华为已开始自行设计功率放大器芯片
华为已开始自行设计功率放大器芯片
功率放大器（Power Amplifier）简称“功放”,指在给定失真率条件下,能产生最大功率输出以驱动某一负载的放大器。功率放大器在通信设备中有什么作用？主要功能是什么？功率放大器的关键指标及设计难点在哪？发展现状及未来趋势如何？
美国为打压华为，不断向半导体厂商下达禁售令。据报道，很多美国半导体厂商最近都纷纷下调营收逾期，最近，工商时报(台)报道中称资深半导体产业分析师陆行之在脸书上说，Lumentum、Qorvo、Inphi、ADI因华为禁售案陆续下修第二季营收预期达5%-8%，Skyworks也宣布下修8%的营收预期到7.55-7.75亿美元，Skyworks公布过去六个月，华为占其营收12%。
要知道Skyworks可是射频功放PA芯片的主要供应商，报道中指出原Skyworks、Qorvo功率放大器GaAs代工厂指出，华为已经直接自行设计功率放大器芯片了。
功率放大器在通信设备中有什么作用?主要功能是什么?功率放大器的关键指标及设计难点在哪?发展现状及未来趋势如何?
一、功率放大器简介
功率放大器(Power Amplifier)简称“功放”,指在给定失真率条件下,能产生最大功率输出以驱动某一负载的放大器。
对于射频通信系统，功率放大器负责发射通道的信号放大，没有功率放大器，信号覆盖就会成为很大的问题，所以，功率放大器很重要。
射频功率放大器的主要技术指标是输出功率与效率，如何提高输出功率和效率是射频功率放大器设计目标的核心。作为一个射频芯片，功率放大器不但对工艺有需求，同时其设计团队的技术能力、经验积累和专利支撑都非常重要，尤其是工程师的经验和和Know-How，更是重中之重。再者，随着5G的到来，功率放大器需要满足的性能参数众多，因此不可避免需要研发时间的积累，对于后来入局者具有一定障碍。尤其是工艺方面，更是很多功率放大器厂商，甚至是射频厂商难以逾越的门槛。
这也是为什么功率放大器先进技术仍把持在国外厂商手中的原因吧，我们起步太晚了啊!
二、射频功率放大器的功能
射频功率放大器是发射系统中的主要部分，其重要性不言而喻。在发射机的前级电路中，调制振荡电路所产生的射频信号功率很小，需要经过一系列的放大一缓冲级、中间放大级、末级功率放大级，获得足够的射频功率以后，才能馈送到天线上辐射出去。为了获得足够大的射频输出功率，必须采用射频功率放大器。功率放大器往往是固定设备或终端的最昂贵、最耗电、效率最低的器件。
在调制器产生射频信号后，射频已调信号就由RF功率放大器将它放大到足够功率，经匹配网络，再由天线发射出去。
图1 发射系统框图
放大器的功能，即将输入的内容加以放大并输出。输入和输出的内容，我们称之为“信号”，往往表示为电压或功率。对于放大器这样一个“系统”来说，它的“贡献”就是将其所“吸收”的东西提升一定的水平，并向外界“输出”。这一“提升的贡献”，即为放大器存在的“意义”所在。如果放大器能够有好的性能，那么它就可以贡献更多，这才体现出它自身的“价值”。如果放大器的初始“机制设计”存在着一定的问题，那么在开始工作或者工作了一段时间之后，不但不能再提供任何“贡献”，反而有可能出现一些不期然的“震荡”，这种“震荡”，对于外界还是放大器自身，都是灾难性的。
三、射频功率放大器的分类
根据工作状态的不同，功率放大器分类如下：
射频功率放大器的工作频率很高，但相对频带较窄，射频功率放大器一般都采用选频网络作为负载回路。射频功率放
大器可以按照电流导通角的不同，分为甲(A)、乙(B)、丙(C)三类工作状态。甲类放大器电流的导通角为360°，适用于小信号低功率放大，乙类放大器电流的导通角等于180°，丙类放大器电流的导通角则小于180°。乙类和丙类都适用于大功率工作状态，丙类工作状态的输出功率和效率是三种工作状态中最高的。射频功率放大器大多工作于丙类，但丙类放大器的电流波形失真太大，只能用于采用调谐回路作为负载谐振功率放大。由于调谐回路具有滤波能力，回路电流与电压仍然接近于正弦波形，失真很小。
除了以上几种按照电流导通角分类的工作状态外，还有使电子器件工作于开关状态的丁(D)类放大器和戊(E)类放大器，丁类放大器的效率高于丙类放大器。
四、射频功率放大器的性能指标
射频功率放大器RF PA的主要技术指标是输出功率与效率，如何提高输出功率和效率,是射频功率放大器设计目标的核心。通常在射频功率放大器中，可以用LC谐振回路选出基频或某次谐波，实现不失真放大。总体来说，放大器的评判大概存在着如下指标：
-增益。这是输入和输出之间比值，代表着放大器的贡献。好的放大器，都是在其“自身能力的范围内”，尽可能多的贡献出“产出”。
-工作频率。这代表着放大器对不同频率信号的承载能力。
-工作带宽。这决定着放大器能够在多大范围内产生“贡献”。对于一个窄带放大器来说，其自身设计即便没有问题，但是其贡献可能是有限的。
-稳定性。每一个晶体管都存在着潜在的“不稳定区域”。放大器的“设计”需要消除这些潜在的不稳定。放大器的稳定性包括两种，潜在不稳定和绝对稳定。前者可能在特定条件和环境下出现不稳定现象，后者则能够保证在任何情况下保持稳定。稳定性问题之所以重要，是因为不稳定意味着“震荡”，这时放大器不但影响自身，还会将不稳定因素输出。
-最大输出功率。这个指标决定着放大器的“容量”。对于“大的系统”来说，希望他们在牺牲一定的增益的情况下能够输出更大的功率。
-效率。放大器都要消耗一定“能量”，还实现一定的“贡献”。其贡献与消耗之比，即为放大器的效率。能够贡献更多消耗更少，就是好的放大器。
-线性。线性所表征的是放大器对于大量输入进行正确的反应。线性的恶化表示放大器在过量的输入的状态下将输入“畸变”或“扭曲”。好的放大器不应该表现出这种“畸形”的性质。
五、射频功率放大器RF PA的电路组成
放大器有不同类型，简化之，放大器的电路可以由以下几个部分组成：晶体管、偏置及稳定电路、输入输出匹配电路。
1、晶体管
晶体管有很多种，包括当前还有多种结构的晶体管被发明出来。本质上，晶体管的工作都是表现为一个受控的电流源或电压源，其工作机制是将不含内容的直流的能量转化为“有用的”输出。直流能量乃是从外界获得，晶体管加以消耗，并转化成有用的成分。一个晶体管，我们可以视之为“一个单位”。不同的晶体管不同的“能力”，例如其承受功率的能力有区别，这也是因为其能获取的直流能量的能力不同所致;例如其反应速度不同，这决定它能工作在多宽多高的频带上;例如其面向输入、输出端的阻抗不同，及对外的反应能力不同，这决定了给它匹配的难易程度。
2、偏置及稳定电路
偏置和稳定电路是两种不同的电路，但因为他们往往很难区分，且设计目标趋同，所以可以放在一起讨论。
晶体管的工作需要在一定的偏置条件下，我们称之为静态工作点。这是晶体管立足的根本，是它自身的“定位”。每个晶体管都给自己进行了一定的定位，其定位不同将决定了它自身的工作模式，在不同的定位上也存在着不同的性能表现。有写定位点上起伏较小，适合于小信号工作;有些定位点
上起伏较大，适合于大功率输出;有些定位点上索取较少，释放纯粹，适合于低噪声工作;有些定位点，晶体管总是在饱和和截至之间徘徊，处于开关状态。一个恰当的偏置点，是正常工作的础。
稳定电路一定要在匹配电路之前，因为晶体管需要将稳定电路作为自身的一部分存在，再与外界接触。在外界看来，加上稳定电路的晶体管，是一个“全新的”晶体管。它做出一定的“牺牲”，获得了稳定性。稳定电路的机制能够保证晶体管顺利而稳定的运转。
3、输入输出匹配电路
