哈尔滨理工大学——微电子封装考试复习题

1、微电子封装定义及封装的作用？

1)为基本的电子电路处理和存储信息建立互连和合适的操作环境的科学和技

术，是一个涉及多学科并且超越学科的制造和研究领域。

2)作用---为芯片及部件提供保护、能源、冷却、与外部环境的电气连接+机

械连接

2、什么是电迁移？

电迁移是指在高电流密度（105－106A/cm2）下金属中的质量迁移的现象。

3、什么是芯片尺寸封装？

芯片尺寸封装（CSP）是指封装外壳尺寸比芯片本身尺寸仅大一点（最大为芯片尺寸的1.2倍）的一类新型封装技术。

5、可作为倒装芯片凸点的材料有哪些？高可靠性的焊凸点应该在那个工艺阶段制作？凸点的典型制作方法有哪些？其中什么方法也常用于BGA器件焊球的植球？

1)凸点材料：a) 钎料：单一钎料连接：高Pb (3Sn97Pb、5Sn95Pb )－陶瓷芯

片载体；低Pb (60Sn40Pb )－有机芯片载体

双钎料连接：高熔点凸点用低熔点钎料连接到芯片载体C4-Controled Collapse Chip Connection)

b) 金属：Au、Cu

c) 导电环氧树脂:低成本、低可靠性

2)高可靠性的焊凸点制作，是在IC还处于圆片阶段时制作焊凸点。

3)蒸发沉积法；模板印刷法；电镀法；钉头凸点法；钎料传送法；微球法；

钎料液滴喷射（印刷）法

4)微球法

6、扩散焊在什么情况下会采用中间层？中间层材料应具有哪些性能？

1)结晶化学性能差别较大的两种材料连接时，极易在接触界面生成脆性金属

间化合物。

措施：选择中间层，使中间层金属与两侧材料都能较好的结合，生成固溶体，则实现良好的连接。

2)两种材料的热膨胀系数差别大，在接头区域极易产生很大的内应力。

措施：用软的中间层（甚至几个中间层）过渡,缓和接头的内应力

3)扩散连接时，中间层材料非常主要，除了能够无限互溶的材料以外，异种

材料、陶瓷、金属间化合物等材料多采用中间夹层的扩散连接。

4)中间层可采用多种方式添加，如薄金属垫片、非晶态箔片、粉末（对难以

制成薄片的脆性材料）和表面镀膜（如蒸镀、PVD、电镀、离子镀、化学镀、喷镀、离子注入等）。

中间层选择原则

1）容易塑性变形，熔点比母材低。

2）物理化学性能与母材的差异比被连接材料之间的差异小。

3）不与母材产生不良的冶金反应，如不产生脆性相或不希望出现的共晶相。4）不引起接头的电化学腐蚀。

7、影响扩散焊接头质量的参数有哪些？如何影响？怎样确定这些焊接参数？影响因素-工艺参数：

1)适当压力：压力增大，塑性变形增大，接触面增加，扩散焊工件一般无宏

观塑性变形

2）时间较长：由扩散速度决定，一般为几十到几百分钟

3）温度：温度升高有利于连接材料间进行原子扩散和材料软化变形，一般0.6

至0.8倍熔点[K]

影响因素－表面氧化膜

1）完全分解型：Ti、Ti合金、无氧铜在连接的初期阶段，界面氧化物分解并扩散到母材中，对连接过程和质量无影响；

2）完全不分解型：Al氧化物非常稳定，扩散连接条件下不能分解消失，依靠塑性变形露出清洁面，得到局部连接；

3）部分分解型：Cu、Fe 氧化膜在界面和空隙中聚集并以夹杂物的形态残存下来---氧化膜部分分解及氧向母材中扩散使夹杂减少

4）Au

影响因素－表面粗糙度

1）不仅影响结合面的接触，也影响扩散过程

2)表面凹凸越微细而且规则，空隙的消失越迅速，此时扩散机制起重要作用

(而不是空隙总体积小的原因)；

3）当表面凹凸的宽度大时(粗糙度较大时)，扩散的作用被减弱.

8、热压焊与扩散焊的区别？

a）大塑性变形VS 无宏观塑性变形：

b) 蠕变不起作用VS 蠕变起作用；

c) 加热温度较低，时间短，扩散不充分VS 0.6-0.8Tm，时间长，扩散充分；

d) 扩散+变形+机械嵌合+位错机制VS 扩散+变形+再结晶机制

9、控制母材过度溶解（除镀层选择之外的）的措施有哪些？

A：改善钎料合金成分；B：钎料中加入母材元素—降低浓度梯度；C:温度控制；D：加入惰性元素；（一定直径的金属丝全部溶解所需要时间）

10、锡基钎料与铜焊盘钎焊时产生的界面结合层是？钎焊温度过高或钎焊时间

过长还会产生的结合层是？如果采用Au/Ni/Cu焊盘时接合层是？原因是？

1)Cu3Sn Cu6Sn5

2)先Cu6Sn5后来温度升高变成Cu3Sn

3)Ni3Sn4金镀层比较薄，在焊接过程中进入到钎料中

11、“立碑”现象的产生原理？什么情况下易发生？

墓碑现象：再流焊中片式元件经常出现立起的现象，称之为立碑，又称之为吊桥。

产生原理：

1)元件两端出现非同步润湿。先润湿的一端在焊料界面张力的作用下克服元

件自身重力而将元件牵引抬起。

2)元件两端焊接面的物理状态出现差异，如受热不均或两端锡膏不均等导致

一端的锡膏先熔化、元件两端焊盘的可焊性差异等------非同步润湿

3)无铅钎料更易立碑----因为其有更高的界面张力；氮气保护将增大焊料/元件

焊接端的界面张力元件两端润湿力不平衡：两端锡膏不均等

发生情况：主要出现于重量较轻的片式无源元件

7、紫斑发生机理？

金—铝键合在器件的高温贮存后，在焊点处金和铝迅速形成一种使导电性能不良的脆性层状化合物，键合强度也下降，化合物呈紫黑色斑点状，故称“紫斑”。

8、Sn晶须的产生条件？

产生条件

1）镀层内部压应力；

2）为了产生局部生长，镀层表面要覆盖着氧化物，即整个表面不能都是自由的表面；而且表面氧化膜保护层不能太厚，晶须能够穿透某些局部的薄弱部位而得到长大以释放应力

产生原因与机理：

镀Sn层的压应力驱动晶须的形核和长大;

