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VHFUHF无线发射芯片RF2516的原理与应用

ＲＦ２５１６是ＲＦＭｉｃｒｏＤｅｖｉｃｅ公司推出的一种单片ＡＭ／ＡＳＫＶＨＦ／ＵＨＦ发射芯片，可工作于１００ＭＨｚ～５００ＭＨｚ，并采用ＡＭ／ＡＳＫ调制方式。

其片内集成了ＰＬＬ、ＶＣＯ和参考振荡器。

工作电压为２．２５Ｖ～３．６Ｖ，可为５０Ω负载提供±１０ｄＢｍ的输出功率。

ＲＦ２５１６可应用在３１５ＭＨｚ～４３３ＭＨｚ的远程无钥匙接入系统、无线安全系统及其它远程控制设备中。

由于其片内集成了ＶＣＯ、鉴相器、预定标器和参考振荡器,因此,只要外接一个晶体谐振器就可构成完整的锁相环。

ＲＦ２５１６除了具有标准的掉电模式外，还具有自动锁相检测功能。

当ＰＬＬ失锁时，发射输出无效

１引脚功能

ＲＦ２５１６采用１６脚ＱＳＯＰ封装形式。

下面是其各引脚的功能说明

脚１ＯＳＣＢ该脚直接和参考振荡器三极管的基极相连。

一个６８ｐＦ的电容接在该脚和引脚２间；

脚２ＯＳＣＥ该脚直接和参考振荡器三极管的发射极相连。

一个３３ｐＦ的电容接在该脚和地之间；

脚３ＰＤ当该脚为低电平时，所有的电路关闭；当该脚为高电平时，电路正常工作；

脚４ＧＮＤＴＸＯＵＴ放大器的接地端，应使引线尽量短并直接连接到地，以求最佳的工作性能；

脚５ＴＸＯＵＴ发射输出端，该脚是集电极开路输出端，需要接一个馈电电

;

脚６ＧＮＤ１ＴＸ输出缓冲放大器接地端；

脚７ＶＣＣ１该脚给缓冲放大器提供偏置；

脚８ＭＯＤＩＮＡＭ、数字调制信号通过该脚加给载波。

《集成电路原理及应用》课后答案..

集成电路原理及应用（第2版）谭博学苗汇静主编 课后习题答案 第二章 模拟集成电路的线性应用 对 A 2 :由"虚断”和"虚短”得 i 3=i 4， v 2_=v 2 - =u i2， 代入 U o1 得U 。哙呱…）， 2.11 求图3所示电路的增益A f ，并说明该电路完成什么功能 则 u i1 = U 01 R 1 R 2 R 2 R 1 ，即 u o-(1 K )u i1 ， 则 U 。1 -U i2 R 3 U i2 -U o R 4 R 3 因两个输入信号均从同相端输入, 所以输入阻抗比较高。该电路为高输入阻抗的差动放 2.9 试分析图1所示电路是什么电路，有何特点？图中设 解：第一级运放为同相放大器。对 A 1 :由"虚断”和"虚短”得 i 1 =i 2， v^=v 1. =u ， 1)U i2 - U o1

解：该电路由两个集成运放构成， A1为主放大器接成反相运算放大器， A2为辅助放大器, A2也接成反相放大器，利用 A2对A1构成正反馈，是整个电路向信号源索取的电流极少。 主放大器A 1 :由“虚断”和“虚短”得 R i U i I i u i 01 u 。 R 2 R i R 2 u i u i 辅助放大器A2的电压放大倍数: o2 u o2 2R 1 该电路为自举电路, U i U i U i R i I i I i - I R 2 R 2 U i U i u i2 u 。 R 2 目的是提高电路的输入电阻。 2R 得 U^2U i RR

当 R = R 1 时，R t 2.12 求图4所示电路输出电压与输入电压的表达式，并说明该电路完成什么 功能 i1 -u o1 ，即u o1 =-u i1 。A 1为倒相器 解：对A 1 :由

单片无线收发芯片CC1100的原理与开发应用

CC1100的应用电路简单，仅需很少的外部元件即可工作。如图2所示为315/433MHz频段的参考电路。 图中R1为偏置电阻，用以调整精确的偏置电流。C8、C9、L1、L2构成一个非平衡变压器（Balun），将CC1100的差分输出变为单端射频信号，与LC网络一起进行阻抗变换以匹配50欧姆天线（或同轴电缆）。在不同工作频率下各元件的值也有所不同，具体请参见CC1100的数据手册。

2、通用输出管脚 CC1100具有3个通用数字输出管脚：GDO0、GDO1和GDO2，它们可以通过SPI接口被MCU配置成不同的功能，配置寄存器IOCFG【0，1，2】分别对应三个管脚的功能配置。 GDO1同时也是SPI接口的SO口，因此，只有在CSn=1时，所配置的输出功能才有效。GDO1默认的配置为三态输出，在CSn为高时此管脚保持为高阻态，这样在总线连接多个器件时不会影响总线工作； GDO0默认配置为晶振频率的192分频输出（126KHz~146KHz）。由于一上电复位Xosc就开始工作，因此此时钟输出可以用于给系统中其它器件提供振荡信号。 另外，CC1100片上集成有1个模拟温度传感器，当向IOCFG0.GDO0_CFG写入0x80时使能传感器，此时，GDO0脚的电压与温度成比例关系。 而GDO2的默认设置为CHIP_RDYn信号输出。 通过对IOCFG【0，1，2】寄存器的编程不仅可以改变GDO口线的功能，还可以改变其输出高低电平状态，寄存器构成如表3所示： 表3 IOCFGx寄存器结构

