第6章 半导体存储器

6 习题参考答案

6.1 ROM 有哪些种类？各有何特点？

6.2 指出下列的ROM 存储系统各具有多少个存储单元，应有地址线、数据线、字线和位线各多少根？

6.3 一个有16384个存储单元的ROM ，它的每个字是8位。试问它应有多少个字？有多少根地址线和数据线？

6.4 已知 ROM 如图6.21所示，试列表说明ROM 存储的内容。

A 1

A 图6.21 题6.4的图

解： 存储的数据为01、11、00、10

6.5 ROM 点阵图及地址线上的波形图如图6.22所示，试画出数据线D 3～D 0上的波形图。

A 1

A 0

图6.22 题6.5的图

解：

10A A 3210D D D D 0 00 11 01 10 0 1 11 1 1 00 1 0 0

1 0 1 1

A 1A 0

D 0

D 1D 2

D 3

6.6 试用ROM 设计一个组合逻辑电路，用来产生下列一组逻辑函数。画出存储矩阵的

点阵图。

D

B D B Y D B D A

C

D C B B A Y D C A D B A D C B A Y D

ABC D C AB D C B A D C B A Y +=+++=++=+++=4321

解：

1234(5,10,13,14)(9,10,11,13)

(1,3,4,5,6,7,9,10,11,13,14)(1,3,4,6,9,11,12,14)

Y ABCD ABCD ABCD ABCD m Y ABCD ABD ACD m Y AB BCD ACD BD m Y BD BD m =+++=∑=++=∑=+++=∑=+=∑

A B C D

Y 4

Y 3

Y 2

Y 1

输出

6.7 试用ROM 设计一个实现8421BCD 码到余3码转换的逻辑电路，要求选择EPROM 的容量，画出简化阵列图。

解：列写真值表，作电路图，选用16×4的EPROM 。

3210B B B B 0 0 1 10 1 0 03210A A A A 0 0 0 00 0 0 10 0 1 00 0 1 10 1 0 00 1 0 10 1 1 00 1 1 11 0 0 01 0 0 10 1 0 10 1 1 00 1 1 11 0 0 01 0 0 11 0 1 01 0 1 11 1 0 0

8421码余3码

A A A A

6.8 图6.23是用ROM 构成的七段译码电路框图，A 0～A 3为ROM 的输入端。L T 为试灯输入端；当LT = 1时，无论二进制数为何值，数码管七段全亮； 当LT = 0时，数码管显示与输入的四位二进制码（8421）所对应的十进制数。试列出实现上述功能的ROM 数据表，并画出ROM 的阵列图。（采用共阴极数码管）。

a

a b

b c c d d e

f

e f

g

g

ROM A 0A 1A 2A 3LT

图6.23 习题6.8的图

解：列写真值表，作电路图，选用32×8的EPROM 。

1 1 1 1 1 1 0 3210LTA A A A 0 0 0 00 0 0 10 0 1 00 0 1 10 1 0 00 1 0 10 1 1 00 1 1 11 0 0 01 0 0 10 1 1 0 0 0 01 1 0 1 1 0 11 1 1 1 0 0 1输入

输出

000000000000

01 1 0 1 01 1 1 1 a b c d e f g

0 1 1 0 0 1 11 0 1 1 0 1 11 0 1 1 1 1 11 1 1 0 0 0 01 1 1 1 1 1 11 1 1 1 0 1 10 0 0 0 0 0 00 0 0 0 0 0 0x x x x