匹配电路的目的是在选择一种接受的方式。对于那些想提供更大增益的晶体管来说，其途径是全盘的接受和输出。这意味着通过匹配电路这一个接口，不同的晶体管之间沟通更加顺畅，对于不同种的放大器类型来说，匹配电路并不是只有“全盘接受”一种设计方法。一些直流小、根基浅的小型管，更愿意在接受的时候做一定的阻挡，来获取更好的噪声性能，然而不能阻挡过了头，否则会影响其贡献。而对于一些巨型功率管，则需要在输出时谨小慎微，因为他们更不稳定，同时，一定的保留有助于他们发挥出更多的“不扭曲的”能量。
六、射频功率放大器RF PA稳定的实现方式
每一个晶体管都是潜在不稳定的。好的稳定电路能够和晶体管融合在一起，形成一种“可持续工作”的模式。稳定电路的实现方式可划分为两种：窄带的和宽带的。
窄带的稳定电路是进行一定的增益消耗。这种稳定电路是通过增加一定的消耗电路和选择性电路实现的。这种电路使得晶体管只能在很小的一个频率范围内贡献。另外一种宽带的稳定是引入负反馈。这种电路可以在一个很宽的范围内工作。
不稳定的根源是正反馈，窄带稳定思路是遏制一部分正反馈，当然，这也同时抑制了贡献。而负反馈做得好，还有产生很多额外的令人欣喜的优点。比如，负反馈可能会使晶体管免于匹配，既不需要匹配就可以与外界很好的接洽了。另外，负反馈的引入会提升晶体管的线性性能。
七、射频功率放大器RF PA的效率提升技术
晶体管的效率都有一个理论上的极限。这个极限随偏置点(静态工作点)的选择不同而不同。另外，外围电路设计得不好，也会大大降低其效率。目前工程师们对于效率提升的办法不多。这里仅讲两种：包络跟踪技术与Doherty技术。
包络跟踪技术的实质是：将输入分离为两种：相位和包络，再由不同的放大电路来分别放大。这样，两个放大器之间可
以专注的负责其各自的部分，二者配合可以达到更高的效率利用的目标。
Doherty技术的实质是：采用两只同类的晶体管，在小输入时仅一个工作，且工作在高效状态。如果输入增大，则两个晶体管同时工作。这种方法实现的基础是二只晶体管要配合默契。一种晶体管的工作状态会直接的决定了另一支的工作效率。
八、RF 功率放大器面临的测试挑战
功率放大器是无线通信系统中非常重要的组件，但他们本身是非线性的，因而会导致频谱增生现象而干扰到邻近通道，而且可能违反法令强制规定的带外(out-of-band)放射标准。这个特性甚至会造成带内失真，使得通信系统的误码率(BER)增加、数据传输速率降低。
在峰值平均功率比(PAPR)下，新的OFDM传输格式会有更多偶发的峰值功率，使得功率放大器不易被分割。这将降低频谱屏蔽相符性，并扩大整个波形的EVM及增加BER。为了解决这个问题，设计工程师通常会刻意降低功率放大器的操作功率。很可惜的，这是非常没有效率的方法，因为功率放大器降低10%的操作功率，会损失掉90%的DC功率。
现今大部分的RF 功率放大器皆支持多种模式、频率范围及调制模式，使得测试项目变得更多。数以千计的测试项目
已不稀奇。波峰因子消减(CFR)、数字预失真(DPD)及包络跟踪(ET)等新技术的运用，有助于将功率放大器效能及功率效率优化，但这些技术只会使得测试更加复杂，而且大幅延长设计及测试时间。增加RF 功率放大器的带宽，将导致DPD 测量所需的带宽增加5倍(可能超过1 GHz)，造成测试复杂性进一步升高。
依趋势来看，为了增加效率，RF 功率放大器组件及前端模块(FEM)将更紧密整合，而单一FEM则将支持更广泛的频段及调制模式。将包络跟踪电源供应器或调制器整合入FEM，可有效地减少移动设备内部的整体空间需求。为了支持更大的操作频率范围而大量增加滤波器/双工器插槽，会使得移动设备的复杂度和测试项目的数量节节攀升。
我们纵观上面的射频器件供应商，几乎所有都是IDM厂商。拥有自己的晶圆厂是他们能够领先市场的关键。
九、功率放大器的工艺
据了解，目前射频功率放大器采用的工艺分别是GaAs，SOI，CMOS和SiGe。其中4G 功率放大器主要采用GaAs 工艺;3G 功率放大器采用GaAs或者CMOS，出货大约各50%;2G 功率放大器主要是CMOS;5G手机功率放大器采用GaAs工艺;NB-IoT 功率放大器采用CMOS和SOI是趋势，现在还是GaAs为主，个别厂商采用SiGe。SiGe工艺
几乎能够与硅半导体超大规模集成电路(VLSI)行业中的所有新工艺技术兼容，是未来的趋势。
十、功率放大器发展趋势
英国研究公司Technavio 称，全球功率放大器市场主要有三个四发展趋势：晶圆尺寸增大;初创企业采用CMOS 技术;国防领域的高速放大器需求逐渐增大：利用InGaP 工艺，实现功率放大器的低功耗和高效率。
晶圆尺寸变大。半导体行业见证了过去40 年晶圆尺寸的变化，砷化镓(GaAs)晶圆尺寸从50mm 增大到150mm，制造成本降低了20%～25%。目前，业界制造功率放大器通常采用150mm晶圆。预测150mm 晶圆还将继续使用，因为台湾的稳懋半导体公司等制造商还在大力投资升级和
新建150mm 工厂。业内正在开发200mm 晶圆技术，预计2018 年底能够试生产。斯坦福大学研究人员正在研究降低200mm GaAs 晶圆的价格，使其可以以较低的价格与硅
晶圆争夺市场。同时这也对掩膜版检测设备登晶圆制造设备提出需求。
初创公司采用CMOS技术。一些初创企业，如Acco Semiconductor ，正越来越多的采用CMOS 技术。Acco Semiconductor 抓住移动手机和物联网产品对射频功率放大器巨大需求的机会，已经投资350 亿美元扩展其基于CMOS 的射频功率放大器业务。目前绝大多数功率放大器采用锗硅(SiGe)或GaAs 技术，而非CMOS。但根据报告可知，基于CMOS 工艺有助于实现低成本、高性能的功率放大器。
国防领域需要高速放大器。军事领域需要更高效的利用频谱，更多的使用移动设备来通信。因此，Technavio 公司称，军事领域要求高速功率放大器。美国国防先期研究计划局(DARPA)在太赫兹电子项目中已取得进展，即美国诺·格公司开发了出固态功率放大器和行波管放大器，这是仅有的两款太赫兹频率产品。太赫兹频段的功率放大器可用于许多领域，包括高分辨率安全成像、高数据速率通信、防撞雷达、远距离危险化学品和爆炸物探测系统等，这些设备的高速率运行要求必须使用高速放大器。
利用InGaP 工艺，实现功率放大器的低功耗和高效率。InGaP 特别适合要求相当高功率输出的高频应用。InGaP 工艺的改进让产量得到了提高，并带来了更高程度的集成，
使芯片可以集成更多功能。这样既简化了系统设计，降低了原材料成本，也节省了板空间。有些InGaP 功率放大器也采用包含了CMOS 控制电路的多芯片封装。如今，在接收端集成了功率放大器和低噪音放大器(LNA)并结合了RF 开关的前端WLAN 模块已经可以采用精简型封装。例如，ANADIGICS 公司提出的InGaP-Plus 工艺可以在同一个InGaP 芯片上集成双极晶体管和场效应晶体管。这一技术正被用于尺寸和PAE(功率增加效率)有所改进的新型CDMA 和WCDMA 功率放大器。
结语
此前，华为海思领导人曾宣布，海思设计的备胎芯片全部转正，或许，功率放大器芯片也在其列，要知道，功率放大器芯片可是5G通信前端模块的核心芯片呢，这也不难理解为什么华为在这一方面早就有所准备了吧，据报道，除了华为海思，Vanchip、汉天下等中国公司也已经能在4G 功率放大器产品上打入主流市场了，此次的禁售打破了原有的供应链，反而为有所准备的公司提供了入局的时机，期待射频前端产品关键器件国产化早日到来。
TDA2030集成电路功率放大器设计方案
TDA2030集成电路功率放大器设计 一、设计题目集成电路功率放大器 二、给定条件字串5 设计一款额定输出功率为10 ~ 20W的低失真集成电路功率放大器，要求电路简洁，制作方便、性能可靠。性能主要指标： 字串3 输出功率：10 ~ 20W （额定功率）； 字串9 频率响应：20Hz ~ 100kHz （ < 3dB 字串6 谐波失真：w 瑶（10W,30Hz~20kHz ）; 字串9 输出阻抗：< 0.16 Q字串4 输入灵敏度：600mV （1000Hz，额定输出时） 三、设计内容 1 ?根据具体电路图计算电路参数字串8 2?选取元件、识别和测试。包括各类电阻、电容、变压器的数值、质量、电器性能的准确判断、解决大功率放大器散热的问题。字串5 3 ?了解有关集成电路特点和性能资料情况 字串5 4?根据实际机壳大小设计1：1印刷板布线图字串3 5 ?制作印刷线路板
