单口RAM、伪双口RAM、双口RAM与FIFO的区别

单口RAM、伪双口RAM、双口RAM与FIFO的区别FPGA设计中，常用到的数据缓存IP有FIFO和RAM，其中RAM又分单口RAM、伪双口RAM、双口RAM。

单口与双口的区别在于，单口只有一组数据线与地址线，因此读写不能同时进行。而双口有两组数据线与地址线，读写可同时进行。FIFO读写可同时进行，可以看作是双口。

双口RAM分伪双口RAM（Xilinx称为Simple two-dual RAM）与双口RAM （Xilinx称为true two-dual RAM）。伪双口RAM，一个端口只读，另一个端口只写；而双口RAM两个端口都可以读写。

FIFO也是一个端口只读，另一个端口只写。FIFO与伪双口RAM的区别在于，FIFO为先入先出，没有地址线，不能对存储单元寻址；而伪双口RAM 两个端口都有地址线，可以对存储单元寻址。

异步时钟域的缓存只要是双口器件都可以完成。但FIFO不需对地址进行控制，是最方便的。

RAM和ROM的区别

RAM（Random Access Memory）的全名为随机存取记忆体，它相当于PC机上的移动存储，用来存储和保存数据的。它在任何时候都可以读写，RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质（可称作系统内存）。 不过，当电源关闭时RAM不能保留数据，如果需要保存数据，就必须把它们写入到一个长期的存储器中（例如硬盘）。正因为如此，有时也将RAM称作“可变存储器”。RAM内存可以进一步分为静态RAM（SRAM）和动态内存（DRAM）两大类。DRAM由于具有较低的单位容量价格，所以被大量的采用作为系统的主记忆。 ROM（Read Only Memory）的全名为唯读记忆体，它相当于PC机上的硬盘，用来存储和保存数据。ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。即使是断电，ROM也能够保留数据。但是资料一但写入后只能用特殊方法或根本无法更改，因此ROM常在嵌入式系统中担任存放作业系统的用途。现在市面上主流的PDA的ROM大小是64MB以及128MB。 RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM就不会。 由于ROM不易更改的特性让更新资料变得相当麻烦，因此就有了Flash Memory的发展，Flash Memory具有ROM不需电力维持资料的好处，又可以在需要的时候任意更改资料，不过单价也比普通的ROM要高。 SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。动态RAM（Dynamic RAM/DRAM）保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。 DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。 具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。 ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的

双口RAM应用

高速双口RAM IDT7026的原理和应用 作者：合肥电子工程学院刘春生来源：《国外电子元器件》 摘要：IDT7026是美国IDT公司开发研制的高速16k×16bit的双口静态RAM。它可允许两个端口同时进行高速读写数据，内含主/从控制脚，并具有标识器功能。文中介绍了IDT7026的内部组成、功能及原理，并给出具体的应用电路框图。 关键词：双口RAM 高速并行接口信号处理 1 概述 在高速数据采集和处理系统中，随着采样数据量的增大及信息处理任务的增加，对数据传送的要求也越来越高。在系统或模块间如果没有能够高速传送数据的接口，则在数据传送时极易造成瓶颈堵塞现象，从而影响整个系统对数据的处理能力。所以，高速并行数据接口的研制在信息处理系统中占有非常重要的地位。利用高性能双口RAM能够方便地构成各种工作方式的高速数据传送接口，不管是在并行处理网络中的数据共享，还是在流水方式中的高速数据传送中，高性能双口RAM都发挥着重要作用，从而保证数据通路的畅通。 IDT7026是美国IDT公司开发研制的高速16k×16bits的双口静态RAM。它是真正的双口RAM，允许两个（左、右）端口同时读写数据，每个端口具有自己独立的控制信号线、地址线和数据线。可高速存取数据，最快存取时间为15ns，可与大多数高速处理器配合使用，而无需插入等待状态。它具有Master/slave控制脚，可方便地扩展存储容量和数据位宽。IDT7026除具有双端口存取功能外，还具有标识器功能，在数据传送时可构成多种接口形式。 2 IDT及管脚功能组成及管脚功能

IDT7026的内部功能框图如图1所示。 IDT7026的管脚分布如图2所示。各管脚的功能见表1所列。 3 工作原理 3.1 双端口数据存取工作原理 IDT7026的核心部分是用于数据存储的存储器阵列，可为左右两个端口所共用。这样，位于两个端口的左右处理单元就可共享一个存储器。当两个端口对双口RAM存取时，存在以下4种情况：（1）两个端口不同时对同一地址单元存取数据； （2）两个端口同时对同一地址单元读出数据； （3）两个端口同时对一地址单元写入数据；

