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高纯二氧化硅是一类极为重要的光电子材料,

高纯二氧化硅是一类极为重要的光电子材料,
高纯二氧化硅是一类极为重要的光电子材料,

高纯二氧化硅是一类极为重要的光电子材料,广泛应用于半导体、光纤通汛、激光和航天等高

技术领域。随着这些领域的迅速发展,对高纯二氧化硅中杂质含量的要求更为严格,对高纯二氧

化硅的需求量亦日益增加。目前我国所需的高纯二氧化硅大部分依赖进口。因此,采用石英砂提

纯技术,获得高纯二氧化硅,是满足我国高技术领域对高纯硅需求的有效途径,对促进我国国民

经济发展具有重要的意义。目前提纯石英砂的主要方法可以分为物理方法和化学方法两种。 1 物

理方法物理方法主要是水洗和分级脱泥、擦洗、磁选、浮选和超声波法。 1.1 水洗和分级脱泥

这种方法主要是针对含有大量粘土矿物的石英砂。因为随着石英砂颗粒变细,其中 SiO2 的品位

随之降低,而铁质和铝质等杂质矿物的品位反而升高,所以在入选前对石英砂原矿进行水选、分

级脱泥非常必要,并且效果也较为明显 18j。它只是作为一种矿石人选前的预处理方法,应用得

较早也很普遍,但对于存在于石英砂表面的薄膜铁和粘连性杂质矿物,其脱除效果尚不显著。

1.2 擦洗擦洗是借助机械力和砂粒间的磨剥力来除去石英砂表面的薄膜铁、粘结及泥性杂质矿

物和进一步擦碎未成单体的矿物集合体,再经分级作业达到石英砂进一步提纯的效果。目前,主

要有棒磨擦洗和机械擦洗二种方法。对于机械擦洗,其相关机械设备的结构和配置以及工艺流程

中的擦洗时间和擦洗浓度都是影响擦洗效果的主要因素。由于影响它的因素太多,使机械擦洗的

回收率很低,只有约 40%,所以机械擦洗的效果不太理想。相对于机械擦洗,棒磨擦洗的效果要

比它好得多。在棒磨擦洗工艺中,加入适当的药剂,增大杂质矿物和石英颗粒表面的电斥力,增

强杂质矿物与石英颗粒相互间的分离效果,使擦洗的回收率提高到 80%,棒磨擦洗几乎是机械擦

洗的两倍,但是对于提纯高纯度的石英砂,它也只是对矿石预处理的一种方法。 1.3 磁选磁选

法可以最大限度的去除石英砂颗粒内含有的杂质,以赤铁矿,褐铁矿和黑云母等为主的弱磁性杂

质矿物和以磁铁矿为主的强磁性矿物。对于弱磁性杂质矿物常选用在 100000e 以上的强磁机,

对于强磁性杂质的矿物常采用弱磁机或者是中磁机进行磁选。一般来说,磁选次数和磁场强度对

磁选除铁效果有重要影响,随磁选次数的增加,含铁量逐渐减少;而在一定的磁场强度下可除去大

部分的铁质,但此后磁场强度即使提高很多,除铁率也无多大变化。另外,石英砂粒度越细,除

铁效果越好,其原因是细粒石英砂中含铁杂质矿物量高的缘故。田金星在高纯石英砂的提纯工艺

研究进行了实验研究,结果表明,随磁场强度的增大,杂质的脱除率上升,磁场强度达到

100000e 以后,杂质的脱除率增加不明显。因此适宜的磁场强度应为 100000e。经磁选后,40 目

Si02 品位可达 99.05%,Fe203 含量为 0.071%: 40—80 目 Si02 品位为 99.09%, Fe203 含

量 0.070%; 80—140 目 Si02 品位 99.14%,Fe203 含量 0.067%:140—200 目 Si02 品位99.10%, Fe203 含量 0.069%。但是石英砂中含杂质较多时,特别是含有较多的弱磁性或非磁

性的杂质时,仅采用磁选是不能提纯成高纯石英砂的。 1.4 浮选

浮选是为了除去石英砂中长石、云母等非磁性伴生杂质矿物。目前主要有有氟浮选和无氟浮选两

种方法。有氟浮选是采用阳离子捕收剂和氢氟酸活化剂在酸性 pH 值范围内进行的。但是考虑到

含氟废水对环境的严重影响,人们开始转向无氟浮选。利用石英、长石结构构成的差异,合理凋

配阴阳离子混合捕收剂的配比及用量,利用他们 Zeta 电位的不同,优先浮选出长石,实现二者

的分离 llo,。有文献报道在中性条件下,加入无氟浮选药剂,使二氧化硅微细粉体中 Si02 含

量从 99.1%提高到 99.77%左右,相应地 Fe203 含量从 0.081%下降到 0.023%,产率在 83%一 85%。这表明无氟浮选能显著改善二氧化硅微细粉体的品质。汤亚飞等采用六偏磷酸钠作分散

剂和浮选调整剂,十二胺作捕收剂,可从石英微细粉料中除去铁杂质,Fe2O3 含量由 0.09%下降

至 0.02%,产率达到 85%。 1.5 超声波法超声波法是依靠介质来传播的一种声波,它具有机械能,在传播过程中将会引起与介质的相互作用,产生各种效应(机械效应、热效应及空穴效应)。

利用超声波的粉碎头作用于液体时,使得液体内部发生变化,产生压力或拉力,当拉力达到一定

强度,产生空化作用,造成无数小气泡,这些气泡随着超声振动被压缩而压力减小;当气泡达到

临界尺度时(该尺度决定了超声波的频率),这些气泡将会破裂,产生巨大的压力,对液体中的固

体颗粒进行猛烈的冲击,在这种剧烈的冲击下,颗粒表面的微量杂质或水花膜,迅速地从颗粒表

面剥落,在分散剂的作用下成为微细的悬浮物,脱离石英砂,经洗涤分离后,使石英砂的纯度

大大地提高。廖青等在水和少量分散剂的传媒介质中,将 0-15mm 的沉积石英砂岩颗粒粉末,经

超声波处理,使含 Fe2030.12%,S10299.42%的石英砂达到含 Fe2030。01%、 8i0299.8%,回

收率在 99%以上,达到光学玻璃用砂的标准。. 2 化学方法化学方法主要是酸浸法和络合法,酸

浸法是利用石英不溶于酸(HF 除外),其他杂质矿物能被酸液溶解的特点,从而可以实现对石英的

进一步提纯。络合法是利用石英粉在经过酸浸后,酸又能与溶液中的杂质离子形成配位化合物,

使溶液中的杂质离子进一步去除。酸浸法又分为单酸浸法和混合酸浸法。酸浸法常用酸类有硫酸、盐酸,硝酸和氢氟酸。络合法常用的酸类主要是草酸和醋酸(更多破碎机和昆明破碎机的技术细

节请访问昆明昆重和昆鼎重机选矿设备网)。上述酸类对石英中金属杂质矿物均有较好的去除效果。各种稀酸对 Pe 和 A1 的去除效果明显,而对 Ti 和 Cr 的去除则主要利用较浓的硫酸,王水和氢