镀层内的压应力能够沿着晶粒边界撕裂镀层外表面的氧化锡层，Sn晶须被认为是被压力从底部推出并生长，从而导致锡须形成。

晶须的生长有利于基体中的压应力的释放。

1、BGA相对周边引脚封装的优点？PBGA、CBGA相比的优缺点？

PBGA优点：

a) 高互连密度；

优良的热学电学性能(芯片下镀通孔将热量直接通过焊球流向母板的导热通道;电感小)

c) 消除了窄节距焊膏印刷困难、降低桥连缺陷

d) 焊料回流过程中的自对准功能；

e)较低共面性要求，0.15－0.2mm

f)外形更低；

PBGA：塑料外壳，非气密性封装，易吸潮，加热易引起内部裂纹膨胀等现象，界面分层与基板性质相似，焊点不容易失效，可靠性高；

PBGA：陶瓷外壳，气密性好，焊点与基板性质不相似，焊点容易失效，可靠性低。

2、什么是逆压电效应？指出电子产品制造过程中2种应用逆压电效应的工艺

或设备，描述其工艺过程及原理。

当某些晶体材料（如石英晶体）做成的晶体薄片施加交变电场时，晶体内部的质点就会产生机械振动，此现象称为逆压电效应。

发射——在压电晶片制成的探头中，对压电晶片施以超声频率的交变电压，由于逆压电效应，晶片中就会产生超声频率的机械振动——产生超声波；若此机

械振动与被检测的工件较好地耦合，超声波就会传入工件——这就是超声波的发射。

制作凸点方法之钎料液滴喷射（印刷）法，在压电传感器驱动及机械振动触发下,金属流断开形成非常均匀一致的熔化金属液滴偏转电场---控制液滴运动轨迹；部分液滴喷射到焊盘上----其余进入回收器重复使用；连续喷射液滴直径是喷嘴直径的两倍；喷嘴周围同惰性气体---一方面促进液滴的断开喷射,同时防钎料液滴氧化；

8、超声波焊接机的换能器通常是利用什么效应来获得超声振动的？

逆压电效应；磁致伸缩效应

3、指出并描述电子产品封装过程中2种应用毛细作用的工艺。

波峰焊；倒装芯片组装

2、芯片表面金属化的作用是？，芯片表面金属化层的常用材料有哪些？常用

的沉积方法有？

金属化：

沉积一层或多层导电材料形成芯片表面键合区-- 以便形成芯片与外电路之间的互连。铝、Cu、铂、钛、钨、钼和金可用于金属化工艺。铝使用最广泛:与硅以及二氧化硅的接触电阻小，沸点低、容易实现沉积。

a)化学气相沉积（CVD）：W

b)溅射沉积（物理气相沉积PVD）：Al

4、电子产品基板镀层常用材料有哪些？

1）Sn或Sn/Pb合金：

底层材料合适时---非常好的可焊性

镀层熔化后，立即与熔融的钎料融合---转变为熔焊

2）银

良好导电率和润湿性，--但易电迁移

表面硫化时--润湿性会降低---密封包装并充N2

3）金

极优良的电接触性和软钎焊性，--价格昂贵

极易溶解于Sn/Pb钎料中，凝固时析出IMC

常采用Ni中间层，以减小金层厚度

5、Cu基底焊盘采用Au为外层镀层时通常中间加入中间层的原因是？选择Ni

作中间层的原因是？

铜金直接接触加热时，铜与金相互扩散，而金的扩散快，形成铜与金间的化合物，致密性不好，疏松多孔，已形成弱润湿，所以采用中间层，以改善这种情况。

镍使其扩散慢，形成金属间化合物层薄，可靠性好。

6．一级封装中的IC封装工艺有哪些？哪些能够实现气密性封装？

模塑封装技术；层压塑料技术；模压陶瓷封装（难熔玻璃密封）技术；共烧层压陶瓷封装技术

共烧层压陶瓷封装技术能够实现气密性封装

1．芯片粘接的方法有哪些？优缺点？

芯片粘接:将芯片背面机械地粘接到层压陶瓷或层压基板腔室内的芯片粘接区方式1－金属合金键合：

材料：AuSi共晶、AuSn共晶或软钎料；用于陶瓷封装；

优点：良好的剪切强度、界面导热性和防潮性；

缺点：工艺温度较高，会对芯片引入较大的热应力。

方式2－有机粘接：

材料：环氧树脂、聚酰亚胺浆料；用于陶瓷和塑料封装；

优点：环氧树脂固化温度低，可用于粘接大芯片。

方式3－无机粘接：

材料：填银玻璃，即片状填银环氧粘接剂；

特点：既可导电、降低芯片背面和基板间的电阻，又可导热，在芯片和封装的支撑物之间提供一条导热通路

2、对比电子器件的鸥翼型引脚、J型引脚的特点？

鸥翼型引脚：

1) 吸收应力，与PCB匹配性好；

2）组装面积大，共面性差，引脚易损坏；

3) 焊后质量检查容易；

J型引脚：

1）较鸥翼型引脚减小了封装面积；

2）刚性好，引脚不易损坏，共面性好；

3) 焊后质量检查困难；

3、扩散焊金属表面氧化膜分哪几种类型？

1）完全分解型：Ti、Ti合金、无氧铜在连接的初期阶段，界面氧化物分解并扩散到母材中，对连接过程和质量无影响；

2）完全不分解型：Al氧化物非常稳定，扩散连接条件下不能分解消失，依靠塑性变形露出清洁面，得到局部连接；

3）部分分解型：Cu、Fe 氧化膜在界面和空隙中聚集并以夹杂物的形态残存下来---氧化膜部分分解及氧向母材中扩散使夹杂减少

4）Au

4．对比热压焊、超声波焊与超声－热压焊的特点和优势？

1）超声波焊：超声机械去膜，有效连接面积大、温度低，对芯片的热影响小---但金属之间的扩散不足；加大超声功率可能损坏芯片；---楔焊过程有方向性，降低效率

2）热压焊：温度高，有利于金属扩散去膜不充分，连接强度低球焊无方向性，提高生产效率

3）超声－热压焊：超声焊基础上，衬底加热 (一般150℃)，CouCoulas1970 年发现加热可使焊点处的金属流动性增强—防止超声焊时的应变硬化---利于接触界面增大和焊点的快速键合---提高键合强度。

