2020年清华大学电子科学与技术考研考试科目、招生人数、参考书目、复试分数、录取人数

2020年清华大学电子科学与技术考研考试科目、招生人数、参考书目、复试分数、录取人数

摘要：本文将系统的对清华大学电子工程系电子科学与技术考研进行解析，主要有以下几个板块：清华大学电子工程系介绍、电子科学与技术考研考试科目、电子科学与技术考研参考书目、近3年复试分数线和录取情况、清华大学备考经验等几大方面。新祥旭考研老师xxx-nls将详细的为大家解答：

一、清华大学电子工程系介绍

清华大学电子工程系源于1932年成立的清华大学电机系电讯组，1952年建系，始称“无线电工程系”，1958年更名为“无线电电子学系”，1989年更现名至今。建系以来，经过历代师生员工的努力，逐步建成了“电子科学与技术”、“信息与通信工程”两个全国重点一级学科，涵盖物理电子学与光电子学、电路与系统、电磁场与微波技术、通信与信息系统、信号与信息处理、复杂系统与网络等研究领域，是全国学科最全、综合性最强的电子工程专业；逐步建成了较为完整的工学学士、工学硕士、工程硕士和工学博士的培养体系，构建起了。

覆盖两个一级学科核心概念的新课程体系，向社会输送了大批优秀人才；逐步形成了亦工亦理、教研并重的办学理念，严谨、勤奋、求实、创新的学术风格，以及团结务实、学术自由、追求卓越的文化传统。

清华大学电子工程系的专业方向-电子信息科学与技术-是以物理和数学为基础，研究通过电学形式表达、操控信息的基本规律以及运用这些基本规律实现各种电子系统的方法。在进入电子时代和信息社会的今天，电子信息科学技术已渗透到各个领域。清华电子工程系将在传统信息领域研究优势的基础上，积极拓展新兴学科，在与能源、环境、生物等学科的交叉融合中寻求广阔的创新空间。清华大学电子工程系致力于把高水平的学术研究与国家和产业的重大需求结合起来，把研究前沿技术与培养优秀学生结合起来，努力为国家和社会输送优秀人才和高水平科研成果。

为适应学校发展和国家建设的需要，电子工程系把建设世界一流的电子工程学科作为发展目标。在过去半个多世纪发展的基础上，抓住科技变革的机遇和世界产业创新中心向中国转移的机遇，在电子基础理论研究方面和在中国电子产业走向自主创新方面发挥关键作用，赶超世界一流，努力从“跟随者”（follower）变成“领跑者”（leader）。为达成这一目标，希望与国内外的同行加强合作，共同为电子信息科学与技术的发展创造良好的学术生态环境，同时努力提高管理水平、建设科研平台、与国内外的同行加强学术交流等，力争在不久的将来跻身世界著名大学电子工程学科的前列。

二、清华大学电子科学与技术考研考试科目、招生情况

专业代码080900 专业名称电子科学与技术招生人数专项计划+2人

研究方向01(全日制)物理电子学与光电子学

02(全日制)电路与系统

03(全日制)电磁场与微波技术

04( 全日制)“清华- 约翰霍普金斯”双硕士项目

考试科目01、03方向：①101 思想政治理论②201 英语一③301 数学一④829 电磁场理论

02方向：①101 思想政治理论②201 英语一③301 数学一④828 信号与系统

04方向：①101 思想政治理论②201 英语一③301 数学一④828 信号与系统或829 电磁场理论

复试内容01-03方向仅接收专项计划考生，04方向招收2人；

01方向复试：激光原理或微波技术或电子电路（含数字电路和模拟电路）（三选一）02方向复试：现代通信原理或电子电路（含数字电路和模拟电路）（二选一）

03方向复试：微波技术或电子电路（含数字电路和模拟电路）(二选一）

04方向复试：复试时专业综合考试内容：激光原理、微波技术、电子电路（含数字电路

和模拟电路）、现代通信原理（四选一）

三、清华大学电子科学与技术考研参考书目

828 信号与系统

《信号与系统》上册下册高教出版社2000年第二版郑君里等

《信号与系统引论》高教出版社2009年3月第一版郑君里等

《信号与系统分析基础》，刘卫东，清华大学出版社，2008

829 电磁场理论

《电磁场理论》清华大学出版社2001年2003年重印王蔷李国定龚克

《电动力学》高教出版社1997年第二版郭硕鸿

《电磁场基础》，马信山等，清华大学出版社，2003

四、清华大学电子科学与技术考研复试分数线、录取人数

年份专业代码专业名称政治外语业务课1 业务课2 总分录取

2018

080900

电子科学与

技术参考专项计划分数线 2

2017 50 50 80 80 376 3 2016 50 50 80 80 330 3

五、清华大学电子科学与技术2018年录取名单

序号考号姓名录取专业初试成绩复试成绩总成绩备注

1 100038023002880 王郑浩电子科学与

技术

379.16 332 711.16 强军计划

2 100038023008976 康馨文 电子科学与

技术 405.44 359 764.44 少干计划

六、清华大学电子科学与技术考研备考指导

1、零基础复习阶段（6月前)

本阶段根据考研科目，选择适当的参考教材，有目的地把教材过一遍，全面熟悉教材，适当扩展知识面，熟悉专业课各科的经典教材。这个期间非常痛苦，要尽量避免钻牛角尖，遇到实在不容易理解的内容，先跳过去，要把握全局。系统掌握本专业理论知识。对各门课程有个系统性的了解，弄清每本书的章节分布情况，内在逻辑结构，重点章节所在等，但不要求记住，最终基本达到清华本科水平。

2、基础复习阶段（6－8月)

