存储器相关习题
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计算机组成原理——习题与解析第四章存储器系统邵桂芳 4.2半导体存储器
4.2.1填空题
1. 计算机中的存储器是用来存放__①___的, 随机访问存储器的访问速度与___②
___无关。答案:①程序和数据②存储位置
2. 对存储器的访问包括______和________两类。
答案:①读②写
3. 计算机系统中的存储器分为__①___和___②____。在CPU 执行程序时,必须将指令存在____③____中。
答案:①内存②外存③内存
4. 主存储器的性能指标主要是①、②、存储周期和存储器带宽。
答案:①存储容量②存取时间
5. 存储器中用①来区分不同的存储单元, 1GB=②KB 。
答案:①地址②1024X1024(或220)
6. 半导体存储器分为①、②、只读存储器(ROM)和相联存储器等。
答案:①静态存储器(SRAM) ②动态存储器(DRAM)
7. RAM 的访问时间与存储单元的物理位置①,任何存储单元的内容都能被②
答案:①无关②随机访问
8. 存储揣芯片由①、②、地址译码和控制电路等组成。
答案:①存储体②读写电路
9. 地址译码分为①方式和②方式。
答案:①单译码②双译码
10.双译码方式采用①个地址译码器,分别产生②和③信号。
答案:①两②行选通③列选通
11.若RAM 芯片内有1024个单元,用单译码方式,地址译码器将有①条输出线;用双译码方式,地址译码器有②条输出线。
答案:①1024 ②64
12. 静态存储单元是由晶体管构成的①, 保证记忆单元始终处于稳定状态, 存储的信息不需要②。
答案:①双稳态电路②刷新(或恢复)
13.存储器芯片并联的目的是为了①,串联的目的是为了②。
答案:①位扩展②字节单元扩展
14.计算机的主存容量与①有关,其容量为②。
答案:①计算机地址总线的根数②2地址线数
15.要组成容量为4MX8位的存储器, 需要①片4MXl 位的存储器芯片并联, 或者需要②片1MX3的存储器芯片串联。
答案:①8 ② 4
16.内存储器容量为256K 时,若首地址为00000H ,那么末地址的十六进制表示是
答案:3FFFFH
17.主存储器一般采用①存储器件,它与外存比较存取速度②、成本③。
答案:①半导体②快③高
18.三级存储器系统是指______这三级:
答案:高缓、内存、外存
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19.表示存储器容量时KB=_①_, MB=_②_;表示硬盘容量时, KB=③, MB=④。答案:①1024字节②t024x1024(或220) 字节③103字节④106字节
20.只读存储器ROM 可分为①、②、③和④四种。
答案:①ROM ②PROM ③EPROM ④ E 2PROM
21. SRAM 是①; DRAM 是②; ROM 是③; EPROM 是④。
答案:①静态存储器②动态存储器③只读存储器④可改写只渎存储器
22.半导体SRAM 靠①存储信息,半导体DRAM 则是靠②存储信息。
答案:①触发器②栅极电容
23.广泛使用的①和②都是半导体③存储器。前者的速度比后者快,但④不如后者高, 它们的共同缺点是断电后⑤保存信息。
答案:①SRAM ②DRAM ③随机读写④集成度⑤不能
24. CPU 是按____访问存储器中的数据。
答案:地址
24. EPROM 属于①的可编程ROM ,擦除时一般使用②,写入时使用高压脉冲。
答案:①可多次擦写②紫外线照射
25.对存储器的要求是①,②,③。为了解决这三个方面的矛盾,计算机采用多级存储器体系结构。
答案:①容量大②速度快③成本低
26.动态MOS 型半导体存储单元是由一个①和一个②构成的。
答案:①晶体管②电容器
27.动态半导体存储器的刷新一般有①、②和③三种方式。
答案:①集中式②分散式③异步式
28.动态存储单元以电荷的形式将信息存储在电容上,由于电路中存在①, 因此, 需要不断地进行②。
答案:①泄漏电流②刷新
29.动态RAM 控制器由①和②两部分组成。
答案:①刷新控制电路②访存裁决电路
4.2.2 选择题
1.计算机的存储器系统是指________。
A . RAM
B . ROM
C 主存储器
D . cache ,主存储器和外存储器
答案:D
2.存储器是计算机系统的记忆设备,它主要用来_______。
A .存放数据
B .存放程序
C .存放数据和程序
D .存放微程序
答案:C
3.内存若为16兆(MB ) ,则表示其容量为_____KB。
A . 16
B . 16384
C . 1024
D . 16000
答案:B
4.下列说法正确的是_______。
A .半导体RAM 信息可读可写,且断电后仍能保持记忆
B .半导体RAM 属挥发性存储器,而静态的RAM 存储信息是非挥发性的
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C .静态RAM 、动态RAM 都属挥发性存储器,断电后存储的信息将消失
D . ROM 不用刷新,且集成度比动态RAM 高,断电后存储的信息将消失
答案:C
5.可编程的只读存储器_______。
A .不一定可以改写
B .一定可以改写
C .一定不可以改写
D .以上都不对
答案:A
6.组成2MX8bit 的内存,可以使用_____。
A . 1MX8bit 进行并联
B . 1MX4bit 进行串联
C . 2MX4bit 进行并联
D . 2MX4bit 进行串联
答案:C
7.若RAM 芯片的容量是2MX8bit ,则该芯片引脚中地址线和数据线的数目之和是______。A . 21 B . 29 C . 18 D .不可估计
答案:B
8.若RAM 中每个存储单元为16位,则下面所述正确的是_______。
A .地址线也是16位
B .地址线与16无关
C .地址线与16有关
D .地址线不得少于16位
答案:B
9.若存储器中有IK 个存储单元,采用双译码方式时要求译码输出线为______。
A . 1024
B . 10
C . 32
D . 64
答案:D
10. RAM 芯片串联时可以_______。
A .增加存储器字长
B .增加存储单元数量
C .提高存储器的速度
D .降低存储器的平均价格
答案:B
11. RAM 芯片并联时可以________。
A .增加存储器字长
B .增加存储单元数量
C .提高存储器的速度
D .降低存储器的平均价格
答案:A
12.存储周期是指________。
A .存储器的读出时间
B .存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔
C .存储器的写入时间
D .存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔
答案:B
13.某微型计算机系统,若操作系统保存在软盘上,其内存储器应该采用_______。
A . RAM
B . ROM
C . RAM 和ROM
D . CCP
答案:C
14.下面所述不正确的是________。
A .随机存储器可随时存取信息,掉电后信息丢失
B .在访问随机存储器时;访问时间与单元的物理位置无关
C .内存储器中存储的信息均是不可改变的
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D .随机存储器和只读存储器可以统一编址
答案:C
15.和外存储器相比,内存储器的特点是________。
A .容量大,速度快,成本低
B .容量大,速度慢,成本高
C .容量小,速度快,成本高
D .容量小,速度快,成本低
答案:C
16. 640KB 的内存容量为_______。
A . 640000字节
B . 64000字节
C . 655360字节
D . 32000字节
答案:C
17.若一台计算机的字长为4个字节,则表明该机器_______。
A .能处理的数值最大为4位十进制数
B .能处理的数值最多为4位二进制数组成
C .在CPU 中能够作为一个整体加以处理的二进制代码为32位
D .在CPU 中运算的结果最大为2的32次方
答案:C
18.下列元件中存取速度最快的是_______。
A . Cache
B .寄存器
C .内存
D .外存
答案:B
19.与动态MOS 存储器相比,双极型半导体存储器的特点是________。
A .速度快
B .集成度高
C .功耗大
D .容量大
答案:A , C
20. ROM 与RAM 的主要区别是______。
A .断电后, ROM 内保存的信息会丢失, RAM 则可长期保存而不会丢失
B .断电后, RAM 内保存的信息会丢失, ROM 则可长期保存而不会丢失
C . ROM 是外存储器, RAM 是内存储器
D . ROM 是内存储器, RAM 是外存储器
答案:B
21.机器字长32位,其存储容量为4MB ,若按字编址,它的寻址范围是_______。
A . 0-1MW
B . 0— 1MB
C . 0-4MW
D . 0--4MB
答案:A
22.某一SRAM 芯片,其容量为512x8位,除电源端和接地端外,该芯片引出线的最小数目应为________。
A . 23
B . 25
C . 50
D . 19
答案:D
23.某一动态RAM 芯片其容量为16KXl ,除电源线、接地线和刷新线外,该芯片的最小引脚数目应为_______。
A . 16
B . 12
C . 18
答案:B
24.某计算机字长32位,存储容量为1MB ,若按字编址,它的寻址范围是________。
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A . 0-1MW
B . 0-512KB
C . 0-256KW
D . 0-256KB
答案:C
25. 某RAM 芯片, 其存储容量为1024x16位, 该芯片的地址线和数据线数目分别为
______。A . 20, 16 B . 20, 4
C . 1024, 4
D . 1024, 16
答案:A
26.某计算机字长16位,其存储容量为2MB ,若按半字编址,它的寻址范围是______。A . 0-8M B . 0-4M
C . 0-2M
D . 0— 1M
答案:C
27.某计算机字长32位,存储容量为8MB ,若按双字编址,它的寻址范围是_______。A . 0-256K B . 0-512K
C . 0-1M
D . 0~2M
答案:C
28. 以下四种类型的半导体存储器中, 以传输同样多的字为比较条件, 则读出数据传输率最高的是______。
A . DRAM
B . SRAM
C .闪速存储器
D . EPROM
答案:C
29.对于没有外存储器的计算机来说,监控程序可以存放在_______。
A . RAM
B . ROM
C . RAM 和ROM
D . CPU
答案:B