标志、三态输出、晶振频率分频输出等等，详见数据手册。GDOx的配置在与MCU接口中非常重要，MCU可通过检测它们的输出来判断CC1100所处的状态。 四、CC1100的寄存器 CC1100的内部寄存器包括五种：配置寄存器、命令滤波寄存器、状态寄存器、收/发FIFO以及功率配置表PATABLE。 1、配置寄存器： CC1100共有47个配置寄存器，如表4所示，包括GDO【0~2】配置、收发缓冲区门限、工作频率、调制模式等。虽然寄存器较多，但是所有配置值可以很简便的由TI公司提供的SmartRF软件得到。当然也可以手动计算，数据手册中给出了各寄存器详细的定义。

常用无线射频芯片

常用无线射频芯片 TYYGROUP system office room 【TYYUA16H-TYY-TYYYUA8Q8-

常用无线射频芯片目录 CC1000PWR 超低功率射频收发器 CC1010PAGR 射频收发器和微控制器 CC1020RSSR 射频收发器 CC1021RSSR 射频收发器 CC1050PWR 超低功率射频发送器 CC1070RSQR 射频发送器 CC1100RTKR 多通道射频收发器 CC1101RTKR 低于1GHz射频收发器 CC1110F16RSPR 射频收发片上系统 CC1110F32RSPR 射频收发片上系统 CC1110F8RSPR 射频收发片上系统 CC1111F16RSPR 射频收发片上系统 CC1111F32RSPR 射频收发片上系统 CC1111F8RSPR 射频收发片上系统 CC1150RSTR 多通道射频发送器 CC2400RSUR 多通道射频发送器 CC2420RTCR 射频收发器 CC2420ZRTCR 射频收发器 CC2430F128RTCR ZigBee?芯片 CC2430ZF128RTCR ZigBee?芯片 CC2431RTCR 无线传感器网络芯片 CC2431ZRTCR 无线传感器网络芯片 CC2480A1RTCR 处理器 CC2500RTKR 射频收发器 CC2510F16RSPR 无线电收发器 CC2510F32RSPR 无线电收发器 CC2510F8RSPR 无线电收发器 CC2511F16RSPR 无线电收发器 CC2511F32RSPR 无线电收发器 CC2511F8RSPR 无线电收发器 CC2520RHDR 射频收发器 CC2530F128RHAR 射频收发器 CC2530F256RHAR 射频收发器 CC2530F64RHAR 射频收发器 CC2550RSTR 发送器 CC2590RGVR 射频前端芯片 CC2591RGVR 射频前端芯片 CCZACC06A1RTCR ZigBee芯片 TRF7900APWR 27MHz双路接收器 TRF6900APT 射频收发器 TRF6901PTG4 射频收发器

(完整版)集成电路工艺原理期末试题

电子科技大学成都学院二零一零至二零一一学年第二学期 集成电路工艺原理课程考试题A卷（120分钟）一张A4纸开卷教师：邓小川 一二三四五六七八九十总分评卷教师 1、名词解释：(7分) 答：Moore law：芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月翻一番。 特征尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。 Fabless：IC 设计公司，只设计不生产。 SOI：绝缘体上硅。 RTA：快速热退火。 微电子：微型电子电路。 IDM：集成器件制造商。 Chipless：既不生产也不设计芯片，设计IP内核，授权给半导体公司使用。 LOCOS：局部氧化工艺。 STI：浅槽隔离工艺。 2、现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少，是何家企业生产？请 举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术（与亚微米工艺相比）？(7分) 答：国际上批量生产IC所用的最小线宽是Intel公司的32nm。 在这种工艺中所采用的新技术有：铜互联；Low-K材料；金属栅；High-K材料；应变硅技术。 3、集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工 艺是哪种器件隔离工艺，为什么？(7分) 答：集成电路制造工艺中，主要有局部氧化工艺－LOCOS；浅槽隔离技术－STI两种隔离工艺。 主流深亚微米隔离工艺是：STI。STI与LOCOS工艺相比，具有以下优点：更有效的器件隔离；显著减小器件表面积；超强的闩锁保护能力；对沟道无 侵蚀；与CMP兼容。 4、在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？(7分) 答：如果没有LDD形成，在晶体管正常工作时会在结和沟道区之间形成高

2.4GHz无线收发器IC及其应用

2.4GHz无线收发器IC及其应用 黄一鸣贾波徐群山 博通集成电路（上海）有限公司 概述 随着信息技术的飞速发展和人们对高速率无线通讯的需求，无线应用产品的工作频率已经从低频段跨入高频段。作为全球均无需授权即可使用的2.4 GHz ISM频段成为众多无线高端产品首选频段，譬如蓝牙，WLAN，ZigBee等。博通集成电路公司的2.4GHz无线收发器BK2421采用高达2Mbps的通讯速率和独特的通讯协议，不但保持了 2.4 GHz 频段其他通讯协议优良的射频性能，而且简化了产品设计，节省了产品开发成本，降低了产品功耗，是国内唯一一颗达到世界先进水平的2.4GHz无线收发器。本文详细介绍了这一收发器产品性能和特点并在最后给出了基于BK2421所完成的PC周边设备方案（包括无线鼠标键盘、无线遥控等），汽车无线防盗和马达自动起动方案和移动支付RFID子系统方案。 BK2421性能和特点 BK2421基本性能和特点 BK2421是一颗工作在全球开放2.4GHz ISM频段的单芯片无线收发器，集成了无线射频收发前端、频率综合器、数字调制解调器、1对6 星形通信协议以及电源管理。相比其他2.4GHz短距离无线通信技术（如蓝牙，WiFi等），它以非常低的功耗实现高速率无线传输（最高可以达到2Mbps），接收器正常工作电流为17mA，发射器输出功率0dBm的电流为14mA，关机状态电流为3uA。 BK2421集成两种调制方式，分别为CPGFSK调制（Continuous Phase Gaussian Frequency Shift Key，相位连续高斯频移键控）和CPFSK调制（Continuous Phase Frequency Shift Key，相位连续频移键控）。其频谱如图1所示，其中BT为3dB 带宽和传输速率的乘积（3-dB bandwidth-symbol time）。