本阶段要求考生熟读教材，攻克重难点，全面掌握每本教材的知识点，结合真题找出重点内容进行总结，并有相配套的专业课知识点笔记,进行深入复习，加强知识点的前后联系，建立整体框架结构，分清重难点，对重难点基本掌握。同时多练习相关参考书目课后习题、习题册，提高自己快速解答能力，熟悉历年真题，弄清考试形式、题型设置和难易程度等内容。要求吃透参考书内容，做到准确定位，事无巨细地对涉及到的各类知识点进行地毯式的复习，夯实基础，训练思维，掌握一些基本概念和基本模型。

3、强化提高阶段（9月－11月）

本阶段要求考生将知识积累内化成自己的东西，动手做真题，形成答题模式，做完的真题可以请考上目标院校的师兄、师姐帮忙批改，注意遗漏的知识点和答题模式；总结并熟记所有重点知识点，包括重点概念、理论和模型等，查漏补缺，回归教材。

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t u u O O i o /V /V 1010

1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t

郑州大学941电子科学与技术2018考研真题试题考研参考书

郑州大学941电子科学与技术2018考研真题试题考 研参考书 《2019郑州大学考研941电子科学与技术考研复习指导》（收录郑大考研真题答案）由郑大考研尚研教育联合郑州大学优秀研究生经过半年时间共同合作整理编写而成。郑大各专业考研复习指导，包含郑大考研分数线、报录比、考研大纲、导师信息等，内容紧凑权威细致，编排结构科学合理，为参加2019郑州大学考研的考生量身定做的必备专业课资料。 《2019郑州大学考研941电子科学与技术复习》参考书目： 《模拟电子技术基础》童诗白，高等教育出版社（2006年5月第四版） 《数字电子技术基础》阎石，高教出版社（2006年5月第五版） 适用科目： 080900电子科学与技术、085209集成电路工程(专业硕士),085208电子与通信工程(专业硕士) 说明：☆表示该专业是国家重点学科，▲表示该专业是省重点学科，★表示该专业有博士点。 ※专业课初试考试科目： 941电子科学与技术（模拟电路、数字电路） 内容详情 本书包括了以下几个部分内容： Part1-考试重难点： 1、郑州大学电子科学与技术基础（含模电和数电）考研高分笔记 2、郑州大学《模拟电子技术基础》考试复习重点习题讲解和大纲 3、郑州大学《模拟电子技术基础》老师上课课件 4、郑州大学《数字电子技术基础》老师上课课件 5、阎石《数字电子技术基础》（第5版）考研核心笔记 6、童诗白《模拟电子技术基础》（第4版）考研核心笔记 7、郑州大学考研《数字电子技术基础》课程练习题8套 8、郑州大学考研《数字电子技术基础》期末试题汇编 8、阎石《数字电子技术基础》（第5版）课后习题以及详解 （第4版）课后习题以及详解

考研跨专业难度较大的专业 电子科学与技术专业(同名3926)

考研跨专业难度较大的专业电子科学与技术专业(同名3926)

考研跨专业难度较大的专业电子科 学与技术专业 21世纪，随着现代科学技术的飞速发展，人类历史即将进入一个崭新的时代──信息时代。其鲜明的时代特征是，支撑这个时代的诸如能源、交通、材料和信息等基础产业均将得到高度发展，并能充分满足社会发展及人民生活的多方面需求。信息科学的基础是微电子技术和光电子技术，它们同属于教育部本科专业目录中的一级学科“电子科学与技术”。 本专业培养具备物理电子、光电子与微电子学领域内宽广理论基础、实验能力和专业知识，能在该领域内从事各种电子材料、元器件、集成电路、乃至集成电子系统和光电子系统的设计、制造和相应的新产品、新技术、新工艺的研究、开发等方面工作的高级工程技术人才。 主干课程 电子科学与技术主要课程：电子线路、计算机语言、微型计算机原理、电动力学、量子力学、理论物理、固体物理、半导体物理、物理

凯程考研，中国最权威的考研辅导班 电子与电子学以及微电子学等方面的专业课程。 主要实践性教学环节：包括电子工艺实习、电子线路实验、计算机语言和算法实践、课程设计、生产实习、毕业设计等。一般安排20周。 凯程教育张老师整理了几个节约时间的准则：一是要早做决定，趁早备考;二是要有计划，按计划前进;三是要跟时间赛跑，争分夺秒。总之，考研是一场“时间战”，谁懂得抓紧时间，利用好时间，谁就是最后的胜利者。 1.制定详细周密的学习计划。 这里所说的计划，不仅仅包括总的复习计划，还应该包括月计划、周计划，甚至是日计划。努力做到这一点是十分困难的，但却是非常必要 第3页共 21 页

清华大学数字电路汇总题库

清华大学数字电路题库 一、填空题 : （每空1分，共10分） 1． (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为条、数据线为条。 二、选择题： (选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门 3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（）。 A、通过大电阻接地（>1.5KΩ） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ）

B、 D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示，则该电路为（）。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（）。 A、10级施密特触发器 B、10位二进制计数器 C、十进制计数器 B、D、10位D/A转换器 9、已知逻辑函数与其相等的函数为（）。 A、 B、 C、 D、 10、一个数据选择器的地址输入端有3个时，最多可以有（）个数据信号输出。 A、4 B、6 C、8 D、16 三、逻辑函数化简（每题5分，共10分） 1、用代数法化简为最简与或式 Y= A +