氟酸处理。影响酸处理效果的主要因素是酸浓度、温度、时间以及洗涤过程等。 2.1 单酸浸法

将一定量的石英砂置于一定浓度的酸溶液中,加热到一定温度,加热适当的时间,将酸溶液回收,石英砂经洗涤、干燥即可。四川某地的含粉砂粘土质硅藻土l‘oJ,用硫酸作为酸浸剂,通过对温度,硫酸浓度及液固比的研究,得出当温度为90℃,硫酸浓度为 40%,液固比为 10:1 时,硅

藻土中铁的浸出率最佳, Fe20,的含量由 3%-4%降低到 0.86%,A1203 含量也由 9.55%降低

到 7.08%,硅藻土中 SiO:的含量升高到 80%以上。周永恒在对石英的酸浸提纯实验研究中,通过对氢氟酸的酸浸温度,浓度,时间的研究,结果表明:当脉石英原料粉在温度为120℃、HF

与水的比例为 0.4—0.5 的溶液中酸浸 0.5-6h,其纯度可达到中高档石英玻璃的标准。 2.2 混

合酸浸法

由于每一种酸对石英砂中杂质的去除效果不同,不同的酸混合在一起,产生协同效应,使石英砂

中杂质的去除率更高,可以获得纯度更高的石英砂。将水洗后的石英砂加入到混合酸液中,在常

温下,间隙搅拌浸出,一般时间为 24h,若在加热的条件下,采用搅拌浸出,时间一般为 2—6h,洗涤干燥即可。张嫦等利用在室温下,18%盐酸与硅微粉 1.5:1 的液固比,接着再用 25%硫酸,硫酸与硅微粉的液固比为 2:1 进行第二次酸浸,所用的酸浸时间均为 12h,经两次酸浸纯化处

理后的硅微粉中铁含量<60ug/g。将洗选过的石英砂按 20%-80%的固体质量分数配成浆料放人

装有机械搅拌器的容器中,然后加入盐酸溶液(1%一 10%)和氟硅酸溶液(1%一 10%),将石英砂

和溶液在 75-100'C 温度下搅拌 2—3h,然后除去料浆中的溶液,再用水清洗数次、直至清洗液

pH 值接近中性为止。用此法处理,可使石英砂的铁含量由 0.0059%降低至 0.0002%-0.005%。

沈久所用的混合酸比例为硫酸:盐酸:硝酸:氢氟酸二 50%:25%:15%:10%,加热到80℃,浸出矿浆的浓度为 50%-55%,其二氧化硅的含量和铁杂质的含量达到高纯石英砂的标准

(SiO2≥99.98%,Fe2O3≤0.001%)。 2.3 络合法络合法是将一种中等强度的有机酸,与石英砂

表面的杂质发生反应,且还能与反应后的杂质离子形成稳定的配位化合物,降低了杂质离子在颗

粒表面的浓度,同时也防止离子在洗涤过程中产生沉淀,使石英砂中杂质含量进一步降低。

Panias 等 120,将平均粒径 20ltm 含铁量为110x10°的石英砂,称取一定量置于草酸溶液中,

在加热至80℃下,处理时间为 3h,可以溶解含铁矿物,在酸性溶液中只能以Fe3’形式存在,

Fe3+再与草酸形成稳定的螯合物,其除铁率在 80%-100%之间,经过处理后,石英砂中含铁量低

于 10x10-~。湖南省浏阳市的石英砂,经过草酸处理后,样品中 SiO2 含量由 98.26%升高到

99.81%,A1203 的含量由 0.18%降低到 0.15%,Fe203 含量降低至 0.10%。以上所用的酸均

可用蒸发、凝结或其他方法达到再生、重复使用的目的。当 Si02 纯度要求很高时,清洗酸液的水

必须是蒸馏水或去离子水,以免自来水中所含的铁等杂质对高纯 Si02 造成污染。 2.4 其他方法SiO2 的应用十分广泛,不同的应用,对其纯度要求也不同,因此,有时也采用一些其他的提纯方

法作进一步的提纯,如电选法是利用石英与杂质矿物在电性上微小的差别,选出微量的金属杂质

矿物:热爆裂法是将二氧化硅加热到一定的温度后矿物中的包裹体发生爆裂,使包裹体中的杂质

得以去除。热氯化法可除去石英气泡相中杂质矿物及金属包裹体等。 3 结语不管是物理方法还

是化学方法,在石英砂提纯的整个工艺过程中,都有不可替代的作用。在实际应用中,往往是先

用物理方法作预处理,如水洗和分级脱泥、擦洗、磁选,浮选和超声波法,除去大部分的杂质,

再进行化学方法即酸浸法和络合法,进一步除去石英砂中的微量杂质。但是化学方法所使用的酸

液对环境有着严重的污染,这就需要我们寻求一种新的,无污染的提纯方法。结合化学、物理、

机械化学、电磁(波)化学等专业知识,研究高纯石英砂的提纯技术是今后重要的发展方向。随着

经济的发展,石英砂的选矿提纯具有很重要的经济效益和社会效益。尤其是随着微电子、光电等

行业的发展,高纯石英砂的优良性能是其他粉末无法替代的,市场前景极为广阔。

光电子技术的应用和发展前景

光电子技术的应用和发展前景 姓名:曾倬 学号:14021050128 专业:电子信息科学与技术 指导老师:黄晓莉

摘要:光电子技术确切称为信息光电子技术,本文论述了一些新型光电子器件及其发展方向 20世纪60年代激光问世以来,最初应用于激光测距等少数应用,光电子技术是继微电子技术之后近30年来迅猛发展的综合性高新技术。1962年半导体激光器的诞生是近代科学技术史上一个重大事件。经历十多年的初期探索,到70年代,由于有了室温下连续工作的半导体激光器和传输 损耗很低的光纤,光电子技术才迅速发展起来。现在全世界敷设的通信光纤总长超过1000万公里,主要用于建设宽带综合业务数字通信网。以光盘为代表的信息存储和激光打印机、复印机和发光二极管大屏幕现实为代表的信息显示技术称为市场最大的电子 产品。人们对光电神经网络计算机技术抱有很大希望,希望获得功耗的、响应带宽很大,噪音低的光电子技术。

目录 (一)光电子与光电子产业概况 (二)光电子的地位与作用 (三)二十一世纪信息光电子产业将成为支柱产业 (四)国际光电子领域的发展趋势 (五)光电子的应用

(一),光电子及光电子产业概况 光电子技术是一个比较庞大的体系,它包括信息传输,如光纤通信、空间和海底光通信等;信息处理,如计算机光互连、光计算、光交换等;信息获取,如光学传感和遥感、光纤传感等;信息存储,如光盘、全息存储技术等;信息显示,如大屏幕平板显示、激光打印和印刷等。其中信息光电子技术是光电子学领域中最为活跃的分支。在信息技术发展过程中,电子作为信息的载体作出了巨大的贡献。但它也在速率、容量和空间相容性等方面受到严峻的挑战。 采用光子作为信息的载体,其响应速度可达到飞秒量级、比电子快三个数量级以上,加之光子的高度并行处理能力,不存在电磁串扰和路径延迟等缺点,使其具有超出电子的信息容量与处理速度的潜力。充分地综合利用电子和光子两大微观信息载体各自的优点,必将大大改善电子通信设备、电子计算机和电子仪器的性能。 今天,光电子已不再局限传统意义上的用于光发射、光调制、光传输、光传感等的电子学的一