30。在某CPU 中,设立了一条等待(WAIT) 信号线, CPU 在存储器周期中T 的下降沿采样WAIT 线,则下面的叙述中正确的是_______。
A .如WAIT 线为高电平,则在T 2周期后不进入T 3周期,而插入一个Tw 周期
B . Tw 周期结束后,不管WAIT 线状态如何,一定转入T 3周期
C . Tw 周期结束后,只要WAIT 线为低,则继续插入一个Tw 周期,直到W AIT 线变高, 才转入T 3周期
D .有了W AIT 线,就可使CPU 与任何速度的存储器相连接,保证CPU 与存储器连接时的时序配合
答案:C , D
31.下面是有关存储保护的描述。请从题后列出的选项中选择正确答案:
为了保护系统软件不被破坏,以及在多道程序环境下防止一个用户破坏另一用户的程序,而采取下列措施:
(1)不准在用户程序中使用“设置系统状态”等指令。此类指令是___①____指令。
(2)在段式管理存储器中设置___②___寄存器,防止用户访问不是分配给这个用用户的存储区域。
(3)在环保护的主存中,把系统程序和用户程序按其允许访问存储区的范围分层;假如规定内层级别高,那么系统程序应在___③___,用户程序应在__④__。内层__⑤___访问外层的存储区。
(4)为了保护数据及程序不被破坏,在页式管理存储器中,可在页表内设置R(读) 、W(写) 及___⑥____位, __⑥___位为1,表示该页内存放的是程序代码。
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供选择的项:
①,② A :特权 B :特殊 C :上、下界 D :系统
③,④ A :内层 B :外层 C :内层或外层
⑤ A :允许 B :不允许
⑥ A :M(标志) B :P (保护) C :E (执行) D :E (有效)
答案:① A ② C ③ A ④ B ⑤ A ⑥ C
4.2.3 判断改错题
1. 动态RAM 和静态RAM 都是易失性半导体存储器。
答案:对。
2. 计算机的内存由RAM 和ROM 两种半导体存储器组成。
答案:对。
3.个人微机使用过程中,突然RAM 中保存的信息全部丢失,而ROM 中保存的信息不受影响。
答案:错。RAM 中保存的信息在断电后会丢失,而ROM 中保存的信息在断电后不受影响。
4. CPU 访问存储器的时间是由存储器的容量决定的,存储器容量越大,访问存储器所需的
时间越长。
答案:错。CPU 访问存储器的时间与容量无关,而是由存储器元的材料决定的。
5.因为半导体存储器加电后才能存储数据,断电后数据就丢失了,因此EPROM 做成的存储器,加电后必须重写原来的内容。
答案:错。半导体存储器加电后才能存储数据,断电后数据丢失,这是指RAM 。EPROM 是只读存储器,断电后数据不会丢失,因此,加电后不必重写原来的内容。
6.大多数个人计算机中可配置的内存容量受地址总线位数限制。
答案:错。内存容量不仅受地址总线位数限制,还受寻址方式、操作系统的存储管理方式等限制。
7.因为动态存储器是破坏性读出,所以必须不断地刷新。
答案:错。刷新不仅仅因为存储器是破坏性读出, 还在于动态存储器在存储数据时,若存储器不做任何操作,电荷也会泄漏,为保证数据的正确性,必须使数据周期性地再生即刷新。8.固定存储器(ROM)中的任何一个单元不能随机访问。
答案:错。ROM 只是把信息固定地存放在存储器中,而访问存储器仍然是随机的。
9.一般情况下, ROM 和RAM 在存储体中是统一编址的。
答案:对。在计算机设计中,往往把RAM 和ROM 的整体作主存,因此, RAM 和ROM 一般是统—编址的。
4.2.4 简答题
1.存储元、存储单元、存储体、存储单元地址这几个术语有何联系和区别?
答:计算机在存取数据时,以存储单元为单位进行存取。机器的所有存储单元长度相同,一般由8的整数倍个存储元构成。同一单元的存储元必须并行工作, 同时读出、写入,由许多存储单元构成一台机器的存储体。由于每个存储单元在存储体中的地位平等, 为区别不同单元,给每个存储单元赋予地址,都有一条惟一的地址线与存储单元地址编码对应。
2.简述存储器芯片中地址译码的方式。
答:地址译码的方式有两种:单译码方式和双译码方式。
单译码方式只用一个译码电路, 将所有的地址信号转换成字选通信号, 每个字选通信号
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用于选择一个对应的存储单元。
双译码方式采用两个地址译码器,分别产生行选通信号和列选通信号,行选通和列选通信号同时有效的单元被选中。存储器一般采用双译码方式,目的是减少存储单元选通线的数量。
3.针对寄存器组、主存、cache 、光盘存储器、软盘、硬盘、磁带,回答以下问题:
(1)按存储容量排出顺序(从小到大) :
(2)按读写时间排出顺序(从快到慢) 。
答:(1)寄存器组一cache 一软盘一主存一光盘存储器一硬盘一磁带。
(2)寄存器组一cache 一主存一硬盘一软盘一光盘存储器一磁带。
4.说明SRAM 的组成结构;与SRAM 相比, DRAM 在电路组成上有什么不同之处? 答:SRAM 由存储体、读写电路、地址译码电路、控制电路组成, DRAM 还需要有动态刷新电路。
与SRAM 相比, DRAM 在电路组成上有以下不同之处:
(1)地址线的引脚一般只有一半,因此,增加了两根控制线RAS 、CAS ,分别控制接受行地址和列地址。
(2)没有CS 引脚,在存储器扩展时用RAS 来代替。
5. DRAM 存储器为什么要刷新?DRAM 存储器采用何种方式刷新? 有哪几种常用的刷新方式?
答:DRAM 存储元是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究会泄漏,电荷又不能像SRAM 存储元那样由电源经负载管来补充,时间一长,信息就会丢失。为此, 必须设法由外界按一定规律给栅极充电, 按需要补给栅极电容的信息电荷。此过程叫“刷新” 。
DRAM 是逐行进行刷新,刷新周期数与DRAM 的扩展无关,只与单个存储器芯片的内部结构有关,对于一个128X128矩阵结构的DRAM 芯片,只需128个刷新周期数。
常用的刷新方式有三种:集中式、分散式、异步式。
6.静态MOS 存储元、动态MOS 存储元、双极型存储元各有什么特点?
答:静态MOS 存储元V1、V2、V3、V4组成的双稳态触发器能长期保持信息的状态不变,是因为电源通过V3、V4不断供给V1或V2电流。
动态MOS 存储元是为了提高芯片的集成度而设计的。它利用MOS 管栅极电容上电荷的状态来存储信息。时间长了,栅极电容上的电荷会泄漏,而存储元本身又不能补充电荷, 因此,需要外加电路给存储元充电,这就是所谓刷新。刷新是动态存储器所特有的。
双极型存储元由两个双发射极晶体管组成。它也是由双稳电路保存信息, 其特点是工作速度比MOS 存储元要高。
以上三种存储元的共同特点是当供电电源切断时,原存的信息会消失。
7. ROM 与RAM 两者的差别是什么? 指出下列存储器哪些是易失性的? 哪些是非易失性的? 哪些是读出破坏性的? 哪些是非读出破坏性的?
动态RAM ,静态RAM , ROM , Cache ,磁盘,光盘
答:ROM 、RAM 都是主存储器的一部分,但它们有很多差别:
(1)RAM是随机存取存储器, ROM 是只读存取存储器。
(2)RAM是易失性的,一旦掉电,所有信息全部丢失。ROM 是非易失性的,其信息可以长期
保存,常用于存放一些固定的数据和程序,比如计算机的自检程序、BIOS 、BASIC 解释程序、游戏卡中的游戏等。
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第8 页共26 页(2)动态RAM 、静态RAM 、Cache 是易失性的, ROM 、磁盘、光盘是非易失性的。动态RAM 是渎出破坏性的,其余均为非读出破坏性的。
8.下列各种存储器中,哪些是挥发性存储器? 哪些是非挥发性存储器?
磁盘, DRAM , ROM ,磁带,光盘, SRAM , EPROM , PROM , EEPROM
答:挥发性存储器有DRAM 、SRAM 。非挥发性存储器有磁盘、ROM 、磁带、光盘、EPROM 、PROM 、EEPROM 。
4.2.5 综合题
1.欲设计具有64Kx2位存储容量的芯片,问如何安排地址线和数据线引脚的数目,才能使两
者之和最小。请说明有几种解答。
解:设地址线x 根,数据线y 根,则2642?=?K y x
若
y=1 x=17
y=2 x=16
y=4 x=15 y=8 x=14
因此,当数据线为1或2时,引脚之和为18,共有2种解答。
2.表4. 1给出的各存储器方案中, 哪些是合理的? 哪些不合理? 对那些不合理的可以怎样修改?
解:
(1)合理。
(2)不合理。因为存储单元的位数应为字节的整数倍,所以将存储单元的位数改为16较合理。
(3)不合理。因为MAR 的位数为8,存储器的单元数最多为256个,不可能达到1024 个,
所以将存储器的单元数改为256较合理。
(4)不合理。因为MAR 的位数为12, 存储器的单元数应为4K 个, 不可能只有1024个, 所以将存储器的单元数改为4096才合理。
(5)不合理。因为MAR 的位数为8,存储器的单元数应为256个,不可能只有8个,所以将存储器的单元数改为256才合理:另外,存储单元的位数为1024太长,改为8、16、32、64
均可。
(6)不合理。因为MAR 的位数为1024,太长,而存储单元数为10,太短,所以将MAR 的位数与存储单元数对调一下,即MAR 的位数为10,存储器的单元数正好为1024,合理。
3. 某存储器容量为4KB , 其中:ROM 2KB, 选用EPROM 2KX8:RAM 2KB, 选用RAM 1KX8; 地址线A 15~A0。写出全部片选信号的逻辑式。
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第9 页共26 页解:ROM 的容量为2KB ,故只需l 片EPROM ;而RAM 的容量为
2KB ,故需RAM 芯片2片。ROM 片内地址为11位,用了地址线的A 10-A 0这11根地址线; RAM 片内地址为10位,用了地址线的A 9~ A0这10根地址线。总容量需要12根地址线。可以考虑用1根地址线 A 11作为区别EPROM 和RAM 的片选信号,对于2片RAM 芯片可利用 A 10来区别其片选信号。由此,可得到如下的逻辑式: EPROM 110CS =
RAM 10111A CS = 10112A A CS =
4. 图4.4(a)是某SRAM 的写入时序图, 其中R/W是读/写命令控制线, 当R /W 线为低电平时,存储器按当时地址2450H 把数据线上的数据写入存储器。请指出图中的错误,并画出正确的写入时序图。
解:在R/W线为低电平时,地址、数据都不能再变化,正确的写入时序图如图 4.4(b)。
5.没有一个IMB 容量的存储器,字长为32位,问:
(1)按字节编址,地址寄存器、数据寄存器各为几位? 编址范围为多大?