STM32芯片的ROM与RAM

按照上边的例子， 在Keil中编译工程成功后，在下面的Bulid Ouput窗口中会输出下面这样一段信息： Program Size: Code=119222 RO-data=18266 RW-data=320 ZI-data=23492 代表的意思： Code ：是程序中代码所占字节大小 RO-data ：程序中所定义的指令和常量大小（个人理解：Read Only） RW-data ：程序中已初始化的变量大小 (个人理解”：Read/Write) ZI-Data ：程序中未初始化的变量大小 (个人理解：Zero Initialize) ROM(Flash) size = Code+RO-data+RW-data; RAM size = RW-data+ZI-data 可以通过.map查看占用的flash和ram大小 Code是代码占用的空间，RO-data是 Read Only 只读常量的大小，如const型，RW-data是（Read Write）初始化了的可读写变量的大小，ZI-data是（Zero Initialize）没有初始化的可读写变量的大小。ZI-data不会被算做代码里因为不会被初始化。 简单的说就是在烧写的时候是FLASH中的被占用的空间为：Code+RO Data+RW Da ta 程序运行的时候，芯片内部RAM使用的空间为：RW Data+ZI Data ARM编译中的RO、RW和ZI DATA区段 ARM程序(指在ARM系统中正在执行的程序，而非保存在ROM中的bin文件)的组成 一个ARM程序包含3部分：RO段，RW段和ZI段 RO是程序中的指令和常量 RW是程序中的已初始化变量

RAM和ROM

典型外部ROM和RAM器件的使用实例详解 来源：开拓电子（https://www.sodocs.net/doc/1c11681016.html,）录入： autumn 1 实例功能 在很多应用场合，51单片机自身的存储器和I/O口资源不能满足系统设计的需要，这时就要进行系统扩展。在本例中，将结合片外ROM和片外RAM的典型芯片的应用，说明如何扩展单片机的数据存储器和程序存储器。 本例中3个功能模块描述如下： ?单片机系统：扩展单片机的存储器，实现片外存储器的访问。 ?外围电路：分为3个内容。首先是用地址锁存器完成单片机系统总线的扩展，其次是扩展片外ROM器件2764,第三是扩展片外RAM6264. ?C51程序：用C51完成对片外存储器的读写。 本例目的在于希望keiltop读者在读完本例后，能完成相关的电路设计。 ?器件原理 本实例中将首先介绍单片机的三总线概念和形成，随后介绍单片机弦叫线的扩展。在单片机系统扩展时，引入片外典型存储器件，最后给出典型片外ROM和RAM的电路连接和使用方法。 2.1单片机的三总线 (1)什么是单片机的三总线？ 单片机三总线指数据线、地址线和控制线。单片机CPU所要处理的就是这3种不同的总线信号。 数据线：数据总线用来传送指令和数据信息。P0口兼做数据总线DB0~DB7. 地址线：用来指定数据存储单元的志趣分配信号线。在8051系列中，提供了引脚ALE,在ALE为有效高电平，在P0口上输出的是地址信息，A7-A0。另外，P2口可以用于输出地址高8位的A15~A8,所以对外16位地址总线由P2和P0锁存器构成。 控制线：8051系列中引脚输出控制线，如读写信号线、PSEN、ALE以及输入控制信号线，如EA、TST、T0、T1等构成了外部的控制总线。

双口RAM应用实例

双端口RAM在高速数据采集中的应用 利用传统方法设计的高速数据采集系统由于集成度低、电路复杂，高速运行电路干扰大，电路可靠性低，难以满足高速数据采集工作的要求。应用FPGA可以把数据采集电路中的数据缓存、控制时序逻辑、地址译码、总线接口等电路全部集成进一片芯片中，高集成性增强了系统的稳定性，为高速数据采集提供了理想的解决方案。下面以一个高速数据采集系统为例介绍双端口RAM的应用。 该系统要求实现对频率为5MHz的信号进行采样，系统的计算处理需要对信号进行波形分析，信号采样时间为25μs。根据设计要求，为保证采样波形不失真，A／D采样频率用80MHz，采样精度为8位数据宽度。计算得出存储容量需要2K字节。其系统结构框图如图3所示，图4给出了具体电路连接图。

根据设计要求，双端口RAM的LPM_WIDTH参数设置为8，LPM_WIDTHAD 参数设置为11(211=2048)，使用读写使能端及读写时钟。ADCLK、WRCLK和地址发生器的计数频率为80MHz。 A／D转换值对双端口RAM的写时序为顺序写方式，每完成一次A／D转换，存储一次数据，地址加1指向下一单元，因此写地址发生器(RAM_CONTROL)采用递增计数器实现，计数频率与ADCLK、WRCLK一致以保证数据写入时序的正确性。写操作时序由地址和时钟发生器、A／D转换时钟和双端口RAM的写时钟产生。停止采样时AD_STOP有效，写地址发生器停止计数，同时停止对RAM的写操作。将地址发生器的计数值接至DSP总线可以获取采样的首尾指针。地址发生器单元一般用(VHDL)语言编程实现，然后生成符号文件 RAM_CONTROL在上层文件调用。其部分VHDL语言程序如下： 对双端口RAM的读操作采用存储器映像方式，其读出端口接DSP的外扩RAM 总线，DSP可随机读取双端口RAM的任一单元数据，以方便波形分析。由于