PL1167中文资料-2.4GHz无线射频收发芯片资料

PL1167 单片低功耗高性能 2.4GHz 无线射频收发芯片 芯片概述: 主要特点: PL1167是一款工作在 2.4~2.5GHz 世界通用 ISM频 段的单片低功耗高性能 2.4GHz无线射频收发芯片。 ψ 低功耗高性能2.4GHz无线射频收 发芯片 ψ 无线速率：1Mbps 该单芯片无线收发器集成包括：频率综合器、功率放 大器、晶体振荡器、调制解调器等模块。ψ 内置硬件链路层 ψ 内置接收强度检测电路输出功率、信道选择与协议等可以通过 SPI或 I2C接 ψ 支持自动应答及自动重发功能 ψ 内置地址及FEC、CRC校验功能 ψ 极短的信道切换时间，可用于跳频 ψ 使用微带线电感和双层PCB板 ψ 低工作电压：1.9~3.6V 口进行灵活配置。 支持跳频以及接收强度检测等功能，抗干扰性能强， 可以适应各种复杂的环境并达到优异的性能。 内置地址及 FEC、CRC校验功能。 ψ 封装形式：QFN16/TSSOP16 内置自动应答及自动重发功能。 ψ ψ QFN16仅支持SPI接口芯片发射功率最大可以达到 5.5dBm，接收灵敏度可 以达到-88dBm。TSSOP16可支持SPI与I2C接口内置电源管理功能，掉电模式和待机模式下待机电流 可以减小到接近 1uA。 应用: ψ 无线鼠标，键盘，游戏机操纵杆 ψ 无线数据通讯 ψ 无线门禁 管脚分布图: ψ 无线组网 ψ 安防系统 ψ 遥控装置 ψ 遥感勘测 ψ 智能运动设备 ψ 智能家居 ψ 工业传感器 ψ 工业和商用近距离通信 ψ IP电话，无绳电话 ψ 玩具

1概要 性能强，可以适应各种复杂的环境并达到优异的 性能。 PL1167 是一款工作在 2.4~2.5GHz 世界通 用 ISM 频段的单片低功耗高性能 2.4GHz 无线射 频收发芯片。 内置地址及 FEC 、CRC 校验功能。 该单芯片无线收发器集成包括：频率综合器、 功率放大器、晶体振荡器、调制解调器等模块。 内置自动应答及自动重发功能。 芯片发射功率最大可以达到 5.5dBm ，接收 灵敏度可以达到-88dBm 。 输出功率、信道选择与协议等可以通过 SPI 或 I2C 接口进行灵活配置。 内置电源管理功能，掉电模式和待机模式下 待机电流可以减小到接近 1uA 。 支持跳频以及接收强度检测等功能，抗干扰 2特性 ζ 低功耗高性能2.4GHz 无线射频收发芯片 ζ 无线速率：1Mbps ζ 极短的信道切换时间，可用于跳频 ζ 使用微带线电感和双层PCB 板 ζ 低工作电压：1.9~3.6V ζ 内置硬件链路层 ζ 内置接收强度检测电路 ζ 封装形式：QFN16/TSSOP16 ζ 支持自动应答及自动重发功能 ζ 内置地址及FEC 、CRC 校验功能 ζ ζ QFN16仅支持SPI 接口 TSSOP16可支持SPI 与I2C 接口 3快速参考数据 参数 数值 单位 最低工作电压 最大发射功率 数据传输速率 发射模式功耗@0dBm 接收模式功耗 工作温度范围 接收灵敏度 1.9 V dBm Mbps mA 5.5 1 16 17 -40 to +85 -88 mA ℃ dBm uA 掉电模式功耗 1

无线收发芯片的比较与选择

无线收发芯片比较与选择 原文日期：2003-10-1原文作者：清华大学摩托罗拉MCU与DSP应用开发研究中心蒋俊峰 收录日期：2005-7-1来源：今日电子 网页快照：https://www.sodocs.net/doc/eb17320530.html,/2003/0009/js5.htm 阅读次数：1196次 摘要：本文比较了nRF401、nRF903和CC1000三款无线收发芯片的特性，详细介绍了它们的结构原理、特性及应用电路。 关键词：无线收发芯片；nRF401；nRF903；CC1000 1.前言 目前许多应用领域都采用无线的方式进行数据传输，这些领域涉及小型无线网络、无线抄表、门禁系统、小区传呼、工业数据采集系统、无线遥控系统、无线标签身份识别、非接触RF智能卡等。 由于无线收发芯片的种类和数量比较多，无线收发芯片的选择在设计中是至关重要的，正确的选择可以减小开发难度，缩短开发周期，降低成本，更快地将产品推向市场。选择无线收发芯片时应考虑需要以下几点因素：功耗、发射功率、接收灵敏度、收发芯片所需的外围元件数量、芯片成本、数据传输是否需要进行曼彻斯特编码等。 在本文中笔者就所了解的NRF短距数据通信芯片nRF401、nRF903和CC1000作一个对比描述，给出了它们的结构原理、特性及应用电路。 2. nRF401无线收发芯片 nRF401是Nordic公司研制的单片UHF无线收发芯片，工作在433MHz IS M（Industrial, Scientific and Medical）频段。它采用FSK调制解调技术，抗干扰能力强，并采用PLL频率合成技术，频率稳定性好，发射功率最大可达10dBm，接收灵敏度最大为－105dBm，数据传输速率可达20Kbps，工作电压在+3～5V之间。nRF401无线收发芯片所需外围元件较少，并可直接单片机串口。 nRF401芯片内包含有发射功率放大器（PA）、低噪声接收放大器（LNA）、晶体振荡器（OSC）、锁相环（PLL）、压控振荡器（VCO）、混频器（MIXFR）、解调器（DEM）等电路。在接收模式中，nRF401被配置成传统的外差式接收机，所接收的射频调制的数字信号被低噪声较大器放大，经混频器变换成中频，放大、滤波后进入解调器，解调后变换成数字信号输出（DOUT端）。在发射模式中，数字信号经DIN端输入，经锁相环和压控振荡器处理后进入到发射功率放大器射频输出。由于采用了晶体振荡和PLL合成技木，频率稳定性极好；采用FSK调制和解调，抗干扰能力强。 nRF401的ANT1和ANT2引脚是接收时低噪声接收放大器LNA的输入，以及发送时发射功率放大器P A的输出。连接nRF401的天线可以以差分方式连接到nRF401，一个50Ω的单端天线也可以通过一个差分转换匹配网络连接到nRF401。