超声热压接的优势：要达到规定强度，超声热压接的时间和温度都比热压接小得多，

超声压接一般需要3μm以上的振幅和约1s的时间，

超声热压接只需要其1/10的振幅和1/20的时间。

1、分析电子封装中应用的微连接（包括固-固、固-相态连接）与传统宏观焊接

的不同特点？

1）工艺限制

时间在毫秒数量级--材料间不能发生充分的扩散；时间很短--蠕变变形几乎没有贡献；为防止对硅片及电路的破坏，温度要尽量低

2）尺寸和表面状态

膜的厚度在微米数量级，硅片的光洁度极高；塑性变形所起的作用很小；

3）表面氧化膜

铝、铜材料表面氧化膜难以去除

4）措施

大的变形：增加接触，破碎氧化膜

机械去膜：动态摩擦去膜不需很大的机械强度，可以不要求过程完整

膜厚度只有1微米到十几个微米---需保证溶解控制在一个非常严格的范围，才能既达到结合强度又不损坏膜与基板的附着。

6、元器件引线的钎焊性试验方法有？

接触角法；焊球试验法

2．典型的可焊性试验方法有哪些？描述润湿平衡法的测量原理，画出润湿曲线，并根据润湿曲线描述润湿过程。

元件引线的可焊性试验(接触角法)；焊球试验法；铺展试验；润湿平衡法

润湿曲线如图所示，横轴为时间（单位为s），纵轴为合力(单位为mN)。润湿曲线与横轴相交时合力为零，对应的时间为零交时间。

A点：试件开始放入熔融钎料之前；

B点：试件同熔融钎料接触的时刻，也是测试开始点；

C点：试件浸渍到规定的深度，如果试件可焊性好、热容量小则在C点发生润湿；

B点到C点：钎料液面呈凹形，试件受到合力阻止试件浸渍，若试件的可焊性好、热容量小，该过程可能发生润湿；

D点；如果试件需要的热容量大或试件涂的焊剂过多，在D点才开始湿润；

C点到D点：试件达到焊接温度或焊剂“激活”需要的时间；

D点到E点：在这一时间段钎料处于润湿和凹面回升过程中，表面张力有向上的分量，并且越来越小；

F点：熔融焊料凹下去的液面这时回到水平，表面张力的方向是水平的，垂直方向的主要作用力是浮力。F点的时间定义为零交时间，作为衡量可焊性的一个指标。

G点：在指定的时间所测的合力值。通常标准选择2秒；

H点：最大合力点，这时焊料“爬升”高度最高，润湿力最大；

D点到H点：“爬升”的过程。D点到H点的斜率越大，表明可焊性越好。

K点；测试结束前一瞬间的合力值，通常x点的值同H点的值比较接近，表明润湿的稳定性好。如果K点比H点低很多，表明钎料沿着焊端“回落”，凸面有所下降，即失润现象。失涧也是衡量可焊性的一个指标。

8. 什么是加速寿命试验？加速寿命试验的设计原则是？，加速寿命试验设计的关键是？加速寿命试验的基本理论有哪些，例举分别以热力学温度和应力为加速因子的加速寿命试验。

加速寿命试验（观察失效和预计实际工作状态下的失效率）：在可靠性术语中，加速寿命试验定义为“为缩短试验时间，用比标准条件更为严格的条件进行的试验；但做加速寿命试验时，为了能有效地进行可靠性评价，

原则：要求失效模式和失效机理不会因加速而发生变化。

关键：加速因子的确定

基本理论

a)阿列尼乌斯模型：最适合以热力学温度加速因子的试验lnL=A+E/(RT)

应用：试验—T1、T2对应寿命L1、L2—反应的激活能—高温下的反应加速性的大致量值

b) 爱伦模型：最适合以应力为加速因子的试验lnL=A－αlnS

应用：试验材料疲劳时，S1、S2为交变应力，对应循环次数（寿命）为N1、N2，则ln（N1/N2）=αln（S2/S1）求出表示反应加速性的大致量值α，可求任意应力下的寿命

5．什么是蠕变？为什么蠕变损伤是钎料焊点失效的重要机制？

蠕变现象：蠕变由热效应引起，在一定应力作用下，应变随温度和时间的增加而显著增加

高温或者相对温度值大于0.5时，蠕变效应非常显著相对温度(homologous temperature，也有译作约比温度）为工作温度与材料熔点的绝对温度的比值）

蠕变可以发生在任何应力范围，可以高于或低于屈服应力值；

钎料焊点的服役特点（与钢材不同）：

SnPb钎料的熔点Tm＝456K，服役条件的工作温度按－50 ℃至70℃（223K至343K)计算，工作温度约为0.5－0.75Tm；

Sn0.7Cu钎料的熔点Tm＝500K，服役条件的工作温度按－50 ℃至

70℃（223K至343K)计算，工作温度约为0.45－0.7Tm；

在这样相对较高的温度范围内，钎料的蠕变和应力松弛现象显著，与时间（速率）有关的蠕变损伤是焊点失效的重要机制

7、鉴于元器件形状及引脚形式不同，分别采用哪些机械性能试验方法？

钎料接头拉伸及剪切试验方法（JIS Z 3198标准）

QFP 引线软钎焊接头45°拉引试验方法（JIS Z 3198标准）

片式元器件软钎焊接头剪切试验方法

8、通过数值模拟方法对封装焊点进行寿命预测的步骤？

通过有限元模拟方法对封装进行寿命预测，主要包含三大步骤:

1）试验获得材料热物理性能参数及力学性能参数，包括应力应变关系方程；2）采用ANSYS或MARC有限元软件模拟求解特定结构和载荷（如热循环载荷）条件下的主控力学参量（应力、应变、累积的蠕变应累积的应变能密度等等；其中步骤1）的结果作为材料特性导入有限元计算中）