(2)按半字编址,地址寄存器、数据寄存器各为几位? 编址范围为多大?
(3)按字编址,地址寄存器、数据寄存器各为几位? 编址范围为多大?
解:
(1)按字节编址, 1MB=82
20?,地址寄存器为20位,数据寄存器为8位,编址范围为00000H~FFFFFH。
(2)按半字编址, IMB=162821920?=?,地址寄存器为19位,数据寄存器为16位,编址范围为00000H-7FFFFH 。
(3)按字编址, 1MB=322821820?=?,地址寄存器为18位,数据寄存器为32位,编址范
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第10 页共26 页围为00000H~3FFFFH。
6.用16KX8位的SRAM 芯片构成64KXl6位的存储器,试画出该存储器的组成逻辑框图。
解:存储器容量为64KXl6位, 其地址线为16位(015~A A ) , 数据线也是16位(015~D D ) ; SRAM 芯片容量为16KX8位,其地址线为14位,数据线为8位。因此组成存储器时需字位同时扩展,字扩展采用2:4译码器,以16K 为一个模块,共4个模块。位扩展采用两片串接:存储器的组成逻辑框图如图 4.5所示。
图 4.5
7. 己知某8位机的主存采用半导体存储器, 地址码为18位, 芯片组成该机所允许的最大主存空间,并选用模块条的形式,问:
(1)若每个模块条为32KX8位,共需几个模块条?
(2)每个模块内共有多少片RAM 芯片?
(3)主存共需多少RAM 芯片?CPU 如何选择各模块条?
解:
若使用4K ?4位RAM
(1)由于主存地址码给定18位,所以最大存储空间为K 256218=,主存的最大容量为
256KB 。现每个模块条约存储容量为32KB ,所以主存共需256KB /32KB=8块扳。
(2)每个模块条的存储容量为32KB ,现使用4K ?4位的RAM 芯片拼成4K ?8位(共8组) ,用地址码的低12位(110~A A ) 直接接到芯片地址输入端,然后用地址的高3位
(1214~A A ) 通过3:8译码器输出分别接到8组芯片的选片端。共有8?2=16个RAM 。
(3)根据前面所得,共需8个模块条,用151617A A A 通过3:8译码器来选择模块条,如图
4.6所示。
8.用8K ?8位的ROM 芯片和8K ?4位的RAM 芯片组成存储器,按字节编址,其中RAM 的地址为0000H ~5FFFH , ROM 的地址为6000~9FFFH ,画出此存储器组成结构图及
与CPU 的连接图。
解:RAM 的地址范围展开为0000000000000000~0101111111111111, 012~A A 从0000H
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第11 页共26 页~1FFFH , 容量为:8K , 高位地址131415A A A , 从000-010, 所以RAM 的容量为8K ?3=24K。RAM 用8K ?4的芯片组成,需8K ?4的芯片6片。
ROM 的末地址-首地址=9FFFH-6000H=3FFFH, 所以ROM 蛇容量为214=16K。ROM 用8K ?8的芯片组成,需8K ?8的芯片2片。
图 4.6 RAM 的地址范围展开为0110 0000 0000 0000~1001 1111 1111 1111,高位地址131415A A A 从011~100。
存储器的组成结构图及与CPU 的连接如图 4.7所示。
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第12 页共26 页
图 4.7
9.存储器分布图如下面所示(按字节编址) ,现有芯片ROM 4K?8和RAM 8K?4,设计此存储器系统,将RAM 和ROM 用CPU 连接。
解:RAM1区域是8K ?8,需2片8K 4的芯片; RAM2区域也是8K ?8,需2片8K ?4的芯片; ROM 区域是8K ?8,需2片4K ?8的芯片。地址分析如下:
(1)方法一
以内部地址多的为主,地址译码方案为:用1314A A 作译码器输入,则0Y 选RAM1, 1Y 选RAM2, 3Y 选ROM ,当012=A 时选ROM1,当112=A 时选ROM2,扩展图与连接图如图
4.8所示。
0000H
1FFFH
2000H
3FFFH
4000H
5FFFH
6000H
7FFFH
RAM1 RAM2 ROM
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计算机组成原理——习题与解析第四章存储器系统邵桂芳
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图 4.8
(2)方法二
以内部地址少的为主, 地址译码方案为:用121314A A A 作译码器输入, 则0Y 和1Y 选RAM1, 2Y 和3Y 选RAM2, 6Y 选ROM1, 7Y 选ROM2,扩展图和连接图如图4.9所示。
图 4.9
10. 用8K ?8的RAM 芯片和2K ?8的ROM 芯片设计一个10K ?8的存储器, ROM 和RAM 的容量分别为2K 和8K , ROM 的首地址为0000H , RAM 的末地址为3FFFH 。
(1)ROM存储器区域和RAM 存储器区域的地址范围分别为多少?
(2)画出存储器控制图及与CPU 的连接图。
解:
(1) ROM 的首地址为0000H , ROM 的总容量为2K ?8,
RAM 的末地址为3FFFH , RAM 的总容量为8K ?8,所以
地址为:2000H 。
(2)设计方案
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第14 页共26 页ROM 的地址范围为
RAM 的地址范围为
(3)方法一
以内部地址多的为主,地址译码方案为:用13A 来选择,当13A =1时选RAM ,当
111213A A A =000时选ROM ,如图4.10所示。
图 4.10
(4)方法二
以内部地址少的为主, 地址译码方案为:用111213A A A 作译码器输入, 则0Y 选ROM , 4Y 、5Y 、6Y 、7Y 均选RAM ,如图4.11所示。
图 4.11
11. 某机字长8位, 试用如下所给芯片设计一个存储器, 容量为10KW , 其中RAM 为高8KW , ROM 为低2KW ,最低地址为0(RAM 芯片类型有为:4K ?8, ROM 芯片有:2K ?4) 。
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第15 页共26 页①地址线、数据线各为多少根?
②RAM 和ROM 的地址范围分别为多少?
③每种芯片各需要多少片。
④画出存储器结构图及与CPU 连接的示意图。
解:
①地址线为14根,数据线为8根。
②ROM 的地址范围为0000H~07FFH、RAM 的地址范围为0800H~27FFH。
③RAM 芯片共2片, ROM 芯片共2片。
④存储器结构图及与CPU 连接的示意图如图 4.12所示。
图 4.12
12. 用8K ?8位的ROM 芯片和8K ?4位的RAM 芯片组成存储器, 按字节编址, 其中RAM 的地址为2000H~7FFFH, ROM 的地址为9000H~BFFFH, 画出此存储器组成结构图及与CPU 的连接图。
解:RAM 的地址范围展开为001 0000000000000~011 11111111111, 012~A A 从0000H~1FFFH, 容量为8K , 高位地址131415A A A 从001~011, 所以RAM 的容量为8K ?3=24K。RAM 用8K ?4的芯片组成,需8K ?4的芯片共6片。
ROM 的地址范围展开为1001 000000000000~1011 111111111111, 011~A A 从
000H~FFFH,容量为4K ,高位地址12131415A A A A 从1001~1011,所以ROM 的容量为
4K ?3=12K。ROM 用4K ?8的芯片组成,需4K ?8的芯片3片。
地址分析如下:
地址译码方案:用12131415A A A A 作译码器输入, 则2Y 和3Y 选RAM1, 4Y 和5Y 选RAM2,
RAM ROM
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第16 页共26 页6Y 和7Y 选RAM3, 9Y 选ROM1, 11Y 选ROM3。存储器的组成结构图及与CPU 的连接图如图 4.13所示。
13. CPU 的地址总线16根(015~A A , 0A 是低位) ,双向数据总线8根(07~D D ) ,控制总线中与主存有关的信号有MREQ (允许访存,低电平有效) , W R /(高电平读命令, 低电平写命令) 。主存地址空间分配如下:0~8191为系统程序区,由EPROM 芯片组成,从8192~32767为用户程序区,最后(最大地址) 2K 地址空间为系统程序工作区。上述地址为十进制,按字节编址。现有如下芯片:
EPROM 8K ?8位(控制端仅有CS )
SRAM 16K ?8位, 2K ?8位, 4K ?8位, 8K ?8位
请从上述芯片中选择芯片来设计该计算机的主存储器, 画出主存逻辑框图, 注意画选片逻辑(可选用门电路及译码器) 。
解
根据以上分析设计如下:EPROM 8K?8芯片1片
SRAM 8K?8位芯片3片, 2K ?8位芯片1片, 3:8译码器1片
(8191-0+1)/1024=8,所以EPROM 的容量为8K ?8 十六进制地址范围为0000H
~1FFFH (32767-8192+1)/1024=24,所以SRAM1的容量为24K ?8 十六进制地址范围为2000H-7FFFH (63487-32768+1)/1024=30,所以空容量为30K ?8 (65535-63488+1)/1024=2,所以SRAM2的容量为2K ?8 十六进制地址范围为F800H-FFFFH
0 8191 8192 65535
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第17 页共26 页地址分析如下:
地址译码方案:用131415A A A 作译码器输入, 则0Y 选EPROM , 1Y 、2Y 、3Y 选SRAM1, 7Y 选SRAM2,但1112A A =11。存储器的组成结构图及与CPU 的连接图如图4.14所示。
14.要求用128K ?16位的SRAM 芯片设计512K ?16位的存储器, 用64K ?16位的EPROM 芯片组成128K ?16位的只读存储器。试问:
(1)数据寄存器多少位?
(2)地址寄存器多少位?
