模拟电子技术基础(第四版)习题解答

第1章常用半导体器件

自测题

一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ )

(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ×)

(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ )

(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ×)

(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保

R大的特点。( √)

证其

GS

U大于零，则其输入电阻会明显变小。( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的

GS

二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄

B.基本不变

C.变宽

(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通

B.反向截止

C.反向击穿

(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏

B.前者正偏、后者反偏

C.前者正偏、后者也正偏

(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管

B.增强型MOS 管

C.耗尽型MOS 管

三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3

四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)

图T1.4

解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。

五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。 试问：

(1)R b =50k Ω时，U o=?

(2)若T 临界饱和，则R b =?

解：(1)26BB BE

B b

V U I A R μ-=

=，

2.6C B I I mA β==,

2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5

(2)∵ 2.86CC BE

CS c

V U I mA R -=

=， /28.6BS CS I I A βμ==

∴45.5BB BE

b BS

V U R k I -=

=Ω

六、测得某放大电路中三个MOS 管的三个电极的电位如表Tl.6 所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。 表T1.6

管号 U GS(th)/V U S /V U G /V U D /V 工作状态 T 1 4 -5 1 3 恒流区 T 2 -4 3 3 10 截止区 T 3

-4

6

5

可变电阻区

解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS 管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如表Tl.6最后一栏所示。

习题

1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价

B.四价

C.三价

(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小

(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100

(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大；

B.不变；

C.减小

1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2

解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。

图P1.3 解图P1.3

解：波形如解图Pl.3所示。

1.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？

解：二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻:

/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4

故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈

1.5现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？

解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。 (2)并联相接可得2种：0.7V ；6V 。

1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压6Z U V =，最小稳定电流

min 5Z I mA =，最大稳定电流max 25Z I mA =。

(1)分别计算I U 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压O U 的值； (2)若35I U V =时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？

解：(1)只有当加在稳压管两端的

电压大于其稳压值时，输出电压才为6V 。 ∴V U I 10=时，V U R R R

U

I L

L

O 3.3=+=

； 图Pl.6

V U I 15=时，5L

O I L

R U U V R R =

=+；

V U I 35=时，11.7L

O I Z L

R U U V U R R =

≈>+，∴V U U Z O 6==。

0.1

(2)当负载开路时，mA I mA R

U U I Z Z

I Z 2529max =>=-=

，故稳压管将被烧毁。

1.7 在图Pl.7 所示电路中，发光二极管导通电压 U D =1.5V ，正向电流在5~15mA 时才能正常工作。 试问：(1)开关S 在什么位置时发光二极管才能发光？

(2)R 的取值范围是多少？

解：(1)S 闭合。 (2) R 的范围为:

min max ()/233D D R V U I =-≈Ω max min ()/700D D R V U I =-≈Ω

图P1.7

1.8现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图P1.8所示。分别求另一电极的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数β。

(a) (b) (a) (b)

图Pl.8 解图Pl.8

解：答案如解图Pl.8所示。

放大倍数分别为1/10100a mA A βμ==和5/10050b mA A βμ==

1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。

图P1.9

解:如解图1.9。

解图1.9

1.10电路如图P1.10所示，晶体管导通时0.7BE U V =，β=50。试分析BB V 为0V 、1V 、3V 三种情况下T 的工作状态及输出电压O u 的值。

解： (1)当0BB V =时，T 截止，12O u V =。

(2)当1BB V V =时，因为

60BB BEQ

BQ b

V U I A R μ-=

=

3CQ BQ I I mA β==

9O CC CQ c u V I R V =-= 图P1.10 所以T 处于放大状态。

(3)当3BB V V =时，因为460BB BEQ

BQ b

V U I A R μ-=

=，

2311.3CC CES

CQ BQ CS c

V U I I mA I mA R β-===

=， 所以T 处于饱和状态。

1.11电路如图Pl.11所示,晶体管的β=50 ,0.2BE U V =，饱和管压降

0.1CES U V =；稳压管的稳定电压5Z U V =, 正向导通电压0.5D U V =。试问：当0I u V =时O u =？；当5I u V =-时O u =？

解：当0I u V =时，晶体管截止，稳压管击穿，

5O Z u U V =-=-。

当5I u V =-时，晶体管饱和，

0.1O u V =-。

因为： 图P1.11

480I BE

B b

u U I A R μ-=

=，24C B I I mA β==，0

EC CC C c U V I R =-<

1.12分别判断图Pl.12 所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。

(a) (b) (c)

(d) (e)