手机RAM、ROM和储存卡区别

手机RAM、ROM和储存卡的那些事 很多用户对于手机的RAM、ROM和储存卡这几个概念混淆不清。例如有的人会说他的手机“内存”是16G，有的用户则抱怨为什么16G ROM的机器可用的只剩下10G 甚至更少，还有的则苦恼为什么储存卡还有很多空间，安装大型游戏的时候却弹出空间不足，以上各种问题都是我们玩机时候经常会遇到的。本文主要内容是介绍手机的RAM、ROM和储存卡的知识以及怎么更好地利用它们。 首先说明一下手机RAM、ROM和存储卡的关系。手机的RAM和ROM都属于半导体存储器。手机的RAM即我们常说的内存，是Random Access Memory的缩写，即随机存储器，在工作状态时可以随机读写数据，断电以后会丢失数据。手机的ROM和传统的ROM（Read Only Memory）又有些不一样，它分为两部分，一部分是用于系

统，另外一部分是用作用户存储数据。而存储卡则很好理解了，常用的有tf卡， 用于存储用户数据。 RAM RAM即内存，主流的手机有512M、768M、1G、2G等容量，所以一些用户所说的“16G 内存”当然不是指RAM了。RAM的容量又分标称容量、实际容量和可用容量三种，标称容量即我们看手机参数的容量，即1G、2G这些。实际容量会比标称容量少一

些，这其除了一些小量的损耗（算法、颗粒的不同）之外，部分手机还会被GPU 占用一部分RAM，所以一些2G的手机看到的实际容量会是1.7G~1.8G。而可用容量又会比实际容量再少一些，是由于系统占用以及后台程序的占用的原因，一般2G的手机刚开机的时候可用RAM会有1.3G左右，而1G的手机可用有400M左右。 如何节省RAM？

Ram和Rom的区别

RAM和ROM RAM 被称为随机存储，也即我们通常所说的运行内存。 特点：易挥发性随机存取存储器，高速存取，读写时间相等，且与地址无关。处理范围：系统程序、运行数据等。 RAM的大小，决定着整个系统的运行速度，决定可以同时打开多少个程序，并且在使用的切换时候流畅的问题，而ROM的大小则基本对这些起不到很大的作用。 目前主流容量大小：512MB、1G、2G、4G 是否支持扩展：目前暂不支持扩展 ROM 称为只读存储。 特点：断电后信息不丢失，如计算机启动用的BIOS芯片。存取速度很低，（较RAM而言）且不能改写。目前主流的存储器已经支持写入，所以不再是传统意义上的只读。 处理范围：分为系统本身自带的数据，这部分为只读存储部分；另一部分为用户自行写入部分，如音乐、视频、照片等等。 目前主流容量大小：8G、16G、32G、64G、128G 是否支持扩展：支持扩展，如SD卡、TF卡的扩展方式等。 RAM和ROM的数据处理速度是不同的，RAM的处理速度是ROM的好几倍，

这是为什么呢？这是因为他们俩所处的位置不同。运行内存作为整个系统的一部分，是不可或缺的。所以现在的技术已经将它和CPU叠加嵌入式。这样大大增加了CPU的处理能力。 举个栗子：把整个系统想象成一个房间，而CPU就是在里面工作的主人公，他的面前是一个书桌，那么我们就可以理解为，运行存储是放在书桌上的文件数据，而存储则是放在书架上的文件数据。这样就一目了然了，CPU工作时，直接放在桌子上的数据用起来自然就快了，而放在书架上的，他必须起身，走过去，把东西搬到书桌上才能开始工作。这样两者的哪个处理的快的，就不言而喻了。 现在主流的运行内存是4G，为什么没有做得更大呢？ 猜想一：理论上是说运行内存越大，系统的处理速度就会越快，但是这里要注意的是，一个系统是有机的整体，运行的速度是由多个因素决定的，所以不是单纯的提高运行内存。就可以提高系统的运行速度。受到了核数和cpu以及带宽等的限制。并且，目前苹果6的运行内存依旧是1G的，整个系统的运行可以自由切换应用，主要是由于他们的应用做的比较小，节省电量，为了保证续航时间。举个栗子：可以把整个运行内存想象成一个工厂，而CPU是里面的机器，在机器生产能力没有提高的情况下，不管把工厂做得多大，也没有办法起到提高工作效率的作用的。 猜想二：由于目前的手机更新换代周期为18个月左右，如果把硬件配置做到最好，那么商家以后该转战到软件市场赚钱了。就像苹果6的运行内存，从1G换成2G，只需要增加10美元的成本，而且增加这个成本，完全可以让消费者来