(3)两种芯片各需多少位?
(4) EPROM 的地址从00000H 开始, RAM 的地址从60000H 开始,画出此存储器组成框图。
图 4.14
解:
(1)存储器的总容量为512K ?16位(SRAM ) +128K?16位(EPROM ) =640K?16位。数据寄存器16位。
(2)因为20
2=1024K>640K, 所以地址寄存器20位。EPROM SRAM1 SRAM2
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第18 页共26 页(3) 所需SRAM 芯片数为(512K ?2B ) /(128K ?2B ) =4(片) , 所需EPROM 芯片数为(128K ?2B ) /(64K ?2B ) =2(片) 。
(4) EPROM 的地址从00000H 开始, 末地址1FFFFH ; SRAM 的地址从60000H 开始,末地址为DFFFFH 。SRAM 的芯片为128K ?2B ,内部地址线17根; EPROM 的芯片为64K ?2B , 内部地址线16根。地址展开如下:
以内部地址多的为主, 存储器组成结构框图如图 4.15所示。
15. 某机访问空间64KB , I/O空间与主存统一编址, I/O空间占用2K , 范围为
FC00H~FFFFH。现用8KB ?8和2KB ?8两种静态RAM 芯片构成主存储器, RD 、WR 分别为系统提供的读写信号线, IO/M为高是I/O操作, 为低是内存操作。请画出该存储器逻辑图, 并标明每块芯片的地址范围。
解:存储器逻辑图如图 4.16所示。
图 4.16
RAM (1)芯片的地址范围是0000H~1FFFH;
RAM (2)芯片的地址范围是2000H~3FFFH;
RAM (3)芯片的地址范围是4000H~5FFFH;
EPROM SRAM
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第19 页共26 页RAM (4)芯片的地址范围是6000H~7FFFH;
RAM (5)芯片的地址范围是8000H~9FFFH;
RAM (6)芯片的地址范围是A000H~BFFFH;
RAM (7)芯片的地址范围是C000H~DFFFH;
RAM (8)芯片的地址范围是E000H~E3FFH;
RAM (9)芯片的地址范围是E400H~E7FFH;
RAM (10)芯片的地址范围是E800H~EBFFH;
RAM (11)芯片的地址范围是EC00H~EFFFH;
RAM (12)芯片的地址范围是F000H~F3FFH;
RAM (13)芯片的地址范围是F400H~F7FFH;
RAM (14)芯片的地址范围是F800H~FBFFH;
I/O空间的地址范围是FC00H~FFFFH
16.用2K ?8的芯片设计一个8K ?l6的存储器:当B=0时访问16位数;当B=1时访问8位数。
解:由于要求存储器能按字节访问,即8K ?l6=16K?8=214?8,所以地址线需14根,数据线为16根。
先设计一个模块将2K ?8扩展成2K ?l6,内部地址为111~A A 。设计方案如下:
地址分析如下:
B 11A 10A 9A 8A 7A 6A 5A 4A 3A 2A 1A 0A
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1
8K ?l6的存储器需要四个模块,因此需用2:4译码器,译码器的输出一般是低电平有效,设经反相后的输出分别为3、2、1、0, 则1CS 、2CS 、3CS 、1CS 、4CS 、5CS 、6CS 、7CS 、8CS 的表达式分别为:
001Y A CS = 103Y A CS = 205Y A CS = 307Y A CS =
访问0号单元的16位数
访问偶存储体的0号单元的8位数不访问(即16位数的地址必须为偶数) 访问奇存储体的l 号单元的8位数访问2号单元的16位数
访问偶存储体的2号单元的8位数不访问(即16位数的地址必须为偶数) 访问奇存储体3号单元的8位数
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第20 页共26 页002) (Y B A CS ⊕= 104) (Y B A CS ⊕= 206) (Y B A CS ⊕= 308) (Y B A CS ⊕= 存储器结构图及与CPU 连接的示意图如图4.17所示。
图 4.17
17. 用2K ?8的芯片设计一个8K ?32的存储器; 当0001=B B 时访问32位数; 当0101=B B 时访问16位数; 当1001=B B 时访问8位数。解:由于要求存储器能按字节访问,即8K ?32=32K?8=215
?8, 所以地址线需15根, 数据线需要32根。先设计一个模块将2K ?8扩展成2K ?32, 内部地址为212~A A , 扩展图如下:
设
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) (01011CS +=
01010112B CS += 0101010101013A B A B CS ++=
0101010101014A A B B A A B B CS ++=
8K ?32的存储器需要四个模块,因此需要2:4译码器。译码器的输出一般是低电平有效,
设经反相后的输出分别为3、2、1、0, 则1CS 、2CS 、3CS 、1CS 、4CS 、5CS 、6CS 、7CS 、8CS 、9CS 、10CS 、11CS 、12CS 、13CS 、14CS 、15CS 、16CS 的表达式分别为:
第三章存储系统习题参考答案1.有一个具有20位地址和32位字长的
第三章存储系统习题参考答案 1．有一个具有20位地址和32位字长的存储器，问： （1）该存储器能存储多少个字节的信息？ （2）如果存储器由512K×8位SRAM芯片组成，需要多少芯片？ （3）需要多少位地址作芯片选择？ 解：（1）∵ 220= 1M，∴ 该存储器能存储的信息为：1M×32/8=4MB （2）（1000/512）×（32/8）= 8（片） （3）需要1位地址作为芯片选择。 2. 已知某64位机主存采用半导体存储器，其地址码为26位，若使用4M×8位的DRAM芯片组成该机所允许的最大主存空间，并选用模块板结构形式，问：（1）每个模块板为16M×64位，共需几个模块板？ （2）个模块板内共有多少DRAM芯片? （3）主存共需多少DRAM芯片? CPU如何选择各模块板？ 解：(1). 共需模块板数为m： m=÷224=4(块) (2). 每个模块板内有DRAM芯片数为n: n=(224/222) ×(64/8)=32 (片) (3) 主存共需DRAM芯片为：4×32=128 (片) 每个模块板有32片DRAM芯片，容量为16M×64位，需24根地址线(A23~A0)完成模块板内存储单元寻址。一共有4块模块板，采用2根高位地址线(A25~A24)，通过2：4译码器译码产生片选信号对各模块板进行选择。 3．用16K×8位的DRAM芯片组成64K×32位存储器，要求： (1) 画出该存储器的组成逻辑框图。 (2) 设存储器读/写周期为0.5μS, CPU在1μS内至少要访问一次。试问采用哪种刷新方式比较合理？两次刷新的最大时间间隔是多少？对全部存储单元刷
新一遍所需的实际刷新时间是多少？ 解：（1）组成64K×32位存储器需存储芯片数为 N=（64K/16K）×（32位/8位）=16（片） 每4片组成16K×32位的存储区，有A13-A0作为片内地址，用A15 A14经2：4译码器产生片选信号，逻辑框图如下所示： （2）依题意，采用异步刷新方式较合理，可满足CPU在1μS内至少访问内存一次的要求。 设16K×8位存储芯片的阵列结构为128行×128列，按行刷新，刷新周期T=2ms，则异步刷新的间隔时间为： 则两次刷新的最大时间间隔发生的示意图如下 可见，两次刷新的最大时间间隔为ｔｍａｘ ｔｍａｘ＝15.5-0.5=15 (μS) 对全部存储单元刷新一遍所需时间为t R t R ＝0.5×128=64 (μS)
宏观经济学思考题及参考答案
宏观经济学思考题及参考答案（1） 第四章 基本概念：潜在GDP，总供给，总需求，AS曲线，AD曲线。 思考题 1、宏观经济学的主要目标是什么?写出每个主要目标的简短定义。请详细解释 为什么每一个目标都十分重要。 答:宏观经济学目标主要有四个:充分就业、物价稳定、经济增长和国际收支平衡。 （1)充分就业的本义是指所有资源得到充分利用，目前主要用人力资源作为充分就业的标准;充分就业本不是指百分之百的就业，一般地说充分就业允许的失业范畴为4%。只有经济实现了充分就业，一国经济才能生产出潜在的GDP，从而使一国拥有更多的收入用于提高一国的福利水平。 （2）物价稳定，即把通胀率维持在低而稳定的水平上。物价稳定是指一般物价水平(即总物价水平)的稳定;物价稳定并不是指通货膨胀率为零的状态，而是维持一种能为社会所接受的低而稳定的通货膨胀率的经济状态，一般指通货膨胀率为百分之十以下。物价稳定可以防止经济的剧烈波动，防止各种扭曲对经济造成负面影响。 (3)经济增长是指保持合意的经济增长率。经济增长是指单纯的生产增长，经济增长率并不是越高越好，经济增长的同时必须带来经济发展;经济增长率一般是用实际国民生产总值的年平均增长率来衡量的。只有经济不断的增长，才能满足人类无限的欲望。 （4)国际收支平衡是指国际收支既无赤字又无盈余的状态。国际收支平衡是一国对外经济目标，必须注意和国内目标的配合使用;正确处理国内目标与国际目标的矛盾。在开放经济下，一国与他国来往日益密切，保持国际收支的基本平衡，才能使一国避免受到他国经济波动带来的负面影响。 3，题略 答:a.石油价格大幅度上涨，作为一种不利的供给冲击，将会使增加企业的生产成本，从而使总供给减少，总供给曲线AS将向左上方移动。 b.一项削减国防开支的裁军协议，而与此同时，政府没有采取减税或者增加政府支出的政策，则将减少一国的总需求水平，从而使总需求曲线AD向左下方移动。 c.潜在产出水平的增加，将有效提高一国所能生产出的商品和劳务水平，从而使总供给曲线AS向右下方移动。 d.放松银根使得利率降低，这将有效刺激经济中的投资需求等，从而使总需求增加，总需求曲线AD向右上方移动。 第五章 基本概念：GDP，名义GDP，实际GDP，NDP，DI，CPI，PPI。 思考题： 5.为什么下列各项不被计入美国的GDP之中? a优秀的厨师在自己家里烹制膳食; b购买一块土地; c购买一幅伦勃朗的绘画真品; d某人在2009年播放一张2005年录制的CD所获得的价值; e电力公司排放的污染物对房屋和庄稼的损害;
