)北京中国铁道出版社1998 [5汪惠].王志华编着:[电子电路的计算机辅助分析与设计方法]北京.清华大学出版社1996 [6]吴运昌编着:[模拟集成电路原理与应用],广州.华南理工大学出版 社,1995 [7]沙占友.李学芝.邱凯编着(新型数字电压表原理与应用),北京.国防工业出版社 [8]王汝君.钱秀珍编:[模拟集成电子电路(上)(下)].南京,东南大学出版社1993 [9]华中理工大学电子学教研室,陈大钦主编.杨华副主编,(模拟电子技术基础),北京,高等教育出版社 ,2000 [10]杨素行主编(模拟电子电路),北京.中央广播电视大学出版社.1994 [11]清华大学电子学教研室组编,杨素行主编:(模拟电子技术简明教程)(第二版),北京,高等教育出版社,1998 [12]清华大学电子学教研组编,童诗白主编:[模拟电子技术基础](第二版)],北京高等教育出版社,1988 [13]清华大学电子学教研组编,童诗白主编(模拟电子技术基础)(上下册)北京人民教育出版社,1983 [14]华成英主编(电子技术)北京中央广播电视大学出版社,1996 [15] V. Walsh: Analogue eletronics with Op Amps:a source book of practical, Campridge university press,New york, 1993 [16]Jacob Millman and Arvin Grabel . York:Mcgraw-Hill book Company,1987清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
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