1 1 1 1 1 1 1

A B C D

e f c d b a 输出

g

6.9 如图6.24所示的电路是用3位二进制计数器和8×4 EPROM 组成的波形发生器电

路。在某时刻EPROM 存储的二进制数码如表6.5所示，试画出CP 和Y 0～Y 3的波形。

三位二进制计数器

EPROM

Q 1Q 0A 0

Q 2A 1

A 2D 1

D 0D 2

D 3

Y 1Y 0Y 2Y 3

CP

图6.24 题6.9的图

表6.5 题6.9的 EPROM 数据表

解：作波形图如下

CP Y 3

Y 2Y 1

Y 0

6.10 ROM 和 RAM 有什么相同之处？只读存储器写入信息有几种方式？

解：ROM 和 RAM 的相同之处：在结构上都有地址译码矩阵，存在字线和位线，都能按字从存储单元读出数据。

只读存储器写入信息方式有：掩模、编程器写入。

6.11 某台计算机的内部存储器设置有32位的地址线，16位并行数据输入/输出端，试计算它的最大存储量为多少？

解：232×16=67108864=4096M ×16

6.12 一个有32768个存储单元的RAM ，它能存储4096个字。试问每个字是多少位？此存储器应有多少根地址线？多少根数据线？

解：32768÷4096=8 2n =4096 n=12

6.13 一个容量为512×4位的RAM ，需要多少根地址线？多少根数据线？共有多少个存储单元？每次可以访问多少个存储单元？

解：

6.14 设一片RAM 芯片的字数n, 位数为d ，扩展后的字数为N ，位数为D ，求需要的片数x 的公式。

解：分别确定字扩展和位扩展所需要的芯片数，然后把二者相乘。当N

n

不是整数时，取不小于

N n 的整数，当D d 不是整数时，取不小于D

d

的整数。当二者都为整数时有： N D

x n d

=

? 6.15 已知4×4

位RAM 如图6.25所示。如果把它们扩展成8×8位RAM ，问: （1） 需要几片4×4位RAM ；

（2） 画出扩展电路图（可以用少量的非门）。

图6.25 题6.16的图

解：（1） 需要4片4×4位RAM 。 （2）扩展电路图

A A R/W A 2

I /O I/O 1I/O 2I/O 3

I /O I/O 5I/O 6I/O 7

6.16 256×4 位 RAM 芯片的符号图如图6.26所示。试用位扩展的方法组成256×8 位 RAM ，并画出逻辑图。

图6.26 题6.17的图

解：作图如下：

A 1A 0A 3A 2A 5A 7

A 6A 4R/W

CS I/O 0

I/O 1

I/O 2

I/O 3

6.17 试用4片2114（2144是静态RAM ，其存储容量为1024×4位）和3线—8线译码器74LS138组成4096×4位的RAM 。

解

I /O I/O 1I/O 2I/O 3

1011

此题对于74138的A 2A 1A 0与A 11A 10的连接，可以有多种选择，当然上图所示的连接形式，最直接也最明显，但其他连接形式也是选项之一。具体连接形式如下表：

74138

0(1) CS A 2 A 1 A 0RAM 2114(2)CS (3)CS (4)CS

A 11A 10

Y 0 Y 1 Y 2 Y 31A 11A 10

Y 4 Y 5 Y 6 Y 70

A 11A 10Y 0 Y 2 Y 4 Y 61A 11A 10Y 1 Y 3 Y 5 Y 70A 11Y 0 Y 1 Y 4 Y 5A 101A 11Y 2 Y 3 Y 6 Y 7

A 10

6.18 试用16片2114（2144是静态RAM ，其存储容量为1024×4位）和3线—8线译码器74LS138接成8K×8位的RAM 。

解：此题既要求位扩展，又要求字扩展。可先用2片2114扩展成1024×8；再利用74LS138和8片已扩展的1024×8进行字扩展，具体电路连接图省略。

A 9

A 8A 1A 0A 3A 2A 5A 7A 6A 4R/W /O I/O I/O 6I/O CS

数字电路与逻辑设计习题7第七章半导体存储器(精)