存储器相关习题
预览： 计算机组成原理——习题与解析第四章存储器系统邵桂芳 4.2半导体存储器 4.2.1填空题 1. 计算机中的存储器是用来存放__①___的, 随机访问存储器的访问速度与___② ___无关。答案:①程序和数据②存储位置 2. 对存储器的访问包括______和________两类。 答案:①读②写 3. 计算机系统中的存储器分为__①___和___②____。在CPU 执行程序时,必须将指令存在____③____中。 答案:①内存②外存③内存 4. 主存储器的性能指标主要是①、②、存储周期和存储器带宽。 答案:①存储容量②存取时间 5. 存储器中用①来区分不同的存储单元, 1GB=②KB 。 答案:①地址②1024X1024(或220) 6. 半导体存储器分为①、②、只读存储器(ROM)和相联存储器等。 答案:①静态存储器(SRAM) ②动态存储器(DRAM) 7. RAM 的访问时间与存储单元的物理位置①,任何存储单元的内容都能被② 答案:①无关②随机访问 8. 存储揣芯片由①、②、地址译码和控制电路等组成。 答案:①存储体②读写电路 9. 地址译码分为①方式和②方式。 答案:①单译码②双译码 10.双译码方式采用①个地址译码器,分别产生②和③信号。 答案:①两②行选通③列选通 11.若RAM 芯片内有1024个单元,用单译码方式,地址译码器将有①条输出线;用双译码方式,地址译码器有②条输出线。 答案:①1024 ②64 12. 静态存储单元是由晶体管构成的①, 保证记忆单元始终处于稳定状态, 存储的信息不需要②。 答案:①双稳态电路②刷新(或恢复) 13.存储器芯片并联的目的是为了①,串联的目的是为了②。 答案:①位扩展②字节单元扩展 14.计算机的主存容量与①有关,其容量为②。 答案:①计算机地址总线的根数②2地址线数 15.要组成容量为4MX8位的存储器, 需要①片4MXl 位的存储器芯片并联, 或者需要②片1MX3的存储器芯片串联。 答案:①8 ② 4 16.内存储器容量为256K 时,若首地址为00000H ,那么末地址的十六进制表示是 答案:3FFFFH 17.主存储器一般采用①存储器件,它与外存比较存取速度②、成本③。 答案:①半导体②快③高 18.三级存储器系统是指______这三级: 答案:高缓、内存、外存 预览：
(完整版)思考题及习题2参考答案
第2章思考题及习题2参考答案 一、填空 1. 在AT89S51单片机中，如果采用6MHz晶振，一个机器周期为。答：2μs 2. AT89S51单片机的机器周期等于个时钟振荡周期。答：12 3. 内部RAM中，位地址为40H、88H的位，该位所在字节的字节地址分别为 和。答：28H，88H 4. 片内字节地址为2AH单元最低位的位地址是；片内字节地址为A8H单元的最低位的位地址为。答：50H，A8H 5. 若A中的内容为63H，那么，P标志位的值为。答：0 6. AT89S51单片机复位后，R4所对应的存储单元的地址为，因上电时PSW= 。这时当前的工作寄存器区是组工作寄存器区。答：04H，00H，0。 7. 内部RAM中，可作为工作寄存器区的单元地址为 H～ H。答：00H，1FH 8. 通过堆栈操作实现子程序调用时，首先要把的内容入栈，以进行断点保护。调用子程序返回指令时，再进行出栈保护，把保护的断点送回到，先弹出的是原来中的内容。答：PC, PC，PCH 9. AT89S51单片机程序存储器的寻址范围是由程序计数器PC的位数所决定的，因为AT89S51单片机的PC是16位的，因此其寻址的范围为 KB。答：64 10. AT89S51单片机复位时，P0~P3口的各引脚为电平。答：高 11. AT89S51单片机使用片外振荡器作为时钟信号时，引脚XTAL1接，引脚XTAL2的接法是。答：片外振荡器的输出信号，悬空 12. AT89S51单片机复位时，堆栈指针SP中的内容为，程序指针PC中的内容为 。答：07H，0000H 二、单选 1. 程序在运行中，当前PC的值是。 A．当前正在执行指令的前一条指令的地址 B．当前正在执行指令的地址。 C．当前正在执行指令的下一条指令的首地址 D．控制器中指令寄存器的地址。 答：C 2. 判断下列哪一种说法是正确的？
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第7章_微型计算机存储器习题参考答案
计算机存储器 7.1 一个微机系统中通常有哪几级存储器？它们各起什么作用？性能上有什么特点？ 答：一个微机系统中通常有3级存储器结构：高速缓冲存储器、内存储器和辅助存储器。 高速缓冲存储器简称快存，是一种高速、小容量存储器，临时存放指令和数据，以提高处理速度。 内存存取速度快，CPU可直接对它进行访问，用来存放计算机运行期间的大量程序和数据。 辅存存储容量大，价格低，CPU不能直接进行访问，通常用来存放系统程序、大型文件及数据库等。 7.2 半导体存储器分为哪两大类？随机存取存储器由哪几个部分组成？ 答：根据存取方式的不同，半导体存储器可分为随机存取存储器RAM和只读存储器ROM 两类。其中随机存取存储器主要由地址译码电路、存储体、三态数据缓冲器和控制逻辑组成。 7.3 什么是SRAM，DRAM，ROM，PROM，EPROM和EEPROM？ 答：SRAM：静态随机存取存储器；DRAM：动态随机存取存储器；ROM：掩膜只读存储器；PROM：可编程的只读存储器；EPROM：可擦除可编程只读存储器；EEPROM：用电可擦除可编程只读存储器。 7.4 常用的存储器片选控制方法有哪几种？它们各有什么优缺点？ 答：常用的存储器片选控制译码方法有线选法、全译码法和部分译码法。 线选法：当存储器容量不大、所使用的存储芯片数量不多、而CPU寻址空间远远大于存储器容量时，可用高位地址线直接作为存储芯片的片选信号，每一根地址线选通一块芯片，这种方法称为线选法。直观简单，但存在地址空间重叠问题。 全译码法：除了将低位地址总线直接与各芯片的地址线相连接之外，其余高位地址总线全部经译码后作为各芯片的片选信号。采用全译码法时，存储器的地址是连续的且唯一确定，即无地址间断和地址重叠现象。 部分译码法：将高位地址线中的一部分进行译码，产生片选信号。该方法常用于不需要全部地址空间的寻址、采用线选法地址线又不够用的情况。采用部分译码法存在地址空间重叠的问题。 7.5 动态RAM为什么要进行定时刷新？EPROM存储器芯片在没有写入信息时，各个单元的内容是什么？ 答：DRAM的基本存储电路利用电容存储电荷的原理来保存信息，由于电容上的电荷会逐渐泄漏，因此对DRAM必须定时进行刷新，使泄漏的电荷得到补充。 EPROM存储器芯片在没有写入信息时，各个单元的内容是1。 7.6 某SRAM的单元中存放有一个数据如5AH，CPU将它读取后，该单元的内容是什么？答：5AH。 7.7 下列ROM芯片各需要多少个地址输入端？多少个数据输出端？ （1）16×4位（2）32×8位
思考题与习题答案
思考题与习题 1 1- 1 回答以下问题： ( 1)半导体材料具有哪些主要特性？ (2) 分析杂质半导体中多数载流子和少数载流子的来源； (3) P 型半导体中空穴的数量远多于自由电子， N 型半 导体中自由电子的数量远多于空穴， 为什么它们对外却都呈电中性？ (4) 已知温度为15C 时，PN 结的反向饱和电流 I s 10 A 。当温度为35 C 时，该PN 结 的反向饱和 电流I s 大约为多大？ ( 5)试比较二极管在 Q 点处直流电阻和交流电阻的大小。 解： ( 1)半导体的导电能力会随着温度、光照的变化或掺入杂质浓度的多少而发生显着改变， 即半导体具 有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。 ( 2)杂质半导体中的多数载流子是由杂质原子提供的，例如 供一个自由电子，P 型半导体中一个杂质原子提供一个空穴， 浓度；少数载流子则是由热激发产生的。 (3) 尽管P 型半导体中空穴浓度远大于自由电子浓度，但 P 型半导体中，掺杂的杂质原子因获得一个价电子而变成带负电的杂 质离子(但不能移动)，价 电子离开后的空位变成了空穴，两者的电量相互抵消，杂质半导体从总体上来说仍是电中性的。 同理， N 型半导体中虽然自由电子浓度远大于空穴浓度，但 N 型半导体也是电中性的。 (4) 由于温度每升高10 C ，PN 结的反向饱和电流约增大 1倍，因此温度为 35C 时，反向 饱和电流为 (5) 二极管在 Q 点处的直流电阻为 交流电阻为 式中U D 为二极管两端的直流电压， U D U on ，I D 为二极管上流过的直流电流， U T 为温度的 电压当量，常温下 U T 26mV ，可见 r d R D 。 1- 2 理想二极管组成的电路如题 1- 2图所示。试判断图中二极管是导通还是截止，并确定 各电路的输 出电压。 解 理想二极管导通时的正向压降为零， 截止时的反向电流为零。 本题应首先判断二极管的工 作状 态，再进一步求解输出电压。二极管工作状态的一般判断方法是：断开二极管， 求解其端口 电压；若该电压使二极管正偏， 则导通； 若反偏， 则截止。 当电路中有两只或两只以上二极管时， 可分别应用该方法判断每只二极管的工作状态。 需要注意的是， 当多只二极管的阳极相连 (共阳 极接法)时，阴极电位最低的管子将优先导通；同理，当多只二极管的阴极相连(共阴极接法) 时，阳极电位最高的管子将优先导通。 (a) 断开二极管 D ，阳极电位为12V ，阴极电位为6V ，故导通。输岀电压 U O 12V 。 (b) 断开二极管 D 1、D 2, D 1、D 2为共阴极接法，其阴极电位均为 6V ，而D 1的阳极电位 为9V ， D 2的阳极电位为5V ,故D 1优先导通，将 D 2的阴极电位钳制在 7.5V ，D 2因反向偏置而 截止。输岀电压 U O 7.5V 。 N 型半导体中一个杂质原子提 因此 多子浓度约等于所掺入的杂质 P 型半导体本身不带电。因为在