3）选择寿命预测模型，代入主控力学参量进行寿命预分析过程

9. 焊点可靠性影响因素主要有哪些？

1)材料因素：

钎料的微观结构即钎料的组织结构、晶粒尺寸决定着钎料的变形机制、疲劳裂纹扩展机制，从而对焊点的可靠性有决定性影响。

2)内部缺陷对焊点的可靠性有致命的影响：

外观缺陷：如接头外型不良、引线间的桥接、芯吸等；

内部缺陷，如气孔、有害金属间化合物、虚焊等。目前焊点缺陷检测方法，很难检测尺寸本来就十分微小的微互连焊点内部的微小的缺陷

3)服役条件

环境温度：随着温度的增加，焊点应变范围增加，失效周期数降低。

加载频率：随着加载频率增加，焊点疲劳寿命降低。

焊点高温保温时间：焊点高温保温时间短，焊点内的应变恢复的多，将延长焊点疲劳寿命；保持时间长，由于蠕变的作用，可恢复应变少，增加了焊点内部应变，寿命降低。

4) 焊点形态 钎料受热熔化以后，沿金属表面润湿铺展冷凝后形成的具有一

定几何形状的外观形态；狭义上，即钎料圆角的凹凸形态。

7. 典型的描述焊料合金蠕变行为的Norton 方程表达式？

Norton 方程

Dorn 方程 其中：Q 为激活能，T 为温度，k 为Boltzmann 常数，

A 、n 分别为蠕变系数和蠕变指数，σ为应力

3、分析功率循环条件下CBGA 器件那些位置焊点为危险焊点？介绍CCGA 器

件的互连结构形式及其较CBGA 的优势？

热应变：

a ）假设芯片与基板焊在一起时 无热应变；

b ）一个温度循环焊点切应变：

γ＝△/h ＝L （αb －αC ）×

（TMAX －TMIN ）/h

h －为焊点高度； L －焊点到中性点间距

结论：最大热应变发生在芯片周边的焊点上

铸型柱( Cast Column)；焊线柱(Wire Column)；CLASP 柱 ( Column Last Attach

SolderProcess) ???? ??=kT Q -exp A n σε ???

?

??-???? ??=kT Q exp T A n σε

微电子封装

晶圆：由普通硅砂熔炼提纯拉制成硅柱后切成的单晶硅薄片 微电子封装技术特点： 1：向高密度及高I/O引脚数发展，引脚由四边引出趋向面阵引出发展 2：向表面组装示封装(SMP)发展,以适应表面贴装（SMT）技术及生产要求 3：向高频率及大功率封装发展 4：从陶瓷封装向塑料封装发展 5：从单芯片封装（SCP）向多芯片封装（MCP）发展 6：从只注重发展IC芯片到先发展封装技术再发展IC芯片技术技术 微电子封装的定义：是指用某种材料座位外壳安防、固定和密封半导体继承电路芯片，并用导体做引脚将芯片上的接点引出外壳 狭义的电子封装技术定义：是指利用膜技术及微细连接技术，将半导体元器件及其他构成要素在框架或基板上布置、固定及连接，引出接线端子，并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体立体结构的工艺技术。（最基本的） 广义的电子封装技术定义：是指将半导体和电子元器件所具有的电子的、物理的功能，转变为能适用于设备或系统的形式，并使之为人类社会服务的科学与技术。（功能性的） 微电子封装的功能： 1：提供机械支撑及环境保护； 2：提供电流通路； 3：提供信号的输入和输出通路； 4：提供热通路。 微电子封装的要点： 1：电源分配； 2：信号分配; 3：机械支撑； 4：散热通道； 5：环境保护。 零级封装：是指半导体基片上的集成电路元件、器件、线路；更确切地应该叫未加封装的裸芯片。 一级封装：是指采用合适的材料（金属、陶瓷或塑料）将一个或多个集成电路芯片及它们的组合进行封装，同时在芯片的焊区与封装的外引脚间用引线键合（wire bonding,WB）、载带自动焊（tape automated bonding,TAB）、倒装片键合（flip chip bonding，FCB）三种互联技术连接，使其成为具有实际功能的电子元器件或组件。 二级封装技术：实际上是一种多芯片和多元件的组装，即各种以及封装后的集成电路芯片、微电子产品、以及何种类型元器件一同安装在印刷电路板或其他基板上。

大学物理试卷期末考试试题答案

2003—2004学年度第2学期期末考试试卷（A 卷） 《A 卷参考解答与评分标准》 一 填空题：（18分） 1． 10V 2.（变化的磁场能激发涡旋电场），（变化的电场能激发涡旋磁场）. 3. 5， 4. 2， 5. 3 8 6. 293K ，9887nm . 二 选择题：（15分） 1. C 2. D 3. A 4. B 5. A . 三、【解】(1) 如图所示，内球带电Q ，外球壳内表面带电Q -. 选取半径为r （12R r R <<）的同心球面S ，则根据高斯定理有 2() 0d 4πS Q r E ε?==? E S 于是，电场强度 204πQ E r ε= (2) 内导体球与外导体球壳间的电势差 22 2 1 1 1 2200 01211d 4π4π4πR R R AB R R R Q Q dr Q U dr r r R R εεε?? =?=?==- ????? ? r E (3) 电容 12 001221114π/4πAB R R Q C U R R R R εε??= =-= ?-?? 四、【解】 在导体薄板上宽为dx 的细条，通过它的电流为 I dI dx b = 在p 点产生的磁感应强度的大小为 02dI dB x μπ= 方向垂直纸面向外. 电流I 在p 点产生的总磁感应强度的大小为 22000ln 2222b b b b dI I I dx B x b x b μμμπππ===? ? 总磁感应强度方向垂直纸面向外. 五、【解法一】 设x vt ＝, 回路的法线方向为竖直向上( 即回路的绕行方向为逆时

针方向)， 则 21 d cos602B S Blx klvt Φ=?=?= ? ∴ d d klvt t εΦ =- =- 0ac ε < ，电动势方向与回路绕行方向相反，即沿顺时针方向（abcd 方向）． 【解法二】 动生电动势 1 cos602 Blv klvt ε?动生＝＝ 感生电动势 d 111 d [cos60]d 222d d dB B S Blx lx lxk klvt t dt dt dt εΦ=- =?=--?===?感生－ klvt εεε==感生动生＋ 电动势ε的方向沿顺时针方向（即abcd 方向）。 六、【解】 1. 已知波方程 10.06cos(4.0)y t x ππ=- 与标准波方程 2cos(2) y A t x π πνλ =比较得 , 2.02, 4/Z H m u m s νλνλ==== 2. 当212(21)0x k ππΦ-Φ==+合时，A ＝ 于是，波节位置 21 0.52k x k m += =+ 0,1,2, k =±± 3. 当 21222x k A ππΦ-Φ==合时，A ＝ 于是，波腹位置 x k m = 0,1,2, k =±± ( 或由驻波方程 120.12cos()cos(4)y y y x t m ππ=+= 有 (21) 00.52 x k A x k m π π=+?=+合＝ 0,1,2, k =±± 20.122 x k A m x k m π π=?=合＝, 0,1,2, k =±± )