第七章半导体存储器 一、选择题 1．一个容量为1K ×8的存储器有个存储单元。 A.8 B.8K C.8000 D.8192 2．要构成容量为4K ×8的R AM ，需要片容量为256×4的R AM 。 A.2 B.4 C.8 D. 32 3．寻址容量为16K ×8的RAM 需要根地址线。 A.4 B. 8 C.14 D. 16 E.16K 4．若R AM 的地址码有8位，行、列地址译码器的输入端都为4个，则它们的 输出线（即字线加位线）共有条。 A.8 B.16 C.32 D.256 5．某存储器具有8根地址线和8根双向数据线，则该存储器的容量为。 A.8×3 B.8K ×8 C. 256×8 D. 256×256 6. 采用对称双地址结构寻址的1024×1的存储矩阵有。 A.10行10列 B.5行5列 C.32行32列 D. 1024行1024列 7．随机存取存储器具有功能。 A. 读/写 B. 无读/写 C. 只读 D. 只写 8．欲将容量为128×1的R AM 扩展为1024×8，则需要控制各片选端的辅助译

码器的输出端数为。 A.1 B.2 C.3 D. 8 9．欲将容量为256×1的R AM 扩展为1024×8，则需要控制各片选端的辅助译 码器的输入端数为。 A.4 B.2 C.3 D. 8 10．只读存储器ROM 在运行时具有功能。 A. 读/无写 B. 无读/写 C. 读/写 D. 无读/无写 11．只读存储器R OM 中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容。 A. 全部改变 B. 全部为0 C. 不可预料 D. 保持不变 12．随机存取存储器RAM 中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容。 A. 全部改变 B. 全部为1 C. 不确定 D. 保持不变 13．一个容量为512×1的静态RAM 具有。 A. 地址线9根，数据线1根 B. 地址线1根，数据线9根 C. 地址线512根，数据线9根 D. 地址线9根，数据线512根 14．用若干R AM 实现位扩展时，其方法是将相应地并联在一起。 A. 地址线 B. 数据线 C. 片选信号线 D. 读/写线 15．PROM 的与陈列（地址译码器）是。 A. 全译码可编程阵列 B. 全译码不可编程阵列

06第六章半导体存储器(2学时)

第六章半导体存储器2学时基本知识： 1、半导体存储器的基本概念、以及性能技术指标； 2、半导体存储器的功能分类； 3、SRAM存储单元的基本电路结构； 4、RAM的读/写操作； 5、掩膜ROM的基本结构与基本特性； 6、可编程ROM的基本结构与基本特性； 重点知识： 1、正确理解存储容量的概念； 2、正确理解RAM的基本结构组成； 3、熟练掌握RAM存储容量的扩展方法； 4、正确使用常规半导体存储器； 难点知识： 1、半导体存储器的结构组成的理解；

课后练习:P383-7.1.2、7.1.52、RAM存储容量的扩展方法；

序言 随着半导体集成工艺的不断进步，电路的集成度越来越高。目前，大规模集成电路LSI日新月异，LSI电路的一个重要应用领域就是半导体存储器。 半导体存储器就是存储大量二值数据的半导体器件，是数字系统必不可少的组成部分。这种存储包括：存储文字的编码数据、存储声音的编码数据、存储图像的编码数据。 衡量存储器性能的重要计数指标——存储容量（目前动态存储器的容量可达10亿位/片）、存取速度（一些高速存储器的存取时间仅10nS）。

1、存储容量 存储器由若干存储单元组成，每个存储单元存放一位二进制数。由若干二进制数组成的二进制数代码称为一个字，字所包含二进制 数的位数称为字长。 可见，存放一个字长为M的字需要M个存储单元，且M个存储单元为一个信息单元。 所以：存储容量就是字数N（信息单元）与字长M（位数）的乘积（即存储单元的总数）。 如：64M×8=512M （其中64M为字数或信息单元，8为字长或位数，512M为存储单元）