功率放大集成电路原理及应用解读

家电检修技术<资料版>2007第7期总页(?? 初 学者天地 压从0V 逐渐升高,刚开始可看到两个万用表的数 值都上升,当电压增高到某一值时,可以看到表1的电压值在增大,而表2的电流值却在减小,当电压继续增大到另一个值时,这时又可以看到两个表的电压、电流值都开始增大。如果测试过程与上述的一样,说明该管是好的。如果不一样或变化很不明显,表明该管是坏的。 (完 TD 表1 5V 表2 10mA 20k 图11(b 判断隧道二极管测试电路 功率放大集成电路原理及应用 !丁朋 要点提示: ▲功率放大集成电路的功能是对音频信号进行功率放大,其最大特点是具有较大的输出功率,能够推动扬声器等负载。

▲功率放大集成电路的主要参数有:电源电压、静态电流、输出功率、电压增益、频响范围和谐波失真等。▲O TL 电路的优点是可以使用单电源,缺点是由于输出电容的存在,低频响应较差。 一、功能与参数 1.功能与特点 功率放大集成电路的功能是对音频信号进行功率放大。其最大特点是:具有较大的输出功率,能够推动扬声器等负载。 功率放大集成电路品种规格众多。按声道数可分为单声道音频功放和双声道音频功放;按电路形式可分为O TL 功率放大器、O CL 功率放大器和BTL 功率放大器等。其输出功率从数十毫瓦到数百瓦,具有很多规格,并具有多种封装形式。许多功率放大集成电路自带散热板,但由于自带的散热板一般较小,因此功率较大的功率放大集成电路在应用时仍应按要求安装散热器。功率放大集成电路自带的散热板有的与内部电路绝缘,有的与内部电路的接地点连通,有的与内部输出功放管集电极连通,安装散热器时应区别对待。对于自带散热板与内部电路不绝缘的功率放大集成电路,应在集成电路与散热器之间放置耐热绝缘垫片,如图1所示。 2.参数 功率放大集成电路的主要参数有:电源电压V CC 、静态电流I O 、输出功率P O 、电压增益、频响范围和谐波失真THD 等。 (1电源电压V CC ,包括最高电源电压和额定电源 电压,对于O TL 功率放大器一般为单电源(+V CC ,对于 O CL 功率放大器一般为双电源(±V CC 。最高电源电压是极限参数,使用中不得超过,推荐使用额定电源电压。

无线收发芯片NRF903在无线多媒体中的应用

第32卷第6期2004年12月浙江工业大学学报JO U RN A L OF ZHEJI AN G U N IV ERSIT Y O F T ECHN O LO G Y Vo l.32N o.6Dec.2004 收稿日期:2004-04-05;修订日期:2004-06-24作者简介:林文斌(1979-),男,浙江温岭人,硕士研究生,主要从事无线局域网研究。 无线收发芯片NRF 903在无线 多媒体中的应用 林文斌,孟利民,张江鑫 (浙江工业大学省光纤通信重点实验室,浙江杭州310032) 摘要:无线因其灵活,便捷等特点,一直被人们所青睐,随着多媒体技术、网络技术以及无线技术的进一步发展,以及4W(无论何人、何事、何时、何地都可以进行通信)的客户化理念等的提出,无线多媒体越来越受到人们的重视。文章先简要介绍了无线语音视频系统,并简要阐述了无线通信存在的问题,然后简单的描述了NRF 903特点,并着重介绍了无线收发芯片NRF 903模块的设计和工作方式,最后对系统的实现进行了介绍,对如何克服无线中存在的问题提出具体方法,并对系统的进一步改良提出一些建议。 关键词:无线多媒体;数字语音;NRF 903;无线通信 中图分类号:T P92 文献标识码:A 文章编号:1006-4303(2004)06-0679-05 The application of the RF transceiver NRF 903in the wireless multimedia communication LIN Wen-bin,M ENG Li-m in,ZHANG Jiang-x in (Provincial Key Lab of Optical C om munication,Zh ejiang University of Tech nology,Hangz hou 310032,Chin a ) Abstract :As wireless has been favoured by its ag ility and convenience,w ireless multim edia is receiving mor e and m ore attention along w ith the development of the multim edia techno logy ,netw ork technolog y and the introduction of the conception o f 4W (Whoever,Wherever,Whenever and Whatever).In this paper,the w ireless vo ice and video sy stem and the ex isting problems of w ir eless co mmunication are briefly rev iew ed first,follo w ed by a brief description of the characteristics of NRF 903,particullaly its desig n and w or king process,then w e pr esent how the system is realized,the specific metho ds to overco me the problem s during w ireless comm unication,and so me sug gestions on how to further improv e the system. Key words :w ireless multim edia;dig ital voice;NRF 903;w ireless com mnicatio n 0　引　言 现代通信技术正走向网络核心技术分组化、窄带接入技术无线化。现在无线作为有线的有效

