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高功率微波脉冲对微带电路的影响
高功率微波脉冲对微带电路的影响
赵海洲,李烟
【摘要】随着微波技术的不断发展，各种高功率微波武器相继产生，这些武器不但能起到电磁干扰的作用，而且还能够把电磁能量集中在很窄的脉冲内，直接摧毁电子设备。另一方面，近年来，微带电路以其体积小,重量轻,耗能少,可靠性高等优点在微波领域显示出强大的生命力，但是高度集成化的微波电路易受小量微波能量的影响。微波能量能够通过各种渠道耦合进入系统壳体，对电子器件产生破坏性的效应，使其失效或功能下降。利用FDTD方法分析了高功率脉冲照射下的微波集总元件电压变化的情况，并比较了在有无屏蔽盒保护作用下的影响结果，为下一步研究高功率微波脉冲对复杂微波电路的影响奠定了理论基础。
【期刊名称】现代电子技术
【年(卷),期】2009(032)017
【总页数】4
【关键词】高功率微波脉冲;FDTD;集总元件;微带电路
0 引言
所谓“高功率微波脉冲”是指微波的脉冲峰值率大于100 MW以上，频率在0.5～300 GHz之间的电磁脉冲。高功率微波[1](High Power Microwave，HPM)是随着脉冲功率技术的实用化而迅速发展起来的，而通信和电子战的应用需求以及近代微波理论的迅速发展也对它起到了推动作用。高功率微波主要应用在电子战中。众所周知，传统的电子战是利用电子干扰和电子欺骗来阻止或削弱敌人对电磁频谱的有效使用，而在新定义的电子战概念中，还包括使用
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