常用内存命名规则
常见内存芯片命名
2010-06-08 21:13:23| 分类：个人日记| 标签：|字号大中小订阅
三星（Samsung）内存
具体含义解释：
例：SAMSUNG
K4S283232E-TC60 SDRAM
K4H280838B-TCB0 DDR
K4T51163QE-HCE6 DDR2
K4B1G164E-HCE7 DDR3
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。9代表NAND FLASH
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、T代表DDR2、B代表DDR3、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A 代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C 为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
Hynix(Hyundai)现代
现代内存的含义：
HY57V281620FTP-H H57V2562GTR-75C(新版）SDRAM
HY5DV641622AT-36 H5DU5162ETP-E3C DDR HYXXXXXXXXXXXXXXXX
123456789101112
HY5PS121621BFP-C4 H5PS5162FFR-25C DDR2
HY5TQ1G163ZNFP-G8 H5TQ1G163BFR-12C DDR3
1、HY代表是现代的产品
2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM，
5P=DDR2SDRAM, 5T=DDR3SDRAM)；27=NAND FLASH
3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V Q=1.8V
4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64=64Mbits、8KRef；65=64Mbits、4KRef；128=128Mbits、8KRef；129=128Mbits、4KRef；256=256Mbits、16KRef；257=256Mbits、8KRef
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、1
6、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关
系
7、I/O界面：1:SSTL_3、2:SSTL_2
8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式：JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-Ⅱ，
TD=13mmTSOP-Ⅱ，TG=16mmTSOP-Ⅱ
11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、L:DDR200、H:DDR266B、K:DDR266A
现代的mBGA封装的颗粒
Micron（美光）
以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM；46代表DDR。 47=DDR2
LC——供电电压。LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字节）。
Infineon（英飞凌）
Infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon
生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；
HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×8片/8=128MB（兆字节）。KINGMAX、kti
KINGMAX内存的说明
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间×4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间×8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间×4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间×8位数据宽度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M地址空间×16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133/CL=2；
-7——PC133/CL=3；
-8A——PC100/CL=2；
-8——PC100/CL=3。
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A的内存颗粒制造，其容量计算为：64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。
Winbond（华邦）
含义说明：
WXXXXXXXX
12345
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；
Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZ
Mosel（台湾茂矽）
台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns
NANYA（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR
南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母“S”表示是SDRAM显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns。
主要含义：
NT 5T U 256T8 B U 25C
1 2 3 4 5 6 7
1：NANYA TECHNOLOGY
2: Product Family
5S=SDRAM 、5D=DDR SDRAM 5T=DDR2 SDRAM 5C=DDR3 SDRAM
3: Interface&Power(vdd&vddg)
V=LVTTL(3.3V-3.3V)
E=LVTTL(2.5V-2.5V) S=SSTL-2(2.5V-2.5V) M=LVTTL(1.8V-1.8V) U=SSTL-18(1.5V-1.5V) B=SSTL-15(1.5V-1.5V) A=SSTL-18(2.0V-2.0V) 4: Organization(Depth.Width)
M=MONO T=DDP
256MB=64M4=32M8=16M16
512MB=128M4=64M8=32M16
1GB=256M4=128M8=64M16
2GB=512T4=256T8
5: DEVICE VERSION
A=1st version B=2nd version C=3rd D=4tn F=5tn
6: PACKAGE CODE
Green +Halogen Free
S=TSOP II G=DDR1BGA/DDR284-BALLBGA E=60-BALLBGA T =68-BALLBGA
M=92 U=71 Y=63 N=78 P=96 T=SDR54-pin TSOPII/DDR 66pin TSSOPII
7: Speed
SDRAM
75B=PC-133-3-3-3 6K=PC-166-3-3-3
DDR2 SDRAM
75B=DDR266 6K=DDR333 5T=DDR400
DDR2 SDRAM
5A=DDR2-400-3-3-3 37B=DDR2-533-4-4-4 3C=DDR2-677-4-4-4
25C/AC=DDR2-800-5-5-5 25D/AD=DDR2-800-6-6-6 BE=DDR2
1066-7-7-7
DDR3 SDRAM
AC=DDR3-800-5-5-5 AD=DDR3-800-6-6-6 BE=DDR3-800-7-7-7 BF= DDR3-1066-8-8-8
CF=DDR3-1033-8-8-8 CG=DDR3-1033-9-9-0