第七章 半导体存储器

第七章 半导体存储器 数字信息在运算或处理过程中，需要使用专门的存储器进行较长时间的存储，正是因为有了存储器，计算机才有了对信息的记忆功能。存储器的种类很多，本章主要讨论半导体存储器。半导体存储器以其品种多、容量大、速度快、耗电省、体积小、操作方便、维护容易等优点，在数字设备中得到广泛应用。目前，微型计算机的内存普遍采用了大容量的半导体存储器。 存储器——用以存储一系列二进制数码的器件。 半导体存储器的分类 根据使用功能的不同，半导体存储器可分为随机存取存储器（RAM —Random Access Memory ）和只读存储器（ROM —Read-Only memory ）。 按照存储机理的不同，RAM 又可分为静态RAM 和动态RAM 。 存储器的容量 存储器的容量=字长（n ）×字数（m ） 7.1随机存取存储器（RAM ） 随机存取存储器简称RAM ，也叫做读/写存储器，既能方便地读出所存数据，又能随时写入新的数据。RAM 的缺点是数据的易失性，即一旦掉电，所存的数据全部丢失。 一． RAM 的基本结构 由存储矩阵、地址译码器、读写控制器、输入/输出控制、片选控制等几部分组成。 存储矩阵 读/写控制器 地址译码器 地 址码输片选读/写控制输入/输出 入 图7.1—1 RAM 的结构示意框图

2 1. 存储矩阵 RAM 的核心部分是一个寄存器矩阵，用来存储信息，称为存储矩阵。 图7.1—5所示是1024×1位的存储矩阵和地址译码器。属多字1位结构，1024个字排列成32×32的矩阵，中间的每一个小方块代表一个存储单元。为了存取方便，给它们编上号，32行编号为X 0、X 1、…、X 31，32列编号为Y 0、Y 1、…、Y 31。这样每一个存储单元都有了一个固定的编号（X i 行、Y j 列），称为地址。 1 1 1 1 31 31 131******** 列 译 码 器 行译码器 .. .........位线 位线 位线 位线 位线 位线 . .. . . . . X X X Y Y Y 0 1 31 131 A A A A A A A A A A 地 址 输 入 地址 输入 012 34 5 67 89 D D 数据线 . .. . 图7.1－5 1024×1位RAM 的存储矩阵 2． 址译码器 址译码器的作用，是将寄存器地址所对应的二进制数译成有效的行选信号和列选信号，从而选中该存储单元。 存储器中的地址译码器常用双译码结构。上例中，行地址译码器用5输入32输出的译码器，地址线（译码器的输入）为A 0、A 1 、…、A 4，输出为X 0、X 1、…、X 31；列地址译码器也用5输入32输出的译码器，地址线（译码器的输入）为A 5、A 6 、…、A 9，输出为Y 0、Y 1、…、Y 31，这样共有10条地址线。例如，输入地址码A 9A 8A 7A 6A 5A 4A 3A 2A 1A 0=0000000001，则行选线X 1＝1、列选线Y 0＝1，选中第X 1行第

数字逻辑技术第七章

第七章半导体存储器习题 一、选择题 1．一个容量为1K×8的存储器有个存储单元。 A.8 B.8K C.8000 D.8192 2．要构成容量为4K×8的RAM，需要片容量为256×4的RAM。 A.2 B.4 C.8 D.32 3．寻址容量为16K×8的RAM需要根地址线。 A.4 B.8 C.14 D.16 E.16K 4．若RAM的地址码有8位，行、列地址译码器的输入端都为4个，则它们的输出线（即字线加位线）共有条。 A.8 B.16 C.32 D.256 5．某存储器具有8根地址线和8根双向数据线，则该存储器的容量为。 A.8×3 B.8K×8 C.256×8 D. 256×256 6.采用对称双地址结构寻址的1024×1的存储矩阵有。 A.10行10列 B.5行5列 C.32行32列 D.1024行1024列 7．随机存取存储器具有功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8．欲将容量为128×1的RAM扩展为1024×8，则需要控制各片选端的辅助译码器的输出端数为。 A.1 B.2 C.3 D.8 9．欲将容量为256×1的RAM扩展为1024×8，则需要控制各片选端的辅助 译码器的输入端数为。 A.4 B.2 C.3 D.8 10．只读存储器ROM在运行时具有功能。 A.读/无写 B.无读/写 C.读/写 D.无读/无写 11．只读存储器ROM中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容。 A.全部改变 B.全部为0 C.不可预料 D.保持不变 12．随机存取存储器RAM中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容。 A.全部改变 B.全部为1 C.不确定 D.保持不变 13．一个容量为512×1的静态RAM具有。 A.地址线9根，数据线1根 B.地址线1根，数据线9根 C.地址线512根，数据线9根 D.地址线9根，数据线512根 14．用若干RAM实现位扩展时，其方法是将相应地并联在一起。 A.地址线 B.数据线 C.片选信号线 D.读/写线 15．PROM的与陈列（地址译码器）是。 A.全译码可编程阵列 B. 全译码不可编程阵列 C.非全译码可编程阵列 D.非全译码不可编程阵列 二、判断题（正确打√，错误的打×） １．实际中，常以字数和位数的乘积表示存储容量。（） ２． RAM由若干位存储单元组成，每个存储单元可存放一位二进制信息。（） ３．动态随机存取存储器需要不断地刷新，以防止电容上存储的信息丢失。（） ４．用2片容量为16K×8的RAM构成容量为32K×8的RAM是位扩展。（）５．所有的半导体存储器在运行时都具有读和写的功能。（）６． ROM和RAM中存入的信息在