图P1.12

解：(a)可能；(b)可能；(c)不能；(d)不能，T 的发射结会因电流过大而损坏。(e)可能。

1.13已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极①、②、③的电位分别为4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子（结型管、MOS 管、增强型、耗尽型），并说明①、②、③与G 、S 、D 的对应关系。

解：管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极①、②、③与G 、S 、D 的对应关系如解图Pl.13所示。

解图Pl.13

1.14已知场效应管的输出特性曲线如图Pl.14所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。

图Pl.14 (a) (b)

解图Pl.14

解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图Pl.14 (a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐标值及GS u 值，建立()D GS i f u =坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图Pl.14 (b)所示。

1.15电路如图P1.15所示，T 的输出特性如图Pl.14所示,分析当I u =4V 、8V 、12V 三种情况下场效应管分别工作在什么区域。

解：根据图P1.14 所示T 的输出特性可知，其开启电压为5V ，根据图Pl.15所示电路可知GS I u u =。

当I u =4V 时，GS u 小于开启电压，故T 截止。 当I u =8V 时，设T 工作在恒流区，根据输出 特性可知0.6D i mA ≈，管压降10DS DD D d u V i R V ≈-≈， 因此，2GD GS DS u u u V =-≈-，小于开启电压，

说明假设成立，即T 工作在恒流区。 图Pl.15

当I u =12V 时，由于12DD V V =，必然使T 工作在可变电阻区。

l.16分别判断图Pl.16 所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。

(a) (b) (c) (d)

图P1.16

解：(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。

补充 1.电路如补图P1(a)、(b)所示，稳压管的稳定电压3Z U V =, R 的取值合适，I u 的波形如图(c)所示。试分别画出1O u 和2O u 的波形。

(a) (b) (c)

补图P1 解：波形如下图所示

补充2.在温度20o C 时某晶体管的2,CBO I A μ=试问温度是60o C 时的=CBO I ？

解:44

602022232CBO CBO I I A μ=?=?=。

补充 3.有两只晶体管，一只的β=200 , 200CEO I A μ=；另一只的β=100 ,

10CEO I A μ=，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？

解：选用β=100 , 10CEO I A μ=的管子，因其β适中,CEO I 较小，因而温度稳定性较另一只管子好。

补充4.电路如补图P4所示，试问β大于多少时晶体管饱和？

解：取CES BE U U =，若管子饱和，

则CC BE CC BE b c

V U V U R R β--?=, 即b c R R β= 所以,100b c

R R β≥=时,管子饱和。

补图P4

第2章 基本放大电路

自测题

一．在括号内用“√”和“×”表明下列说法是否正确。

1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。(×)

2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。(√)

3.放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。(×)

4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。(×)

5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。(√)

6.由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。(×)

7.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。(×)

二．试分析图T2.2各电路是否能放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

(a) (b) (c)

(d) (e) (f)

(g) (h) (i)

图T2.2

解：图(a)不能。V BB将输入信号短路。

图(b)可以。

图(c)不能。输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。

图(d)不能。晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。

图(e)不能。输入信号被电容C2短路。

图(f)不能。输出始终为零。

图(g)可能。

图(h)不合理。因为G-S间电压将大于零。

图(i)不能。因为T 截止。

三．在图T2.3 所示电路中，已知12CC V V =, 晶体管β=100，'100b R k =Ω。填空：

要求先填文字表达式后填得数。

(1)当0i U V =时，测得0.7BEQ U V =，若要基极电流20BQ I A μ=, 则'b R 和W R 之和

b R =( ()/CC BEQ BQ V U I - )k Ω≈( 565 )k Ω；而若测得6CEQ U V =，

则c R =( ()/CC CEQ BQ V U I β- )≈( 3 )k Ω。

(2)若测得输入电压有效值5i U mV =时，

输出电压有效值'0.6o U V =，

则电压放大倍数u A =( /o i U U - )≈( -120 )。

若负载电阻L R 值与c R 相等，则带上 图T2.3

负载后输出电压有效值o U =(

'L o L c

R U R R ?+ )=( 0.3 )V 。

四、已知图T2.3 所示电路中12,3CC c V V R k ==Ω，静态管压降6,CEQ U V =并在输出端加负载电阻L R ，其阻值为3k Ω。选择一个合适的答案填入空内。

(1)该电路的最大不失真输出电压有效值om U ≈( A )；

A.2V

B.3V

C.6V

(2)当1i U mV =时，若在不失真的条件下，减小R w ，则输出电压的幅值将( C )；

A.减小

B.不变

C.增大

(3)在1i U mV =时，将R w 调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将( B )；