几种常用无线收发芯片性能比较

几种常用无线收发芯片性能比较表 CC400nRF401 Brand Nordic 工作电压2.7—5.25VRF2915BC418XC1201 RFMD 2.4—5.0VBluechip 2.5--- 3.4V 不能直接接单Xemics 2.4—5.5VChipCon 2.7--- 3.3V不能直接接单可以直接接单片不能直接接单片片机串口使 数据可否机串口使用，数机串口使用，数 用，数据需要 直接接单据无需曼彻斯特据需要进行曼彻 进行曼彻斯特 片机串口编码，可直接传斯特编码，效率 编码，效率低 使用输串口数据，效低（实际速率为 （实际速率为

率高标称的1/3）不能直接接单片 片机串口使用，机串口使用，数 数据需要进行据需要进行曼彻 曼彻斯特编码，斯特编码，效率 效率低（实际速低（实际速率为 率为标称的标称的1/3） 标称的1/3）1/3）发射电流 @5dBm9mA17mA45mA10mA91mAoutput 6.8mA+ 接收电流 11mA 433MHz ext.filters 最大输出 +10dBm 功率 <128Kbps（外 部调制） 速率20Kbps9.6Kbps 2.4Kbps（内部 调制）

需要外接112*2*1 64Kbps9.6Kbps+5dBm+12dBm-5dBm+14dBmext.PLL&3 8mA maximum 7.5mA40mA天线的数 量（分别为 收发用） 封装SSOP20LQFP32TQFP44TQFP32 两根天线时约 外围元件 约10个 数量约50个>50个 一根天线时约 35个SSOP2820个 >25个由于无线收发芯片的种类和数量比较多，如何在你的设计中选择你所需要的芯片是非常关键的，正确的选择可以使你少走弯路，降低成本，更快地将你的产品推向市场。下面几点有助于你选择你所需要的产品： 1、收发芯片的数据传输是否需要进行曼彻斯特编码？ 采用曼彻斯特编码的芯片，在编程上会需要较高的技巧和经验，需要更多的内存和程序容量，并且曼彻斯特编码大大降低数据传输的效率，一般仅能达到标称速率的1/3。

无线漫游原理

无线(WLAN)技术漫游实现描述 一、FAT AP架构下，AP设备不做认证时： (1) AP1，AP2正常工作，发送Beacon帧，向STA通告支持的无线服务； (2) STA搜索到AP1的信号，向AP1发Probe Request,请求获取AP1所提供的无线服务；AP1回应Probe Response； (3) STA向AP1发送认证请求报文（Authentication Request）请求接入，AP1回应认证响应报文(Authentication Response); (4) STA向AP1发送关联请求报文（Association Request）进行关联，AP1回应关联响应报文(Association Response)。STA与AP间建立链路层连接;

(5) STA不需要进行身份认证，通过AP1成功连入网络。 (6) 当STA从AP1往AP2方向移动，感知到AP2的信号强度渐大，AP1强度渐弱，当AP2与AP1的信号强度差达到一定门限时，STA开始向AP2发起认证和关联请求，（通过Probe Request/Response, Authentication Request/Response 以及Association Request/Response报文）； (7) STA与AP2的链路层连接建立成功后，成功连入网络。 二、AC+FIT AP架构下，AC上不做认证时： (1) AP1与AP2分别与AC建立CAPWAP隧道； (2) AP1，AP2发送Beacon帧，向STA通告支持的无线服务；

(3) STA搜索到AP1的信号，向AP1发Probe Request,请求获取AP1所提供的无线服务；AP1回应Probe Response； (4) STA向AP1发送认证请求报文（Authentication Request）请求接入，AP1透传报文到AC，AC通过AP1回应认证响应报文(Authentication Response); (5) STA向AP1发送关联请求报文（Association Request）进行关联，AP1透传报文至AC，AC回应关联响应报文(Association Response)。STA与AP1间建立链路层连接; (6) STA不需要进行身份认证，通过AP1成功连入网络。 (7) 当STA从AP1往AP2方向移动，感知到AP2的信号强度渐大，AP1强度渐弱，当AP2与AP1的信号强度差达到一定门限时，STA开始向AP2发起认证和关联请求，（通过Probe Request/Response, Authentication Request/Response 以及Association Request/Response报文），建立无线链路连接； (8) AC通过AP1向STA发送一个去认证报文，通知STA从AP1下线； (9) STA通过AP2成功连入网络。 三、FAT AP架构下，在AP上进行802.1X认证时：

《集成电路原理及应用》课后答案

集成电路原理及应用(第3版) 谭博学 苗汇静 主编 课后习题答案 第二章 模拟集成电路的线性应用 2.9 试分析图1所示电路是什么电路，有何特点？图中设 3 4 21R R R R =。 （图1） 解：第一级运放为同相放大器。对A 1：由“虚断”和“虚短”得 i 1=i 2，v -1=v +1=u 1i ， 则u 1i = 1211R R R u o +，即11 21)1(i o u R R u +=， 对A 2：由“虚断”和“虚短”得 i 3=i 4，v -2=v +2=u 2i ， 则 4 2321R u u R u u o i i o -=-，即1342 34)1(o i o u R R u R R u -+= 代入u 1o 得))(1( 123 4 i i o u u R R u -+=， 因两个输入信号均从同相端输入，所以输入阻抗比较高。该电路为高输入阻抗的差动放大器。 2.11 求图3所示电路的增益A f ，并说明该电路完成什么功能。