RAM和ROM的作用与区别

RAM和ROM的作用与区别 ROM和RAM指的都是半导体存储器。本来的含义是：ROM是Read Only Memory 的意思，也就是说这种存储器只能读，不能写。而RAM是Random Access Memory 的缩写，可以随机读写，因此得名。 ROM有很多种，其中智能手机中应用的是Flash ROM / Flash EEPROM，下面是关于他的解释： 这是目前最常见的可擦写ROM了，广泛的用于主板和显卡声卡网卡等扩展卡的BIOS存储上。而现在各种邮票尺寸的半导体存储卡，包括Compact Flash/CF，Smart Media/SM，Security Digital/SD，Multimedia Card/MMC，Memory Stick/MS，以及FUJI新出的标准vCard，还有各种钥匙链大小的USB移动硬盘/USB Drive/优盘，内部用的都是Flash ROM。绝大多数PDA/掌上电脑也用它来存储操作系统和内置程序。还有数码相机，数码摄像机，MD/MP3播放器内部的Fireware（用于存储DSP/ASIC程序），也大多使用Flash ROM了。与EEPROM相比，Flash ROM有写入速度快，写入电压低的优点。不过它的成本也是较高的． RAM，最常见的就是电脑的内存了。PDA/掌上电脑中也会使用RAM来让用户存储程序和数据，不过在PDA/掌上电脑中，由电池供电，所以只要电池有电，RAM 中的数据还是保留的，不会丢失。在MD/MP3播放器，DC/DV中也会使用RAM来保存程序数据或者作为数据缓冲。RAM也是有很多分类的． ROM和RAM的种类非常繁多，我们只针对PDA/掌上电脑设备总结一下。 通常我们会看到在PDA/掌上电脑上标称xxM ROM和xxM RAM，这里的ROM 就是指存储操作系统和内置程序的空间，掉电的时候，这些数据依然存在。除了使用Mask ROM的低端设备，其它都是使用Flash ROM的，这意味着操作系统可以升级，某些程序还可以更改系统使得普通程序可以使用ROM中剩余的空间。而RAM

双口ram和多模块存储器

3.6 双口RAM和多模块存储器 CPU和主存储器的速度不匹配问题一直以来都是计算机系统发展的障碍，到现在，这个问题变得越来越严重，以至于主存的存储速度成为了计算机系统的瓶颈。为了解决这一瓶颈，尝试了多种办法，除通过寻找高速元件来提高访问速度外，还可以通过采用双口RAM和多模块存储器，使在一个存取周期内可以并行地读写多个字，从而提高存储器的访问速度。 1．双口RAM 双口RAM是因同一个RAM具有两组相对独立的读写控制线路而得名，它可以进行并行的独立操作。可以说双口RAM是具有两个独立端口的存储器，而每个端口又具有各自的地址线、数据线和控制线，可以对存储器中任何位置上的数据进行独立的存取操作。 双口RAM是常见的共享式多端口存储器，其最大的特点是存储数据共享。它允许两个独立的CPU或控制器同时异步访问存储单元。既然数据共享，就必须存在访问仲裁控制，否则就会出现错误或冲突。两个端口对同一内存操作有4种情况： ① 两个端口不同时对同一地址单元存取数据； ② 两个端口同时对同一地址单元读出数据； ③ 两个端口同时对同一地址单元写入数据； ④ 两个端口同时对同一地址单元，一个写入数据，另一个读出数据。 在第①、第②种情况时，两个端口的存取不会出现错误，第③种情况会出现写入错误，第④种情况会出现读出错误。为避免第③、第④种错误情况的出现， 双口RAM设计有硬件“”功能输出，其工作原理如下。 当左、右端口不对同一地址单元存取时，可正常存取；当左、右端口对同一地址单元存取时，有一个端口的禁止数据的存取。此时，两个端口中，哪个存取请求信号出现在前，则其对应的允许存取；哪个存取请求信号出现在后，则其对应的禁止其写入数据。 需要注意的是，两端口间的存取请求信号出现时间要相差在5ns以上，否则仲裁逻辑无法判定哪一个端口的存取请求信号在前；在无法判定哪个端口先出现存取 请求信号时，控制线和只有一个为低电平，不会同时为低电平。这样，就能保证对应于的端口能进行正常存取，对应于的端 口不存取，从而避免双端口存取出现错误。 2．多模块存储器 顾名思义，多模块存储器是指由多个模块组成的存储器，不过这些模块具有相同的容量和存取速度，各模块都有独立的地址寄存器、数据寄存器、地址译码、驱动电路和读/写电路，它们既能并行工作，又能交叉工作。