A.顶部失真

B.底部失真

C.为正弦波

(4)若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将( B )。

A.R w 减小

B.c R 减小

C. CC V 减小

五、现有直接耦合基本放大电路如下：

A.共射电路

B.共集电路

C.共基电路

D.共源电路

E.共漏电路

它们的电路分别如图 2.2.1 、2.5.1(a)、2.5.4 (a)、2.6.2 和 2.6. 9(a)所示；设图中e b R R ，且CQ I 、DQ I 均相等。选择正确答案填入空内，只需填A 、B 、… … (l)输入电阻最小的电路是( C )，最大的是( D 、E )；

(2)输出电阻最小的电路是( B )；

(3)有电压放大作用的电路是( A 、C 、D )；

(4)有电流放大作用的电路是( A 、B 、D 、E )；

(5)高频特性最好的电路是( C )；

(6)输入电压与输出电压同相的电路是( B 、C 、E )；反相的电路是( A 、D )。

六、未画完的场效应管放大电路如图T2.6所示，试将合适的场效应管接入电路，使之能够正常放大。要求给出两种方案。

解：根据电路接法，可分别采用耗尽型N 沟道和P 沟道MOS 管，如解图T2.6 所示。

图T2.6 解图T2.6

习题

2.1 分别改正图P2.1 所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。

(a) (b)

(c) (d)

图P2.1

解：(a)将-V CC改为+V CC。

(b)在+V CC与基极之间加R b。

(c)将V BB反接，且在输入端串联一个电阻。

(d)在V BB支路加R b，在-V CC与集电极之间加R c。

2.2画出图P2.2所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。

(a) (b)

(c) (d)

图P2.2

解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 图P2.2所示各电路的交流通路如解图P2.2所示；

(a) (b)

(c) (d) 解图P2.2

2.3分别判断图P2.2(a)、 (b)所示两电路各属哪种放大电路，并写出

u i o Q A R R 、、和的表达式。

解：图 (a): 123

(1)CC BEQ BQ V U I R R R β-=

+++，CQ BQ I I β=，

(1)CEQ CC BQ c U V I R β=-+。

23

//u be

R R A r β

=-，1//i be R r R =，23//o R R R =

图(b)：[]2

2

31

23

(

)///(1)BQ CC BEQ R I V U R R R R R β=-+++，CQ BQ I I β=，

41CEQ CC CQ EQ U V I R I R =--。

4

u be

R A r β=

，1//

1be

i r R R β

=+，4o R R =。 2.4 电路如图P2.4 (a)所示，图(b)是晶体管的输出特性，静态时0.7BEQ U V =。利用图解法分别求出L R =∞和3L R k =Ω时的静态工作点和最大不失真输出电压

om U （有效值）。

(a) (b)

图P2.4

解：空载时：20,2,6BQ CQ CEQ I A I mA U V μ===； 最大不失真输出电压峰值约为5.3V ，有效值约为3.75V 。

带载时：20,2,3BQ CQ CEQ I A I mA U V μ===；

最大不失真输出电压峰值约为2.3V ，有效值约为1.63V 。如解图P2.4 所示。

解图P2.4 图P2.5

2.5在图P2.5所示电路中,已知晶体管的β=80, be r =1kΩ,20i U mV =,静态时

0.7BEQ U V =,4CEQ U V =,20BQ I A μ=。判断下列结论是否正确，在括号内打“√”

和“×”表示。

(1)342002010u A -=-

=-? (×) (2)4

5.710.7u

A =-=- (×) (3)8054001u A ?=-=- (×) (4)80 2.5

2001u A ?=-=- (√)

(5)20120

i R k k =Ω=Ω (×) (6)0.7

350.02i R k k =

Ω=Ω (×) (7)3i R k ≈Ω (×) (8)1i R k ≈Ω (√) (9)5O R k =Ω (√) (10) 2.5O R k =Ω (×) (11)20S U mV ≈ (×) (12)60S U mV ≈ (√)

2.6电路如图P2.6所示，已知晶体管β=120，U BE =0.7V ，饱和管压降

U CES =0.5V 。在下列情况下，用直流电压表测量晶体管的集电极电位，应分别为多少？

(1)正常情况；(2)R b1短路；(3)R b1开路；(4)R b2开路；(5)R b2短路；(6)R C 短路；

图P2.6 图P2.7

解:(1)21

17416311CC BE BE

B b b V U U I A R R μ-=

-=-=, 1.32C B I I mA β==，

∴8.3C CC C c U V I R V =-=。 (2) R b1短路,0==B C I I ,∴15C U V =。 (3) R b1开路,临界饱和基极电流23.7CC CES