微电子封装必备答案

微电子封装答案 微电子封装 第一章绪论 1、微电子封装技术的发展特点是什么？发展趋势怎样？（P8、9页） 答：特点： （1）微电子封装向高密度和高I/O引脚数发展，引脚由四边引出向面阵排列发展。 （2）微电子封装向表面安装式封装发展，以适合表面安装技术。 （3）从陶瓷封装向塑料封装发展。 （4）从注重发展IC芯片向先发展后道封装再发展芯片转移。 发展趋势： （1）微电子封装具有的I/O引脚数将更多。 （2）微电子封装应具有更高的电性能和热性能。 （3）微电子封装将更轻、更薄、更小。 （4）微电子封装将更便于安装、使用和返修。 （5）微电子封装的可靠性会更高。 （6）微电子封装的性能价格比会更高，而成本却更低，达到物美价廉。 2、微电子封装可以分为哪三个层次（级别）？并简单说明其内容。（P15～18页）答：（1）一级微电子封装技术 把IC芯片封装起来，同时用芯片互连技术连接起来，成为电子元器件或组件。 （2）二级微电子封装技术 这一级封装技术实际上是组装。将上一级各种类型的电子元器件安装到基板上。 （3）三级微电子封装技术 由二级组装的各个插板安装在一个更大的母板上构成，是一种立体组装技术。 3、微电子封装有哪些功能？（P19页） 答：1、电源分配2、信号分配3、散热通道4、机械支撑5、环境保护 4、芯片粘接方法分为哪几类？粘接的介质有何不同（成分）？。（P12页） 答：(1)Au-Si合金共熔法(共晶型) 成分：芯片背面淀积Au层,基板上也要有金属化层(一般为Au或Pd-Ag)。 （2）Pb-Sn合金片焊接法(点锡型) 成分：芯片背面用Au层或Ni层均可，基板导体除Au、Pd-Ag外，也可用Cu (3)导电胶粘接法(点浆型) 成分：导电胶（含银而具有良好导热、导电性能的环氧树脂。） (4)有机树脂基粘接法(点胶型) 成分：有机树脂基（低应力且要必须去除α粒子） 5、简述共晶型芯片固晶机（粘片机）主要组成部分及其功能。 答：系统组成部分： 1 机械传动系统 2 运动控制系统 3 图像识别（PR）系统 4 气动/真空系统 5 温控系统 6、和共晶型相比，点浆型芯片固晶机（粘片机）在各组成部分及其功能的主要不同在哪里？答： 名词解释：取晶、固晶、焊线、塑封、冲筋、点胶

微电子封装复习题

电子封装是指将具有一定功能的集成电路芯片，放置在一个与之相适应的外壳容器中，为芯片提供一个稳定可靠的工作环境；同时，封装也是芯片各个输出、输入端的向外过渡的连接手段，以及起将器件工作所产生的热量向外扩散的作用，从而形成一个完整的整体，并通过一系列的性能测试、筛选和各种环境、气候、机械的试验，来确保器件的质量，使之具有稳定、正常的功能。 从整个封装结构讲，电子封装包括一级封装、二级封装和三级封装。 芯片在引线框架上固定并与引线框架上的管脚或引脚的连接为一级封装； 管脚或引脚与印刷电路板或卡的连接为二级封装； 印刷电路板或卡组装在系统的母板上并保证封装各组件相对位置的固定、密封、以及与外部环境的隔离等为三级封装。 前工程： 从整块硅圆片入手，经过多次重复的制膜、氧化、扩散，包括照相制版和光刻等工序，制成三极管、集成电路等半导体组件卫电极等，开发材料的电子功能，以实现所要求的元器件特性。 后工程： 从由硅圆片切分好的一个一个的芯片入手，进行装片、固定、键合连接、塑料灌封、引出接线端子、按印检查等工序，完成作为器件、部件的封装体，以确保元器件的可靠性并便于与外电路连接。 ?环保和健康的要求 ?国内外立法的要求 ?全球无铅化的强制要求 1、无铅钎料的熔点较高。 比Sn37Pb提高34~44 oC。高的钎焊温度使固/液界面反应加剧。 2 、无铅钎料中Sn含量较高。 （SnAg中96.5% Sn ，SnPb中63%Sn），因为Pb不参与固/液和固/固界面反应，高Sn含量使固/液、固/固界面反应均加速。 3 小尺寸钎料在大电流密度的作用下会导致电迁移的问题。

(1) 无毒化，无铅钎料中不含有毒、有害及易挥发性的元素 (2) 低熔点，无铅钎料的熔点应尽量接近传统的Sn-Pb 共晶钎料的熔点(183℃)，熔化温度间隔愈小愈好。 (3) 润湿性，无铅钎料的润湿铺展性能应达到Sn-Pb 共晶钎料的润湿性，从而易于形成良好的接头。 (4) 力学性能，无铅钎料应具有良好的力学性能，焊点在微电子连接中一个主要作用是机械连接。 (5) 物理性能，作为微电子器件连接用的无铅钎料，应具有良好的导电性、导热性、延伸率，以免电子组件上的焊点部位因过热而造成损伤，从而提高微电子器件的可靠性。 (6) 成本，从Sn-Pb 钎料向无铅钎料转化，必须把成本的增加控制在最低限度。因此应尽量减少稀有金属和贵重金属的含量，以降低成本。 电子元器件封装集成度的迅速提高，芯片尺寸的不断减小以及功率密度的持续增加，使得电子封装过程中的散热、冷却问题越来越不容忽视。而且，芯片功率密度的分布不均会产生所谓的局部热点，采用传统的散热技术已不能满足现有先进电子封装的热设计、管理与控制需求，它不仅限制了芯片功率的增加，还会因过度冷却而带来不必要的能源浪 。电子封装热管理是指对电子设备的耗热元件以及整机或系统采用合理的冷-~IJl 散热技术和结构设计优化，对其温度进行控制，从而保证电子设备或系统正常、可靠地工作。 热阻 由于热导方程与欧姆定律形式上的相似性，可以用类似于电阻的表达式来定义热阻 式中，?T 是温差，q 为芯片产生的热量。 该式适用于各种热传递形式的计算。 1、 具有极高耐热性 2、 具有极高吸湿性 3、 具有低热膨胀性 4、 具有低介电常数特性 电解铜箔是覆铜板(CCL)及印制电路板(PCB)制造的重要的材料。电解铜箔生产工序简单，主要工序有三道：溶液生箔、表面处理和产品分切。 q T R th ?=