最新《光电子材料与器件》复习提纲

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附件: 由光学和电子学结合形成的技术学科。电磁波范围包括X射线、紫外光、可见光和红外线。光电子学涉及将这些辐射的光图像、信号或能量转换成电信号或电能,并进行处理或传送;有时则将电信号再转换成光信号或光图像。 以光波代替无线电波作为信息载体,实现光发射、控制、测量和显示等。通常有关无线电频率的几乎所有的传统电子学概念、理论和技术,如放大、振荡、倍频、分频、调制、信息处理、通信、雷达、计算机等,原则上都可延伸到光波段。在激光领域中,激光器提供光频的相干电磁振荡源,光电子学是指光频电子学。光电子学有时也狭义地指光-电转换器件及其应用的领域。光电子学还包括光电子能谱学,它利用光电子发射带出的信息研究固体内部和表面的成分和电子结构。光电子学及其系统的发展,依赖于光-电和电-光转换、光学传输、加工处理和存储等技术的发展,其关键是光电子器件。光电子器件主要有作为信息载体的光源(半导体发光二极管、半导体激光器等)、辐射探测器(各种光-电和光-光转换器)、控制与处理用的元器件(各种反射镜、透镜、棱镜、光束分离器,滤光片、光栅、偏振片、斩光器、电光晶体和液晶等)、光学纤维(一维信息传输光纤波导、二维图像传输光纤束、光能传输光纤束、光纤传感器等)以及各种显示显像器件(低压荧光管、电子束管、白炽灯泡、发光二极管、场致发光屏、等离子体和液晶显示器件等)。将各类元器件按各种可能方式组合起来可构成各种具有重大应用价值的光电子学系统,如光通信系统、电视系统、微光夜视系统等。 由光学和电子学相结合而形成的新技术学科。电磁波范围包括 X射线、紫外线、可见光和红外线。它涉及将这些辐射的光图像、信号或能量转换成电信号或电能,并进行处理或传送;有时则将电信号再转换成光信号或光图像。它以光波代替无线电波作为信息载体,实现光发射、控制、测量和显示等。通常有关无线电频率的几乎所有的传统电子学概念、理论和技术,如放大、振荡、倍频、分频、调制、信息处理、通信、雷达、计算机等,原则上都可以延伸到光波段。在激光领域中,激光器提供光频的相干电磁振荡源,光电子学是指光频电子学。光电子学有时也狭义地专指光- 电转换器件及其应用的领域。光电子学还包括光电子能谱学。它是利用光电子发射带出的信息来研究固体内部和表面的成分和电子结构,如X射线光电子能谱学和紫外光电子能谱学。 光电子学的应用非常广泛。已制成和正在研制的光电子器件品种繁多。从能源角度来看,可将光能转换成电能,或将电能转换成光能。前者有晶态和非晶态太阳能电池,小者可用于电子表和电子计算器,大者可制成太阳能电站;后者有以电驱动的发光光源,如放电灯、霓虹灯、荧光灯、场致或阴极射线发光屏、发光二极管等。从信息角度来看,可利用光发射、放大、调制、加工处理、存储、测量、显示等技术和元件,构成具有特定功能的光电子学系统。例如,利用光纤通信可以实现迅速和大容量信息传送的目的。它使原来类似的技术水平得到大幅度的提高。 人所接受的信息,大约80%是由光通过眼睛输入的。然而,人眼的局限性大大地限制了人类获得光信息的能力,因而需要扩展人眼的功能。第一,要扩展人眼在低照度下的视觉能力,提供各种夜视装备以便能在低照度下进行科研和生产活动,或在夜间进行侦察和战斗。第二,要扩展人眼对电磁波波段的敏感范围。已制成将红外线、紫外线和 X射线的光图像转换成可见光图像的直视式或电视式光电子学装置。利用这些原理还可以扩展到观察中子和其他带电粒子所形成的图像。第三,要扩展人眼对光学过程的时间分辨本领,例如已经做到在几十飞秒(10-15秒)内就可观察到信息的变化。

光电材料与器件实验指导书

《光电材料与器件》实验指导书 何宁编 桂林电子科技大学信息与通信学院 2008年12月

实验一光电池及LED光源特性测试 一.实验目的 1 理解光电池的光电转换机理及主要特性参数。 2 理解LED光源的电光转换机理、驱动方式及主要特性参数。 3 掌握两种器件的应用及参数的测试方法。 二.实验内容 1 测量光电池的开路电压、短路电流和伏安特性。 2 测量LED光源的驱动特性及电光转换效率。 三.实验原理 光电池是由一个面积较大的PN结构成,它是一种直接将光能转换成电能的光电器件,这种器件是利用光生伏特效应,当光线照射到P-N结上时,就会在P-N结两端出现电动势(P区为正;N区为负),若负载接入PN结两端,光电池就有功率输出。光电池对不同的波长的光反映的灵敏度是不同的,按制作材料不同可分为硅光电池和硒光电池,光谱特性如图1所示。 图1 光谱特性图2 光电特性 图1中硅光电池的光谱响应范围是波长4000?——12000?,在波长为8000?时达到峰值,而硒光电池的峰值出现在5000 ?左右,波长的范围是3800——7500?,1埃=0.1nm。 图2中硅光电池的开路电压与光照是一种非线性关系,当光照强度在200勒克斯时就趋向饱和。而短路电流在很大的范围内与光照成线型关系,因此使用光电池作为测量元件使用时,应该把它当成电流源的形式来研究,因为短路电流与光强是线性的,处理起来比较方便,而不要当成电压源使用。需要说明的是这里说的短路电流与开路电压与平时意义上不同,它是指外负载电阻相对与内阻非常小时候的电流值,以及外负载很大时的端电压。实验时外负载电阻<15Ω时,就认为是短路电流,而>5.0K时,就认为是开路电压。经实验证明外负载越小线性度越好。 不同颜色的光有不同的波长,因此光电池的光照频率也不同,光电池的频率特性是指输出电流随调制光的频率变化的关系,图3分别表示硅光电池与硒光电池的频率响应曲线,可见硅光电池有较好的频率特性,而硒光电池则较差。太阳能辐射能量主要集中在1.3-32um的波长范围,表面温度近6000K的太阳能辐射出的能量95%以上的部分分布在波长小于2um的光谱范围。而对于温度为几百K的物体其辐