BS c

V U I A R μβ-=

≈，

实际基极电流2

174CC BE

B b V U I A R μ-=

=。

由于B BS I I >,管子饱和,∴V U U CES C 5.0==。

(4) R b2开路,无基极电流,15C CC U V V ==。 (5) R b2短路，发射结将烧毁，C U 可能为15V 。 (6) R C 短路, 15C CC U V V ==。

2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100bb r =Ω。分别计算L R =∞和

3L R k =Ω时的Q 点、u A 、i R 和o R 。

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。解：在20℃时的反向电流约为：3 2 10 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为：321080A A μμ?=

习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。

100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.993 3.22 安全工作区

习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ， β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8C BO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第三章

第3章 多级放大电路 自测题 一、现有基本放大电路： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000 ，第一级应采用( A )，第二级应采用( A )。 (2)要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300 ，第一级应采用( D )，第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B )，第二级应采用( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于10 ，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用( D )，第二级应采用( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000o ui i U A I =>，输出电阻R o ＜100 ，第一级应采用采用( C )，第二级应( B )。 二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。 A ．电阻阻值有误差 B ．晶体管参数的分散性 C ．晶体管参数受温度影响 D ．电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A ．便于设计 B ．放大交流信号 C ．不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。 A ．克服温漂 B ．提高输入电阻 C ．稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A )，共模信号是两个输入端信号的( C )。 A.差 B.和 C.平均值 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( B )。 A ．差模放大倍数数值增大 B ．抑制共模信号能力增强 C ．差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。 A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时 0.7BEQ U V ≈。试求： (1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。 (2)若静态时0O u >，则应如何调节R c2的值才能使0O u =？ 若静态0O u =V ，则R c2=？，电压放大倍数为多少？

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t

1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14

模拟电子技术基础pdf

本书是参照1977年11月由高等学校基础工程课程的电气和无线电教材会议编写的“电子技术基础”（自动化）教科书的教学大纲，以及其他机构提出的修订建议而编写的。兄弟学院和大学。现在，它以两本书出版：模拟电子技术基础知识和数字电子技术基础知识。该课程的基础部分可用于高校自动化专业的“电子技术基础”课程两个学期。 在编译过程中，我们尝试着重于分析和解决问题的能力的培养。我们认为，自动化专业的毕业生应该具有先瞻，二算，三选四的能力。能够阅读就是能够理解专业中典型的电子设备的原理图，了解各个部分的组成和工作原理；能够进行计算的是对每个环节的工作性能进行定性或定量的分析和估计；能够选择并做的是能够在满足专业的一般任务时大致选择方案并选择相关的元件和设备，并且通过安装和调试，基本上就可以开发出来了。因此，为了能够阅读，本书加强了基本概念和各种典型基本单元电路的介绍，并专门设计了用于阅读图纸的章节；为了能够计算，本书加强了基本原理和基本分析方法。至于选择和做事的能力，应该主要在设计课程实验课和其他后续教学环节中进行培养，但为了满足这方面的要求，还有一些设计实例和一些章节。电子设备的实际问题。

在应对新技术日益增长与空间有限之间的矛盾时，我们在确保基本概念，基本原理和基本分析方法的前提下，采取措施使学生适应1980年代电子技术的发展需求。。因此，大大减少了由分立元件组成的一些单元的内容，例如调制放大器，功率放大器，门电路和触发电路，而与线性集成电路和数字集成电路有关的单元则相应地得到了增强。此外，还使用小写字母（更深入的部分），星号（其他内容）和投注（补充说明和参考资料）来满足不同的要求。在总结了模拟电子技术的基本章节之后，还附上了思路流程图，以帮助读者理解编译的意图和基本内容，并用粗线将其概述。） 童世白，金国芬，严世，吴百春，孙家新，张乃国等同志参加了基本模拟电子技术的编写。童世柏负责组织和完成草案。马中普，董洪芳，杨素兴，王汉伟，孙长龄，胡东成，尤素英等同志参加了讨论和整理。朱亚尔，蔡文华，朱占兴，杨，胡二山等同志参加了讨论和整理。李世新同志协助部分制图工作。 在收集和征集60多家电子院校的意见的过程中，我们已经获得了来自教师和大学的宝贵意见。在审查会议上，在西安交通大学沉尚贤教授的主持下，华中工学院，南京工学院，