第4章-存储器管理练习题(答案)
第四章存储器管理 一、单项选择题 1、存储管理的目的是（C ）。 A.方便用户 B.提高内存利用率 C.方便用户和提高内存利用率 D.增加内存实际容量 2、在（A）中，不可能产生系统抖动的现象。 A.固定分区管理 B.请求页式管理 C.段式管理 D.机器中不存在病毒时 3、当程序经过编译或者汇编以后，形成了一种由机器指令组成的集合，被称为（B ）。 A.源程序 B.目标程序 C.可执行程序 D.非执行程序 4、可由CPU调用执行的程序所对应的地址空间为（D ）。 A.符号名空间 B.虚拟地址空间 C.相对地址空间 D.物理地址空间 5、存储分配解决多道作业[1C]划分问题。为了实现静态和动态存储分配，需采用地址重定位，即把[2C]变成[3D]，静态重定位由[4D]实现，动态重定位由[5A]实现。 供选择的答案： [1]：A 地址空间B 符号名空间C 主存空间D 虚存空间 [2]、[3]：A 页面地址B 段地址C 逻辑地址D 物理地址E 外存地址F 设备地址 [4]、[5]：A 硬件地址变换机构B 执行程序C 汇编程序 D 连接装入程序 E 调试程序 F 编译程序 G 解释程序 6、分区管理要求对每一个作业都分配（A ）的内存单元。 A.地址连续 B.若干地址不连续 C.若干连续的帧 D.若干不连续的帧 7、（C ）存储管理支持多道程序设计，算法简单，但存储碎片多。 A.段式 B.页式 C.固定分区 D.段页式 8、处理器有32位地址，则它的虚拟地址空间为（B）字节。A.2GB B.4GB C.100KB D.640KB 9、虚拟存储技术是（A）。 A.补充内存物理空间的技术 B.补充相对地址空间的技术 C.扩充外存空间的技术 D.扩充输入输出缓冲区的技术 10、虚拟内存的容量只受（D）的限制。 A.物理内存的大小 B.磁盘空间的大小 C.数据存放的实际地址 D.计算机地址字长 11、虚拟存储技术与（A ）不能配合使用。
存储器 练习题答案
一、选择题 1、存储器和CPU之间增加Cache的目的是( )。 A. 增加内存容量 B. 提高内存的可靠性 C. 解决CPU与内存之间速度问题 D.增加内存容量，同时加快存取速度 2、常用的虚拟存储系统由（）两级存储器组成，其中辅存是大容量的磁表面存储器。 A 主存-辅存 B 快存-主存 C 快存-辅存 D 通用寄存器-主存 3、双端口存储器所以能高速进行读/ 写，是因为采用（）。A．高速芯片B．两套相互独立的读写电路 C．流水技术D．新型器件 4、在下列几种存储器中，CPU可直接访问的是（）。 A. 主存储器 B. 磁盘 C. 磁带 D. 光盘 5、SRAM芯片，存储容量为64K×16位，该芯片的地址线和数据线数目为（）。 A．64，16 B．16，16 C．64，8 D．16，64。 6、采用虚拟存储器的主要目的是（）。 A．扩大主存储器的存储空间，并能进行自动管理和调度B．提高主存储器的存取速度 C．提高外存储器的存取速度 D．扩大外存储器的存储空间
7、双端口存储器在（）情况下会发生读/写冲突。 A. 左端口与右端口的地址码不同 B. 左、右端口的地址码相同 C. 左、右端口的数据码相同 D. 左、右端口的数据码不同 8、计算机系统中的存储器系统是指（）。 A RAM存储器 B ROM存储器 C 主存储器D主存储器和外存储器 9、某计算机字长32位，其存储容量为4MB，若按半字编址，它的寻址范围是（）。 A 0~4MB-1 B 0~2MB-1 C 0~2M-1 D 0~1M-1 10、某一SRAM芯片，采用地址线与数据线分离的方式，其容量为512×8位，除电源和接地端外，该芯片引出线的最小数目应是（）。 A 23 B 25 C 50 D 19 11、以下四种类型的半导体存储器中，以传输同样多的字为比较条件，则读出数据传输率最高的是（）。 A DRAM B SRAM C FLASH ROM D EPROM 12、计算机的存储器采用分级存储体系的目的是（）。A．便于读写数据B．减小机箱的体积
管理学思考题及参考答案
管理学思考题及参考答案 第一章 1、什么是管理？ 管理：协调工作活动过程（即职能），以便能够有效率和有效果地同别人一起或通过别人实现组织的目标。 2、效率与效果 效率：正确地做事（如何做） 效果：做正确的事（该不该做） 3、管理者三层次 高层管理者、中层管理者、基层管理者 4、管理职能和（或）过程——职能论 计划、组织、控制、领导 5、管理角色——角色论 人际角色：挂名首脑、领导人、联络人 信息角色：监督者、传播者、发言人 决策角色：企业家、混乱驾驭者、资源分配者、谈判者 6、管理技能——技能论 用图表达。 高层管理概念技能最重要，中层管理3种技能都需要且较平衡，基层管理技术技能最重要。 7、组织三特征？ 明确的目的 精细的结构 合适的人员 第二章 泰罗的三大实验： 泰罗是科学管理之父。记住3个实验的名称：1、搬运生铁实验，2、铁锹实验，3、高速钢实验 4、吉尔布雷斯夫妇 动作研究之父 管理界中的居里夫妇 5、法约尔的十四原则 法约尔是管理过程理论之父 记住“十四原则”这个名称就可以了。 6、法约尔的“跳板” 图。 7、韦伯理想的官僚行政组织组织理论之父。6维度：劳动分工、权威等级、正式甄选、非个人的、正式规则、职业生涯导向。 8、韦伯的3种权力 超凡的权力 传统的权力 法定的权力。 9、巴纳德的协作系统论 协作意愿 共同目标 信息沟通 10、罗伯特·欧文的人事管理 人事管理之父。职业经理人的先驱 11、福莱特冲突论 管理理论之母 1)利益结合、 2)一方自愿退让、 3)斗争、战胜另一方 4)妥协。 12、霍桑试验 1924-1932年、梅奥 照明试验、继电器试验、大规模访谈、接线试验 13、朱兰的质量观 质量是一种合用性 14、80/20的法则 多数，它们只能造成少许的影响；少数，它们造成主要的、重大的影响。 15、五项修炼 自我超越 改善心智 共同愿景 团队学习 系统思考 第三章 1、管理万能论 管理者对组织的成败负有直接责任。 2、管理象征论 是外部力量，而不是管理，决定成果。 3、何为组织文化 组织成员共有的价值观和信念体系。这一体系在很大程度上决定成员的行为方式。 4、组织文化七维度
2015 2016 01 存储器练习题 带参考答案
2015-2016-01-存储器练习题. 带参考答案
A 存储器的读出时间 B 、存储器的写 一、选择题（75+7题） 1、 计算机系统中的存储器系统是指（D ）。 A RAM 存储器 B 、ROM 存储器 C 主存储器 D 、主存储器和外存储器 2、 存储器是计算机系统中的记忆设备，它主要 用来（C ）。 A 、存放数据 B 、存放程序 放数据和程序 D 存放微程序 3、 存储单元是指（B ）。 A 、存放一个二进制信息位的存储元 存放一个机器字的所有存储元集合 C 存放一个字节的所有存储元集合 存放 两个字节的所有存储元集合 4、 计算机的存储器米用分级存储体系的主要目 的是（D ）。 A 便于读写数据 C 便于系统升级 价格 和存取速度之间的矛盾 B 、 B 、减小机箱的体积 D 解决存储容量、
5、存储周期是指（C ）。 A存储器的读出时间B、存储器的写
入时间 C存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔 D存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔 6、和外存储器相比，内存储器的特点是（C ） A容量大，速度快，成本低 大，速度慢，成本高 C容量小，速度快，成本高小，速度快，成本低 7、某计算机字长16位，它的存储容量按字编址，那么它的寻址范围是B、容量D容量 A、0 ?64K B、0 ?32K D 0?32KB &某SRAM芯片，其存储容量为 芯片的地址线和数据线数目为（ A 64,16 B、16,64 16,16 9、某DRAM芯片，其存储容量为芯片的地址线和数据线数目为（ A 8,512 B、512,8 19，8 （B C、 64K若 ）。 0 ? 64K B 64KX 16 位， D ）。 C 64,8 512KX8 位， D ）。 C 18,8 D 、
第1章思考题及参考答案