第6章 半导体存储器

6 习题参考答案 6.1 ROM 有哪些种类？各有何特点？ 6.2 指出下列的ROM 存储系统各具有多少个存储单元，应有地址线、数据线、字线和位线各多少根？ 6.3 一个有16384个存储单元的ROM ，它的每个字是8位。试问它应有多少个字？有多少根地址线和数据线？ 6.4 已知 ROM 如图6.21所示，试列表说明ROM 存储的内容。 A 1 A 图6.21 题6.4的图 解： 存储的数据为01、11、00、10 6.5 ROM 点阵图及地址线上的波形图如图6.22所示，试画出数据线D 3～D 0上的波形图。 A 1 A 0 图6.22 题6.5的图

解： 10A A 3210D D D D 0 00 11 01 10 0 1 11 1 1 00 1 0 0 1 0 1 1 A 1A 0 D 0 D 1D 2 D 3 6.6 试用ROM 设计一个组合逻辑电路，用来产生下列一组逻辑函数。画出存储矩阵的 点阵图。 D B D B Y D B D A C D C B B A Y D C A D B A D C B A Y D ABC D C AB D C B A D C B A Y +=+++=++=+++=4321 解： 1234(5,10,13,14)(9,10,11,13) (1,3,4,5,6,7,9,10,11,13,14)(1,3,4,6,9,11,12,14) Y ABCD ABCD ABCD ABCD m Y ABCD ABD ACD m Y AB BCD ACD BD m Y BD BD m =+++=∑=++=∑=+++=∑=+=∑ A B C D Y 4 Y 3 Y 2 Y 1 输出 6.7 试用ROM 设计一个实现8421BCD 码到余3码转换的逻辑电路，要求选择EPROM 的容量，画出简化阵列图。 解：列写真值表，作电路图，选用16×4的EPROM 。

数字电子技术基础第四版课后答案7

第七章半导体存储器 [题] 存储器和寄存器在电路结构和工作原理上有何不同 [解] 参见第节。 [题] 动态存储器和静态存储器在电路结构和读/写操作上有何不同 [解] 参见第7.3.1节和第节。 [题] 某台计算机的内存储器设置有32位的地址线，16位并行数据输入/输出端，试计算它的最大存储量是多少 [解] 最大存储量为232×16=210×210×210×26=1K×1K×1K×26=64G [题] 试用4片2114（1024×4位的RAM）和3线-8线译码器74LS138（见图3.3.8）组成4096×4位的RAM。 [解] 见图。 [题] 试用16片2114（1024×4位的RAM）和3线-8线译码器74LS138（见图3.3.8）接成一个8K×8位的RAM。 [解] 见图。