2016~2017年北京科技大学计算机科学与技术考研经验

北京科技大学计算机科学与技术考研经验 北京科技大学计算机科学与技术考研经验 先讲讲自己吧， 本人山东人， 在一所山东的一所综合二本大学读计算机， 今年考上北京科技 大学计算机学院，工学 + 公费 + 奖学金。因为北科今年政策比较好，工学公费名额很多，奖 学金覆盖率 100% ，我的属于普通情况。说说北科吧，北科的分数不算高，但也不是说上就 能考上的。 北科的计算机整体来讲觉得能排在全国前二十吧， 就业来讲可以说很好 （今年的 就业形势不错）。北科学校很小，校园景色也很一般，如果你本科的学校很大很漂亮，那么去到后你可能有些失望了。 但我觉得上研究生校园就无所谓了， 毕竟也不是新生了。 北科计 算机的项目还是不少的， 研二的学长们成天在实验室都挺忙的， 所以对北科感兴趣的同学可 以考虑。毕竟北科的性价比挺高的。 废话了一大篇， 该说正事了， 就是我的计算机考研的经验吧。 下面我从以下几个方面来说说 吧！可能有些乱，但都是自己用心敲出来的，还请尊重偶的劳动啊！ 1 ）时间。 这里我想说的时间不是你每天要花多长时间来复习，这个因人而异。我 想说说准备时间。很多人在 3

、 4 月份就开始准备了，每天花很长时间来学习，开始很猛， 进度也很快，可是我想说的是这样的人往往后劲不足，后来一点都不猛了。这是很可怕的，因为往往后来的复习更有效果，很多人甚至报名的时候就放弃了。这不能说这些人没毅力，而是对考研没有正确的任何， 学习没有策略性。 在这一点上我深有体会， 我在八月到十月的 三个月时间里学习很努力， 每天去的早回来的晚。 可是在十一月初的时候我中午在教室睡觉 感冒发烧了， 当天去挂吊瓶了， 就从这天开始我的学习再也没有猛过了。 之后时间里自己学 习就很力不从心了，晚上经常失眠，很晚才能睡着，早上醒的又早，每天处于亚健康状态。曾经一度我都想过放弃算了， 可是自己还是坚持下来了， 呵呵， 这个过程我要感谢我的女朋 友，她一直在背后支持我。所以，一定要合理安排时间，不要用力过猛，也不要过于懒散。每天还是要坚持学习， 感到力不从心的时候自己要通过这种方式去调节， 千万不可轻言放弃。 记得去年的这个时候六月份， 每天学习时间也不多， 大约五六个小时吧。 然后晚上熬夜看世 界杯，想想挺怀念的。我的建议是：在八月份之前的日子，每天平均拿出来 4--8 小时学习 就可以了，不要过于疲劳，这样在最后几个月就会有很好的后劲！呵呵，后劲可畏啊！ 2 ）计划。考研不同于高考，高考是老师带着你去复习，而考研完完全全是自己去 做的， 所有的所有没人能帮助你， 除了你自己。 因此如何高效利用时间我认为最重要一点就 是系统计划复习进度。 我觉得自己在班里不是最努力的， 但我觉得自己学习是最有系统性的。 我复习都是制定详细的复习计划， 比如每个月我都会制定一个一个详细的计划，

电力电子技术-研究生(A卷)

一、填空题（每空1分，共15分） 1、晶闸管导通的条件是正向阳极电压、正向门极触发电流。 2、电子器件据其能被控制信号所控制的程度，可分为三大类: 不控型、半控型、 全控型。 3、擎住电流是指晶闸管刚从断态转入通态, 移除触发信号使元件保持导通所需最小阳极电流。 4、绝缘栅晶体管(IGBT)是GTR(或电力晶体管) 和MOSFET(或功率场效应管或电力场效应管) 的复合型器件。 5、根据无源逆变器直流输入端接入滤波器的不同，可分为电压(或电压源) 型逆变器和电流(或电流源) 型逆变器,按电子开关的工作规律分，无源逆变器的基本类型为1800导电型和1200导电型。 6、将一个不可控直流电压变换为适合于负载要求的可控直流电压的技术称为直流斩波技术。 二、简答题（每题5分，共30分） 1、全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？试分析RCD缓冲电路各元件的作用？ (1)抑制电力电子器件内因过电压，du/dt 或过电流和di/dt，减少器件的开关损耗。 (2) C限制关断时电压的上升，R限制电流的大小。D利用单向导电性, 关断时起作用。 2、简述电压型逆变器和电流型逆变器主电路中每一桥臂的结构,并分析二极管的作用。 (1)电压型逆变器每个桥臂由电子开关和一个反并联的二极管组成，二极管起续流作 用。 (2)电流型逆变器每个桥臂由电子开关串联一个二极管组成，二极管确保每一个桥臂 的电流单方向流动。

精选文库 (1)逆变运行时,一旦发生换流失败,外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路, 或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联,由于逆变电路内阻很小,形成很大的短路电流,称为逆变失败。 (2)防止逆变失败的方法: 采用精确可靠的触发电路,使用性能良好的晶闸管,保证交流电流的质量,留出充足的换向裕量角等。 4、什么是IGBT 掣住效应？它有什么危害？ (1)在额定集电极电流范围内，在NPN 管的基极与发射极之间的体内短路电阻Rs 上 的偏压很小，对NPN 管无影响。 (2)如果集电极电流大到一定程度，Rs 上压降上升，相当于加一正偏电压，使NPN 管导通，进而使NPN 、PNP 两晶体管同时处于饱和状态，造成寄生晶闸管开通IGBT 栅极失去控制作用，这就是所谓的掣住效应。 (3)IGBT 一旦发生掣住效应，器件将失控，集电极电流将增大，早成过高的功耗，将导致器件损坏。另外，它还关系着IGBT 的安全工作区的大小，在实际应用中是需要引以重视的问题。 5、简要说明锯齿波垂直移相触发电路中，控制电压、偏移电压各有什么作用？ (1)改变控制电压就可以改变触发脉冲产生的时刻，达到移相的目的。 (2)设置偏移电压的目的是确定控制电压的初始相位。 6、简述电力晶体管产生二次击穿的原因。 (1)当GTR 的C 、E 极间施加的电压高于晶体管的电压的额定值时，GTR 的电流雪 崩式增加，呈现负阻特性，即出现一次击穿现象。 (2)若GTR 出现一次击穿后继续增大外加反向电压u ce ，反向电流将继续增大，元件将会吸收足够的能量，其工作状态将以极快的速度移向负阻区，形成二次击穿，结果是在纳秒或微秒时间内器件永久性损坏。 三、计算题（每题15分，共30分） 1、单相桥式全控整流电路为阻感负载，变压器次级电压有效值为200V ，R L >>ω，