大学物理试题库及答案详解【考试必备】

第一章 质点运动学 1 -1 质点作曲线运动,在时刻t 质点的位矢为r ,速度为v ,速率为v,t 至(t ＋Δt )时间内的位移为Δr , 路程为Δs , 位矢大小的变化量为Δr ( 或称Δ｜r ｜),平均速度为v ,平均速率为v ． (1) 根据上述情况,则必有( ) (A) ｜Δr ｜= Δs = Δr (B) ｜Δr ｜≠ Δs ≠ Δr ,当Δt →0 时有｜d r ｜= d s ≠ d r (C) ｜Δr ｜≠ Δr ≠ Δs ,当Δt →0 时有｜d r ｜= d r ≠ d s (D) ｜Δr ｜≠ Δs ≠ Δr ,当Δt →0 时有｜d r ｜= d r = d s (2) 根据上述情况,则必有( ) (A) ｜v ｜= v ,｜v ｜= v (B) ｜v ｜≠v ,｜v ｜≠ v (C) ｜v ｜= v ,｜v ｜≠ v (D) ｜v ｜≠v ,｜v ｜= v 分析与解 (1) 质点在t 至(t ＋Δt )时间内沿曲线从P 点运动到P′点,各量关系如图所示, 其中路程Δs ＝PP′, 位移大小｜Δr ｜＝PP ′,而Δr ＝｜r ｜-｜r ｜表示质点位矢大小的变化量,三个量的物理含义不同,在曲线运动中大小也不相等(注：在直线运动中有相等的可能)．但当Δt →0 时,点P ′无限趋近P 点,则有｜d r ｜＝d s ,但却不等于d r ．故选(B)． (2) 由于｜Δr ｜≠Δs ,故t s t ΔΔΔΔ≠r ,即｜v ｜≠v ． 但由于｜d r ｜＝d s ,故t s t d d d d =r ,即｜v ｜＝v ．由此可见,应选(C)． 1 -2 一运动质点在某瞬时位于位矢r (x,y )的端点处,对其速度的大小有四种意见,即 (1)t r d d ； (2)t d d r ； (3)t s d d ； (4)2 2d d d d ?? ? ??+??? ??t y t x ． 下述判断正确的是( ) (A) 只有(1)(2)正确 (B) 只有(2)正确

电子封装和组织技术复习详细版

百度文库 1、名词术语翻译 2、填空 3、画图 4、问答题 5、计算题 6、综合题 1、微电子封装技术中常用封装术语英文缩写的中文名称： DIP：双列直插式封装double in-line package QFP(J)：四边引脚扁平封装quad flat package PGA：针栅阵列封装pin grid array PLCC：塑料有引脚片式载体plastic leaded chip carrier SOP(J)：IC小外形封装small outline package SOT：小外形晶体管封装small outline transistor package SMC/D：表面安装元器件surface mount component/device BGA：焊球阵列封装ball grid array CCGA：陶瓷焊柱阵列封装C eramic Column Grid Array KGD：优质芯片（已知合格芯片）Known Good Die CSP：芯片级封装chip size package MCM(P):多芯片组件Multi chip Module WLP：晶圆片级封装Wafer Level Packaging WB：引线键合wire bonding TAB：载带自动焊tape automated bonding FCB：倒装焊flip chip bonding OLB：外引线焊接 ILB：内引线焊接 C4：可控塌陷芯片连接Controlled Collapse Chip Connection UBM：凸点下金属化Under Bump Metalization SMT：表面贴装技术 THT：通孔插装技术Through Hole Technology COB：板上芯片 COG：玻璃上芯片 C：陶瓷封装 P：塑料封装

大学物理期末考试题(上册)10套附答案

n 3 电机学院 200_5_–200_6_学年第_二_学期 《大学物理 》课程期末考试试卷 1 2006.7 开课学院： ，专业： 考试形式：闭卷，所需时间 90 分钟 考生： 学号： 班级 任课教师 一、填充題（共30分，每空格2分） 1.一质点沿x 轴作直线运动，其运动方程为()3262x t t m =-，则质点在运动开始后4s 位移的大小为___________，在该时间所通过的路程为_____________。 2.如图所示，一根细绳的一端固定， 另一端系一小球，绳长0.9L m =，现将小球拉到水平位置OA 后自由释放，小球沿圆弧落至C 点时，30OC OA θ=o 与成，则 小球在C 点时的速率为____________， 切向加速度大小为__________， 法向加速度大小为____________。(210g m s =)。 3.一个质点同时参与两个在同一直线上的简谐振动，其振动的表达式分别为： 215 5.010cos(5t )6x p p -=?m 、211 3.010cos(5t )6 x p p -=?m 。则其合振动的频率 为_____________，振幅为 ，初相为 。 4、如图所示，用白光垂直照射厚度400d nm =的薄膜，为 2 1.40n =, 且12n n n >>3，则反射光中 nm ，

波长的可见光得到加强，透射光中 nm 和___________ nm 可见光得到加强。 5.频率为100Hz ，传播速度为s m 300的平面波，波 长为___________，波线上两点振动的相差为3 π ，则此两点相距 ___m 。 6. 一束自然光从空气中入射到折射率为1.4的液体上，反射光是全偏振光，则此光束射角等于______________，折射角等于______________。 二、选择題（共18分，每小题3分） 1.一质点运动时，0=n a ，t a c =（c 是不为零的常量），此质点作（ ）。 （A ）匀速直线运动；（B ）匀速曲线运动； （C ） 匀变速直线运动； （D ）不能确定 2.质量为1m kg =的质点，在平面运动、其运动方程为x=3t ，315t y -=（SI 制），则在t=2s 时，所受合外力为（ ） (A) 7j ? ； (B) j ?12- ； (C) j ?6- ； (D) j i ? ?+6 3.弹簧振子做简谐振动，当其偏离平衡位置的位移大小为振幅的4 1 时，其动能为振动 总能量的？（ ） （A ） 916 （B ）1116 （C ）1316 （D ）1516 4. 在单缝夫琅和费衍射实验中波长为λ的单色光垂直入射到单缝上，对应于衍 射角为300的方向上，若单逢处波面可分成3个半波带，则缝宽度a 等于（ ） (A.) λ (B) 1.5λ (C) 2λ (D) 3λ 5. 一质量为M 的平板车以速率v 在水平方向滑行，质量为m 的物体从h 高处直落到车子里，两者合在一起后的运动速率是（ ） (A.) M M m v + (B). (C). (D).v