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高纯二氧化硅是一类极为重要的光电子材料,

高纯二氧化硅是一类极为重要的光电子材料,广泛应用于半导体、光纤通汛、激光和航天等高 技术领域。随着这些领域的迅速发展,对高纯二氧化硅中杂质含量的要求更为严格,对高纯二氧 化硅的需求量亦日益增加。目前我国所需的高纯二氧化硅大部分依赖进口。因此,采用石英砂提 纯技术,获得高纯二氧化硅,是满足我国高技术领域对高纯硅需求的有效途径,对促进我国国民 经济发展具有重要的意义。目前提纯石英砂的主要方法可以分为物理方法和化学方法两种。 1 物 理方法物理方法主要是水洗和分级脱泥、擦洗、磁选、浮选和超声波法。 1.1 水洗和分级脱泥 这种方法主要是针对含有大量粘土矿物的石英砂。因为随着石英砂颗粒变细,其中 SiO2 的品位 随之降低,而铁质和铝质等杂质矿物的品位反而升高,所以在入选前对石英砂原矿进行水选、分 级脱泥非常必要,并且效果也较为明显 18j。它只是作为一种矿石人选前的预处理方法,应用得 较早也很普遍,但对于存在于石英砂表面的薄膜铁和粘连性杂质矿物,其脱除效果尚不显著。 1.2 擦洗擦洗是借助机械力和砂粒间的磨剥力来除去石英砂表面的薄膜铁、粘结及泥性杂质矿 物和进一步擦碎未成单体的矿物集合体,再经分级作业达到石英砂进一步提纯的效果。目前,主 要有棒磨擦洗和机械擦洗二种方法。对于机械擦洗,其相关机械设备的结构和配置以及工艺流程 中的擦洗时间和擦洗浓度都是影响擦洗效果的主要因素。由于影响它的因素太多,使机械擦洗的 回收率很低,只有约 40%,所以机械擦洗的效果不太理想。相对于机械擦洗,棒磨擦洗的效果要 比它好得多。在棒磨擦洗工艺中,加入适当的药剂,增大杂质矿物和石英颗粒表面的电斥力,增 强杂质矿物与石英颗粒相互间的分离效果,使擦洗的回收率提高到 80%,棒磨擦洗几乎是机械擦 洗的两倍,但是对于提纯高纯度的石英砂,它也只是对矿石预处理的一种方法。 1.3 磁选磁选 法可以最大限度的去除石英砂颗粒内含有的杂质,以赤铁矿,褐铁矿和黑云母等为主的弱磁性杂 质矿物和以磁铁矿为主的强磁性矿物。对于弱磁性杂质矿物常选用在 100000e 以上的强磁机, 对于强磁性杂质的矿物常采用弱磁机或者是中磁机进行磁选。一般来说,磁选次数和磁场强度对 磁选除铁效果有重要影响,随磁选次数的增加,含铁量逐渐减少;而在一定的磁场强度下可除去大 部分的铁质,但此后磁场强度即使提高很多,除铁率也无多大变化。另外,石英砂粒度越细,除 铁效果越好,其原因是细粒石英砂中含铁杂质矿物量高的缘故。田金星在高纯石英砂的提纯工艺 研究进行了实验研究,结果表明,随磁场强度的增大,杂质的脱除率上升,磁场强度达到 100000e 以后,杂质的脱除率增加不明显。因此适宜的磁场强度应为 100000e。经磁选后,40 目 Si02 品位可达 99.05%,Fe203 含量为 0.071%: 40—80 目 Si02 品位为 99.09%, Fe203 含 量 0.070%; 80—140 目 Si02 品位 99.14%,Fe203 含量 0.067%:140—200 目 Si02 品位99.10%, Fe203 含量 0.069%。但是石英砂中含杂质较多时,特别是含有较多的弱磁性或非磁 性的杂质时,仅采用磁选是不能提纯成高纯石英砂的。 1.4 浮选 浮选是为了除去石英砂中长石、云母等非磁性伴生杂质矿物。目前主要有有氟浮选和无氟浮选两 种方法。有氟浮选是采用阳离子捕收剂和氢氟酸活化剂在酸性 pH 值范围内进行的。但是考虑到 含氟废水对环境的严重影响,人们开始转向无氟浮选。利用石英、长石结构构成的差异,合理凋 配阴阳离子混合捕收剂的配比及用量,利用他们 Zeta 电位的不同,优先浮选出长石,实现二者 的分离 llo,。有文献报道在中性条件下,加入无氟浮选药剂,使二氧化硅微细粉体中 Si02 含 量从 99.1%提高到 99.77%左右,相应地 Fe203 含量从 0.081%下降到 0.023%,产率在 83%一 85%。这表明无氟浮选能显著改善二氧化硅微细粉体的品质。汤亚飞等采用六偏磷酸钠作分散 剂和浮选调整剂,十二胺作捕收剂,可从石英微细粉料中除去铁杂质,Fe2O3 含量由 0.09%下降 至 0.02%,产率达到 85%。 1.5 超声波法超声波法是依靠介质来传播的一种声波,它具有机械能,在传播过程中将会引起与介质的相互作用,产生各种效应(机械效应、热效应及空穴效应)。 利用超声波的粉碎头作用于液体时,使得液体内部发生变化,产生压力或拉力,当拉力达到一定 强度,产生空化作用,造成无数小气泡,这些气泡随着超声振动被压缩而压力减小;当气泡达到 临界尺度时(该尺度决定了超声波的频率),这些气泡将会破裂,产生巨大的压力,对液体中的固 体颗粒进行猛烈的冲击,在这种剧烈的冲击下,颗粒表面的微量杂质或水花膜,迅速地从颗粒表 面剥落,在分散剂的作用下成为微细的悬浮物,脱离石英砂,经洗涤分离后,使石英砂的纯度 大大地提高。廖青等在水和少量分散剂的传媒介质中,将 0-15mm 的沉积石英砂岩颗粒粉末,经 超声波处理,使含 Fe2030.12%,S10299.42%的石英砂达到含 Fe2030。01%、 8i0299.8%,回 收率在 99%以上,达到光学玻璃用砂的标准。. 2 化学方法化学方法主要是酸浸法和络合法,酸 浸法是利用石英不溶于酸(HF 除外),其他杂质矿物能被酸液溶解的特点,从而可以实现对石英的

纳米二氧化硅

1前言 1.1纳米二氧化硅的发展现状及前景 纳米材料是指微粒粒径达到纳米级(1~100nm)的超细材料。当粒子的粒径为纳米级时,其本身具有量子尺寸效应和宏观量子隧道效应等,因而展现出许多特有的性质,应用前景广阔。纳米SiO 是极具工业应用前景的纳米材料,它的应用领域十分广泛,几乎 2 粉体的行业。我国对纳米材料的研究起步比较迟,直到“八五计涉及到所有应用SiO 2 划”将“纳米材料”列人重大基础项目之后,这方面的研究才迅速开展起来,并取得了令人瞩目的成果。1996年底由中国科学院固体物理研究所与舟山普陀升兴公司合作,成 [1],从而使我国成为继美、英、日、德功开发出纳米材料家庭的重要一员——纳米SiO 2 国之后,国际上第五个能批量生产此产品的国家。纳米SiO 的批量生产为其研究开发提 2 供了坚实的基础。 目前,我国的科技工作者正积极投身于这种新材料的开发与应用,上海氯碱化工与华东理工大学[2]建立了连续化的1000t/a规模中试研究装置,开发了辅助燃烧反应器等核心设备,制备了性能优良的纳米二氧化硅产品,其理化性能和在硅橡胶制品中的应用性能,已经达到和超过国外同类产品指标。专家鉴定认为,纳米二氧化硅氢氧焰燃烧合成技术、燃烧反应器和絮凝器等关键设备及应用技术具有创新性,该成果总体上达到国际先进水平,其中在预混合辅助燃烧新型反应器和流化床脱酸两项核心技术方面达到了国际领先水平,对于突破国际技术封锁具有重大价值。但总地来讲,我国纳米SiO 的生 2 产与应用还落后于发达国家,该领域的研究工作还有待突破。 1.2 纳米二氧化硅的性质[3]~[5] 纳米二氧化硅是纳米材料中的重要一员,为无定型白色粉末,是一种无毒、无味、无污染的非金属材料。微结构呈絮状和网状的准颗粒结构,为球形。这种特殊结构使它具有独特的性质: 纳米二氧化硅对波长490 nm以内的紫外线反射率高达70%~80%,将其添加在高分子材料中,可以达到抗紫外线老化和热老化的目的。 纳米二氧化硅的小尺寸效应和宏观量子隧道效应使其产生淤渗作用,可深入到高分子链的不饱和键附近,并和不饱和键的电子云发生作用,改善高分子材料的热、光稳定性和化学稳定性,从而提高产品的抗老化性和耐化学性。 纳米二氧化硅在高温下仍具有强度、韧度和稳定性高的特点,将其分散在材料中,