计算机科学与技术专业考研院校排名

计算机科学与技术专业考研院校排名 计算机科学与技术专业考研热门院校排名，其中包含众多院校。希望能够对于处于备考初期阶段的2017考研的`同学们在选择院校的过程中提供帮助。 学校代码及名称 学科整体水平得分 10003清华大学 95 90002国防科学技术大学 88 10001北京大学 87 10006北京航空航天大学 82 10213哈尔滨工业大学 10248上海交通大学 10335浙江大学 10284南京大学 80 10358中国科学技术大学 79 10145东北大学 77 10487华中科技大学

10013北京邮电大学 76 10247同济大学 10486武汉大学 10614电子科技大学10699西北工业大学10246复旦大学 75 10286东南大学 10558中山大学 10183吉林大学 74 10533中南大学 10610四川大学 10611重庆大学 10698西安交通大学10701西安电子科技大学10002中国人民大学 72 10004北京交通大学10005北京工业大学10007北京理工大学

10056天津大学 10359合肥工业大学10532湖南大学 10008北京科技大学 70 10141大连理工大学10217哈尔滨工程大学10287南京航空航天大学10422山东大学 10027北京师范大学 69 10055南开大学 10269华东师范大学10288南京理工大学10613西南交通大学10617重庆邮电大学10730兰州大学 90006解放军理工大学10108山西大学 68 10216燕山大学 10285苏州大学

10058天津工业大学 67 10060天津理工大学10186长春理工大学10280上海大学 10293南京邮电大学10294河海大学 10299江苏大学 10337浙江工业大学10475河南大学 10491中国地质大学10511华中师范大学10635西南大学 10697西北大学 10718陕西师范大学10755新疆大学 10032北京语言大学 65 10143沈阳航空航天大学10144沈阳理工大学10252上海理工大学10295江南大学

上海交通大学电力电子考研复试经验

我考的是上海交大电气系电力电子与电力传动方向，前两天刚刚参加完复试，现把复试的大概情况给大家说一下，让明年考的同学们心里有一点数。 电气系的复试是3月27号到3月29号。27号上午体检，下午笔试；28号面试；29号英语听力。下面我详细介绍一下： 体检：27号早上7点半我到了闵行校医院，发现已经有很多人在排队交费了，体检费45大洋。7点50左右我交了费，体检就开始了。先是测血压，面对大夫时大家一定不要太紧张，否则容易血压上升，要是超出规定范围可就麻烦了，貌似学校有可能拒绝接受高血压学生；然后是抽血，我们这次是明说了不必空腹抽血，所以我特地吃了早饭才来,呵呵；然后是胸透、验视力、辨色力、身高体重、内外科、验尿等，没有什么特别值得注意的，记得事先多喝点水，不然到时尿量不够就不好办了，呵呵。交大的办事效率还是比较高的，我好像总共用了不到一个小时就体检完了，最后把体检单子交给医院门口收表处就好了。对了，今年我们的体检表是自己上网下载然后双面打印出来的，而往年是体检时统一发的，大家注意一下明年怎么安排。 笔试：电气系的笔试在27号下午2点在陈瑞球楼121、219、223举行，我人比较懒，直接就在1楼121找了一个位置就坐下了，大约1点半的时候过来一个老师发给我们一个意向书表格，让你填准考证号、初试成绩以及如果评不上2等或3等奖学金，是否愿意接受4等奖学金，二话没说，填上“接受”。2点发下来了笔试试卷，我的方向是电力电子与电力传动，卷子是《电力电子技术》，题目比较基础，第一题是词汇翻译，30分，好像是18个专业词汇，一半英译汉，一半汉译英，都是比如alternation current、DC-DC converter、整流电路等等很简单的专业术语。第二题是5个问答题，50分，很基础，有一个是问220v 的工频电压的频率、有效值、峰值、平均值是多少，单相电压接纯电阻负载和阻感性负载的功率因数分别是多少，还有一个题是让你最大化地列举高频电流谐波的危害。第三题是一个问答题，20分，让画单极性和双极性PWM波的图形，以及根据图形解释载波比等几个名词的含义,这个题多少有点难度，基础不牢固的同学估计答不好。笔试总共一个小时，然后把卷子跟前边发的那个意向书一起交上去，第一天的任务就完成了。 面试：28号上午八点半在陈瑞球楼117等候老师叫你的名字，电气系所有的面试同学好像都在这里。面试的房间就是楼道里那几个玻璃隔出来的小房间，房间外贴有专业方向和本房间的面试名单，我不幸沦为本组的第一个，好在我报的启弘教育的专业课辅导班里提醒过这个可能，所以还不止于很慌张，应该说还是有准备吧。里面桌子是一个长方形，5个老师坐两边，我的位置在最头上。结果我一坐下就信心极度膨胀，就拿着领导给自己小弟开会的架势开始了我的面试。老师现是把我的准考证和成绩大表要了过来，拿起来一瞅，说：“你是工作过的？不错不错，别紧张，先用英语作个自我介绍把。”我也就半开玩笑地说：“好，那我就随便说说了。” 然后自我介绍了大约有个4、5分钟吧，老师们就开始用英语问我问题，一共问了三个，都比较简单，第一个我忘了问的是什么了，第二个是让我describe the architecture of a microcomputer, 第三个比较搞笑，老师竟然问我以前有没有写过文章，我就用英语发挥了一下，说了一些有关的有趣的事，也缓和了一下气氛，顺便又膨胀了一下自信。面试回答问题，就是要在圆满回答问题的基础上把话头尽量往自己熟悉的范围靠，这样你才能发挥得比较出色，面试才能取得好成绩。然后就是汉语的问答了，老师们问了我一些比较专业的问题，