第一章思考题及参考答案 １. 无多余约束几何不变体系简单组成规则间有何关系？ 答：最基本的三角形规则，其间关系可用下图说明： 图a 为三刚片三铰不共线情况。图b 为III 刚片改成链杆，两刚片一铰一杆不共线情况。图c 为I 、II 刚片间的铰改成两链杆（虚铰），两刚片三杆不全部平行、不交于一点的情况。图d 为三个实铰均改成两链杆（虚铰），变成三刚片每两刚片间用一虚铰相连、三虚铰不共线的情况。图e 为将I 、III 看成二元体，减二元体所成的情况。 2．实铰与虚铰有何差别？ 答：从瞬间转动效应来说，实铰和虚铰是一样的。但是实铰的转动中心是不变的，而虚铰转动中心为瞬间的链杆交点，产生转动后瞬时转动中心是要变化的，也即“铰”的位置实铰不变，虚铰要发生变化。 3．试举例说明瞬变体系不能作为结构的原因。接近瞬变的体系是否可作为结构？ 答：如图所示AC 、CB 与大地三刚片由A 、B 、C 三铰彼此相连，因为三铰共线，体系瞬变。设该 体系受图示荷载P F 作用，体系C 点发生微小位移 δ，AC 、CB 分别转过微小角度α和β。微小位移 后三铰不再共线变成几何不变体系，在变形后的位置体系能平衡外荷P F ，取隔离体如图所 示，则列投影平衡方程可得 210 cos cos 0x F T T βα=?=∑，21P 0 sin sin y F T T F βα=+=∑ 由于位移δ非常小，因此cos cos 1βα≈≈，sin , sin ββαα≈≈，将此代入上式可得 21T T T ≈=，()P P F T F T βαβα +==?∞+， 由此可见，瞬变体系受荷作用后将产生巨大的内力，没有材料可以经受巨大内力而不破坏，因而瞬变体系不能作为结构。由上分析可见，虽三铰不共线，但当体系接近瞬变时，一样将产生巨大内力，因此也不能作为结构使用。 4．平面体系几何组成特征与其静力特征间关系如何? 答：无多余约束几何不变体系?静定结构（仅用平衡条件就能分析受力） 有多余约束几何不变体系?超静定结构（仅用平衡条件不能全部解决受力分析） 瞬变体系?受小的外力作用，瞬时可导致某些杆无穷大的内力 常变体系?除特定外力作用外，不能平衡 5． 系计算自由度有何作用？ 答：当W >０时，可确定体系一定可变；当W <０且不可变时，可确定第４章超静定次数；W ＝０又不能用简单规则分析时，可用第２章零载法分析体系可变性。 6．作平面体系组成分析的基本思路、步骤如何？ 答：分析的基本思路是先设法化简，找刚片看能用什么规则分析。
设计示例1存储器设计
设计示例1：存储器设计 1、 存储器模块定义： 存储器用于存放CPU 运算的程序指令和数据等，采用单端口存储器设计，设计最大为64个存储单元，每个存储单元数据宽度为32bit 。下图为指令存储器的模块框图。 module ExtMem 图1 模块框图 2、 结构框图： 3、 接口说明： 表1： 存储器接口信号说明表 4、 时序说明： ExtMem_CLK ExtMem_WR ExtMem_RD ExtMem_Adr Valid Valid ExtMem_Din ExtMem_CS 图2 存储器接口读时序框图
ExtMem_CLK ExtMem_WR ExtMem_RD ExtMem_Adr Valid Valid ExtMem_Dout ExtMem_CS 图3 存储器接口写时序框图 Valid ExtMem_Dout ExtMem_CLK ExtMem_WR ExtMem_RD ExtMem_Adr Valid Valid ExtMem_Din ExtMem_CS Valid 图4 存储器接口读写时序框图 5、 设计电路源代码 Module Mem ( input CLK, input CSn, input [5:0] Addr, input WRn, input RDn, input [31:0] Din, output [31:0] Dout ); reg [31:0] Memory [0: 63] ; //---存储器写操作 always @( posedge CLK) begin if (~CSn & ~WRn ) Memory[Addr]<= Din; end //---存储器读操作方式1 always @( posedge CLK )
2015-2016-01存储器练习题带参考答案讲解
存储器练习题参考答案 一、选择题（75+7题） 1、计算机系统中的存储器系统是指( D )。 A、RAM存储器 B、ROM存储器 C、主存储器 D、主存储器和外存储器 2、存储器是计算机系统中的记忆设备，它主要用来( C )。 A、存放数据 B、存放程序 C、存放数据和程序 D、存放微程序 3、存储单元是指( B )。 A、存放一个二进制信息位的存储元 B、存放一个机器字的所有存储元集合 C、存放一个字节的所有存储元集合 D、存放两个字节的所有存储元集合 4、计算机的存储器采用分级存储体系的主要目的是( D )。 A、便于读写数据 B、减小机箱的体积 C、便于系统升级 D、解决存储容量、价格和存取速度之间的矛盾 5、存储周期是指( C )。 A、存储器的读出时间 B、存储器的写入时间 C、存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔 D、存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔 6、和外存储器相比，内存储器的特点是( C )。 A、容量大，速度快，成本低 B、容量大，速度慢，成本高 C、容量小，速度快，成本高 D、容量小，速度快，成本低 7、某计算机字长16位，它的存储容量64K，若按字编址，那么它的寻址范围是( B )。 A、0～64K B、0～32K C、0～64KB D、0～32KB 8、某SRAM芯片，其存储容量为64K×16位，该芯片的地址线和数据线数目为( D )。 A、64,16 B、16,64 C、64,8 D、16,16 9、某DRAM芯片，其存储容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线数目为( D )。 A、8,512 B、512,8 C、18,8 D、19，8 10、某机字长32位，存储容量1MB，若按字编址，它的寻址范围是( C )。 A、0～1M B、0～512KB C、0～256K D、0～256KB 11、某计算机字长32位，其存储容量为4MB，若按字编址，它的寻址范围是( A )。 A、0～1M B、0～4MB C、0～4M D、0～1MB 12、某计算机字长32位，其存储容量为4MB，若按半字编址，它的寻址范围( C )。 A、0～4MB B、0～2MB C、0～2M D、0～1MB 13、某计算机字长为32位，其存储容量为16MB，若按双字编址，它的寻址范围是( B )。 A、0～16MB B、0～8M C、0～8MB D、0～16MB 14、某SRAM芯片，其容量为512×8位，加上电源端和接地端，该芯片引出线的最小数目应为( D )。 A、23 B、25 C、50 D、19 15、相联存储器是按( C )进行寻址的存储器。 A、地址指定方式 B、堆栈存取方式 C、内容指定方式 D、地址指定与堆栈存取方式结合 16、主存储器和CPU之间增加cache的目的是( A )。 A、解决CPU和主存之间的速度匹配问题 B、扩大主存储器的容量
第3.2章习题参考答案
第3章习题(有关虚拟存储器的题目)参考答案 16. 下述有关存储器的描述中，正确的是( B、D ) A. 多级存储体系由Cache、主存和虚拟存储器构成 B. 存储保护的目的是：在多用户环境中，既要防止一个用户程序出错而破坏系统软件或其它用户程序，又要防止用户访问不是分配给他的主存区，以达到数据安全与保密的要求。 C. 在虚拟存储器中，外存和主存以相同的方式工作，因此允许程序员用比主存空间大得多的外存空间编程。 D. Cache和虚拟存储器这两种存储器管理策略都利用了程序的局部性原理。18．虚拟段页式存储管理方案的特性为( D ) A.空间浪费大、存储共享不易、存储保护容易、不能动态连接。 B.空间浪费小、存储共享容易、存储保护不易、不能动态连接。 C.空间浪费大、存储共享不易、存储保护容易、能动态连接。 D.空间浪费小、存储共享容易、存储保护容易、能动态连接。 19. 某虚拟存储器采用页式存储管理，使用LRU页面替换算法，若每次访问在一个时间单位内完成，页面访问序列如下：1、8、1、7、8、2、7、2、1、8、3、8、2、1、3、1、7、1、3、7。已知主存只允许放4个页面，初始状态时4个页面是全空的，则页面失效次数是___6____。 解答过程： LRU算法的思想：每页设置一个计数器，每次命中一页，该页对应的计数器清零，其他各页的计数器加1；需要替换时，将计数值最大的页换出，所以，对应的访 20. 主存容量为4MB，虚存容量为1GB，则虚拟地址和物理地址各为多少位?如页面大小为4KB，则页表长度是多少? 解： 主存容量为4MB，物理地址22位 虚存容量为1GB，虚拟地址30位 页表长度，即页面数=1GB/ 4KB=218=256K
工艺思考题及参考答案模板
工艺思考题及参考 答案模板
机械制造工艺学( 上) 思考题及参考答案 1、 什么叫生产过程, 工艺过程, 工艺规程? 答: 生产过程: 从原材料变成成品的劳动过程的总和。 工艺过程: 在生产过程中, 直接改变生产对象的形状、 尺寸、 性能及相对位置关系的过程。 工艺规程: 在具体生产条件下, 将最合理的或较合理的工艺过程, 用文字按规定的表格形式写成的工艺文件。 2、 某机床厂年产CA6140 卧式车床 台, 已知机床主轴的备品率为15%, 机械加工废品率为5%。试计算主轴的年生产纲领, 并说明属于何种生产类型, 工艺过程有何特点? 若一年工作日为280天, 试计算每月(按22天计算)的生产批量。 解: 生产纲领公式 N=Qn(1+α)(1+β)=??12000( 1＋15％) ( 1＋5％) =2415台/年 查表属于成批生产,生产批量计算: 241522 189.75280 NA n F ?= ==(件) 3、 结合具体实例, 说明什么是基准、 设计基准、 工艺基准、 工序基准、 定位基准、 测量基准、 装配基准。 答: 基准: 是用来确定生产对象的点或面, 包括设计基准和工艺基准, 设计基准: 在零件图上标注设计尺寸所采用的基准。 工艺基准: 在零件的工艺过程中所采用的基准叫做工艺基准。
按其场合不同, 可分为工序基准、定位基准、测量基准和装配基准。 工序基准: 在工序图中, 用以确定本工序被加工表面加工后的尺寸、形状、位置所采用的基准。 定位基准: 加工时, 用以确定工件在机床上或夹具中的正确位置; 测量基准: 加工中或加工后, 测量工件形状尺寸采用的基准; 装配基准: 装配时用以确定零件或部件在产品上相对位置所采用的基准。 举例: ( a) 如一阶梯轴零件, Φ60外圆的设计基准是Φ40外圆的中心 线 (b)如图的工序图中,加工ΦD 孔 ,
存储器习题解答.