软盘、硬盘、内存、外存、ROM、RAM的区别

软盘、硬盘、内存、外存、ROM、RAM的区别 概念RAM（random access memory）即随机存储内存，这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。ROM（Read-Only Memory）即只读内存，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。对比手机中的RAM和ROM分别对应电脑的内存和硬盘，内存负责程序的运行以及数据交换，有了它，电脑中的软件才能运行，并有了进程；而硬盘就是一块存储空间，您可以存储各种各样的文件，包括视频、照片、音乐、软件等。 手机RAM手机中的RAM和ROM与电脑类似，由于RAM被称为随机存取内存，也就是运行内存，它支撑的是手机软件的运行，存放手机软件运行后进行的数据交换等工作。也就是，RAM决定了您的手机可以开多少后台程序，当然，RAM越大，手机的运行速度就越快。一旦手机关机，RAM中的数据就丢失，开机后也不会恢复。 手机RAM手机中的RAM和ROM与电脑类似，由于RAM被称为随机存取内存，也就是运行内存，它支撑的是手机软件的运行，存放手机软件运行后进行的数据交换等工作。也就是，RAM决定了您的手机可以开多少后台程序，当然，RAM越大，手机的运行速度就越快。一旦手机关机，RAM中的数据就丢失，开机后也不会恢复。 手机RAM手机中的RAM和ROM与电脑类似，由于RAM被称为随机存取内存，也就是运行内存，它支撑的是手机软件的运行，存放手机软件运行后进行的数据交换等工作。也就是，RAM决定了您的手机可以开多少后台程序，当然，RAM越大，手机的运行速度就越快。一旦手机关机，RAM中的数据就丢失，开机后也不会恢复。 软盘：首先告诉你，软盘是已经被淘汰的储存介质，都可以进博物馆了。软盘（Floppy Disk，港台称之为软碟）是个人电脑（PC）中最早使用的可移介质。软盘的读写是通过软盘驱动器完成的。软盘存取速度慢，容量也小，但可装可卸、携带方便。分为3.5英寸（容量为1.44M）和5.25英寸（容量为1.2M)两种。 硬盘：就是我们电脑上的硬盘，现在还在使用，只不过容量越来越大。硬盘（港台称之为硬碟，英文名：Hard Disc Drive 简称HDD 全名温彻斯特式硬盘）是电脑主要的存储媒介之一，由一个或者多个铝制或者玻璃制的碟片组成。这些碟片外覆盖有铁磁性材料。绝大多数硬盘都是固定硬盘，被永久性地密封固定在硬盘驱动器中。 内存：全称内部存储器，通俗点说就是电脑市场里销售的内存条。在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存，港台称之为记忆体）。 外存：全称外部存储器。包括软盘、硬盘、U盘、光盘、CF卡、记忆棒、SD卡等等。 ROM：read only memory 只读存储器,英文简称ROM。只能读不能写入的存储器，比如DVD VCD 都是ROM。 RAM:random access memory 随机存储器,英文简称RAM。它的特点是易挥发性，即掉电失忆。我们前面说的内存就属于RAM的一种。

双口RAM

双口ＲＡＭ 1．模块功能： 双口RAM模块主要采用IDT7132等器件，它是一种特殊的数据存储芯片，它既可以用于单片机存储大容量的数据，也可以以双口RAM为共享存储器来实现两个处理器之间的通信和数据传输。双口RAM的优点是提供了两条完全独立的端口，每个端口都有完整的地址、数据和控制总线，允许两个CPU对双端口存储器的同一单元进行同时存取；具有两套完全独立的终端逻辑来实现两个CPU 之间的握手控制信号；具有两套独立的“忙”逻辑，保证两个CPU同时对同一单元进行读/写操作的正确性。对于单个CPU而言，双口RAM同普通RAM没有什么明显的区别。 本模块原理图见图１。

图１

3．主要器件： (1)IDT7132： (a)器件功能： IDT7132是高速2k*8端口静态RAM，可提供图2.1.3 IDT7132引脚图 两个拥有独立的控制总线、地址总线和I/O总线端口，允许CPU独立访问内部的任何存储单元。当/CE 引脚出现下降沿时，选中DPRAM即可通过控制OE 或R/W来访问内部存储单元。 (b) 器件引脚： IDT7132的引脚图如图2所示。 /CE、/CER：（左、右）片选控制信号。 R/WL、R/WR：（左、右）读写控制信号。 /OEL、/OER：（左、右）使能控制信号。 /BUSYL、/BUSYR：（左、右）繁忙查询控制信号。 A0L—A9L、A0R—A9R：（左、右）地址总线。 I/O0L—I/O7L、I/O0R—I/O7R：（左、右）输入/ 输出总线。 VCC：电源。 (c) 工作原理： IDT7132的工作时序如图3所示。它与RAM的 读写时序非常类似。当CPU选中DPRAM时/CE引 脚出现下降沿，当控制线/OE为高且R/W 为低时，CPU对内部存储单元进行写操作；而当控 制线OE为低且R/W为高时，CPU对内部存储单元 进行读操作。当外部CPU通过两个端口对双口RAM 内部的同一个存储单元进行操作时，系统将出现竞 图 2 争。这种竞争一般有如下两种模式： （1）如果两个端口的总线访问地址相同，并先于片选信号/CE有效，则片内逻辑将在CEL与CER之间发生竞争。 （2）如果两个端口的片选信号CE在地址信号有效之前变低，则片内控制逻辑将在地址信号到达时发生竞争。 为避免因竞争而导致的通 讯失败，设计者提出了意下 三种常见的解决方案。（1） 设置标志位：在开辟数据通 讯区的同时，可通过软件方 法在某个固定 的存储单元设立标 志位。这种方法要求 两端CPU每次访问双图 3 口RAM之前，必须查询、测试和设置标志位，然后再根据标志位的 状态决定是否可以访问数据区；有的双口RAM本身就具有专用的一 个或多个硬件标志所存器和专门的测试和设置指令，可直接对标志位 进行读/写操作。这种方法通常用在多个处理器共享一个存储器块时。