(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳

模拟电子技术基础I考核作业标准答案

东北大学继续教育学院 模拟电子技术基础I 试卷（作业考核线下）B 卷（共 4 页） 总分题号一二三四五六七八九十得分 注：请您单面打印，使用黑色或蓝色笔，手写完成作业。杜绝打印，抄袭作业。 一、(10分)半导体器件的分析。 判断图中各电路里的二级管是导通还是截止，并计算电压U ab。设图中的二级管都是理想的。 二、（10分）电路如图所示，设输入电压u i是幅值为10V的正弦波，试画出u o的波形。（设二极管D1，D2为理想二级管）。 三、单管放大电路的分析与计算。(15分) 电路如图4所示，已知V CC=12V，R bl=40kΩ，R b2=20kΩ，R c=R L=2kΩ，U BE=，β=50，R e=2kΩ， U CES ≈0V。求：(1)计算静态工作点；(2)随着输入信号 i U 的增大，输出信号o U 也增大，若输出o U 波形出现失真，则首先出现的是截止失真还是饱和失真(3)计算i u A R ， 和 o R。 四、功率放大电路的分析与计算。(15分) 功率放大电路如图5所示，负载R L=8Ω，晶体管T1和T2的饱和压降为2V，输入u i为正弦波。求：(1)负载R L上可获得的最大不失真输出功率？(2)此时的效率和管耗各是多少？ 图4阻容耦合放大 图5 功率放大电路 u u o +V CC T1 T2 R L -V CC ++ __ (+12V) (-12V)

五、填空题：（每空1分共30分） 1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加 电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结 电阻为（），等效成断开； 4、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。 5、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。 6、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。 7、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采 用（）负反馈。 8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上 大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 9、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放 大器。 10、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大 电路。 11、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等 特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 12、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电 路中。 六、选择题（每空2分共20分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（）， 它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、，则三个电极分别是（）， 该管是（）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小

模拟电子技术基础期末复习详细总结

模拟电子技术期末复习详细总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳

模拟电子技术基础试题(1)

浙江理工大学《模拟电子技术基础》试题（1） 一、填空（共30分，1分/空） 1、在本征半导体中加入 价元素可形成N 型半导体，加入 价元素可形成P 型半导体。 2、在一个交流放大电路中，测出某三极管三个管脚对地电位：①端为1.5V 、②端为4V 、③端为2.1V ，则①端为 极、②端为 极、②端为 极，该管子为 型。 3、集成运放实际上是一种高性能的直接耦合放大电路。通常由 、 、 和 等四部分组成。 4、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。 5、为了增大放大电路的输入电阻，应引入 负反馈；为了增大放大电路的输出电阻，应引入 负反馈。 6、电路如图1.1所示，已知集成运放的开环差模增益和差模输入电阻均近于无穷大，最大输出电压幅值为±14V 。填空：电路引入了 (填入反馈组态)交流负反馈，电路的输入电阻趋近于 ，电压放大倍数=f u A 。设V U I 1=，则=O U ；若1R 开路，则O U 变为 V ；若1R 短路，则O U 变为 V ；若2R 开路，则O U 变为 V ；若2R 短路，则O U 变为 V 。 图1.1 7、 比例运算电路的输入电流等于零，而 比例运算电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。 8、当信号频率等于石英晶体的串联谐振频率或并联谐振频率时，石英晶体呈 ；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英品体呈 ；其余情况下石英晶体呈 。 9、已知电路如图1.2所示，电路中D 1和D 2管的作用是消除 。 图1.2 10、整流的目的是 ；直流稳压电源中滤波电路的目的是 。 二、 判断题（20分，1分/题） 1、因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （ ） 2、所有二极管都不能正常工作在击穿区。 （ ） 3、可以说任何放大电路都有功率放大作用。 （ ） 4、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。 （ ） 5、阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立。 （ ） 6、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。 （ ） 7、若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。 （ ） 8、若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。 （ ） 9、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。 （ ） 10、放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。 （ ） 11、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。 （ ） 12、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。 （ ）

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社，

陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

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模拟电子技术基础华教网1电子技术发展2。模拟信号和模拟电路3。电子信息系统的组成4。模拟电子技术基础课程特点5。如何学习本课程6。课程目标7。试验方法六氯环己烷华教网1电子技术的发展，电子技术的发展，促进了计算机技术的发展，使其“无所不在”并得到广泛应用！广播与通信：发射机、接收机、广播、录音、程控交换机、电话、手机；网络：路由器、ATM交换机、收发机、调制解调器；行业：钢铁、石化、机械加工、数控机床；交通：飞机、火车、船舶、汽车；军事：雷达、电子导航；航空航天：卫星定位、医疗监控：伽玛刀、CT、B超、微创手术；消费电子产品：家用电器（空调、冰箱、电视）、音频、视频摄像机、摄像机、电子手表）、电子玩具、各种报警器，安全系统HCH a华教网电子技术的发展很大程度上体现在元器件的开发上。1904年、1947年和1958年，从电子管到半导体管再到集成电路，集成电子管应运而生，晶体管研制成功。HCH-atsin与电子管、晶体管和集成电路的比较。半导体器件的发展华教网. 贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管，1958年制造了集成电路，1969年制造了大规模集成电路。第一个有四个晶体管的集成电路于1975年制造，1997年，一个集