2017年哈工大计算机科学与技术专业854考研真题

2016年哈工大计算机科学与技术专业854考研真题 I．数据结构 一、选择题 1.设n是描述问题规模的非负整数，下面程序片段的时间复杂度是（）。 Int x = n * n; While (x >= 1) { X = x / 2; } A.O(log2n) B.O(n) C.O(nlog2n) D.O(n1/2) 2.需要分配一个较大的存储空间并且插入和删除操作不需要移动，元素满足以上特点的线 性表存储结构是（）。 A.单向链表 B.静态链表 C.线性链表 D.顺序表 3.已知字符串S为”ababcabcacbab”，模式串T为”abcac”。若采用KMP算法进行模式匹配， 则需要（）遍（趟匹配），就能确定T是S的子串。 A. 3 B. 4 C. 5 D. 6 4.已知某棵二叉树的前序序列是1,2,3,4，则不可能为该二叉树的中序序列的是（）。 A.1,2,3,4 B.2,3,4,1 C.1,4,3,2 D.3,1,4,2 5.将森林F转换为对应的二叉树T，F中任何一个没有右兄弟的结点，在T中（）。 A.没有左子树 B.没有右子树 C.没有左子树和右子树 D.以上都不对 6.一个含有n个顶点和e条边的无向图，在其邻接矩阵存储结构中共有（）个零元素。 A. e B.2e C.n2-2e D.n2-e 7.在一棵高度为2和7阶B树中，所含关键字的个数最少是（）。 A. 5 B.7 C.8 D.14

8.设待排序的元素个数为n，则基于比较的排序最坏情况下的时间复杂度的下界为（）。 A.log2n B.n C.nlog2n D.n2 9.下面关于B树和B+树的叙述中，不正确的是（）。 A.B树和B+树都能有效地支持随机检索 B.B树和B+树都能有效地支持顺序检索 C.B树和B+树都是平衡的多路树 D.B树和B+树都可以用于文件的索引结构 10.若待排序关键字序列在排序前已按其关键字递增顺序排列，则采用（）方法比较次数最 少。 A.插入排序 B.快速排序 C.堆排序 D.选择排序 二、填空题 11.在一棵n个结点的二叉树中，所有结点的空子树个数为11 。 12.若二叉树的一个叶结点是其某子树的中序遍历序列中的第一个结点，则它必是该子树的 后序遍历序列中的第12 个结点。 13.在有n个选手参加的单循环赛中，总共将进行13 场比赛。 14.在有4033个叶子结点的完全二叉树中，叶子结点的个数为14 个。 15.一个有向图G1的反向图是将G1的所有有向边取反而得到的有向图G2，若G1和G2 的邻接矩阵分别为A，B，则A与B的关系为15 。 16.N个顶点e条边的无环路有向图，若采用邻接表作为存储结构，则拓扑排序算法的时间 复杂度为16 。 17.在10阶B树中根结点所包含的关键字最多有17 个，最少有18 个。 18.在具有12个结点的平衡二叉树（A VL树）中，查找A VL树中的一个关键字最多需要 （18）次比较。 19.对初态有序的表，最少时间的排序算法是（19）。 三、简答题 20.在n个数据中找出前K个最大元素，可以采用堆排序或败者树来实现。分别说明上述两 种实现方法的基础步骤，并分析每种方法的时间复杂度和空间复杂度。 21.假设举办一个1000人参加的学术会议，作为会议报道组的负责人，你会收到会务组为 每名参会者开具的包含其英文名字的注册费发票，同时还会收到为每位参会者提供的印有其英文名字的参会胸牌和其他会议资料。请回答以下问题： （1）如何有效地把每个参会者注册费发票和参会胸牌等其他会议资料放在一起形成一份参会资料？ （2）如何在会议报道日更有效地把每份资料发放给参会者？ 要求：说明你所使用的主要技术和相关步骤。 四、算法设计题 按以下要求设计算法： （1）描述算法设计的基本思想； （2）根据设计思想，采用C或C++或Java语言描述算法；