RAM和ROM分别是什么意思

随机存取记忆体(Random Access Memory，或称为RAM)，是一种在电脑中用来暂时保存数据的元件。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为作业系统或其他正在运行中的程式之临时资料存储媒介。 RAM记忆体可以进一步分为静态RAM(SRAM)和动态记忆体(DRAM)两大类。SRAM具有快速存取的优点。而DRAM由於具有较低的单位容量价格，所以被大量的采用作为系统的主记忆。不过，当电源关闭时RAM不能保留数据，如果需要保存数据，就必须把它们写入到一个长期的储存设备中(例如硬碟)。 RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM就不会。唯读记忆体(Read-Only Memory，ROM)是一种半导体记忆体，其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。 通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，资料并且不会因为电源关闭而消失。例如早期的个人电脑如Apple II或IBM PC XT/AT的开机程式(作业系统)或是其他各种微电脑系统中的轫体(Firmware)。 它不是永久性存储数据的，此类的内存就是我们常说的内存;RAM可被看作是电脑中使用的临时存储区，它能暂时存储程序运行时需要使用的数据或信息等。电脑的RAM是我们最常使用的部件之一，也是数据保存期相当短的一个部件，因为只有当电脑不断电的情况下，ROM 中的数据才能保存住;如果你关机，那保存在RAM中的数据将全部丢失。如果你或你的电脑系统需要数据的保存期长些，简单点就是将数据保存到硬盘中，这样不论你系统是否断电，都可以永久保存数据。 当电脑系统装载一个程序时，它会先加载一部份数据到电脑的RAM中以供程序运行使用。在这里你可以按照你的意愿运行你的程序，而他不会改变电脑中任何永久性数据信息。这就如你在电脑中使用文字处理程序来编辑一份报告等，你知道为了能安全地保存你的报告，你必须save它，否则当电脑断电后，你所做的所有事都将会丢失。当你使用记事本等编辑你的报告时，在未将内容保存到硬盘中之前，所有的事都是存在电脑的RAM中的，这允许你自由地删减报告内容等;当报告存储到硬盘中后，在RAM中的信息就被转化成了永久性数据了。以后要再次使用这些数据，就可以读取硬盘中的这个文件，系统会将其内容重新加载到电脑RAM。 目前广泛使用的RAM也有两种类型，它们适用于不同的用途。下面就分别介绍这两种RAM 的工作原理及其用途。 1：SRAM (Static RAM，静态随机存储器) - 此类静态RAM的运行速度非常快，也非常昂贵，其体积相对来说也比较大。今天我们常说的CPU内的一级、二级缓存就是使用了此SRAM。英特尔的Pentium III Coppermine CPU中结合有256KB的全速二级缓存，这实际上就是一种SRAM。非常不幸得就是此种SRAM与其伙伴DRAM相比非常地昂贵，因此在CPU内只能使用少量的SRAM，以降低处理器的生产成本;不过由于SRAM的特点---高速度，因此对提高系统性能非常有帮助。处理器内的一级缓存，其运行频率与CPU的时钟同步;而二级缓存可以整合在CPU中，也可以位于如一些Slot-1 CPU的边上。

Flash、RAM、ROM的区别

一、ROM(Read Only Memory) ROM(Read Only Memory),只读存储器。用来存储和保存数据。ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。即使是断电，ROM也能够保留数据。 ROM也有很多种: PROM是可编程一次性(无法修改)的ROM; EPROM是紫外线可擦除可编程的ROM； EEPROM是电可擦除可编程的ROM,按字节进行删除和重写,写入时间很长，写入很慢;现在多用作非易失的数据存储器。特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。 二、RAM(Random Access Memory) RAM(Random Access Memory),随机存取存储器。是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫内存。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介,当电源关闭时RAM不能保留数据。RAM可以进一步分为静态RAM（SRAM）和动态内存（DRAM）两大类。 静态RAM（Static RAM/SRAM）:SRAM速度非常快，不需要刷新电路即能保存数据，是目前读写最快的存储设备了，但是集成度较低，非常昂贵，多用于CPU的一级缓存，二级缓存(L1/L2Cache)。 动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短(需要内存刷新电路，每隔一段时间，刷新充电一次，否则数据会消失)，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。 DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM 来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