字串4 6 ?电路板焊接、调试（调试步骤可以参考《模拟电子技术实验指 字串2 导书》有关放大器测试过程字串5 7?实训期间必须遵守实训纪律、听从老师安排和注意用电安全。 四、功率放大电路的测试基本内容 字串6 注意：将输入电位器调到最大输入的情况。 字串2 1测量输出电压放大倍数Au字串7 测试条件：直流电源电压14v,输入信号1KH z 70 mv （振幅值100mv）,输出负载电阻分另为4Q 和8Q O 字串3 字串4 2.测量允许的最大输入信号（1KH z）和最大不失真输出功率 字串5 测试条件：①直流电源电压14v，负载电阻分别为4 Q和8 Q O 字串3 ②直流电源电压10v,负载电阻为8Q O
华为芯片后端面试
竭诚为您提供优质文档/双击可除 华为芯片后端面试 篇一：华为技术面试流程及常问问题 面试后要友好，表明自己的真实一面。华为技术面试流程一共5轮： 首先资格考试和面试(相应职位的资深工程师主持); 其次应聘职位的部门副经理面试 再次应聘职位的部门副经理面试 再次人事面最后是副总级的面试。 q1：请你分别划划osi的七层网络结构图，和tcp/ip 的五层结构图？ q2：请你详细的解释一下ip协议的定义，在哪个层上面，主要有什么作用？tcp与udp呢？ q3：请问交换机和路由器分别的实现原理是什么？分别在哪个层次上面实现的？q4：请问c++的类和c里面的struct有什么区别？ q5：请讲一讲析构函数和虚函数的用法和作用？ q6：全局变量和局部变量有什么区别实怎么实现的操作系统和编译器是怎么知道的？q7：一些寄存器的题目，主要
是寻址和内存管理等一些知识。 q8：8086是多少位的系统在数据总线上是怎么实现的？ 资料来源：中国教育在线 http:/// 篇二：我在华为面试的经历 我在华为面试的经历本文是一个份20xx届华为软件研发工程师面经，也包括面试题，感兴趣的同学可以参考下。 在8月17日的上机以及性格测试之后，在22号进行了双选交流会，选择了下部门，我选的是电信软件，其实对其也不了解，看起范围比较广，就比较随意地选择了。通知我26号下午3点面试，现在我已经面完坐在实验室吹空调了，就分享下我的面试经验吧。 由于中午12点抢了个小米4，就在那积极兜售，结果午睡就没时间了。跟别人交易完之后，早早的就坐公交去了，2点多一点就到了华为南研所，在那等待着，目测大约有100多人在那等待，扫荡了一遍没发现认识的人，就在那傻傻地等着。终于到了3点半，hR叫到我了，不一会就来了个面试官把我带走了。 一面（技术面）：面试官是个30左右的男性，感觉比较和蔼。在从等待教室到面试教室的路上，他问我哪个学校哪个专业的，我告诉他是东南计算机研究生+南邮信息与计算科学本科的情况后，他说那还是蛮对口的。听完，我就想难
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流行大功率IC放大器的比较及应用
流行大功率IC放大器的比较及应用 朱军 摘自《无线电与电视》2009年第8期 中国音响DIY论坛JXEPPFYB手打贡献 摘要: 一．6片IC简介本文将为大家介绍现在流行的6款IC音频功率放大器，分别是美国国半公司的LM1875、LM4766、LM3886（LM4780）以及ST意法公司的TDA9293和TDA7294，它们的标称输出功率在30～100W范围内，适用于家用高保真音频功率放大器。采用这几款IC的功放具有元件少、调试简单的特点，功率、音质与一般的分立元件功放相比毫不逊色，因此一直受到广大DIY 发烧友，特别是初学者的喜爱。JeffRowland的基于LM3886、TDA7293的功放跻身世界优秀功放之林，更证明了功率IC本身性能之优异。 关键词: 音频功率放大器功率IC TDA7294 TDA7293 应用 LM1875 LM4766 LM3886 一、6片IC简介 本文将为大家介绍现在流行的6款IC音频大功率放大器，分别是美国国半公司的LM1875、LM4766、LM386（LM4780）以及ST意法公司的TDA7293、TDA7294，它们的标称功率在30～100W范围内，适合于家用高保真音频放大器。采用这几款IC的功放具有元件少，高度简单的特点，功率、音质与一般分立元件功放相比毫不逊色，因此一直受到DIY发烧友，特别是初学者的喜爱。JeffRowland的基于LM3886、TDA7293的功放跻身世界优秀功放之林，更证明了功率IC本 身性能之优异。 虽然JeffRowland证明了功率IC可以好声，而且这些IC家喻户晓，使用者众多，但“IC音质不如分立元件”的观念却依然根深蒂固的扎根于广大DIY发烧友的头脑里。很多人对这些芯片的认识来自未能发挥芯片的制作，造成对这些芯片的误解。本文将从产品数据手册入手，多角度，深入地挖掘产品数据手册中包含的丰富信息，揭开数据背后隐藏的秘密，以求给大家一个全面的认识。 1、LM1875 LM1875是美国国家半导体公司20世纪90年代初推出的一款音频功放IC，如图1所示。它采用TO-220封装，外围元件少，性能优异，直到现在还一直被广泛应用于音响上。LM1875价格低廉，最适合于不想花太多钱又想过发烧瘾的爱好者业余制作，其音质也一直广受好评。LM1875体积小
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LTE基带芯片趋热华为有意布局 LTE基带芯片趋热华为有意布局 关键字：LTE 基带芯片华为根据ABIResearch的一个新的拆解报告，华为产品中的HSPA基带芯都是自产自销的。该芯片的发现引起了大家的猜测：在这个LTE迅速崛起的年代，华为在基带市场的野心究竟有多远？ABI拆解报告显示，华为目前生产的宽带CDMA外部调制解调器E173，实际上用了两款不同的基带方案。其中一个版本采用的是QualcommMSM6290的HSPA芯片组，另一版本则是华为海思自己设计的基带。ABI表示，尽管华为的这款调制解调器是在2010年年底上市的，但这HSPA基带已经出现在其他两个产品上了。“现在的问题是：华为会将其内部的解决方案应用到哪些调制解调器和手机产品上，”ABI公司工程副总裁JamesMielke表示。“华为基带虽然不使用高通的高收缩工艺技术，但华为芯片可能会做得相当便宜，这会很有卖点。”他补充说。华为的LTE早已不是秘密最近EETimes的一份加密报告中，透露了华为海思的一些情况。海思成立于1991年，当时叫做华为ASIC集团，它在2004年10月正式成为华为旗下部门，并更名为海思。迄今为止，它已完成超过120颗芯片的设计，并称出货已达1.5亿。华为的HSPA芯片的产品路线图目前还不清楚，但HSPA+，以及LTE是肯定会出现的。ABI表示，目前发现有28种商业网络正采用FD-LTE模式，但还没有网络使用TD-LTE。目前中国移动和高通等合作伙伴正在共同开发一个新的模式。“一个需要解决的棘手问题是，LTE设备对各种频谱波段漫游跨越的能力，”ABI公司的LTE 研究的负责人AdityaKaul表示，“在未来几年预计LTE将会被广泛采用，这也需要更多的产业合作来共同解决这一问题。”他补充说。
实验五 集成功率放大器