【考研经验】浙江大学计算机科学与技术2016年考研经验分享

拟录取名单出来有一阵了，也已经忙完了诸多手续问题，静待六月份的录取通知书。现在把自己的一些情况和复习经验整理一下，希望能够帮到奋斗在考研一线的学弟学妹。 我初试成绩67+71+109+107=354，机试75，面试85，总成绩第29名拟录取浙大计算机科学与技术学硕。可以看出我的实力并不突出，也没什么特别有优势的方面，但我本科是普通的一本院校，本科专业数字媒体技术也并非计算机科班出身。所以我的复习经验应该能为各位提供一些指导和帮助。 首先回答一些常见问题。如果您想直接看复习经验可跳过此部分。 1.学硕or专硕? 除了学硕方便读博以外，学硕和专硕没有太大区别。浙大官方的通知是只可报名学硕，专硕从学硕中调剂。但今年复试名单上仍然有32位同学报名了专硕，并且录取了其中的31位，我猜想这三十多个名额是保留给本校学生的。所以今年录取校外的名额是57名学硕和调剂的23名专硕。而报名考生预计在900名左右。 2.我本科学校不好，浙大会不会歧视? 不会。浙大不会考虑你的本科学校，但会仔细研究你的个人能力。如果你是三本学校中的佼佼者，依然有被录取的机会。 3.我本科成绩不好，浙大看成绩单吗? 看。他会要求你提交本科成绩单。但分数并不是最关键的，老师对你本科做出过什么作品更感兴趣。参加的竞赛，做过的项目，做得好的课程设计，都可以在面试时拿出来给老师讲，这些就是你的资本。我本人并没有做过项目，但几门课程的课程设计做的不错，老师很感兴趣，我的面试成绩也就排进了前十名。 4.软工硕士怎么样? 软工学制两年，第一年上课第二年实习，全程学费40000，据说不安排导师。计算机学制两年半，没有实习时间(只能暑假实习)，不收学费，一个导师一般带1～3名学生。软工比计算机初试科目少一门组成原理，但报的人多，难度也没比计算机低很多。 复习经验：初试篇 初试内容如下：政治，英语一，数学一，408基础综合(组成原理，操作系统，计算机网络，数据结构)。 复习奥义：全面和反复(出自王道408复习指导)，记住，好的习题集一定要反复多做几遍，辅导书一定要反复多看几遍，才有效果。 1.政治

电力电子技术考研试题答案

E t T U off = 0电力电子技术试题（A ）答案 一、填空 1、 零电压电路，零电流电路， 2、 恒压频控制，转差频率控制，矢量控制，直接转矩控制， 3、 计算法，调制法，跟踪控制法。异步调控法，同步调控法， 4、 器件换流，电网换流，负载换流，强迫换流， 5、 π→0， π?→， 6、 避雷器；阻容吸收；硒堆；压敏电阻；整流式阻容吸收； 7、 减小触发角；增加整流相数；采用多组变流装置串联供电；设置补偿电容。 8、 GTO ；GTR ；MOSFET ；IGBT ； 二判断题, 1、 1、×； 2、×； 3、√； 4、√； 5、√ 6、×； 7、√； 8、×； 9、 √； 10、×； 三、选择题 1、B ；C ；D ；2、B ；3、C ；4、B ；5、C ； 四、问答题 1、 当V 处于通态时，电源E 向电感L 充电，设充电电流为I 1，L 值很大，I 1基本恒定，同时电容C 向负载供电，C 很大，使电容器电压U 0基本不变，设V 处于通态的时间为t on ，在t on 时间内，电感L 上积蓄的能量为EI 1t on ；当V 处于断态时，E 与L 同时向电容充电，并向负载R 提供能量。设V 处于断态的时间为t off ，在t off 时间内L 释放的能量为（U 0-E ） I 1t off ，在一周期内L 积蓄的能量与释放的能量相等。可求得： 分析不难看出该斩波电路是升压斩波电路。 2、 （u d ） （u VT1） （u VD1）

五、计算题 1、U0=133.3V；I0=6.67A； 2、 U d=117V；I d=23.4A；I dVT=7.8A；I VT=13.5A； 电力电子技术试题（B）答案 一、填空题 1、要有一个直流逆变电源，它的极性方向与晶闸管的导通方向一致，其幅极应稍大于逆变桥直流侧输出的平均电压；逆变桥必须工作在β<90o（即α>90o）区间，使输出电压极性与整流时相反，才能把直流能量逆变成交流能量反送到交流电网。 2、整流，逆变，整流，逆变， 3、变流桥，不流经负载，α>β， 4、直流，交流，电网的， 5、正向，正向门极，门极触发， 6、单相桥式半控整流桥，三相桥式半控整流桥， 7、150，300，三相桥式全控整流桥，三相半波可控流电路， 8、逆变桥晶闸管或元件损坏，供电电源缺相，逆变角太小，触发脉冲丢失或未按时到达， 9、小控制角运行，增加电源相数，多组变流装置串联运行并进行控制，增加电容补偿装置，10、掣住，触发脉冲，

电子科学与技术专业 考研的话 哪个方向比较好

2011-2012年研究生教育分专业排行榜——电路与系统 排 名 学校名称（↓点查看） 星 级 重点学科 博士点 开此专业学校数 1 西安电子科技大学5★ 1 1 95 2 东南大学5★ 1 1 95 3 电子科技大学5★ 1 1 95 4 复旦大学5★ 1 1 95 5 北京大学5★ 1 1 95 6 北京邮电大学4★ 1 1 95 7 清华大学4★ 1 1 95 8 西北工业大学4★ 1 1 95 9 上海交通大学4★ 0 1 95 10 重庆大学4★ 0 1 95 11 浙江大学 4★ 0 1 95 12 中国科学技术大学4★ 0 1 95 13 北京工业大学4★ 0 1 95 14 华中科技大学4★ 0 1 95 15 西安交通大学4★ 0 1 95 16 吉林大学4★ 0 1 95 17 太原理工大学4★ 0 1 95 18 南京理工大学4★ 0 1 95 19 北京理工大学4★ 0 1 95 20 燕山大学 3★ 1 95 3、信号与信息处理 信号与信息处理

2011-2012年研究生教育分专业排行榜——物理电子学 排名学校名称（↓点查看）星级重点学 科 博士点 开此专业学 校数 1清华大学5★1185 2哈尔滨工业大学5★1185 3东南大学5★1185 4北京大学5★1185 5西安电子科技大学4★1185 6北京邮电大学4★1185 7电子科技大学4★1185 8复旦大学4★1185 9北京理工大学4★1185 10西安交通大学4★0185 11华中科技大学4★0185 12浙江大学4★0185 13中国科学技术大学4★0185 14北京航空航天大学4★0185 15吉林大学4★0185 16天津大学4★0185 17华南理工大学4★0185