ROM RAM FLASH分类及关系区别,

ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM 是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 RAM 有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM，动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据.而且是行列地址复用的，许多都有页模式;SRAM，静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。 SDRAM，同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。 DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大。但是读写速度不如SRAM，但是现在，SDRAM的速度也已经很快了，时钟好像已经有 150兆的了。那么就是读写周期小于10ns了。 SRAM是静态内存，SDRAM是同步动态内存.每单位容量的DRAM使用较少的晶体管而且占用面积小，而SRAM则是用较多晶体管占用的面也要相对大不少；DRAM 需要不断刷新来维持所存储的数据，SRAM则不需要；DRAM的存取时钟间隔长，而SRAM的速度快，时间短；DRAM的耗电低，SRAM耗电大。目前，相同容量的SRAM价格是SDRAM的8倍左右，面积则将近大4倍，所以SRAM常用于快速存储的较低容量的RAM需求，比如Cache(缓存），比如CPU内部的L1 Cache和主板上的L2 Cache，一般只有几百K。 布线上可以同样遵守高速设计的需要，具体可参考厂家设计规范要求。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和 EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而 EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。 举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写入通过记录（通话记录保存在EEPROM 中），因为当时有很重要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍

ROM与RAM的区别

ROM与RAM 简单的说，一个完整的计算机系统是由软件和硬件组成的。其中，硬件部分由中央处理单元CPU（包括运算器和控制器）、存储器和输入/输出设备构成。目前个人电脑上使用的主板一般只能支持到 1GB的内存，即使是INTEL目前最高阶的450NX芯片组也只能支持到4GB。 存储器包括主存储器（Main Memory）和辅助存储器（Auxiliary Memory）。主存储器又称内存储器（简称内存），辅助存储器又称外存储器（简称外存）。主存具有速度快、价格高、容量小的特点，负责直接与CPU交换指令和数据。辅存通常是磁性介质或光盘，能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息。辅存速度慢、价格低、容量大，可以用来保存程序和数据。常见的辅存如硬盘、软盘、CD-ROM 等，而现在的主存一般就是指半导体集成电路存储器了。那主存和内存有什么关系呢？可以这么认为：主存就是广义的内存。 广义的内存分为随机存储器（RAM，RANDOM ACCESS MEMORY）和只读存储器（ROM，READ ONLY MEMORY）。电脑上使用RAM来临时存储运行程序需要的数据，不过如果电脑断电后，这些存储在RAM中的数据将全部丢失。每种每台电脑中都结合有两种基本类型的内存，它们分别有不同的用途以完成不同的任务。为了存储数据的持久性，ROM常用

于存储电脑重要的信息例如：电脑主板的BIOS(基本输入/输出系统)。不像RAM，存储在ROM中的数据理论上是永久的。即使电脑关机后，保存在ROM中的数据也不会丢失。存储在BIOS中的信息控制着你电脑系统的运行。真因为其重要性，对BIOS未经授权的复制或删除是不允许的。 一、 RAM RAM是指通过指令可以随机的、个别的对各个存储单元进行访问的存储器，一般访问时间基本固定，而与存储单元地址无关。RAM 的速度比较快，但其保存的信息需要电力支持，一旦丢失供电即数据消失，所以又叫易失性存储器，还有一种很有趣的叫法是"挥发性存储器"，当然这里"挥发"掉的是数据而不是物理上的芯片。在51单片机中,RAM主要用来保存数据、中间结果和运行程序等，所以也把RAM叫做数据存储器。 1.RAM的分类 RAM又分动态存储器（DRAM，DYNAMIC RAM）和静态存储器（SRAM，STATIC RAM）我们经常说的“系统内存”就是指后者，DRAM。静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的，只要不断电，信息是不会丢失的，所以谓之静态；动态RAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。由于电容上的电荷会泄漏，需要定时给与补充，这个充电的过程叫再生或刷新（REFRESH），所以动态RAM需要设臵刷新电路。由于电容的充放电是需要相对较长的时间的，