高纯硅的制备

高纯硅的制备一般首先由硅石(SiO2)制得工业硅(粗硅),再制成高纯的多晶硅,最后拉制成半导体材料硅单晶。 工业上是用硅石(SiO2)和焦炭以一定比例混合,在电炉中加热至1600~1800℃而制得纯度为95%~99%的粗硅,其反应如下:SiO2+2C=Si+2CO 粗硅中一般含有铁、铝、碳、硼、磷、铜等杂质,这些杂质多以硅化构成硅酸盐的形式存在,为了进一步提高工业粗硅的纯度,可采用酸浸洗法,使杂质大部分溶解(有少数的碳化硅不溶)。其生产工艺过程是:将粗硅粉碎后,依次用盐酸、王水、(HF+H2SO4)混合酸处理,最后用蒸馏水洗至中性,烘干后可得含量为%的工业粗硅。 高纯多晶硅的制备方法很多,据布完全统计有十几种,但所有的方法都是从工业硅(或称硅铁,因为含铁较多)开始,首先制取既易提纯又易分解(即还原)的含硅的中间化合物如SiCl4、SiHCl3、SiH4等,再使这些中间化合物提纯、分解或还原成高纯度的多晶硅 目前我国制备高纯硅多晶硅主要采用三氯氢硅氢还原法、硅烷热解法和四氯化硅氢还原法。一般说来,由于三氯氢硅还原法具有一定优点,目前比较广泛的被应用。此外,由于SiH4具有易提纯的特点,因此硅烷热分解法是制备高纯硅的很有发展潜力的方法。下面我们就分别介绍上述三种方法制备高纯硅的化学原理。 1. 三氯氢硅还原法 (1)三氯氢硅的合成 第一步:由硅石制取粗硅硅石(SiO2)和适量的焦炭混合,并在电炉内加热至1600~1800℃ 可制得纯度为95%~99%的粗硅。其反应式如下: SiO2+3C=SiC+2CO(g)↑

2SiC+SiO2=3Si+2CO(g)↑ 总反应式: SiO2+2C=Si+2CO(g)↑ 生成的硅由电炉底部放出,浇铸成锭。用此法生产的粗硅经酸处理后,其纯度可达到%。 第二步:三氯氢硅的合成三氯氢硅是由干燥的氯化氢气体和粗硅粉在合成炉中(250℃)进行合成的。其主要反应式如下:Si+3HCl=SiHCl3+H2(g) (2)三氯氢硅的提纯 由合成炉中得到的三氯氢硅往往混有硼、磷、砷、铝等杂质,并且它们是有害杂质,对单晶硅质量影响极大,必须设法除去。 近年来三氯氢硅的提纯方法发展很快,但由于精馏法工艺简单、操作方便,所以,目前工业上主要用精馏法。三氯氢硅精馏是利用三氯氢硅与杂质氯化物的沸点不同而分离提纯的。 一般合成的三氯氢硅中常含有三氯化硼(BCl3)、三氯化磷(PCl3)、四氯化硅(SiCl4)、三氯化砷(AsCl3)、三氯化铝(Al2Cl3)等氯化物。其中绝大多数氯化物的沸点与三氯氢硅相差较大,因此通过精馏的方法就可以将这些杂质除去。但三氯化硼和三氯化磷的沸点与三氯氢硅相近,较难分离,故需采用高效精馏,以除去这两种杂质。精馏提纯的除硼效果有一定限度,所以工业上也采用除硼效果较好的络合物法。 三氯氢硅沸点低,易燃易爆,全部操作要在低温下进行,一般操作环境温度不得超过25℃,并且整个过程严禁接触火星,以免发生爆炸性的燃烧。

二氧化硅与信息材料

二氧化硅与信息材料 专题3:第三单元含硅矿物与信息材料――二氧化硅与信息材料【学海导航】 1、知道二氧化硅的物理性质和化学性质。了解二氧化硅制品在高科技信息产业中的应用。 2、认识单晶硅的使用给人类文明进程所带来的重大影响。【主干知识】一、二氧化硅(SiO2) 1、存在:二氧化硅广泛存在于自然界中,与其他矿物共同构成了岩石。天然二氧化硅的矿物有:硅石、水晶、石英、玛瑙、石英砂等。 2、物理性质:①状态:;②熔、沸:;③硬度:; ④水溶性。 3、化学性质:(1)结构:二氧化硅晶体与金刚石结构相似,具有高硬度、高熔沸点特征。(2)具有酸性氧化物的通性;①二氧化硅与氧化钙(高温): SiO2+CaO―― ②二氧化硅与氢氧化钠溶液: SiO2+NaOH―― 〖思考〗实验室盛放碱液的试剂瓶常用塞,不用塞,就是为了防止玻璃受碱液腐蚀生成Na2SiO3而使瓶口和塞子粘在一起。写出反应的离子方程式:。③二氧化硅与碳酸钠(高温): SiO2+Na2CO3―― (3)不跟酸(除外)反应: SiO2+HF―― (雕刻玻璃、腐蚀玻璃)(4)与C反应(高温):①SiO2+C―― ②SiO2+C―― 4、用途:即为硅石、水晶、石英、玛瑙、石英砂等的用途。用于制造光导纤维、石英玻璃、电子光学仪器、精密仪器轴承、耐磨器皿等。二、硅 1、物理性质:晶体硅是色、有金属光泽、硬而脆的固体,熔点和沸点都很,硬度也很大(因为它的结构类似于金刚石),是良好的材料,广泛应用于电子的各个领域。 2、化学性质:很稳定(1)常温下不与O2、Cl2、H2、浓H2SO4、浓HNO3等反应。(2)加热或高温时有强还原性: Si + O2?D?D Si+ C?D?D Si+ Cl2?D?D (3)常温下能与氟气(F2)、氢氟酸(HF)反应: Si十 F2?D?D Si十 HF?D?D 3、硅的制备工业上用炭自在高温下还原二氧化硅的方法,制得含有少量杂质的粗硅。将粗硅在高温下跟氯气气反应生成四氯化硅,四氯化硅经提纯后,再用氢气还原,就可以得到高纯度的硅。工业制法:二氧化硅-→粗硅-→四氯化硅-→精硅(写出化学方程式)(1)SiO2+ C?D?D (制粗硅)(2) Si+ Cl2?D?D (分馏、提纯)(3) SiCl4+ H2?D?D +(制纯硅)【课堂练习1】地