成电路中有40亿个晶体管。一些科学家预测，整合程度将以每6年10倍的速度增长，到2015年或2020年达到饱和。学习电子技术课程时要时刻注意电子技术的发展！六氯环己烷华教网一些科学家要记住！第一个晶体管的发明者（由贝尔实验室的约翰·巴丁、威廉·肖克利和沃尔特·布拉丹发明）于1947年11月底发明了晶体管，并于12月16日正式宣布“晶体管”的诞生。他获得了诺贝尔物理学奖。1956年。1972年，他因对超导性的研究而获得诺贝尔物理学奖。1958年9月12日，第一个集成电路及其发明者Ti 的Jack Kilby在德州仪器实验室实现了将电子器件集成到半导体材料中的想法。42年后，他获得了2000年诺贝尔物理学奖。”奠定了现代信息技术的基础。

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波

模拟电子技术基础pdf

模拟电子技术基础模拟电子技术基础https://www.sodocs.net/doc/fd12427850.html,简介1.电子技术的发展2.模拟信号和模拟电路3.电子信息系统的组成4.模拟电子技术的基础课程的特点5.如何学习本课程6.课程目的7.测试方法HCH atsin https://www.sodocs.net/doc/fd12427850.html, 1，电子技术的发展，电子技术的发展，促进计算机技术的发展，使其“无处不在”，广泛用过的！广播和通信：发射机，接收机，公共地址，录音，程控交换机，电话，移动电话；网络：路由器，ATM交换机，收发器，调制解调器；行业：钢铁，石化，机械加工，数控机床；运输：飞机，火车，轮船，汽车；军事：雷达，电子导航；航空航天：卫星定位，监测医疗：伽马刀，CT，B超检查，微创手术；消费类电子产品：家用电器（空调，冰箱，电视，音响，摄像机，照相机，电子手表），电子玩具，各种警报器，安全系统HCH a https://www.sodocs.net/doc/fd12427850.html,电子技术的发展在很大程度上反映了在组件开发中。1904年，1947年和1958年，从电子管到半导体管再到集成电路，集成电子管应运而生，晶体管得到了成功的开发。HCH atsin与电子管，晶体管和集成电路的比较https://www.sodocs.net/doc/fd12427850.html,半导体组件的发展，贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管，在1958年制造了集成电路，在1969年制造了LSI，在1975年制造了第一

个集成电路四个晶体管，而1997年单个集成电路中有40亿个晶体管。一些科学家预测，集成度将提高10倍/ 6年，到2015或2020年达到饱和。学习电子技术课程应始终注意发展电子技术！hch a tsin https://www.sodocs.net/doc/fd12427850.html,要记住的一些科学家！第一个晶体管的发明者（由贝尔实验室的John Bardeen，William schockley和Walter bradain发明）在1947年11月底发明了该晶体管，并于12月16日正式宣布了“晶体管”的诞生。他获得了诺贝尔物理学奖。1956年。1972年，他因超导研究而获得诺贝尔物理学奖。1958年9月12日，第一个集成电路及其发明者Ti的Jack Kilby在德州仪器公司的实验室中实现了将电子设备集成到半导体材料中的想法。42年后，他获得2000年诺贝尔物理学奖。“奠定了现代信息技术的基础”。

“模拟电子技术基础”课程教学大纲

“模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称：模拟电子技术基础 教材信息：《模拟电子电路及技术基础（第三版）》，孙肖子主编 主讲教师：孙肖子（西安电子科技大学电子工程学院副教授） 学时：64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上，进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路，掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术，获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 （一）、电子技术的发展与模电课的学习MAP图（2学时） 介绍模拟信号特点和模拟电路用途，电子技术发展简史，本课程主要教学内容，四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标，频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 （1）了解电子技术的发展，本课程主要教学内容，模拟信号特点和模拟电路用途。 （2）熟悉放大器模型和主要性能指标。