解：该电路由两个集成运放构成，A1为主放大器接成反相运算放大器，A2为辅助放大器，A2也接成反相放大器，利用A2对A1构成正反馈，是整个电路向信号源索取的电流极少。 主放大器A 1：由“虚断”和“虚短”得 2 1R u R u o i -= ,则A f =121o o i i u u R u u R ===- 辅助放大器A2的电压放大倍数：221222 2o o VF i o u u R A u u R = ==- 该电路为自举电路，目的是提高电路的输入电阻。 由1i i i i U U R I I I = = - 由 12i o U U R R =-和321 2o U U R R =-得32i U U = 所以 1i i i U U I R R = - 因此1 1 i i i U RR R I R R = = - 当1R R =时，i R →∞，1I I = 2.12 求图4所示电路输出电压与输入电压的表达式，并说明该电路完成什么功能。

几种常用无线收发芯片性能比较表

几种常用无线收发芯片性能比较表 作者：发布时间：2008-9-5 22:31:35 阅读次数：几种常用无线收发芯片性能比较表

由于无线收发芯片的种类和数量比较多，如何在你的设计中选择你所需要的芯片是非常关键的，正确的选择可以使你少走弯路，降低成本，更快地将你的产品推向市场。下面几点有助于你选择你所需要的产品： 1、收发芯片的数据传输是否需要进行曼彻斯特编码？ 采用曼彻斯特编码的芯片，在编程上会需要较高的技巧和经验，需要更多的内存和程序容量，并且曼彻斯特编码大大降低数据传输的效率，一般仅能达到标称速率的1/3。 而采用串口传输的芯片（如nRF401），应用及编程非常简单，传送的效率很高，标称速率就是实际速率，因为串口对大家来说是再熟悉不过的了，编程也很方便。

2、收发芯片所需的外围元件数量 芯片外围元件的数量的直接决定你的产品的成本，因此应该选择外围元件少的收发芯片。有些芯片似乎比较便宜，可是外围元件使用很多昂贵的元件如变容管以及声表滤波器等；有些芯片收发分别需要两根天线，会大大加大成本。这方面nRF401做得很好，外围元件仅10个左右，无需声表滤波器、变容管等昂贵的元件，只需要便宜且易于获得的4MHz晶体，收发天线合一。 3、功耗 大多数无线收发芯片是应用在便携式产品上的，因此功耗也非常重要，应该根据需要选择综合功耗较小的产品. 4、发射功率 在同等条件下，为了保证有效和可靠的通信，应该选用发射功率较高的产品。但是也应该注意，有些产品号称的发射功率虽然较高，但是由于其外围元件多，调试复杂，往往实际的发射功率远远达不到标称值。 5、收发芯片的封装和管脚数 较少的管脚以及较小的封装，有利于减少PCB面积降低成本，适合便携式产品的设计，也有利于开发和生产。nRF401仅20脚，是管脚数和体积最小的。 【未经授权，禁止转载。】【打印本页】

几种常用无线收发芯片性能比较.

几种常用无线收发芯片性能比较表

由于无线收发芯片的种类和数量比较多，如何在你的设计中选择你所需要的芯片是非常关键的，正确的选择可以使你少走弯路，降低成本，更快地将你的产品推向市场。下面几点有助于你选择你所需要的产品： 1、收发芯片的数据传输是否需要进行曼彻斯特编码？ 采用曼彻斯特编码的芯片，在编程上会需要较高的技巧和经验，需要更多的内存和程序容量，并且曼彻斯特编码大大降低数据传输的效率，一般仅能达到标称速率的1/3。 而采用串口传输的芯片（如nRF401），应用及编程非常简单，传送的效率很高，标称速率就是实际速率，因为串口对大家来说是再熟悉不过的了，编程也很方便。 2、收发芯片所需的外围元件数量 芯片外围元件的数量的直接决定你的产品的成本，因此应该选择外围元件少的收发芯片。 有些芯片似乎比较便宜，可是外围元件使用很多昂贵的元件如变容管以及声表滤波器等；有些芯片收发分别需要两根天线，会大大加大成本。这方面nRF401做得很好，外围元件仅10

个左右，无需声表滤波器、变容管等昂贵的元件，只需要便宜且易于获得的4MHz晶体，收发天线合一。 3、功耗 大多数无线收发芯片是应用在便携式产品上的，因此功耗也非常重要，应该根据需要选择综合功耗较小的产品. 4、发射功率 在同等条件下，为了保证有效和可靠的通信，应该选用发射功率较高的产品。但是也应该注意，有些产品号称的发射功率虽然较高，但是由于其外围元件多，调试复杂，往往实际的发射功率远远达不到标称值。 5、收发芯片的封装和管脚数 较少的管脚以及较小的封装，有利于减少PCB面积降低成本，适合便携式产品的设计，也有利于开发和生产。nRF401仅20脚，是管脚数和体积最小的。

集成电路原理及应用-武汉大学物理科学与技术学院

1、课程代码 0700559 2、课程名称 集成电路原理及应用 Integrated Circuit Principle and Application 3、授课对象 电子科学与技术专业 4、学分 3 5、修读期 第七学期 6、课程组负责人 主讲教师：刘威、讲师、硕士 7、课程简介 《集成电路设计与应用》是电子科技的一门应用课程，也是进入物理学其它学科学习的先导课程。本课程内容包括集成电路发展历史、集成电路器件原理与模型、反相器的原理、反相器的功耗与延迟分析和模拟、集成电路的基本逻辑门原理、逻辑门的功耗和延迟分析及优化、集成电路的寄生效应、时序集成电路的分析和设计、加法器模块设计、移位器模块设计、存储器模块的设计和优化、模拟电路模块的设计和优化。除了课程讲授之外，还安排了上机时间进行集成电路的模拟实验。学习利用软件模拟合设计集成电路，以及对其进行分析。 通过对本课程的学习，使学生不仅掌握集成电路的设计原理，还能运用自己动手设计集成电路，并能对其性能进行分析和优化。为进行相关工作较好的基础。 8、实践环节学时与内容或辅助学习活动 上机时间课6 学时，利用软件Hspice 和Tannar pro 设计集成电路，并对其功耗、延迟进行分析。 9、课程考核 平时成绩、上机成绩、期末成绩、 10、指定教材 《半导体集成电路》朱正涌编著，张开华主审，清华大学出版杜2001年，高等学校工科电子类规划教材11、参考书目 11、参考书目 《数字集成电路》, 2ndEdition.Rabaey et. al. 2002 Berkeley 《数字集成电路分析与设计》,3rdEdition.David et.al.2005 Berkeley 《模拟CMOS集成电路设计》,Razavi. 2001 Stanford 12、网上资源