实验五 集成功率放大器 一、实验目的 (1) 熟悉集成功率放大器的工作原理。 (2) 掌握集成功率放大器性能指标测试方法。 .二、实验仪器 .〈1〉双踪示波器1台 (2)数字毫伏表1台 (3)模拟实验台1台 (4)数字万用表1块 .三、预习要求 (1)复习集成功率放大器的工作原理,阅读实验内容,对照图1-1及图1-2分析工作原理。 (2)在图1-2电路中,若Vcc=12V , RL=10Ω, 计算电路的输出功率Pom, 电源供给功率Pc 、效率η。 四、实验原理 实验电路由集成电路LM386加外围元件组成, 该电路为美国国家半导体公司产品。采用8引线双列直插封装，电源电压VCC 使用范围（VCC=5-18V ）、静态功耗低（VCC= 12V 时为6mA 左右），由于该集成电路外接元件少，因而在便携式无线电设备、收音机、录音机、小型放大设备中得到广泛应用。 LM386是单电源互补对称功放集成电路,该电路内部包括由Vl 构成的射极输出器、V2、V3构成的差动放大电路、V5、V6构成的镜像电流源以及由V8、V9、V10组成互补对称电路构成的输出级。为使电路工作在甲乙类放大量状态,利用VD1、VD2提供偏置电压。该电路静态工作电流很小,约4mA-8mA 。输入电阻较高约5M Ω左右,故可以获得很高的电压增益,由于V1、V2采用截止频率较低的横向PNP 管,故几十赫以下的低频噪音很小。该电路内部原理如图1-1所示。 图1-2为外部接线原理图,图中Rw 为输入衰减电位器(音量控制),信号由③脚同相端输入,②脚反相端接地。C1、C2为接在直流电源Vcc 端(⑥脚)的退耦电容,C4为输出(⑤脚)耦合电容,C5为旁路电容(⑦脚),C3为跨接在①脚与⑧)脚之间的增益控制电容。当①脚和⑧脚之间开路时，电压增益为26dB ；若在①脚和⑧脚之间接阻容串联元件，则增益最高可达46dB ，改变阻容值则增益可在26dB-46dB 之间任意选取，电阻值越小增益越大。 (虚线框测数据时不接入)。 123 4 5678增益增益-输入+输入地输出 +V 旁路LM386引脚图 音箱 8欧 黑 红 LM386功率放大器原理图 om 图1-2
关于华为海思-这篇文章值得一看
关于华为海思，这篇文章值得一看 1991年，华为成立了自己的ASIC设计中心，专门负责设计「专用集成电路」（Application-specific integrated circuit，ASIC）。当时的华为，创立仅仅四年，员工只有几十人，资金非常紧，一度濒临倒闭的边缘。奠定基业的C&C08数字程控交换机，还是三年后的事情。 这个ASIC设计中心的成立，意味着华为开始了IC设计的漫漫征途。 1993年，ASIC设计中心成功研发出华为第一块数字ASIC。随后，分别在1996年、2000年、2003年，研发成功十万门级、百万门级、千万门级ASIC。总的来说，每一步都算是沉稳有力。 时间到了2004年10月，这时的华为，实力已今非昔比，销售额达到462亿人民币，员工人数也达到数万人。有了一定底气的华为，在ASIC设计中心的基础上，成立了市海思半导体，也就是我们现在经常说的——「华为海思」。海思的英文名是HI-SILICON，其实就是HUAWEI-SILICON的缩写。SILICON，就是硅的意思。众所周知，硅是制造半导体芯片的关键材料。硅这个词，也成了半导体的代名词。 一直以来，华为海思都是华为公司百分之百全资控股的子公司。按华为海思部某领导的说法，华为就是海思，海思就是
华为。 海思总裁，何庭波，也是华为17名董事之一 因为华为海思和华为一样没有上市，很多信息都没有公开披露，再加上行事低调的一贯风格，所以，就像笼罩了一层神秘的黑纱，多了很多神秘感。外界对华为海思的了解总是十分片面，甚至有很多误解。 说到华为海思，很多人都会首先想到华为手机现在普遍使用的麒麟（Kirin）处理器，例如华为P20手机的麒麟970芯片。其实，华为海思虽然从事芯片的研发，但并不仅限于手机芯片。准确地说，华为海思提供的是数字家庭、通信和无线终端领域的芯片解决方案。通俗一点，就是手机芯片、移动通信系统设备芯片、传输网络设备芯片、家庭数字设备芯片等，统统都做。海思官网列出的部分解决方案领域 值得一提的，是安防监控领域。在这个领域，华为海思经过十多年的深耕，全球市场份额甚至达到90%之多，确实令小枣君吃了一惊。海思安防芯片 此外，华为海思高端路由器的芯片，也相当有竞争力。华为2013年11月曾经发布过一款400G骨干路由器产品 （NE5000E-X16A），采用的是海思芯片SD58XX，比思科同类型产品都要早推出一年。 华为400G骨干路由器还是来具体说说，大家最熟悉也最关心的手机终端芯片吧。
简易音频功率放大器
闽南师范大学《模拟电子技术》课程设计 设计题目：简易音频功率放大器 姓名：庄伟彬 学号：1205000425 系别：物理与信息工程学院 专业电气工程及其自动化 年级：12级 指导教师：周锦荣老师 2014年 5月 1 日
目录 一系统设计┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄ 2 1.设计任务┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄ 2 2.设计要求┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄ 2 二电路设计原理┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄ 3 1．系统原理┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄ 3 2．方案比较┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄ 3 3．芯片介绍┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄8 三PCB布板┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄ 10 四实物安装与调试┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄ 11 1．实物图┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄11 2．测试的波形┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄12 3．实验结果分析及与理论对比┄┄┄┄┄ 15 五附录┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄ 15 1.设计总结┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄15 2. 原件清单┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄15 3.参考文献┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄ 16
摘要:本方案采用LM358，LM386集成运放芯片，外加电阻、电容等元器件调整、滤波，滑动变阻器实现音量可调，构成简易音频功率放大器,音频功率放大器主要用于推动扬声器发声。 关键词：LM358；LM386;音频放大 一系统设计 1 设计任务 利用集成运算放大器LM358，LM386设计一个简易音频功率放大器。 2 设计要求 设计一个简易的音频功率放大器，要求如下： （1）系统主要由前置放大电路和后级功率放大器电路构成，电路具有音量可调； （2）前置放大电路主要有集成芯片LM358构成；后级功率放大器电路主要由集成芯片LM386音频功率放大芯片构成； （3）要求输入音频信号在10mV/1kHz时，输出功率1 （负载：8Ω），输出音频信号无 Po W 明显失真，输出功率大小可调； （4）系统测试可以由函数信号发生器产生音频信号，系统所需电源可由实验室现有学生电源提供； （5）完成相应的电路原理图设计、硬件电路设计和调试及相关结果测试； （6）完成课程设计报告撰写。