（3）了解反馈基本概念和反馈分类。 （二）、集成运算放大器的线性应用基础（8学时） 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算，包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算，简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 （1）了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 （2）熟悉在理想集成运放条件下，对电路引入深反馈对电路性能的影响，掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 （3）掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 （4）了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布，能正确判断电路的滤波特性。 （5）熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义，了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点：各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点：有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响，。 （三）、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关（4学时） 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算，简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。

模拟电子技术基础课后答案-沈任元

模拟电子技术基础机械工业出版物社主编沈任元 部分习题参考答案 第二章半导体二极管及其基本应用电路思考题与习题解答 2-1填空题 1. _半导体、绝缘体_ 2. _杂敏、光敏__ 、 _热敏__。 3. _导通_ 、 _截止、单向导电性_。 4. __高于_。 5. _正向_ 、 _反向击穿_ 6.单向导电性_、__最大整流电流 __、_最高反向工作电压。7. _单向导电__ 8. _面接触型、点接触型_。_点接触型的、平面型的_。9. _零__、_无穷大_， _理想的开关_。10. _反向特性区_、 _几乎不变_。11. _左移__ 、 _下移_。12. _减小_ 、 _减小_， _增加_。13. __将交流电压转变成直流电压__、 __二极管_。14. _脉动的直流电压变成平滑的直流电压_ 、 _储能_。15. _单相半波整流_、_单相桥式整流_。 16. _电路烧毁_， _变成单相半波整流_。 2-2 选择题 1. C 2. B 3. C 4.B 5. A 6. B 7. A 8. A 9. B 10.A 11. B 12.C 2-3 判断题 1.√ 2.√ 3.× 4. × 5.√ 6.× 2-4 解：，，，，，。 2-5 解：VD截止，，VD导通，，VD 1、VD 4 导通，VD 2 、VD 3 截止，

。 2-6 解： 2-8 解：1) ，，。2）， 。 2-11解：1） 2）；3）； 4）；5），相当于半波整流滤波（有电容）。 或，相当于半波整流滤波（无电容）。

2-12 解： 第三章双极型晶体管及其放大电路思考题与习题 3-1填空题 1. ___PNP___和___NPN__。 2. __两__ __双极__ 3.发射_，___集电__。 4. __100___，___120___。5. ___0.98mA___， ___49___。6. ___放大__ 。7. __饱和___。___正向__， ___正向___。8. __集电__， __发射__，__基极__， __发射___， __0.7V __。9. __发射__，__集电__， ___-0.7V___。 10. __PNP___， ___锗___。 11. __增加__， __增加__， __减小__。12 __左__， __上___， __大__。 13. 查阅电阻器件手册，了解下列常用晶体管的极限参数，并填写在表3-5中。 料 14. __100__。15. __交、直流__， __交流__。16. __截止___， __顶部__，__小__。17. _饱和__， __底部__， __大__。18. __温度升高__。19. __共射__， __共集和共基__。20. __共基__， __共集___， __共射_。21. _稳定静态

《模拟电子技术基础》考试试卷一_附答案_模电

模拟电子技术基础试卷一附答案 一．（10分）设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出图（a）电路在v i=5sinωt V时的输出v o波形以及图（b）电路的输出电压V o1。 （a） （b） 二.（10分）放大电路如图所示。已知： R b1=62K，R b2=15K，R s=10K，R c=3K， R e=1K，R L=3K，C1=C2=10μ，C e=220μ， V CC=+15V，β=80，V BE=0.7V。 1.说明电路属于何种组态， 画出该电路的直流通路；（5分） 2.计算该电路的静态工作点。（5分） 3.画小信号等效电路，求电压放大倍数，输入 电阻，输出电阻。 4.说明电路属于何种组态， 三.（18分）放大电路如图所示。已知C足够大，场效应管的参数g m=0.8ms，R2=6.8KΩ，三极管的参数β=50，r be=0.5K，R3=90KΩ，R4=10KΩ，R5=4KΩ，R6=1.5KΩ，R L=4KΩ。 1.画出其小信号模型等效电路。（4分） 2.计算电路的电压放大倍数A v、输入电阻R i和输出电阻R o。（10分） 3.若R s=10K时，计算源电压放大倍数A vs，说明R6对电路频率响应的影响。（4分）