光电子材料与器件课后习题答案

3.在未加偏置电压的条件下,由于截流子的扩散运动,p 区和n 区之间的pn 结附近会形成没有电子和空穴分布的耗尽区。在pn 结附近,由于没有电子和空穴,无法通过电子-空穴对的复合产生光辐射。加上正向偏置电压,驱动电流通过器件时,p 区空穴向n 区扩散,在pn 结附近形成电子和空穴同时存在的区域。电子和空穴在该区通过辐射复合,并辐射能量约为Eg 的光子,复合掉的电子和空穴由外电路产生的电流补充。 5要满足以下条件a 满足粒子数反转条件,即半导体材料的导带与价带的准费米能级之差不小于禁带宽度即B.满足阈值条件,半导体由于粒子数产生的增益需要能够补偿工作物质的吸收、散射造成的损耗,以及谐振腔两个反射面上的透射、衍射等原因产生的损耗。即 第二章课后习题 1、工作物质、谐振腔、泵浦源 2、粒子数反转分布 5a.激光介质选择b.泵浦方式选择c 、冷却方式选择d 、腔结构的选择e 、模式的选择f 、整体结构的选择 第三章课后习题 10.要求:对正向入射光的插入损耗值越小越好,对反向反射光的隔离度值越大越好。原理:这种光隔离器是由起偏器与检偏器以及旋转在它们之间的法拉第旋转器组成。起偏器将输入光起偏在一定方向,当偏振光通过法拉第旋转器后其偏振方向将被旋转45度。检偏器偏振方向正好与起偏器成45度,因而由法拉第旋转器出射的光很容易通过它。当反射光回到隔离器时,首先经过起偏器的光是偏振方向与之一至的部分,随后这些这些光的偏振方向又被法拉第旋转器旋转45度,而且与入射光偏振方向的旋转在同一方向上,因而经过法拉第旋转器后的光其偏振方向与起偏器成90度,这样,反射光就被起偏器所隔离,而不能返回到入射光一端。 15.优点:A 、采用光纤耦合方向,其耦合效率高;纤芯走私小,使其易于达到高功率密度,这使得激光器具有低的阈值和高的转换效率。B 、可采用单模工作方式,输出光束质量高、线宽窄。C 、可具有高的比表面,因而散热好,只需简单风冷即可连续工作。D 、具有较多的可调参数,从而可获得宽的调谐范围和多种波长的选择。E 、光纤柔性好,从而使光辉器使用方便、灵巧。 由作为光增益介质的掺杂光纤、光学谐振腔、抽运光源及将抽运光耦合输入的光纤耦合器等组成。 原理:当泵浦激光束通过光纤中的稀土离子时,稀土离子吸收泵浦光,使稀土原子的电子激励到较高激发态能级,从而实现粒子数反转。反转后的粒子以辐射跃迁形式从高能级转移到基态。 g v c E F F 211ln 21R R L g g i th

纳米二氧化硅价格

在我们的认知里,厂家进行直接销售是有利于顾客进行购买的,首先没有了繁琐的分销渠道费用,也少了中间商赚取差价的机会,所以其性价比高的价格优势得以体现,也让很多顾客一直在寻找厂家价格。下面由纳米二氧化硅厂家恒力特新材料为您介绍下它的相关知识,能够帮助您在购买此产品时有全面的认知。 纳米二氧化硅在高性能混凝土中添加水泥用量的1~6%,可使抗压强度提高1倍,并可改善混凝土工作性——可塑性、泵送性、保水性、防泌水性、抗渗性、抗冻性等。适量加入水泥中改性使用,她与游离钙结合即生成硅酸钙凝胶,填充水泥石结构缝隙,使短命的水泥混凝土成为耐久的人造石。 纳米二氧化硅复合少量钛白粉、氧化锌等可成为高分散轻质活性

补强粉体,加入橡胶中可生产优质飞机、汽车轮胎。配制功能性纳米复合材料,可广泛应用于新型建材、橡塑制品、油漆涂料、玻璃钢、工程陶瓷、纺织人革、胶粘剂、炼钢脱氢剂、水晶制品…… 纳米二氧化硅的“海绵体”轻质特性,可作为活性载体,分散吸纳各种颜料、药物、化工材料等,生产各种功能材料制品,如隐形飞机涂料、防辐射抗紫外线材料、屏蔽电磁波、降解涂料中甲醇等有害物,抗菌、抗静电、导电、储能电池、医药制药赋形、化工催化促进、纺织保健……。 纳米二氧化硅是新材料革命的“女神”,也是“为民造福的基础原材料”,电子时代的战备物资、太阳能电池的储能材料。它的用途和潜在市场可改变一个国家,一个地区的经济结构! 恒力特新材料是集科技研发、生产、销售为一体的高新技术企业,是国内和华东地区橡胶助剂骨干企业,恒力特牌橡胶防老剂 8PPD-35、BLE、BLE-W、BLE-C、SP、SP-C、AW、DFC-34等系

《光电子技术》狄红卫版..

光电子技术又是一个非常宽泛的概念,它围绕着光信号的产生、传输、处理和接收,涵盖了新材料(新型发光感光材料,非线性光学材料,衬底材料、传输材料和人工材料的微结构等)、微加工和微机电、器件和系统集成等一系列从基础到应用的各个领域。光电子技术科学是光电信息产业的支柱与基础,涉及光电子学、光学、电子学、计算机技术等前沿学科理论,是多学科相互渗透、相互交叉而形成的高新技术学科。 光子学也可称光电子学,它是研究以光子作为信息载体和能量载体的科学,主要研究光子是如何产生及其运动和转化的规律。所谓光子技术,主要是研究光子的产生、传输、控制和探测的科学技术。现在光子学和光子技术在信息、能源、材料、航空航天、生命科学和环境科学技术中的广泛应用,必将促进光子产业的迅猛发展。光电子学是指光波波段,即红外线、可见光、紫外线和软X射线(频率范围3×1011Hz~3×1016Hz或波长范围1mm~10nm)波段的电子学。光电子技术在经过80年代与其相关技术相互交叉渗透之后,90年代,其技术和应用取得了飞速发展,在社会信息化中起着越来越重要的作用。光电子技术研究热点是在光通信领域,这对全球的信息高速公路的建设以及国家经济和科技持续发展起着举足轻重的推动作用。国内外正掀起一股光子学和光子产业的热潮。 1.1可见光的波长、频率和光子的能量范围分别是多少? 波长:380~780nm 400~760nm 频率:385T~790THz 400T~750THz 能量:1.6~3.2eV 1.2辐射度量与光度量的根本区别是什么?为什么量子流速率的计算公式中不能出现光度量? 为了定量分析光与物质相互作用所产生的光电效应,分析光电敏感器件的光电特性,以及用光电敏感器件进行光谱、光度的定量计算,常需要对光辐射给出相应的计量参数和量纲。辐射度量与光度量是光辐射的两种不同的度量方法。根本区别在于:前者是物理(或客观)的计量方法,称为辐射度量学计量方法或辐射度参数,它适用于整个电磁辐射谱区,对辐射量进行物理的计量;后者是生理(或主观)的计量方法,是以人眼所能看见的光对大脑的刺激程度来对光进行计算,称为光度参数。因为光度参数只适用于0.38~0.78um的可见光谱区域,是对光强度的主观评价,超过这个谱区,光度参数没有任何意义。而量子流是在整个电磁辐射,所以量子流速率的计算公式中不能出现光度量.光源在给定波长λ处,将λ~λ+d λ范围内发射的辐射通量dΦe,除以该波长λ的光子能量hν,就得到光源在λ处每秒发射的光子数,称为光谱量子流速率。 1.3一只白炽灯,假设各向发光均匀,悬挂在离地面1.5m的高处,用照度计测得正下方地面的照度为30lx,求出该灯的光通量。 Φ=L*4πR^2=30*4*3.14*1.5^2=848.23lx 1.4一支氦-氖激光器(波长为63 2.8nm)发出激光的功率为2mW。该激光束的平面发散角为1mrad,激光器的放电毛细管为1mm。 求出该激光束的光通量、发光强度、光亮度、光出射度。 若激光束投射在10m远的白色漫反射屏上,该漫反射屏的发射比为0.85,求该屏上的光亮度。