清华大学版数字电子技术期末试题

2003春季学期数字电子期末试题 教学站 班级 姓名 一、 按要求回答下列问题： 1. 用代数法化简 (1) )()(1C B A C B A C B A P ++?++?++= (2) P 2=AB +C B C A + 2. 对逻辑运算判断下述说法是否正确，正确者在其后（ ）内打对号，反之打×。 （1） 若X+Y=X+Z ，则Y=Z ；( ) （2） 若XY=XZ ，则Y=Z ；( ) （3） 若X ⊕Y=X ⊕Z ，则Y=Z ；( ) 3. 函数式F=C B A ⊕⊕写成最小项之和的形式，结果应为m ∑( )。 4. 用卡诺图化简: D C A C B A D C D C A ABD ABC F +++++=

5填空： （1） 由TTL 门组成的电路如图1所示，已知它们的输入短路电流为I is ＝1.6mA ，高电平输入漏电流I iH ＝40μA 。试问：当A=B=1时，G 1的（拉，灌） 电流为 mA ；A=0时，G 1的（拉，灌） 电流为 mA 。 & G 3 &&G 1G 2A B 图1 （2） TTL 门电路输入端悬空时，应视为 ；（高电平，低电平，不定）此时如用万用表测量其电压，读数约为 （3.5V ，0V ，1.4V ）。 （3） 集电极开路门（OC 门）在使用时须在 之间接一电阻（输出与地，输出与输入，输出与电源）。 6. 由TTL 门组成的电路如图2所示，G 1和G 2为三态门，分别写出R=100Ω和R ＝100k Ω时输出Y 的表达式。 X A B & & ≥1 G 1 G 2R G 3Y 图2

二、分析图3所示电路的逻辑功能，写出输出的逻辑表达式并化简，列出真值表，说明其逻辑功能。 A B & & & & & & & C Y 图3

2021清华大学计算机科学与技术考研真题经验参考书

和大家分享下考研相关的经历，希望帮助到更多学弟学妹。 英语资料:一本单词书、两套英语真题。我的英语阅读可以说特别的差，开始做阅读时，经常只对1、2个。英语基础差的同学不要怕。只要下苦工，英语及格还是没有太大问题。 我是四月底开始准备背《一本单词》，我大概花了50几天背完。大概方法就是上午背新的单词，晚上把上午背的单词又看一篇，一天后，二天后，三天后，五天后，一周后，半个月后，一个月后复习一篇。有些背单词一天都要八小时，背的想吐，但是一定要坚持。背单词也不要太细，就是看到单词知道它的中文意思就可以了。 8月份，看了蛋核英语的长难句解析课程，然后开始阅读部分，直接做的《木糖英语真题手译版》里真题阅读。每天早上开始晨读，早上背英语真题中的长短句，吃完晚饭后，又把上午背的长短句温习一遍。每天做一篇阅读，做完一篇英语阅读，第二天就要分析阅读，开始分析阅读特别的慢，把文中不认识的单词、长短句标记出来。可能看一遍阅读看完要花费一个多小时，比较耗费时间，但是有收获。中英一字一句的翻译看，特别是一些常见的单词，要把它不常用的意思记住。 大概10月20多号，复习完第一遍真题阅读。自己开始第二次复习阅读，方法与上面类似。只是这里早上开始读每篇阅读的全文，争取都能背完。英语翻译比较浪费时间，我几乎没有怎么看，哪些翻译有一定的难度，自己的时间有限，所以我就选择了放弃。但是英语考试的时候我没有放弃，我还是把题做完了的。大家可以关注“蛋核英语”的微信和“木糖英语”的微信，选择自己合适的课程去听就可以了。 政治我只用了李凡老师的资料，《政治新时器》一套就够用了。把里面的所有习题尽可能全刷了，一两分的选择题有可能就决定了你今后的命运。关于主观题。请你们记住我下面的话：不管你是怎么安排时间的，选择题涉及到的知识点每一个都弄熟，大题目给我每道题背熟，背到什么程度呢，背到能完完整整地默出来。 个人建议不管是文科生还是理科生，最好跟一位政治老师，（如果觉得自己

清华大学电工跟电子技术作业习题文档

第1章 电路理论及分析方法习题(共9题) （注：英文习题采用美国电路符号） 1.1（直流电源功率）图1.1所示电路，求各电流源的端电压和功率，并判断出哪个电流源输出功率，哪个电流源吸收功率。已知：I S1=1 A, I S2=3A, R 1=5Ω, R 2=10Ω。 （答案：U S1= -10V , U S2=40V , P S1=10W, P S2= -120W ） 1.2 图1.2所示电路，求8Ω电阻两端的电压U R 和恒流源的端电压U S 各是多少。 （答案： U R = -32V ，U S = -40V ） 1.3 图1.3所示电路，求2A 恒流源的功率。（答案： P = -24W ） 1.4 (仿真习题)用仿真的方法求图1.4所示电路中的I 1 和I 2 。 （答案：I 1=0.5A 、I 2=2A ） 说明：1、要求自己下载Multisim 仿真软件，可以是Multisim2001、V7~V10等版本 中的任一种。 2、自学第10章 Multisim 电路仿真有关内容。 3、仿真题作业要求有仿真电路图和仿真的数据结果，图和数据结果可以打印 也可以手写。 图1.1 习题1.1的图 R I S2 U S1 图1.4 习题1.4的图 18V 图1.2 习题1.2的图 20 V + - U R 图1.3 习题1.3的图 8 V