[题] 已知ROM的数据表如表所示，若将地址输入A3A2A1A0作为4个输入逻辑变量，将数据输出D3D2D1D0作为函数输出，试写出输出与输入间的逻辑函数式。 [ 解] D3= 1 2 3 1 2 3 1 2 3 1 2 3 A A A A A A A A A A A A A A A A+ + + D2=0 1 2 3 1 2 3 1 2 3 1 2 3 1 2 3 A A A A A A A A A A A A A A A A A A A A+ + + + +0 1 2 3 A A A A D1=0 1 2 3 1 2 3 1 2 3 1 2 3 A A A A A A A A A A A A A A A A+ + + D0=0 1 2 3 1 2 3 A A A A A A A A+ [题]图是一个16×4位的ROM，A3、、A2、A1、A0为地址输入，D3、D2、D1、D0是数据输出，若将D3、D2、D1、D0视为A3、、A2、A1、A0的逻辑函数，试写出D3、D2、D1、D0的逻辑函数式。 [解]0 1 2 3 1 2 3 1 2 3 1 2 3 3 A A A A A A A A A A A A A A A A D+ + + = 1 2 3 1 2 3 1 2 3 2 A A A A A A A A A A A A D+ + = 1 2 3 1 2 3 1 2 3 1 2 3 1 2 3 1 A A A A A A A A A A A A A A A A A A A A D+ + + + = 1 2 3 1 2 3 1 2 3 1 2 3 1 2 3 A A A A A A A A A A A A A A A A A A A A D+ + + + = 1 2 3 1 2 3 A A A A A A A A+ + 地址 输入 数据 输出 地址 输入 数据 输出 A3A2A1 A0 D3D2D1 D0 A3A2A1 A0 D3D2D1 D0 0000 0001 0010 0011 0100 0101 0110 0111 0001 0010 0010 0100 0010 0100 0100 1000 1000 1001 1010 1011 1100 1101 1110 1111 0010 0100 0100 1000 0100 1000 1000 0001

第七章 半导体存储器习题

第七章半导体存储器习题 [本次习题要求6月4日交] 7.1填空题： 1.半导体存储器从读、写的功能上可分为ROM和（）两大类。 2.工作中既可以读出信息，又可写入信息的存储器称为（）。 3.根据存储单元电路结构和工作原理的不同，将RAM分为静态RAM和（）RAM 两类。 4.一个ROM共有10根字线（地址线），8根位线（数据线），则其存储容量为（）。 A.10×28； B.102×8； C.10×82； D.210×8。 5.容量为8K×8位的RAM芯片，其地址线和数据线各为（）。 A.8和8根； B.10和8根； C.13和8根； D.8和13根。 6.要扩展成32K×16位的ROM，需要（）片32K×8位的ROM。 7.为了构成4096×8位的RAM，需要（）片1024×2位的RAM。 8.关于半导体存储器的描述，下列哪种说法是错误的是（）。 A.RAM读写方便，但一旦掉电，所存储的内容就会全部丢失。 B.ROM掉电以后数据不会丢失。 C.RAM可分为静态RAM和动态RAM。 D.动态RAM不必定时刷新。 9.二极管ROM的电路结构如图所示，当地址为A 1A =10时，该字单元的内容d 3 d 2 d 1 d 为（）。

10.ROM阵列逻辑图如图所示，当地址为A 1A =10时，该字单元的内容D 3 D 2 D 1 D 为 （）。 A.1l10； B.0111； C.1010； D.0100。 7.2试用2片1024×4位的RAM（2114）接成1024×8位的存储器。 7.3试用2片1024×4位的RAM（2114）接成2048×4位的存储器。 7.4用4×6位的ROM设计一个六段显示译码器。六段显示器如图所示（图中e 是水平线，f是垂直线）。它可以显示东南西北四个方向之一，实心线表示亮，虚心线表示不亮。 显示东南西北四个方向之一由ROM的两位地址输入码A 1和A 控制，控制要 求如下表所示。即六段显示译码器的输入为A 1和A ，并使输出a～f中适当的段 亮。设输出逻辑1表示亮，逻辑0表示不亮。 要求列出ROM 7.5试用8×2位容量的ROM设计一个能实现两个一位二进制数全加的逻辑电路。 输入为被加数A i 、加数B i 及来自低位的进位C i-1 ；输出为和S i 及向高位的进位C i 。 要求：(1)列出真值表；(2)直接在下图中画出用ROM点阵图实现全加的电路。