常用大功率D类音频功放IC芯片选型说明
常用大功率Ｄ类音频功放IC芯片选型说明传统大功率功放芯片，一般都是模拟的功放芯片，象大家都熟悉的TDA2030、LM1875、TDA1521等。这些功放除了音质会好一点，其它的对于现在的D类功放来说，都是缺点。如今随着技术的进步，D类功放的音质技术早已突破，比传统功放芯片差不了多少。以HX8330为代表的D类功放，是替代这些优秀的前辈产品不二之选。 二、模拟功放的缺点： ●电源供电一般都要用正负双电源供电。 ●大部分都是插件式。 ●因本身发热严重，需要带一块沉重的铝片散热。 ●占用PCB板和机壳的空间很大。 ●外围元件多，特别是电解电容也用的多。 三、HX8330概述： HX8330是一款30W高效D类音频功率放大电路，主要应用于音响等消费类音频设备。此款电路可以驱动低至4Ω负载的立体声扬声器，功效高达90%，使得在播放音乐时不需要额外的散热器。其特点如下： ●15W功率输出(12V电压，4Ω负载，TND+N=10%）； ●30W功率输出（16V电压，4Ω负载，TND+N=10%）； ●效率高达90%，无需散热片； ●较大的电源电压范围8V~20V； ●免滤波功能，输出不需要电感进行滤波； ●输出管脚方便布线布局； ●良好短路保护和具备自动恢复功能的温度保护； ●良好的失真； ●增益36dB； ●差分输入； ●简单的外围设计；QQ:1207435600 ●封装形式：ESOP8。 四、应用领域： ●拉杆音箱: ●大功率喊话器: ●落地音箱: ●蓝牙音箱 ●扩音器
五、芯片对比分析： 六、 功能框图与引脚说明：
七、应用原理图： 如上图，可以很清晰的看出硬件的外围电路是极其简单的，bom成本低廉 八、HX8330优势说明： 1、外围元件少，电路简单, 2、效率高达90%，无需散热片 3、占用PCB板空间小 4、16V供电时，功率可以到达30W 九、总结： 我写这边文章的目的，并不是想要抵扉传统的模拟功放。只是想告诉各位同仁，在如今市场竞争激烈的环境下，一个成品的利润能多铮几毛钱，都是一件不容易的事。我们在选择功放的时候，如果不是做HIFI级别的音箱，音质要求不是很高的情况下。选择合适的Ｄ类功放也是一种有效降低生产成本的方法。 ＩＰＥＴ
集成功率放大器
集成功率放大器 世界上自1967年研制成功第一块音频功率放大器集成电路以来，在短短的几十年的时间内，其发展速度和应用是惊人的。目前约95%以上的音响设备上的音频功率放大器都采用了集成电路。据统计，音频功率放大器集成电路的产品品种已超过300种；从输出功率容量来看，已从不到1W 的小功率放大器，发展到10W 以上的中功率放大器，直到25W 的厚膜集成功率放大器。从电路的结构来看，已从单声道的单路输出集成功率放大器发展到双声道立体声的二重双路输出集成功率放大器。从电路的功能来看，已从一般的OTL 功率放大器集成电路发展到具有过压保护电路、过热保护电路、负载短路保护电路、电源浪涌过冲电压保护电路、静噪声抑制电路、电子滤波电路等功能更强的集成功率放大器。 3.3.1 LM386集成功率放大器 1．LM386的特点 LM386的内部电路和管脚排列如图3.3.1所示。它是8脚DIP 封装，消耗的静态电流约为4mA ，是应用电池供电的理想器件。该集成功率放大器同时还提供电压增益放大，其电压增益通过外部连接的变化可在20～200范围内调节。其供电电源电压范围为4～15V ，在8Ω负载下，最大输出功率为325mW ，内部没有过载保护电路。功率放大器的输入阻抗为50k Ω，频带宽度300kHz 。 + -V+ (a) LM386?ú2?μ??·í? 12345 6 7 8 ??ò? ·′?à ê?è? í??à ê?è? μ? ê?3?V+???·??ò?(b) LM3861ü???áDí? 图3.3.1 LM386内部电路及管脚排列图 2．LM386的典型应用 LM386使用非常方便。它的电压增益近似等于2倍的1脚和5脚电阻值除以T1和T3发射极间的电阻（图3.3.1中为R4+R5）。所以图3.3.2是由LM386组成的最小增益功率放
放大器常用芯片
放大器常用芯片 ISO106高压，隔离缓冲放大器 ISO106同ISO102性能基本相同，主要区别要以下两点：①ISO106的连续隔离电压3500；②ISO106封装为40引脚DIP组件；主要引脚定义可参看ISO102。 LF147/347四JFET输入运算放大器 输入失调电压1mV（LF147）、5mV（LF347）；温度漂移10μV/℃；偏置电流50pA增益带宽4MHz；转换速率13V/μs；噪声20nV/(Hz^1/2)(1kHZ)；消耗电流7.2mA。±22V电源（LF147）、±18V电源（LF347）；差模输入电压±38V（LF147）、±30V（LF347）；共模输入电压±19V（LF147）、±15V（LF347）；功耗500mW。 LF155/255/355JFET输入运算放大器 输入失调电压1mV（LF155/355）、3mV（LF255）；温度漂移3μV/℃（LF155/355）、5μV/℃（LF255）；偏置电流30pA增益带宽GB=2.5MHz；转换速率5V/μs；噪声20nV/(Hz^1/2)(1kHZ)；消耗电流2mA。±40V电源（LF155/255）、±30V电源（LF355）；共模输入电压±20V（LF155/255）、±16V（LF355）；输入阻抗10＾12Ω共模抑制比100dB；电压增益106dB。 LF353双JFET输入运算放大器 输入失调电压5mV；温度漂移10μV/℃；偏置电流50pA；增益带宽GB=4MHz；转换速率13V/μs；噪声16nV/(Hz^1/2)(1kHZ)；消耗电流1.8mA。±18V电源；差模输入电压±30V；共模输入电压±15V；功耗500mW。 LF411/411A低失调、低漂移、JFET输朐怂惴糯笃?br> 输入失调电压800μV （LF411）、300μV（LF411A）；温度漂移7μV/℃；偏置电流50pA；增益带宽GB=4MHz；转换速率15V/μs；噪声23nV/(Hz^1/2)(1kHZ)；消耗电流1.8mA。±18V 电源（LF411）、±22V（LF411A）；差模输入电压±30V（LF411）、±38V（LF411A）； 共模输入电压±15V（LF411）、±19V（LF411A）。
华为高端8核芯片“麒麟”取得历史性突破 中国半导体业现崛起曙光
华为高端8核芯片“麒麟”取得历史性突破中国半 导体业现崛起曙光 ——华为给力，继续加油。 ——“我们只可能在针尖大的领域里领先美国公司，如果扩展到火柴头或小木棒那么大，就绝不可能实现这种超越。”，这是一种厚积薄发的谦虚，也是一种轻描淡写的哲学。从显微上看，任何火柴头或小木棒上都不过是无数的针尖。对于中国智慧与创造，有了第一个针尖，那就会有无数个针尖。有了翠玉，就会有白菜。 华为旗下的芯片品牌海思于6月6日发布了高端处理器“麒麟 Kirin 920”，在业界引起一阵骚动。首次亮相的“麒麟”芯片，不仅满足8核、4G等手机业前沿要求，还是全球首个支持Cat6（一种网络数据传输协议）的手机芯片，支持峰值300Mbps的极速下载，这一技术领先国际巨头高通和联发科一年时间。尽管从整体技术上来看，华为还远远无法与高通相提并论，“麒麟”芯片已经可以被视为一个历史性的大突破。不少业内人士认为，海思麒麟的发布代表了国内半导体行业的崛起，但也有声音提醒，在制造工艺上中国企业与国际水平仍然差距明显。 对此，华为总裁有着自己的看法。任正非在华为公司2013年年报的CEO致辞中表示，“我们只可能在针尖大的领域里领先美国公司，如果扩展到火柴头或小木棒那么大，就绝不可能实现这种超越。”华为海思平日的低调宣传，和在网络通信技术上的集中发力，都是任正