四.（12分）反馈放大电路如图示。 1.判断各电路中级间交流反馈的极性（要求在图上标出反馈极性）。（4分） 2.对于级间交流反馈为负反馈的电路，进一步判断反馈的类型，同时按深度负反馈的条件估算电路的闭环电压增益（写出表达式）。并简单说明电路对输入电阻，输出电阻的影响，对信号源内阻有什么要求？（8分） （a ） （b ） 五.（10分）集成运算放大器构成的运算电路如图示，求电路的输出电压。 1.求出电路（a ）的输出电压。（4分） 2.在电路（b ）中，设t =0时v c =0，此时加入v i =1V ，求t =40ms 时v o =？（6分） （a ） （b ） 六.（10分）电路如图所示，试用相位平衡条件判断哪个能振荡，哪个不能振荡（要 求在电路中应标出i V ，o V ，f V 以及它们的瞬时极性）？对能振荡的电路写出振荡频率的表达式。 （a ） （b ） 七.（10分）比较器电路如图所示，设运放是理想器件。 1.求门限电压值V th ，并画出比较器的电压传输特性

《模拟电子技术基础》教学大纲

《模拟电子技术基础》教学大纲 二、课程内容 （一）课程教学目标 本课程是电类各专业在电子技术方面入门性质的技术基础课，是一门实践性极强的课程。 本课程以分立元件的基本放大电路为基础，以集成电路为主体，通过课堂讲授使学生理解各种基本电路的组成、基本工作原理和基本分析方法及应用；通过课程实验、课程设计等实践环节使学生加深对基本概念的理解，掌握基本电路的设计与调试方法，便学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养学生分析和解决问题的能力。（二）基本教学内容 第一章、绪论 教学目的与要求： 了解课程性质、特点、学习方法。了解电子技术的发展及应用。掌握放大电路的模型和 主要性能指标。 教学重点：

放大电路的模型，放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学难点： 放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学内容： 简单介绍本课程的性质、课程特点、课程学习方法等。对电子技术的发展状况作简要介绍，引发学生对本课程学习的积极性。 对放大电路的模型、性能指标及应用做概要介绍。 对教材中第一章内容可不作详细讲解，待讲到相关内容时再作简要讲解。 第二章、集成电路运算放大器 教学目的与要求： 了解集成运放的主要结构，掌握理想运放的模型、特点及利用“虚短”和“虚断”分析理想放大器构成的应用电路。熟练掌握集成运放构成的典型应用电路，包括同相放大、反相放大、加法、减法、微分、积分运算电路和仪用放大器。通过自学和上机环节掌握模拟电路计算机仿真软件－PSPICE。 教学重点： 理想运算放大器的模型、特性。运算放大器构成的典型应用电路。 教学难点： 对理想放大器的理解，“虚短”和“虚断”的理解和正确运用。 教学内容： (1)集成电路运算放大器 了解集成动算放大器的内部构成、集成运算放大器的传输特性。 (2)理想运算放大器 正确理解理想放大器条件下，放大器的电路参数及其物理意义。

模拟电子技术基础试卷1答案

院（系）_________________专业_______________________班级___________姓名__________________学号_________________ ……………………密………………………封……………………线………………………… 《模拟电子技术基础》试卷1 答案 一、填空题（请将答案填在相应的答题线上。每空2分，共22分） 1．在本征半导体中加入五价元素可以形成 N 型半导体。 2．当温度升高时晶体管的反向饱和电流CBO I 将 增大 。（填“增大”或者“减 小”或者“不变”）。 3．电路如图1-1所示，设二极管导通电压D 0.7U =V ，则该电路的输出电压值U = V 。 4．电路如图1-2所回示，则该电路输出电压O u 与输入电压I u 的关系为 I O -du u RC dt = 。 5．已知某共射放大电路的对数幅频特性如图1-3所示，则其中频电压放大倍数um ||A ? 为 100 ，电路的下限频率L f = 10 Hz 。 I ? 图1-1 图1-2 图1-3 6．按照滤波电路的工作频率，通过某一频率范围的信号，频率低于此范围的信号及高于此范围的信号均被阻止的滤波器称为 带通 滤波器。 7．正弦波振荡电路的平衡条件为 1A F ? ? = 。 8．正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为RC 、RL 和石英晶体三种电路，其中 石英晶体 振荡电路的振荡频率最为稳定。 9．直流稳压电源由 整流 电路、滤波电路和稳压电路组成。 10．在串联型线性稳压电源中，调整管、基准电压电路、输出电压采样电路和 比较放大 电路是基本组成部分。

模拟电子技术基础(第四版)习题解答

第1章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保 R大的特点。( √ ) 证其 GS U大于零，则其输入电阻会明显变小。( × ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的 GS 二、选择正确答案填入空。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。 A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3 解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，=100，U BE =0.7V 。 试问： (1)R b =50k 时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =? 解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =， 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =， /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 六、测得某放大电路中三个MOS 管的三个电极的电位如表Tl.6 所示，它们的开启电