第7章 半导体存储器与可编程逻辑器件习题解答

思考题与习题 7.1 选择题 7.14 选择题 1）存储容量为8K×8位的ROM 存储器，其地址线为 条。 C A 、8 B 、12 C 、13 D 、14 2）只能按地址读出信息，而不能写入信息的存储器为 。 b A 、 RAM B 、ROM C 、 PROM D 、EPROM 3）一片ROM 有n 根地址输入，m 根位线输出，则ROM 的容量为 。a A 、m n ?2 B 、n m ? C 、m n 22? D 、n m ?2 4)一个6位地址码、8位输出的ROM ，其存储矩阵的容量为 。 A 、46 B 、64 C 、512 D 、256 5）为构成4096×8的RAM ，需要 片2024×2的RAM ，并需要有 位地址译码以完成寻址操作。 A 、8 ，15 B 、16，11 C 、10，12 D 、8，12 6）PAL 是一种的 可编程逻辑器件。 A 、与阵列可编程，或阵列固定 B 、与阵列列固，或阵可编程定 C 、与阵列、或阵列固定 D 、与阵列、或阵列可编程 7.2 试写出如图7-27所示阵列图的逻辑函数表达式和真值表，并说明其功能。 1 F 2 F 3 图6-1 例6-1逻辑图 图7-27 题7.2图 解：根据与阵列的输出为AB 的最小项和阵列图中有实心点“·”为1，无“·”为0， 可以写出： AB W F ==30 B A AB B A B A W W W F +=++=++=3211 B A B A B A F ⊕=+=2 AB B A B A B A B A W W W F =+=++=++=2103 从上述逻辑表达式可以看出，图7-1所示阵列图实现了输入变量A 、B 的四种逻辑运算：与、或、异或和与非。列出真值表如表7-1所示。 7.3 若存储器芯片的容量为128K× 8位，求： 表7-1 例7-1真值表

第七章 半导体存储器

第七章 半导体存储器内容提要 本章将系统地介绍各种半导体存储器的工作原理和使用方法。半导体存储器包括只读存储器（ROM ） RAM ）。）。在只读存储器中，介绍了 在只读存储器中，介绍了和快闪存储器等不同类型的ROM 的工作原理和特点；而在随机存储器中，介绍了静态RAM （SRAM ）和动态RAM （DRAM ）两种类型。此外，也介绍了存储器扩展容量的连接方法以及用存储器设计组合逻辑电路，重点放在这里。

本章内容 7.5 用存储器实现组合逻辑函数

1. 半导体存储器的定义 路，由于计算机以及一些数字系统中要存储大量的数据，因此存储器是数字系统中不可缺少的组成部分，7.1.1所示。 输入 / 出 电 路I/O 输入输入//出控制图7.1.1

2.存储器的性能指标 存储量和存取速度作为衡量存储器的重要性能指标。 片，一些高速存储 3.半导体存储器的分类 （1）从存取功能上分类 从存取功能上可分为只读存储器（ Memory，简称ROM）和随机存储器（ Access Memory，简称RAM

a. ROM a. ROM 、可编程ROM（Programmable PROM）和可擦除的可编程ROM（Erasable Programmable Read－Only Memory，简称EPROM）。 *掩模ROM在制造时，生产厂家利用掩模技术把数据写入存储器中，一旦ROM 定不变，无法更改。

（或者全为0),用户可根据自己的需要写入，利用通用或专用的编程 1)。 是采用浮栅技术的可编程存储器，其数据不但可以由用户根据自己的需要写入，而且还能擦除重写，所以具有较大的使用灵活性。它的数据的写入需要通用或专用的编程器，其擦除为照射擦除，为一次全部擦除。电擦除的PROM ROM。