集成电路工艺原理试题总体答案

目录 一、填空题（每空1分，共24分） (1) 二、判断题（每小题1.5分，共9分） (1) 三、简答题（每小题4分，共28分） (2) 四、计算题（每小题5分，共10分） (4) 五、综合题（共9分） (5) 一、填空题（每空1分，共24分） 1.制作电阻分压器共需要三次光刻，分别是电阻薄膜层光刻、高层绝缘层光刻和互连金属层光刻。 2.集成电路制作工艺大体上可以分成三类，包括图形转化技术、薄膜制备技术、掺杂技术。 3.晶体中的缺陷包括点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷等四种。 4.高纯硅制备过程为氧化硅→粗硅→ 低纯四氯化硅→ 高纯四氯化硅→ 高纯硅。 5.直拉法单晶生长过程包括下种、收颈、放肩、等径生长、收尾等步骤。 6.提拉出合格的单晶硅棒后，还要经过切片、研磨、抛光等工序过程方可制备出符合集成电路制造要求的硅衬底 片。 7.常规的硅材料抛光方式有：机械抛光，化学抛光，机械化学抛光等。 8.热氧化制备SiO2的方法可分为四种，包括干氧氧化、水蒸汽氧化、湿氧氧化、氢氧合成氧化。 9.硅平面工艺中高温氧化生成的非本征无定性二氧化硅对硼、磷、砷（As）、锑（Sb）等元素具有掩蔽作用。 10.在SiO2内和Si- SiO2界面存在有可动离子电荷、氧化层固定电荷、界面陷阱电荷、氧化层陷阱等电荷。 11.制备SiO2的方法有溅射法、真空蒸发法、阳极氧化法、热氧化法、热分解淀积法等。 12.常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂质在体内满足余误差函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表 面源扩散过程中，杂质在体内满足高斯分布函数分布。 13.离子注入在衬底中产生的损伤主要有点缺陷、非晶区、非晶层等三种。 14.离子注入系统结构一般包括离子源、磁分析器、加速管、聚焦和扫描系统、靶室等部分。 15.真空蒸发的蒸发源有电阻加热源、电子束加热源、激光加热源、高频感应加热蒸发源等。 16.真空蒸发设备由三大部分组成，分别是真空系统、蒸发系统、基板及加热系统。 17.自持放电的形式有辉光放电、弧光放电、电晕放电、火花放电。 18.离子对物体表面轰击时可能发生的物理过程有反射、产生二次电子、溅射、注入。 19.溅射镀膜方法有直流溅射、射频溅射、偏压溅射、磁控溅射（反应溅射、离子束溅射）等。 20.常用的溅射镀膜气体是氩气（Ar）,射频溅射镀膜的射频频率是13.56MHz。 21.CVD过程中化学反应所需的激活能来源有？热能、等离子体、光能等。 22.根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为：气相外延、液相外延、固相外延。 23.硅气相外延的硅源有四氯化硅（SiCl4）、三氯硅烷（SiHCl3）、二氯硅烷（SiH2Cl2）、硅烷（SiH4）等。 24.特大规模集成电路（ULIC）对光刻的基本要求包括高分辨率、高灵敏度的光刻胶、低缺陷、精密的套刻对准、对大尺寸硅片 的加工等五个方面。 25.常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、 去胶等。 26.光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有溶解度、温度、甩胶时间、转速。 27.控制湿法腐蚀的主要参数有腐蚀液浓度、腐蚀时间、腐蚀液温度、溶液的搅拌方式等。 28.湿法腐蚀Si所用溶液有硝酸-氢氟酸-醋酸（或水）混合液、KOH溶液等，腐蚀SiO2常用的腐蚀剂是HF溶液，腐蚀 Si3N4常用的腐蚀剂是磷酸。 29.湿法腐蚀的特点是选择比高、工艺简单、各向同性、线条宽度难以控制。 30.常规集成电路平面制造工艺主要由光刻、氧化、扩散、刻蚀、离子注入（外延、CVD、PVD）等工 艺手段组成。 31.设计与生产一种最简单的硅双极型PN结隔离结构的集成电路，需要埋层光刻、隔离光刻、基区光刻、发射区光刻、引线区 光刻、反刻铝电极等六次光刻。 32.集成电路中隔离技术有哪些类？ 二、判断题（每小题1.5分，共9分） 1.连续固溶体可以是替位式固溶体，也可以是间隙式固溶体（×） 2.管芯在芯片表面上的位置安排应考虑材料的解理方向，而解理向的确定应根据定向切割硅锭时制作出的定位面为依据。（√） 3.当位错线与滑移矢量垂直时，这样的位错称为刃位错，如果位错线与滑移矢量平行，称为螺位错（√） 4.热氧化过程中是硅向二氧化硅外表面运动，在二氧化硅表面与氧化剂反应生成二氧化硅。（×） 5.热氧化生长的SiO2都是四面体结构，有桥键氧、非桥键氧，桥键氧越多结构越致密，SiO2中有离子键成份，氧空位表现为带正

集成电路工艺原理(期末复习资料)