大学物理期末考试题库

1某质点的运动学方程x=6+3t-5t 3，则该质点作 （ D ） （A ）匀加速直线运动，加速度为正值 （B ）匀加速直线运动，加速度为负值 （C ）变加速直线运动，加速度为正值 （D ）变加速直线运动，加速度为负值 2一作直线运动的物体，其速度x v 与时间t 的关系曲线如图示。设21t t →时间内合力作功 为A 1，32t t →时间内合力作功为A 2，43t t → （C ） （A ）01?A ，02?A ，03?A （B ）01?A ，02?A ， 03?A （C ）01=A ，02?A ，03?A （D ）01=A ，02?A ，03?A 3 关于静摩擦力作功，指出下述正确者（ C ） （A ）物体相互作用时，在任何情况下，每个静摩擦力都不作功。 （B ）受静摩擦力作用的物体必定静止。 （C ）彼此以静摩擦力作用的两个物体处于相对静止状态，所以两个静摩擦力作功之和等于 零。 4 质点沿半径为R 的圆周作匀速率运动，经过时间T 转动一圈，那么在2T 的时间内，其平 均速度的大小和平均速率分别为（B ） （A ） ， （B ） 0， （C ）0， 0 （D ）T R π2， 0 5、质点在恒力F ρ作用下由静止开始作直线运动。已知在时间1t ?内，速率由0增加到υ； 在2t ?内，由υ增加到υ2。设该力在1t ?内，冲量大小为1I ，所作的功为1A ；在2t ?内， 冲量大小为2I ，所作的功为2A ，则（ D ） A ．2121;I I A A <= B. 2121;I I A A >= C. 2121;I I A A => D. 2121;I I A A =< 6如图示两个质量分别为B A m m 和的物体A 和B 一起在水平面上沿x 轴正向作匀减速直 线运动，加速度大小为a ，A 与B 间的最大静摩擦系数为μ，则A 作用于B 的静摩擦力 F 的大小和方向分别为（D ） 轴正向相反与、轴正向相同 与、轴正向相同 与、轴正向相反 与、x a m D x a m x g m x g m B B B B ,,C ,B ,A μμT R π2T R π2T R π2t

微电子笔试(笔试和面试题)有答案

第一部分：基础篇 （该部分共有试题8题,为必答题，每位应聘者按自己对问题的理解去回答，尽可能多回答你所知道的内容。若不清楚就写不清楚）。 1、我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念）。 数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。 模拟信号，是指幅度随时间连续变化的信号。例如，人对着话筒讲话，话筒输出的音频电信号就是模拟信号，收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号，也是模拟信号。 数字信号，是指在时间上和幅度上离散取值的信号，例如，电报电码信号，按一下电键，产生一个电信号，而产生的电信号是不连续的。这种不连续的电信号，一般叫做电脉冲或脉冲信号，计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又叫做数字信号。在电子技术中，通常又把模拟信号以外的非连续变化的信号，统称为数字信号。 FPGA是英文Field－Programmable Gate Array的缩写，即现场可编程门阵列，它是在PAL、GAL、EPLD 等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专用集成电路（ASIC）领域中的一种半定制电路而出现的，既解决了定制电路的不足，又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。 2、你认为你从事研发工作有哪些特点？ 3、基尔霍夫定理的内容是什么？ 基尔霍夫电流定律:流入一个节点的电流总和等于流出节点的电流总和。 基尔霍夫电压定律:环路电压的总和为零。
欧姆定律: 电阻两端的电压等于电阻阻值和流过电阻的电流的乘积。 4、描述你对集成电路设计流程的认识。 模拟集成电路设计的一般过程： 1.电路设计依据电路功能完成电路的设计。 2.前仿真电路功能的仿真，包括功耗，电流，电压，温度，压摆幅，输入输出特性等参数的仿真。 3.版图设计（Layout）依据所设计的电路画版图。一般使用Cadence软件。 4.后仿真对所画的版图进行仿真，并与前仿真比较，若达不到要求需修改或重新设计版图。 5.后续处理将版图文件生成GDSII文件交予Foundry流片。正向设计与反向设计 State Key Lab of ASIC & Systems, Fudan University 自顶向下和自底向上设计 State Key Lab of ASIC & Systems, Fudan University Top-Down设计 –Top-Down流程在EDA工具支持下逐步成为 IC主要的设计方法 –从确定电路系统的性能指标开始，自系 统级、寄存器传输级、逻辑级直到物理 级逐级细化并逐级验证其功能和性能 State Key Lab of ASIC & Systems, Fudan University Top-Down设计关键技术 . 需要开发系统级模型及建立模型库，这些行 为模型与实现工艺无关，仅用于系统级和RTL 级模拟。

大学物理考试题库-大学物理考试题

马文蔚（ 112 学时） 1-9 章自测题 第 1 部分：选择题 习题 1 1-1 质点作曲线运动，在时刻t质点的位矢为r ，速度为 v ，t 至 t t 时间内的位移为r ，路程为s，位矢大小的变化量为r （或称r ），平均速度为v ，平均速率为v 。 （1）根据上述情况，则必有（） （A ）r s r （B ）（C）（D ）r s r ，当t0 时有 dr ds dr r r s ，当t0 时有 dr dr ds r s r ，当t0 时有 dr dr ds （2）根据上述情况，则必有（） （A ）（C）v v, v v（ B）v v, v v v v, v v（D ）v v, v v 1-2 一运动质点在某瞬间位于位矢r ( x, y) 的端点处，对其速度的大小有四种意见，即 （1）dr ；（ 2） dr ；（3） ds ；（4）( dx )2( dy )2 dt dt dt dt dt 下列判断正确的是： （A ）只有（ 1）（2）正确（B ）只有（ 2）正确 （C）只有（ 2）（3）正确（D ）只有（ 3）（ 4）正确 1-3 质点作曲线运动，r 表示位置矢量，v 表示速度， a 表示加速度，s表示路程，a t表示切向加速度。对下列表达式，即 （1）dv dt a ；（2） dr dt v ；（3） ds dt v ；（4）dv dt a t。 下述判断正确的是（） （A ）只有（ 1）、（ 4）是对的（B ）只有（ 2）、（4）是对的 （C）只有（ 2）是对的（ D）只有（ 3）是对的 1-4 一个质点在做圆周运动时，则有（） （A ）切向加速度一定改变，法向加速度也改变 （B ）切向加速度可能不变，法向加速度一定改变 （C）切向加速度可能不变，法向加速度不变 （D ）切向加速度一定改变，法向加速度不变 1-5 如图所示，湖中有一小船，有人用绳绕过岸上一定高度处的定滑轮拉湖中的船向岸边