非这里理念的践行。 华为发布高端处理器“麒麟Kirin920” 华为的“世界级”芯片 那边厢，全球第二大芯片设计企业博通（Broadcom）刚刚无奈宣布退出手机基带芯片业务；这边厢，华为旗下芯片企业海思上周五首次以“麒麟”品牌发布了一款世界级芯片。 对于Kirin920，华为官方是这样描述的，支持300M峰值速率、全球率先实现LTE Cat6手机商用；8核big.LITTLE GTS架构，支持 4G/3G/2G共5种制式；集成智能感知处理器I3，全球首款内置专业音频处理器Tensilica HIFI3等等，言语之间透露着霸气。 “目前发布的这颗芯片不仅满足8核、4G等手机业前沿要求，还在全球首个支持Cat6。”一位参加了海思最新芯片发布会的业界人士
音频功率放大器路
音频功率放大器路
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TDA2030集成电路功率放大器设计 一、设计题目集成电路功率放大器 二、给定条件 设计一款额定输出功率为10 ~ 20W的低失真集成电路功率放大器，要求电路简洁，制作方便、性能可靠。性能主要指标： 输出功率：10 ~ 20W（额定功率）； 频率响应：20Hz ~ 100kHz（≤3dB） 谐波失真：≤1％ (10W,30Hz~20kHz）； 输出阻抗：≤0.16Ω; 输入灵敏度：600mV（1000Hz，额定输出时） 三、设计内容 1．根据具体电路图计算电路参数 2．选取元件、识别和测试。包括各类电阻、电容、变压器的数值、质量、电器性能的准确判断、解决大功率放大器散热的问题。 3．了解有关集成电路特点和性能资料情况 4．根据实际机壳大小设计1：1印刷板布线图 5．制作印刷线路板 6．电路板焊接、调试（调试步骤可以参考《模拟电子技术实验指 导书》有关放大器测试过程 7．实训期间必须遵守实训纪律、听从老师安排和注意用电安全。 四、功率放大电路的测试基本内容 注意：将输入电位器调到最大输入的情况。 1．测量输出电压放大倍数A u 测试条件：直流电源电压14v，输入信号1KHｚ 70 mv（振幅值100mv），输出负
载电阻分别为4Ω和8Ω。 2．测量允许的最大输入信号（1KHｚ）和最大不失真输出功率测试条件：①直流电源电压14v，负载电阻分别为4Ω和8Ω。 ②直流电源电压10v，负载电阻为8Ω。 3．测量上、下限截止频率f H 和f L 测试条件：直流电源电压14v，输入信号70mv（振幅值100mv），改变输入信号频率、负载电阻为8Ω。 五、参考资料 TDA2030简介：TDA 2030 是一块性能十分优良的功率放大集成电路，其主要特点是上升速率高、瞬态互调失真小，在目前流行的数十种功率放大集成电路中，规定瞬态互调失真指标的仅有包括TDA 2030 在内的几种。我们知道，瞬态互调失真是决定放大器品质的重要因素，该集成功放的一个重要优点。 TDA2030 集成电路的另一特点是输出功率大，而保护性能以较完善。根据掌握的资料，在各国生产的单片集成电路中，输出功率最大的不过20W，而TDA 2030的输出功率却能达18W，若使用两块电路组成BTL电路，输出功率可增至35W。另一方面，大功率集成块由于所用电源电压高、输出电流大，在使用中稍有不慎往往致使损坏。然而在TDA 2030集成电路中，设计了较为完善的保护电路，一旦输出电流过大或管壳过热，集成块能自动地减流或截止，使自己得到保护（当然这保护是有条件的，我们决不能因为有保护功能而不适当地进行使用）。 TDA2030 集成电路的第三个特点是外围电路简单，使用方便。在现有的各种功率集成电路中，它的管脚属于最少的一类，总共才5端，外型如同塑封大功率管，这就给使用带来不少方便。 TDA2030 在电源电压±14V，负载电阻为4Ω时输出14瓦功率（失真度≤0．5％）；在电源电压±16V，负载电阻为4Ω时输出18瓦功率（失真度≤0．5％）。该电路由于价廉质优，使用方便，并正在越来越广泛地应用于各种款式收录机和高保真立体声设备中。该电路可供低频课程设计选用。 双电源供电BTL音频功率放大器 工作原理:用两块TDA2030 组成如图1所示的BTL功放电路，TDA 2030（1）为同相放大器，输入信号V in通过交流耦合电容C1馈入同相输入端①脚，交流闭环增益为K VC①＝1＋R3 / R2≈R3 / R2≈30dB。R3 同时又使电路构成直流全闭环组态，确保电路直流工作点稳定。TAD 2030（2）为反相放大器，它的输入信号是由TDA 2030（1）输出端的U01经R5、R7分压器衰减后取得的，并经电容C6 后馈给反相输入端②脚，它的交流闭环增益K VC②＝R9 / R7//R5≈R9/R7≈30dB。由R9＝R5，所以TDA 2030（1）与TDA 2030（2）的两个输出信号U01 和U02 应该是幅度相等相位相反的，即： U01≈U in·R3 / R2
从ARM停供华为,看RISC-V架构产品开发的意义
从ARM停供华为，看RISC-V架构产品开发的意义 去年5月份美国商务部正式将华为列入“实体清单”，禁止美企向华为出售相关技术和产品，前不久，ARM官方也发表声明，因为他们的技术大多来源于美国，所以必须遵守美国的新标准从而切断对华为的所有供应和支持。 ARM无可取代，国内芯片厂商走向灭亡？ 90年代末期，随着各国半导体技术产业链成熟及移动手机井喷式普及，ARM公司基于IP授权的商业模式在移动互联网推进的浪潮中赚的盆满钵满。在随后的发展中，苹果公司推出了基于ARM芯片设计的ipod及颠覆移动电话模式的Iphone，谷歌发布了基于ARM 指令集的Android系统，至此，移动互联网进入了飞速发展阶段，ARM也因此奠定了在处理器芯片市场的霸主地位。 基于上述背景，若华为及国内其他厂商不在依靠ARM的授权架构及技术服务，是否意味着国内芯片厂商将举步维艰，甚至走向灭亡？答案是，国内芯片厂商会面临困难，但绝非无路可走。
另辟蹊径-RISC-V 当英特尔还沾沾自喜于自己的PC市场时，ARM架构已经默默在手机处理器IP领域一统江山，并且建立起庞大、完整的生态系统供应链，等到英特尔觉悟想要回攻手机领域时，一切为时已晚。而此时，另一个星星之火正悄悄被点燃，就是标榜开源架构的RISC-V。 RISC：Reduced Instruction Set Computer，即精简指令集计算机。 RISC-V是基于RISC原理建立的免费开放指令集架构(ISA)，V是罗马字母，代表第五代RISC(精简指令集计算机)，可读作RISC-FIVE。 开源是否有利于人类科技进程？ RISC-V指令集是一个灵活的、现代的、没有专利问题和没有历史包袱的全新指令集，并且以BSD许可证发布。任何公司都可以在自己的产品中免费使用，而修改也无需再开源。和成就了ARM的授权模式相比，RISC-V不仅能让公司收益，也能够让大学和研究机构更好地研究新的处理器技术和架构。 基于这种开放式标准协作实现处理器的方式，为RISC-V架构提供了更高水平的软件扩展度和硬件自由度。同时，回顾过往我们可以看到，开源的运作方式创造了诸多新的商业模式，提高了产业效率降低了研发成本，典型的如Linux操作系统。
音频功率放大器集成电路(芯片概括)