RAM、ROM的概念和区别

RAM、ROM的概念和区别 大家知道，电脑的内存分为RAM和ROM。 ROM是英文“READ-ONLY MEMORY”的缩写，意思为只读存储器，在电脑的正常工作过程中，其内容不可改变。 RAM是英文“RANDOM-ACCESS MEMORY”的缩写，即是我们通常所说的内存，其内容是可读可写的，电脑在正常工作时，存放在其他介质（硬盘、软盘、光盘等）上面的程序都要调到RAM中才能运行，内存越大，一次性可以从其他介质上调用的数据越多。内存如果不够大的话，程序运行时，如果需要从其他介质上调用新的数据，这样，原来调到内存中的数据有部分就要被改写成新数据。因此，内存（RAM）中的数据，在需要时是可以随机改写的。此外，内存芯片如果没有电源供应的话，那么其中的内容将会全部丢失。而ROM芯片即使没有电源供应，其中的BIOS程序也不会消失。 BIOS存放在ROM芯片中。电脑在正常工作时，ROM芯片中的BIOS程序不会被改写。从物理性能上来看，用于存放BIOS的ROM芯片又有以下几种类型： 1、PROM 它是英文＂可编程只读存储器＂一词的缩写,是只可以一次性写入内容的芯片。其中的内容一经写入,就不能修改。PROM芯片本来是一块空白无内容的芯片，主板厂商在PROM中写上内容，用到主板上，它就成为了ROM。主板厂商在往PROM中写入内容时,需要使用一种叫做编程器的工具。编程器也叫烧写机，使用编程器往PROM中写入数据的过程就叫烧写。在早期的586和486电脑上使用PROM来存放BIOS的很常见。 2、EPROM 它是英文＂可擦写的可编程只读存储器＂的缩写。它是一种可以通过在紫外线的照射下擦除内容的特殊PROM芯片。芯片的内容一旦被擦除,您就可以重新写入新内容。只有很少一些古老的机型在使用EPROM来存放BIOS。 3、EEPROM 它是英文＂电可擦写的可编程只读存储器＂,它不必借助紫外线的照射，而仅仅通过使用和电有关的手段就改写内容。目前大多数的电脑现在都在使用EEPROM来存放电脑的BIOS。

嵌入式学习之彻底搞清ROM、RAM、DRAM和FLASH

嵌入式学习之彻底搞清ROM、RAM、DRAM和FLASH ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 RAM有两大类，一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。 DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 内存工作原理： 内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM)，动态内存中所谓的“动态”，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。

基于双口RAM的单片机通信

目录 1.绪论 (2) 1.1课题的提出 (2) 1.2 双端口RAM概述 (2) 1.3本论文主要研究的内容 (4) 2. 基于双端口RAM的单片机间通信概述 (4) 2.1双端口RAM的发展过程、存储原理 (4) 2.1.1.双端口RAM的发展过程 (4) 2.1.2.双端口RAM的基本存储原理 (5) 2.1.3.双端口RAM的中断逻辑功能 (6) 2.1.4.标识器逻辑及主/从模式 (6) 2.2双端口RAM的应用 (7) 2.3接口电路实现方案概述 (8) 2.3.1. 基于CY7C133双口RAM (8) 2.3.2. ISA总线与IDT7025的接口 (9) 2.3.3. IDT7026实现高速并口缓存的接口电路 (10) 2.4初期主要元器件的选择 (11) 2.6双口RAMIDT7005S概述 (11) 2.7其它主要器件概述 (17) 3.系统硬件接口及实现 (18) 3.1引言 (18) 3.2 89C52单片机简介 (18) 3.3 单片机与双口RAM的接口电路简介 (23) 3.4硬件的调试 (26) 4.系统软件及实现 (27) 4.1引言 (27) 4.2双口RAM的地址空间分配和旗语、中断逻辑 (28) 4.3软件主要部分流程图 (30) 4.4系统主要模块程序说明 (33) 5.结论 (41) 主要参考文献： (42)

1.绪论 1.1课题的提出 在一些应用系统的通信设计中，PC机与单片机间常常采用串行异步通信方式。因为这种通信方式，硬件电气连接简单在PC机上针对串口编程方便。但是串行异步通信受传输速率的限制，通常最高波特率设定在9 600 b／s左右。采用串行同步方式可提高传输率，但需在PC机上扩展设备。如果所设计的数据采集系统，其数据传输速率要求达到60 kb／s以上，采用串行异步通信远远不能满足这个要求。随着采集数据量的增大以及数据处理任务的增加，对数据传送的要求也越来越高，依靠单片机的自带串口实现数据的串行传输已经无法满足要求，在系统或模块间必须要能够进行高速的并行数据传输。与串行通信相比，采用双端口RAM (简称DRAM)不仅数据传输速度高，而且抗干扰性能好。高性能的双端口RAM能够方便的构成各种工作方式下的高速数据传送介质，解决数据传输低速的瓶颈问题。无论是并行处理网络中的数据共享，还是流水线方式的高速数据传输，双端口RAM都可以发挥重要作用，从而保证数据通路的畅通。 1.2 双端口RAM概述 双端口RAM不同于一般的RAM，但仍然是存储数据的器件，因此基于双端口RAM的通信实际上利用双端口RAM实现数据的共享，在共享的基础上实现交互就是通信了。因此双端口RAM实现两个单片机间数据的共享和