光电子材料与器件题库

《光电子材料与器件》题库 选择题: 1. 如下图所示的两个原子轨道沿z轴方向接近时,形成的分子轨道类型为( A ) (A) *σ(B) σ(C) π(D) *π 2. 基于分子的对称性考虑,属于下列点群的分子中不可能具有偶极矩的为(C)(A)C n(B)C n v(C)C2h(D)C s 3. 随着温度的升高,光敏电阻的光谱特性曲线的变化规律为(B)。 (A)光谱响应的峰值将向长波方向移动 (B)光谱响应的峰值将向短波方向移动 (C)光生电流减弱 (D)光生电流增强 4. 利用某一CCD来读取图像信息时,图像积分后每个CCD像元积聚的信号在同一时刻先转移到遮光的并行读出CCD中,而后再转移输出。则该CCD的类型为(B ) (A)帧转移型CCD (B)线阵CCD (C)全帧转移型CCD (D)行间转移CCD 5. 对于白光LED器件,当LED基片发射蓝光时,其对应的荧光粉的发光颜色应该为(D) (A)绿光(B)紫光(C)红光(D)黄光 6. 在制造高效率太阳能电池所采取的技术和工艺中,下列不属于光学设计的为(C) (A)在电池表面铺上减反射膜; (B)表面制绒; (C)把金属电极镀到激光形成槽内; (D)增加电池的厚度以提高吸收 7. 电子在原子能级之间跃迁需满足光谱选择定则,下列有关跃迁允许的表述中,不正确的是(B ): (A)总角量子数之差为1 (B)主量子数必须相同 (C)总自旋量子数不变

(D)内量子数之差不大于2 8. 物质吸收一定波长的光达到激发态之后,又跃迁回基态或低能态,发射出的荧光波长小于激发光波长,称为(B)。 (A)斯托克斯荧光(B)反斯托克斯荧光(C)共振荧光(D)热助线荧光9. 根据H2+分子轨道理论,决定H原子能否形成分子的主要因素为H原子轨道的(A ) (A)交换积分(B)库仑积分(C)重叠积分(D)置换积分 10. 下列轨道中,属于分子轨道的是(C) (A)非键轨道(B)s轨道(C)反键轨道(D)p 轨道 11. N2的化学性质非常稳定,其原因是由于分子中存在(D ) (A)强σ 键(B)两个π键(C)离域的π键(D)N N≡三键12. 测试得到某分子的光谱处于远红外范围,则该光谱反映的是分子的(B )能级特性。 (A)振动(B)转动(C)电子运动(D)电声子耦合 13.下列的对称元素中,所对应的对称操作属于虚动作的是(C ) (A)C3 (B)E(C)σh(D)C6 14. 某晶体的特征对称元素为两个相互垂直的镜面,则其所处的晶系为(C)(A)四方晶系(B)立方晶系(C)正交晶系(D)单斜晶系 15. 砷化镓是III-V族化合物半导体,它的晶体结构是(D)。 (A)NaCl 结构(B)纤锌矿结构(C)钙钛矿结构(D)闪锌矿结构16. 原子轨道经杂化形成分子轨道时,会发生等性杂化或非等性杂化。下列物质中化学键属于不等性杂化的是(B)。 (A)CH4(B)H2O (C)石墨烯(D)金刚石 17. 关于金属的特性,特鲁德模型不能成功解释的是(A ) (A)比热(B)欧姆定律(C)电子的弛豫时间(D)电子的平均自由程18. 下列有关半导体与绝缘体在能带上的说法中,正确的是(B )。 (A)在绝缘体中,电子填满了所有的能带 (B)在0 K下,半导体中能带的填充情况与绝缘体是相同的 (C)半导体中禁带宽度比较大 (D)绝缘体的禁带宽度比较小 19. 在非本征半导体中,载流子(电子和空穴)的激发方式为(B)? (A)电(B)热(C)磁(D)掺杂 20.在P型半导体材料中,杂质能级被称之为(C)。 (A)施主能级(B)深陷阱能级(C)受主能级(D)浅陷阱能级

纳米二氧化硅

纳米二氧化硅 简介: 为相关工业领域的发展提供了新材料基础和技术保证。由于它在磁性、催化性、光吸收、热阻和熔点等方面与常规材料相比显示出特异功能,因而得到人们的极大重视。一、XZ-G01二氧化硅产品的主要技术指标,含量:99.99 % 水分≤0.01 二、XZ-G01二氧化硅用途1、涂料及饱和树脂的增稠剂和触变剂;2、平光剂:家具漆有向亚光方向发展的趋势,列沦清漆或色漆均可使用超细二氧化硅凝胶产品作为平光剂,另外卷材涂层、PVC、塑料壁纸、雨衣帐篷等平光剂亦可使用此类产品。3、聚乙烯、聚苯烯、无毒聚氯乙稀薄膜抗阻塞剂/开口剂。三.XZ-G01二氧化硅在高分子工业中的应用它广泛地应用于橡胶、塑料、电子、涂料、陶(搪)瓷、石膏、蓄电池、颜料、胶粘剂、化妆品、玻璃钢、化纤、有机玻璃、环保等诸多领域。 应用范围 由于纳米二氧化硅SP30具有小尺寸效应,表面界面效应、量子尺寸效应和宏观量子遂道效应和特殊光、电特性、高磁阻现象、非线性电阻现象以及在高温下仍具的高强、高韧、稳定性好等奇异性,纳米二氧化硅可广泛应用各个领域,具有广阔的应用前景和巨大的商业价值。纳米二氧化硅是应用较早的纳米材料之一,关于纳米SiO2在橡胶改性、工程塑料、陶瓷、生物医学、光学、建材、树脂基复合材料改性中的应用已有过许多报道,这里重点介绍纳米氧化硅SP30)在其他领域的应用进展。 4.1在涂料领域 纳米二氧化硅具有三维网状结构,拥有庞大的比表面积,表现出极大的活性,能在涂料干燥时形成网状结构,同时增加了涂料的强度和光洁度,而且提高了颜料的悬浮性,能保持涂料的颜色长期不退色。在建筑内外墙涂料中,若添加纳米氧化硅,可明显改善涂料的开罐效果,涂料不分层,具有触变性、防流挂、施式性能良好,尤其是抗沾污染性能大大提高,具有优良的自清洁能力和附着力。纳米SiO2还可与有机颜料配用,可获得光致变色涂料,M.P .J .Peeters 等用溶胶凝胶法合成了含纳米二氧化硅SP30的全透明的耐温涂料 H.Schmidt 等合成了很厚的含纳米SiO2的涂料,并耐高温,在500℃下没有出现裂缝,Fayna Mamme ri等合成了P MMA- SiO2纳米涂料。明显增强了涂料的弹性和强度。