第一章 1、何为集成电路：通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、 电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如Si、GaAs）上，封装在一个内，执行特定电路或系统功能。 关键尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。 2、它是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度，越小，芯片的集成度越高，速度越 快，性能越好 3、摩尔定律：、芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月就翻一番。 4、High-K材料：高介电常数，取代SiO2作栅介质，降低漏电。 Low-K 材料：低介电常数，减少铜互连导线间的电容，提高信号速度 5、功能多样化的“More Than Moore”指的是用各种方法给最终用户提供附加价值，不 一定要缩小特征尺寸，如从系统组件级向3D集成或精确的封装级(SiP)或芯片级(SoC)转移。 6、IC企业的分类：通用电路生产厂；集成器件制造；Foundry厂；Fabless：IC 设计公 司；Chipless；Fablite 第二章：硅和硅片的制备 7、单晶硅结构：晶胞重复的单晶结构能够制作工艺和器件特性所要求的电学和机械性 能 8、CZ法生长单晶硅把熔化的半导体级硅液体变成有正确晶向并且被掺杂成n或p型 的固体硅锭； 9、直拉法目的：实现均匀掺杂和复制籽晶结构，得到合适的硅锭直径，限制杂质引入； 关键参数：拉伸速率和晶体旋转速度 10、CMOS （100）电阻率：10~50Ω?cm BJT（111）原因是什么？ 11、区熔法？纯度高，含氧低；晶圆直径小。 第三章集成电路制造工艺概况 12、亚微米CMOS IC 制造厂典型的硅片流程模型 第四章氧化；氧化物 12、热生长：在高温环境里，通过外部供给高纯氧气使之与硅衬底反应，得到一层热生长的SiO2 。 13、淀积：通过外部供给的氧气和硅源，使它们在腔体中方应，从而在硅片表面形成一层薄膜。 14、干氧：Si（固）＋O2（气）－> SiO2(固)：氧化速度慢，氧化层干燥、致密，均匀性、重复性好，与光刻胶的粘附性好. 水汽氧化：Si （固）＋H2O （水汽）－>SiO2（固）+ H2 （气）：氧化速度快，氧化层疏松，均匀性差，与光刻胶的粘附性差。 湿氧：氧气携带水汽，故既有Si与氧气反应，又有与水汽反应。氧化速度氧化质量介于以上两种方法之间。

2.4GHz无线数字音频芯片nRF24Z1及其应用

2.4GHz无线数字音频芯片nRF24Z1及其应用 【摘要】nRF24Z1是Nordic半导体公司推出的2.4GHz无线数字音频收发芯片。本文介绍了用nRF24Z1组成音频系统的基本框架，详细阐述了该芯片的音频发射器、音频接收器、音频输入接口、音频输出接口、芯片控制接口和中断输出等模块的结构，分析了射频协议、射频初始化方法和跳频通信方法，并给出应用电路原理图和讲述PCB制板的经验。在文章的最后，对全文进行了总结。 【关键词】射频，nRF24Z1，无线通信，音频，应用 1. 引言 nRF24Z1是挪威Nordic半导体公司于2005年推出的单片式CD（Compact Disc，光盘）音质无线数字音频芯片，其能以24位4 8kHz的速度处理数字音频流。芯片工作于2.4GHz自由频段，工作电压为2.0~3.6伏，片内集成了电压管理器，能够最大限度地抑制噪声。nRF24Z1有I2S串行接口和S/PDIF接口（索尼/菲利浦数字接口）两种数字音频接口，I2S提供了与各种低成本的A/ D（模/数转换）和D/A（数/模转换）的无缝连接，S/PDIF 接口提供了与PC和环绕设备的直接接口。通过SPI或I2C接口来对芯片进行控制。同时还提供了控制信息如音量，平衡，显示等双向传输的功能，是一个使用、性能、成本相结合的数字音频芯片。可应用于CD无线耳机、无线音箱、MP3无线耳机、无线音频下载器等系统中。 2. 无线音频系统 nRF24Z1能够以高达1.54Mbit/s的速率处理音频流，音频数据的输入/输出、射频协议和射频连接等工作由片内的硬件完成。图1所示为使用nRF24Z1的无线音频系统的结构框图，在该系统中，只需使用简单的或低速的微控制器或DSP(数字信号处理器)即可完成系统的控制，微控制器通常通过串行口或并行口控制一些简单的任务，如音量调节等。 图1使用nRF24Z1的无线音频系统框图 由图1可见，音频数据的传输是由一对nRF24Z1实现的，音频数据最终提供给接收端的立体声DAC(数模转换器)。nRF24Z1的初始配置由微控制器通过SPI或I2S接口进行控制。在接收端，外围电路如DAC的控制可以由发送端的nRF24Z1通过控制信道进行控制[1]。如果设计中没有使用微控制器，则配置数据可以通过片外的EEPROM/FLASH存储器进行加载。 在无线音频流处理系统中，音频数据的流向总是从声源(如CD播放器)到声宿(如扬声器)。本系统中，在声源端使用nRF24Z1进行音频数据的发送，在声宿端使用nRF24Z1进行音频数据的接收。鉴于上述的收发差异性，nRF24Z1可能通过MODE引脚设置其工作于发射器模式或接收器模式，这两种模式下，nRF24Z1片内工作的模块和I/O引脚功能都有很大差异。 1. 芯片结构 3.1音频发射器 当nRF24Z1作为音频发射器时，MODE引脚必须置为高电平。nRF24Z1作为音频发射器时，其片内功能结构如图2所示。I2S 接口或S/PDIF接口可以用作音频数据的输入接口。I2S接口由CLK、DATA和WS三个引脚组成，S/PDIF接口只需要SPDIO 一个引脚，在声源与nRF24Z1距离比较近时，推荐使用I2S接口，反之，推荐使用S/PDIF接口。