1. 用下列芯片构成存储系统，各需要多少个RAM芯片？需要多少位地址作为片外地址译码？设系统为20位地址线，采用全译码方式。 （1）512×4位RAM构成16KB的存储系统； （2）1024×1位RAM构成128KB的存储系统； （3）2K×4位RAM构成64KB的存储系统； （4）64K×1位RAM构成256KB的存储系统。 解：(1 需要16KB/512×4=64片，片外地址译码需20-log2512=11位地址线。 (2 需要128KB/1K×1=1024片，片外地址译码需20-log21024=10位地址线。 (3 需要64KB/2K×4=64片，片外地址译码需20-log2(1024×2=9位地址线。 (4 需要256KB/64K×1位=32片，片外地址译码需20-log2(1024×64=4位地址线。 2. 现有一种存储芯片容量为512×4位，若要用它组成4KB的存储容量，需多少这样的存储芯片？每块芯片需多少寻址线？而4KB存储系统最少需多少寻址线？ 解: 4K×8bit /512×4bit= 16片，需要16片存储芯片； 29 = 512，每片芯片需9条寻址线； 212 = 4096，4KB存储系统最少需12条寻址线。 3. 一个具有8KB直接相联Cache的32位计算机系统，主存容量为32MB，假定该Cache 中块的大小为4个32位字。 （1）求该主存地址中区号、块号和块内地址的位数。 （2）求主存地址为ABCDEF16的单元在Cache中的位置。 解: (1 主存区数为32MB/8KB = 4096，212 = 4096，区号的位数为12； 区内块数为8KB/4×4B = 512，29 = 512，块号的位数为9； 块内单元数（字节编址）为4×32 / 8 = 16，24 = 16，块内地址的位数4。 （2）主存地址为ABCDEF16的单元其二进制地址为： 0 1010 1011 1100 1101 1110 1111 (主存字节地址为25位 区号为0 1010 1011 110 块号为0 1101 1110
实验五_存储器设计
计算机组成原理 实验五《存储器设计》 实验报告 姓名：吴速碘黄紫微 学号：13052053 13052067 班级：计算机二班 日期2015、5、25
实验五存储器设计 一、实验目的 1、掌握RAM和ROM的Verilog语言描述方法； 2、学习用宏模块的方法定制RAM和ROM。 二、实验任务 1、设计并实现一个128*16 的单端口的RAM； 2、设计并实现一个128*16的ROM； 3、设计并实现一个双端口的128*16的RAM 4、设计并实现一个16*32的FIFO。 5、设计并实现正弦信号发生器，见“正弦信号发生器实验指南”。 三、实验步骤 1 编写Verilog代码（见附页） 2功能仿真 进行分析与综合，排除语法上的错误 建立波形仿真文件，输入激励 生成功能仿真网表 进行功能仿真，观察输出结果 3选择器件 DE2_70开发板的使用者请选择EP2C70F896C6 4绑定管脚 5 下载验证 DE2_70开发板的下载:使用USB-Blaster进行下载 四、实验内容 五、实验思考题 1、分析存储器采用三态输出的原因是什么？ 存储器的输出端是连接在数据总线上的。数据总线相当于一条车流频繁的大马路，必须在绿灯条件下，车辆才能进入这条大马路，否则要撞车发生交通事故。同 理，存储器中的数据是不能随意传送到数据总线上的。例如，若数据总线上的数 据是“1”(高电平5V)，存储器中的数据是“0”(低电平0V)，两种数据若碰到一 起就会发生短路而损坏单片机。因此，存储器输出端口不仅能呈现“l”和“0”两 种状态，还应具有第三种状态“高阻"态。呈“高阻"态时，输出端口相当于断开，对数据总线不起作用，此时数据总线可被其他器件占用。当其他器件呈“高阻”态 时，存储器在片选允许和输出允许的条件下，才能将自己的数据输出到数据总线 上。 2、单端口和双端口的区别是什么？ 单端口ram是ram的读写只有一个端口，同时只能读或者只能写。 双端口ram是ram读端口和写端口分开，一个端口能读，另一个端口可以同时写。 3、什么情况下考虑采用双端口存储器？
存储器管理练习及参考答案
存储器管理练习及参考答案 一、单项选择题： 1、存储管理的目的是（ C ）。 A.方便用户 B.提高主存空间的利用率 C.方便用户和提高主存空间的利用率 D.增加主存实际容量 2、（ A ）存储管理不适合多道程序设计。 A.单一连续分区 B.固定分区存储管理 C.可变分区存储管理 D.页式存储管理 3、静态重定位是在作业的（B ）进行的，动态重定位是在作业的（ D ）进行的。 A.编译过程中 B.装入过程中 C.修改过程中 D.执行过程中 4、提高主存利用率主要是通过（ A ）实现的。 A.内存分配 B.内存保护 C.地址映射 D.内存扩充 5、多道程序环境中，使每道程序能在不受干扰的环境下运行，主要是通过（C ）功能实现的。 A.内存分配 B.地址映射 C.内存保护 D.内存扩充 6、最佳适应分配算法的空闲区是（B ）。 A.按大小递减顺序排序 B.按大小递增顺序排序 C.按地址由小到大排列 D.按地址由大到小排列 7、地址重定位的对象是（B ）。 A.源程序 B.目标程序 C.编译程序 D.汇编程序 8、采用可变分区存储管理方式管理主存时，使用移动技术可以（B ）。 A.加快作业执行速度 B.集中分散的空闲区 C.扩大主存容量 D.加快地址转换 9、如下存储管理方式中，（A ）一般采用静态重定位方式进行逻辑地址到物理地址的转换。 A.固定分区存储管理方式 B.段式存储管理方式 C.可变分区存储管理方式 D.页式存储管理方式 10、很好地解决了内存零头问题的存储管理方法是（ A ）。 A.页式存储管理 B.段式存储管理 C.多重分区管理 D.可变式分区管理 11、设基址寄存器的内容为1000，在采用动态重定位的系统中，当执行指令“Load A,2000”时，操作数的实际地址是（ C ）。 A.1000 B.2000 C.3000 D.4000 12、对主存的研究可归纳为：主存的分配与回收、地址重定位、存储空间的共享与保护、（ B ）。 A.地址映射 B.虚拟存储 C.分区管理 D.物理存储器的扩充 13、地址转换或叫重定位的工作是将（ C ） A.绝对地址转换为逻辑地址 B.逻辑地址转换为浮动地址 C.逻辑地址转换为绝对地址 D.绝对地址转换为浮动地址 14、段式存储管理中，用于记录作业每个分段在主存中的起始地址和长度的是（B ）。 A. 基址寄存器和限长寄存器 B.段表 C. 界限寄存器 D.上、下限寄存器
《绿色化学》思考题及参考答案
绿色化学思考题 1.二十世纪人类面临的环境危机是什么？ ○1温室气体大量排放导致全球变暖○2臭氧层空洞○3生物多样性减少○4酸雨成灾○5森林锐减○6土地沙漠化○7大气污染○8淡水资源污染○9海洋污染○10垃圾围城—最严重的城市病○11核冬天(核污染) 2.绿色化学的定义、特点及其与环境化学和环境治理的区别。 定义：绿色化学，又称环境无害化学、环境友好化学、清洁化学。它是利用化学原理和方法来减少或消除对人类健康、社区安全、生态环境有害的反应原料、催化剂、溶剂和试剂、产物、副产物的使用和产生的新兴学科。是一门从源头上减少或消除污染的化学。 特点：从科学观点看，绿色化学是对传统化学思维方式的创新和发展；从经济观点看，绿色化学为我们提供合理利用资源和能源、降低生产成本、符合经济持续发展的原理和方法; 从环境观点看，绿色化学是从源头上消除污染，保护环境的新科学和新技术方法。绿色化学是更高层次的化学。 与环境化学和环境治理的区别：环境化学是一门研究污染物的分布、存在形式、运行、迁移及其对环境影响的科学。环境治理则是对已被污染了的环境进行治理，即研究污染物对环境的污染情况和治理污染物的原理和方法。而绿色化学是从源头上阻止污染物生成的新学科，它是利用化学原理来预防污染，不让污染产生，而不是处理已有的污染物。 3.绿色化学的十二条原则是什么？ ○1防止污染优于污染治理；○2提高原子经济性；○3尽量减少化学合成中的有毒原料、产物；○4设计安全的化学品；○5使用无毒无害的溶剂和助剂；○6合理使用和节省能源；○7利用可再生资源代替消耗性资源合成化学品；○8减少不必要的衍生化步骤；○9采用高选择性催化剂优于使用化学计量助剂；○10产物的易降解性；○11发展分析方法，对污染物实行在线监测和控制；○12减少使用易燃易爆物质，降低事故隐患 第二章不产生三废的原子经济反应 1.什么是原子经济性及如何计算原子利用率。 绿色化学的“原子经济性”是指在化学品合成过程中，合成方法和工艺应被设计成能把反应过程中所用的所有原材料尽可能多的转化到最终产物中；化学反应的“原子经济性”（Atom economy）概念是绿色化学的核心内容之一。 2.原子经济性与环境效益的相关性. ○1原子利用率越低，环境因子就越大，生产过程产生的废物就越多，造成的资源浪费和环境污染就越大。○2产品越精细复杂，E值越大。因为产品越复杂，生产步骤越多，原子利用率越低。○3原子经济反应是最大限度利用资源、最大限度减少污染的必要条件，但不是充分条件。 3.提高化学反应原子经济性的途径有哪些? ○1开发新型催化剂；○2简化合成步骤；○3采用新合成原料。 第三章绿色合成让社区中毒的悲剧不再重演 1.光气和氢氰酸是生产哪些产品的原料？他们对人有什么危害？ ○1光气（COCl2）又称碳酰氯，主要用于生产聚氨酯，也是生产染料、医药、农药和矿物浮选剂的原料。光气对人的危害：剧毒，吸入微量时可引起咳嗽、咽喉发炎、粘膜充血、呕吐等；重症时，引起肺部淤血和肺水肿；深度中毒时，引起血管膨胀、心脏功能丧失，导致急性窒息性死亡。 ○2氢氰酸主要用于生产聚合物的单体如甲基丙烯酸系列产品、己二腈等。前者主要用于生产有机玻璃，也用于制造涂料、胶粘剂、润滑剂、皮革整理剂、乳化剂、上光剂和防锈剂等；后者是尼龙-66的重要中间体。氢氰酸对人的危害:无色液体或气体，极易挥发，能迅速被血液吸收，口服致死量一般在0.1-0.3g之间。