光电子技术题库

选择题 1.光通量的单位是( B ). A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯 2. 辐射通量φe的单位是( B ) A 焦耳 (J) B 瓦特 (W) C每球面度 (W/Sr) D坎德拉(cd) 3.发光强度的单位是( A ). A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯 4.光照度的单位是( D ). A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯 5.激光器的构成一般由( A )组成 A.激励能源、谐振腔和工作物质 B.固体激光器、液体激光器和气体激光器 C.半导体材料、金属半导体材料和PN结材料 D. 电子、载流子和光子 6. 硅光二极管在适当偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且 动态范围较大。适当偏置是(D) A 恒流 B 自偏置 C 零伏偏置 D 反向偏置 7.2009年10月6日授予华人高锟诺贝尔物理学奖,提到光纤以SiO2为材料的主要是由于( A ) A.传输损耗低 B.可实现任何光传输 C.不出现瑞利散射 D.空间相干性好

8.下列哪个不属于激光调制器的是( D ) A.电光调制器 B.声光调制器 C.磁光调制器 D.压光调制器 9.电光晶体的非线性电光效应主要与( C )有关 A.内加电场 B.激光波长 C.晶体性质 D.晶体折射率变化量 10.激光调制按其调制的性质有( C ) A.连续调制 B.脉冲调制 C.相位调制 D.光伏调制 11.不属于光电探测器的是( D ) A.光电导探测器 B.光伏探测器 C.光磁电探测器 D.热电探测元件 https://www.sodocs.net/doc/6517091221.html,D 摄像器件的信息是靠( B )存储 A.载流子 B.电荷 C.电子 D.声子 13.LCD显示器,可以分为( ABCD ) A. TN型 B. STN型 C. TFT型 D. DSTN型 14.掺杂型探测器是由( D )之间的电子-空穴对符合产生的,激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。 A.禁带 B.分子 C.粒子 D.能带

纳米二氧化硅的用途

纳米二氧化硅的用途 , 纳米二氧化硅是极其重要的高科技超微细无机新材料之一,由于其粒径很小,因此比表面积大,表面吸附力强,表面能大,化学纯度高、分散性能好、热阻、电阻等方面具有特异的性能,以其优越的稳定性、补强性、增稠性和触变性,在众多学科及领域内独具特性,有着不可取代的作用。纳米二氧化硅俗称“超微细白炭黑”,广泛用于各行业作为添加剂、催化剂载体,石油化工,脱色剂,消光剂,橡胶补强剂,塑料充填剂,油墨增稠剂,金属软性磨光剂,绝缘绝热填充剂,高级日用化妆品填料及喷涂材料、医药、环保等各种领域。并为相关工业领域的发展提供了新材料基础和技术保证。由于它在磁性、催化性、光吸收、热阻和熔点等方面与常规材料相比显示出特异功能,因而得到人们的极大重视。 (一)、电子封装材料 有机物电致发光器材(OELD)是目前新开发研制的一种新型平面显示器件,具有开启和驱动电压低,且可直流电压驱动,可与规模集成电路相匹配,易实现全彩色化,发光亮度高(>105cd/m2)等优点,但OELD器件使用寿命还不能满足应用要求,其中需要解决的技术难点之一就是器件的封装材料和封装技术。目前,国外(日、美、欧洲等)广泛采用有机硅改性环氧树脂,即通过两者之间的共混、共聚或接枝反应而达到既能降低环氧树脂内应力又能形成分子内增韧,提高耐高温性能,同时也提高有机硅的防水、防油、抗氧性能,但其需要的固化时间较长(几个小时到几天),要加快固化反应,需要在较高温度(60?至100?以上)或增大固化剂的使用量,这不但增加成本,而且还难于满足大规模器件生产线对封装材料的要求(时间短、室温封装)。将经表面活性处理后的纳米二氧化硅充分分散在有机硅改性环氧树脂封装胶基质中,可以大幅度地缩短封装材料固化时间(为2.0-2.5h),且固化温

纳米二氧化硅的制备

纳米二氧化硅的制备 专业:凝聚态学号:51110602021 作者:张红敏 摘要 本文简单综述了一下纳米二氧化硅的各种制备方法,包括化学沉淀法、气相法、溶胶-凝胶法、微乳液法、超重力法、机械粉碎法,并对未来制备纳米二氧化硅的方法提出了一点展望。 关键词:纳米二氧化硅,制备,展望

1. 引言 纳米二氧化硅为无定型白色粉末,是一种无毒、无味、无污染的无机非金属材料,其颗粒尺寸小,粒径通常为20~200nm,化学纯度高,分散性好,比表面积大,耐磨、耐腐蚀,是纳米材料中的重要一员。由于纳米二氧化硅表面存在不饱和的双键以及不同键合状态的羟基,具有常规粉末材料所不具备的特殊性能,如小尺寸效应、表面界面效应、量子隧道效应、宏观量子隧道效应和特殊光电性等特点[1],因而表现出特殊的力学、光学、电学、磁学、热学和化学特性,加上近年来随着纳米二氧化硅制备技术的发展及改性研究的深入, 纳米二氧化硅在橡胶、塑料、涂料、功能材料、通讯、电子、生物学以及医学等诸多领域得到了广泛的应用。 2. 纳米二氧化硅的制备 经过收集资料,查阅一些教科书籍和文献,发现二氧化硅有各种形形色色不同的制备方法, 主要包括化学沉淀法、气相法、溶胶-凝胶法、微乳液法、超重力法、机械粉碎法等等。现在一个个介绍如下: 2.1. 化学沉淀法 化学沉淀法是目前生产纳米二氧化硅最主要的方法。这种方法的基本原理是利用金属盐或碱的溶解度, 调节溶液酸度、温度、溶剂, 使其产生沉淀, 然后对沉淀物进行洗涤、干燥、热处理制成超细粉体[2]。 可以采用硅酸钠和氯化铵为原料, 以乙醇水溶液为溶剂, 采用化学沉淀法制备得到纳米SiO2[3]。将去离子水与无水乙醇以一定浓度混合盛于三口瓶中, 加入一定质量的硅酸钠和少量分散剂, 置于恒温水浴中, 凋节至40±1℃, 搅拌状态下加入氯化铵溶液, 即出现乳白色沉淀, 洗涤, 抽滤, 100℃烘干,置于马弗炉450 ℃焙烧1h, 得到白色轻质的SiO2 粉末。所得SiO2颗粒为无定形结构, 近似球形, 粒径30~50nm, 部分颗粒间通过聚集相互联结, 表面有蜂窝状微孔。 以水玻璃(模数为3.3)和盐酸为原料[4],在超级恒温水浴中控制在40~50℃左右进行沉淀反应, 控制终点pH 值5~6, 得到的沉淀物采用离心法洗涤去掉Cl-, 然后在110℃下干燥12 h, 再于500℃进行焙烧即可得到产品。制得SiO2粒

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