1.5 (电源模型的等效互换法)Use source transformations to find the voltage U across the 2mA current source for the circuit shown in Figure 1.5. (Answer: U = 1.8 V) 1.6 (戴维宁定理)Using Thevenin’s theorem, find the current I through the 2V voltage source for the circuit shown in Figure 1.6.（Answer ： I=5A ） 1.7 （戴维宁定理，结点电位法）图1.7所示电路，已知 R 1=1k Ω, R 2=2k Ω, R 3=6k Ω, R 4=2k Ω, R 5=4k Ω,。用戴维宁定理和结点电位法两种方法求电流I 3。（答案：-0.5mA ） 1.8 （解题方法任选）如图1.8所示电路，当恒流源I S 为何值时，它两端的电压U S ＝0。（答案：-1.5A ） 1.9 (仿真习题) 图1.9所示电路，用仿真方法求电流I ，用直流工作点分析法求A 、B 、C 三个结点电位（答案：I = 2.6 A ， V A = 7.8 V ，V B = 2.8 V ，V C = 10 V ） 2V Ω Ω Figure 1.6 图1.7 习题1.7的图 +12V R 图1.8 习题1.8的图 - U Figure 1.5 图1.9 习题1.9的图 12 V Ω

清华大学数字电路题库完整

清华大学数字电路题库 一、填空题: （每空1分，共10分） 1．(30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为条、数据线为条。 二、选择题：(选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门

3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（）。 A、通过大电阻接地（>1.5KΩ） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ） B、D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形u I 和输出波形u O 如下图所示，则该电路为（）。

A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（）。 A、10级施密特触发器 B、10位二进制计数器 C、十进制计数器 B、D、10位D/A转换器 9、已知逻辑函数与其相等的函数为（）。 A、B、C、D、 10、一个数据选择器的地址输入端有3个时，最多可以有（）个数据信号输出。 A、4 B、6 C、8 D、16 三、逻辑函数化简（每题5分，共10分） 1、用代数法化简为最简与或式 Y= A + 2、用卡诺图法化简为最简或与式 Y= + C +A D，约束条件：A C + A CD+AB=0 四、分析下列电路。（每题6分，共12分） 1、写出如图1所示电路的真值表及最简逻辑表达式。

电力电子技术硕士研究生试卷

山东科技大学2010—2011学年第一学期 《现代电力电子技术》考试试卷班级姓名学号 一、(本题30分,每小题3分 晶闸管三相桥式全控整流电路,R-L负载。已知整流变压器二次电压U2=220V,直流回路R=10Ω,L足够大,α=30°。作以下计算或绘图: 1.整流输出直流电压U d; 2.流过晶闸管的电流有效值I VT; 3.整流变压器副边相电流有效值I2; 4.晶闸管承受的最大电压U m; 5.负载取用的有功功率P; 6.整流电路的功率因数λ; 7.绘制负载电压u d的波形; 8.绘制晶闸管电压u VT1的波形; 9.绘制晶闸管电流i VT1的波形; 10.绘制变压器副边a相电流i a的波形。 二、(本题25分,第4小题9分,其余各小题4分 斩波电路如图所示。输人电压为27V±10%,保持输出电压为15V不变,电路的最大输出功率为100W,最小功率为10W。IGBT饱和导通电阻R T=0.2Ω,轻载时关断时间为5μs,忽略开通时间,若工作频率为20 kHz。

-o U 1.求占空比D变化范围; 2.保证整个工作范围内电感电流连续时的电感L值; 3.当输出纹波电压mV U o 100=?时,求滤波电容C 值; 4.如电感临界电流的平均值I LB =4A ,求临界电感L B 值,并求 在最小输出功率时的占空比; 5.如电感的等效电阻R L =0.025Ω,在最低输出电压最大输出功率时,求最大占空比和效率。 三、(本题25分,每小题5分回答下列问题: 1.晶闸管导通和关断的条件是什么?.晶闸管可否作线性放大器使用?为什么? 2.在有源逆变的整流系统中,逆变颠覆的原因是什么? 3.谐振开关逆变技术的主要思想是什么? 4. 简述现代电力电子技术主要研究的内容及其应用领域。 5. 试以三相桥式全控整流电路为例分析交流侧电抗对整流电路的影响。

华南理工大学 清华大学教材 模拟电子技术基础-课程作业答案

教材模拟电子技术基础（第四版）清华大学 模拟电子技术课程作业 第1章半导体器件 1将PN结加适当的正向电压，则空间电荷区将(b)。 (a)变宽(b)变窄(c)不变 2半导体二极管的主要特点是具有(b)。 (a)电流放大作用(b)单向导电性(c)电压放大作用 3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压(a)。 (a)正向电压大于PN结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压 4电路如图1所示，设D1，D2均为理想元件，已知输入电压u i=150sinωt V如图2所示，试 画出电压u O的波形。 答案 D 2 D 1 u O + - 图1 图2

5电路如图1所示，设输入信号u I1,u I2的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压u O 的波形，并说明t 1,t 2时间内二极管D 1，D 2的工作状态。 u I2 D 1 图1 图2 u I1u 答案 t 1:D 1导通，D 2截止 t 2:D 2导通，D 1截止 u i u i

第2章 基本放大电路 1下列电路中能实现交流放大的是图( b )。 2图示电路，已知晶体管β=60，U BE .V =07 ，R C k =2 Ω，忽略U BE ，如要将集电极电流I C 调整到1.5mA ，R B 应取( a )。 (a)480k Ω (b)120k Ω (c)240k Ω (d)360k Ω 3固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC 将( a )。 (a)增加 (b)减少 (c)基本不变 4分压式偏置放大电路如图所示，晶体T 的β=40，U BE .V =0 7，试求当RB1，RB2分别开路时各电极的电位（U B ，U C ，U E ）。并说明上述两种情况下晶体管各处于何种工作状态。 U o CC U CC U (c) (d) - o u o V