音频功率放大集成电路(芯片概括) 1．音频功率放大集成电路音响系统中使用的音频功率放大集成电路除上述介绍的厚膜功率放大集成电路外，还有半导体运算功率放大集成电路（具有高放大倍数并有深度负反馈的直接耦合放大器）。 常用的音频功率放大集成电路有TA7227、TA7270、TA7273、TA7240P、TDA1512、TDA1520、TDA1521、TDA1910、TDA2003、TDA2004、TDA2005、TDA2008、TDA1009、 TDA7250、TDA7260、μPC1270H、μPC1185、μPC1242、HA1397、HA1377、AN7168、AN7170、LA4120、 LA4180、LA4190、LA4420、LA4445、LA4460、LA4500、LM12、LM1875、LM2879、LM3886等型号。 2．数码延时集成电路数码延时集成电路主要用于卡接OK系统中，其内部通常由滤波器、A/D转换器、D/A转换器、存储器、主逻辑控制电路、自动复位电路等组成。 常用的数码延时集成电路有YX8955、TC9415、IN706、ES56033、CXA1644、CU9561、BU9252、BA5096、PT2398、PT2395、GY9403、GY9308、YSS216、M65850P、M65840、M65835、M65831、M50199、M50195、M50194等型号。 3．二声道三维环绕声处理集成电路音响系统中使用的二声道三维（3D）环绕声系统有SRS、Spatializer、Q Surround、YMERSION TM和虚拟杜比环绕声系统。 常用的SRS处理集成电路有SRSS5250S、NJM2178等型号。 Spatializer处理集成电路有EMR4.0、PSZ740等型号。Q Surround处理集成电路有QS7777等型号。 YMERSION TM处理集成电路有YSS247等型号。 4．杜比定向逻辑环绕声解码集成电路杜比定向逻辑环绕声解码系统是将经过杜比编码处理过的左、右二声迹信号解调还原成四声道（前置左、右声道和中置声道、后置环绕声道）音频信号。 常用的杜比定向逻辑环绕声解码集成电路有M69032P、M62460、LA2785、LA2770、NJW1103、YSS215、YSS241B、SSM-2125、SSM-2126等型号。 5．数码环绕声解码集成电路音响系统中使用的数码环绕声系统有杜比数码（AC-3）系统和DTS系统等，两种系统音频信号的记录与重放均为独立六声道（即5.1声道，包括前置左、右声道和中置、左环绕、右环绕、超重低音声道）。 常用的杜比数码环绕声解码集成电路有YSS243B、YSS902等型号。 常用的DTS数码环绕声解码集成电路有DSP56009、DSP56362、CS4926等型号。 BBE音质增强集成电路有BA3884、XR1071、XR1072、XR1075、M2150A、NJM2152等型号。7．电子音量控制集成电路电子音量控制集成电路是采用直流电压或串行数据控制的可调增益放大器，其内部一般衰减器、锁存器、移位寄存器、电平转换电路等组成。 常用的电子音量控制集成电路有TA7630P、TC9154P、TC9212P、LC7533、XR1051、M51133P、AN7382、TCA730A、TDA1524A、LM1035、LM1040、M62446等型号。 8．电子转换开关集成电路电子转换开关集成电路是采用直流电压或串行数据控制的多路电子互锁开关集成电路，内部一般由逻辑控制、电平转换、锁存器、变换寄存器、模拟开关等电路组成。 常用的电子转换开关集成电路有LC7815（双4路）、LC7820（双10路）、LC7823（双7路）、TC9162N（双7路）、TC9163N（双8路）、TC9164N（双8路）、TC9152P（双5路）和TC4052BP （双4路）等型号。 9．扬声器保护集成电路扬声器保护集成电路可以在功放电路出现故障、过载或过电压时，
看华为海思首款NB-IoT芯片五大优势
看华为海思首款NB-IoT芯片五大优势 国际标准组织3GPP计划在今年6月冻结并发布基于蜂窝网络的窄带物联网技术标准NB-IoT。在标准公布后，作为主导方的华为海思将于今年9月底火速推出NB-IoT 商用芯片，这将会是业内第一款正式商用的NB-IoT芯片，而且其芯片价格向短距离通信芯片价格靠近。万物互联的实现又添一大利器，物联网普及脚步加速。 NB-IoT可以说是一种革新性技术。它支持海量连接、有深度覆盖能力、功耗低，这些与生俱来的优势让它非常适合于传感、计量、监控等物联网应用，适用于智能抄表、智能停车、车辆跟踪、物流监控、智慧农林牧渔业以及智能穿戴、智慧家庭、智慧社区等等领域。这些领域对广覆盖、低功耗、低成本的需求非常明确，目前广泛商用的2G/3G/4G及其他无线技术都无法满足这些挑战。 许多人拿它与Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等无线技术相提并论，不过Wi-Fi、蓝牙、Zigbee面向短距离互联应用，而NB-IoT是长距离广域的通信技术，两者之间不在一个层级上，没有可比性。物联网的世界不可能一个标准打天下，短距离与长距离多种通信技术共存是最合理和最能解决问题的手段，而NB-IoT正是长距离物联技术之中的佼佼者。 NB-IoT优势一：海量连接 NB-IoT比2G/3G/4G有50~100倍的上行容量提升，这也就意味着，在同一基站的情况下，NB-IoT可以比现有无线技术提供50~100倍的接入数。举个简单的例子，某小区网络由一个基站覆盖，使用原有无线网络只能支持每个家庭中5个终端接入，可能4个手机、1个平板电脑就占满了，那么以后各种智能家电以及许许多多传感设备需要联网时就难以接入了。而NB-IoT至少提供50倍接入数量即250个终端接入，足以满足未来智慧家庭中大量设备联网需求。 优势二：深度覆盖 NB-IoT比LTE提升20dB增益，相当于发射功率提升了100倍，即覆盖能力提升了100倍，就算在地下车库、地下室、地下管道等信号难以到达的地方也能覆盖到。利用这一优势，沃达丰的NB-IoT实验局正在开展地下车库指示的项目。传统地下车库内导航定位系
放大器模块常用芯片简介
MAX4106: ⑴低成本，高速，单电源运算放大器。 ⑵满摆幅输出的运算放大器，-3db带宽为150MHZ,可以采用正负5V 或者单电源供电， ⑶采用Umax-8和SO-8封装。 THS3092： ⑴高速电流反馈双运算放大器芯片 ⑵160MHZ(G=5，RL=100)电源电源范围正负5-15V. ⑶采用SOIC-8和TSSOP-14封装。 AD624： ⑴高精度，低噪声仪表放大器芯片 ⑵主要用于设计低电平传感器（负荷传感器，应变计和压力传感器） ⑶可用于高速数据采集应用。 AD603 ⑴90MHZ带宽，增益程控可调的集成运算放大器芯片 ⑵增益与控制电压成线性关系，增益变化范围40dB ⑶采用SOIC-8和CERDIP-8封装
AD8055； ⑴电压反馈型放大器芯片 ⑵该芯片0.1dB增益平坦度为40MHZ，带宽达300MHZ，压摆率为1400V/us,建立时间为20ns,适合各种高速应用。 ⑶采用正负5V双电源或+12V单电源，仅需5mA的电源电流，负载电流可达60mA，工作温度-40—+125度。 ⑷采用PDIP-8，SOIC-8和SOT-23-5封装 AD811 ⑴视频运算放大器芯片 ⑵具有高速，高频，宽频带和低噪声等优异特性 ⑶具有140MHZ带宽，120MHZ带宽，35MHZ带宽，2500V/us摆率，建立时间25ns ⑷采用8引脚SOIC(R-8),16,20引脚等 ICL7650/53: ⑴运算放大器芯片 ⑵具有极低的输入失调电压，整个工作温度范围（约100度）内只有1Uv,失调电压的温漂为0.01Uv/度，开环增益极高，转换率SR=2.5V/us……… ⑶电源电压范围V+到V-为4.5-16V.
功率放大器原理与设计
音响功率放大器原理 功率放大器，顾名思义，是将“功率”放大的放大器。把微弱的信号，如话筒、VCD、CD机等送到前置放大器，放大成足以推动功率放大器的信号幅度，最后后级功率放大电路推动喇叭（或其它设备），它最大的功用，是当成“输出级””（Output Stage）使用。从另一个角度来看，它是在做大信号的电流放大，以达到功率放大的目的。 一、音响放大器的基本组成 音响放大器的基本组成框图如图1所示。各部分电路的作用如下。 图1 音响放大器的基本组成框图 前置放大器是各种音源设备（包括普通音源如CD机、调谐器、卡座、MP3播放器等，特殊音源如报警器以及各种话筒音源）和功率放大器之间的连接设备。因为如CD机、调谐器以及话筒等音源设备的输出信号电平都比较低，不能推动功率放大器正常工作，而前置放大器正是起到了信号放大的作用。音源信号在经过前置放大器的放大后，就可以直接送入功率放大器，使功率放大器能正常工作。此外，除了有信号放大作用外，前置放大器还有音质控制的作用，如通过其音调控制电路或等响控制电路，对信号的频率特性进行调节和控制，起到修饰和美化声音的作用，使功率放大器放出来的声音能满足聆听者的喜好要求。 所谓音调控制就是人为地改变信号里高、低频成分的比重，以满足听者的爱好、渲染某种气氛、达到某种效果、或补偿扬声器系统及放音场所的音响不足。这个控制过程其实并没有改变节目里各种声音的音调（频率），所谓"音调控制"只是个习惯叫法，实际上是“高、低音控制”或“音色调节”。然而，从保证信号传送质量来考虑，音调控制倒不是必须的。一个良好的音调控制电路，要有足够的高、低音调节范围，但又同时要求高、低音从最强到最弱的整个调节过程里，中音信号（通常指1000赫）不发生明显的幅度变化，以保证音量大致不变。 低频功率放大器是把从前级来的信号放大给杨声器用的，后级必须有足够的功率输出才能推动扬声器发音。 二、音调控制器 音调控制器主要是控制、调节音响放大器的幅频特性，理想的控制曲线如图2中折线所示。图中，f0(等于1kHz )表示中音频率，要求增益Av0=OdB；fl1表示低音频转折〔或截止〕频率，一般为几十赫兹；fL2(等于lOfL1)表示低音频区的中音频转折频率;Fh2(等于10Fh1)
本立体声功率放大器是以集成电路TDA2030A为主组成的立体声功率放大器
本立体声功率放大器是以集成电路TDA2030A为主组成的立体声功率放大器，其采用典型的功率放大电路，具有失真小、外围元件少、稳定性高、频响范围宽、保真度高、功率大等优点，同时采用四运放GL324A对输入音频信号进行处理及高、低音进行控制，从而更加保证输出声音的音质。这是一款很适合无线电爱好者和音响发烧友自制的音响套材。本功率放大器实际聆听，高音柔美细腻，低音丰满圆润。 一、工作原理 本立体声功率放大器所用的核心芯片是国际通用高保真音频功率放大集成电路TDA2030A。本电路由三个部分组成，即电源电路、左右声道的功率放大器及输入信号处理电源（四运放）。电源变压器将220V交流电降为双12V 低压交流电，经桥式整流后变为±18V的直流电，作为功放及运放的供电电源，D5、R29组成电源指示电路，以指示电源是否正常，开关K为电源开关。 四运算放大器GL324A（或LM324）及外围元件组成高、低音控制电路及音频输入信号的处理电路，C16、C1 8分别是两路信号的输入耦合电路，W1是两路低音控制电位器，W2是两路高音控制电位器，C25、C26是输出耦合电容。GL324A的4脚与11脚分别是正、负电源的接线端，3、5脚是接地端。 两路功率放大器用的集成电路是TDA2030A，其1脚为正相输入端，2脚为反相输入端，C3、C6分别为左、右两路的输入端耦合电容，R1、R4、C2构成IC1的负反馈电路，R6、R7、C5构成IC2的负反馈电路，以提升音质。其5脚、3脚分别接正、负电源，4脚为输出端，负载接4Ω的扬声器时，其有效功率可达20W，W3是两路平衡电位器，W4是两路音量电位器。 二、焊接与安装 一般先装低矮、耐热的元件，最后装集成电路。应按如下步骤进行焊接与安装：（1）清查元器件的数量及质量，并及时更换不合格的元件；（2）由孔距确定元件的安装方式，电阻器采用卧式安装，涤沦电容器、电解电容器采用立式安装，并都要求紧贴电路板。（3）插装IC1、IC2务必小心，脚全部插进后再焊接，并注意与散热器的孔位吻合。各焊点加热时间及用锡量要适当，防止虚焊、假焊及短路，焊后剪去多余引脚，并检查所有焊点，确认无误后方可通电测试。同时还要注意电源变压器初、次级与开关及电路板的接线，不得有误，IC1、IC2用自攻螺丝与散热器相连。 三、测试与组装 1、通电测试 全部元器件及插件焊接完后，经过认真仔细检查后方可通电测试，用万用表直流电压档测量正、负电源应是±18V左右，发光二极管D5发光，接上音柱后，手触碰输入端IN1、IN2，应有较强的感应信号，说明电路正常。如没有较强的感应信号，说明功放电路没有工作，需进一步检查IC1、IC2、IC3及周边元器件安装焊接是否正常。