大学物理期末考试题库

1某质点的运动学方程x=6+3t-5t 3 ，则该质点作 （ D ） （A ）匀加速直线运动，加速度为正值 （B ）匀加速直线运动，加速度为负值 （C ）变加速直线运动，加速度为正值 （D ）变加速直线运动，加速度为负值 2一作直线运动的物体，其速度x v 与时间t 的关系曲线如图示。设21t t →时间合力作功为 A 1，32t t →时间合力作功为A 2，43t t → 3 C ） （A ）01?A ，02?A ，03?A （B ）01?A ，02?A ， 03?A （C ）01=A ，02?A ，03?A （D ）01=A ，02?A ，03?A 3 关于静摩擦力作功，指出下述正确者（ C ） （A ）物体相互作用时，在任何情况下，每个静摩擦力都不作功。 （B ）受静摩擦力作用的物体必定静止。 （C ）彼此以静摩擦力作用的两个物体处于相对静止状态，所以两个静摩擦力作功之和等于 零。 4 质点沿半径为R 的圆周作匀速率运动，经过时间T 转动一圈，那么在2T 的时间，其平均 速度的大小和平均速率分别为（B ） （A ） ， （B ） 0， （C ）0， 0 （D ） T R π2， 0 5、质点在恒力F 作用下由静止开始作直线运动。已知在时间1t ?，速率由0增加到υ；在2t ?， 由υ增加到υ2。设该力在1t ?，冲量大小为1I ，所作的功为1A ；在2t ?，冲量大小为2I ， 所作的功为2A ，则（ D ） A ．2121;I I A A <= B. 2121;I I A A >= C. 2121;I I A A => D. 2121;I I A A =< 6如图示两个质量分别为B A m m 和的物体A 和B 一起在水平面上沿x 轴正向作匀减速直线 运动，加速度大小为a ，A 与B 间的最大静摩擦系数为μ，则A 作用于B 的静摩擦力F 的 大小和方向分别为（D ） 轴正向相反与、轴正向相同 与、轴正向相同 与、轴正向相反 与、x a m D x a m x g m x g m B B B B ,,C ,B ,A μμT R π2T R π2T R π2t

大学物理上册期末考试题库

质 点 运 动 学 选择题 [ ]1、某质点作直线运动的运动学方程为x ＝6+3t -5t 3 (SI)，则点作 A 、匀加速直线运动，加速度沿x 轴正方向． B 、匀加速直线运动，加速度沿x 轴负方向． C 、变加速直线运动，加速度沿x 轴正方向． D 、变加速直线运动，加速度沿x 轴负方向． [ ]2、某物体的运动规律为2v dv k t dt =-，式中的k 为大于零的常量．当0=t 时，初速v 0，则速度v 与时间t 的函数关系是 A 、0221v kt v += B 、022 1v kt v +-= C 、02211v kt v +=, D 、02211v kt v +-= [ ]3、质点作半径为R 的变速圆周运动时的加速度大小为(v 表示任一时刻 质点的速率) A 、dt dv B 、R v 2 C 、R v dt dv 2+ D 、 242)(R v dt dv + [ ]4、关于曲线运动叙述错误的是 A 、有圆周运动的加速度都指向圆心 B 、圆周运动的速率和角速度之间的关系是ωr v = C 、质点作曲线运动时，某点的速度方向就是沿该点曲线的切线方向 D 、速度的方向一定与运动轨迹相切 [ ]5、以r 表示质点的位失， ?S 表示在?t 的时间内所通过的路程，质点在?t 时间内平均速度的大小为 A 、t S ??; B 、t r ?? C 、t r ?? ; D 、t r ?? 填空题 6、已知质点的运动方程为26(34)r t i t j =++ (SI)，则该质点的轨道方程 为 ；s t 4=时速度的大小 ；方向 。 7、在xy 平面内有一运动质点，其运动学方程为：j t i t r 5sin 105cos 10+=（SI ）， 则t 时刻其速度=v ；其切向加速度的大小t a ；该质 点运动的轨迹是 。 8、在x 轴上作变加速直线运动的质点,已知其初速度为v 0，初始位置为x 0加速度为a=C t 2 (其中C 为常量),则其速度与时间的关系v= ， 运动

大学物理考试试题

一、选择题 （每小题2分，共20分） 1. 关于瞬时速率的表达式，正确的是 （ B ） (A) dt dr =υ； (B) dt r d = υ; (C) r d =υ; (D) dr dt υ= r 2. 在一孤立系统内，若系统经过一不可逆过程，其熵变为S ?，则下列正确的是 （ A ） (A) 0S ?>; (B) 0S ?< ; (C) 0S ?= ; (D) 0S ?≥ 3. 均匀磁场的磁感应强度B 垂直于半径为r 的圆面，今以该圆面为边界，作以半球面S ，则通过S 面的磁通量的大小为 （ B ） （A ）2πr 2B; (B) πr 2B; （C ）0; （D ）无法确定 4. 关于位移电流，有下面四种说法，正确的是 （ A ） （A ）位移电流是由变化的电场产生的； （B ）位移电流是由变化的磁场产生的； （C ）位移电流的热效应服从焦耳—楞次定律； （D ）位移电流的磁效应不服从安培环路定律。 5. 当光从折射率为1n 的介质入射到折射率为2n 的介质时，对应的布儒斯特角b i 为 （ A ） 2 1 1 2 (A)( );(B)( );(C) ;(D)02 n n arctg arctg n n π 6. 关于电容器的电容，下列说法正确．．的是 （ C ） (A) 电容器的电容与板上所带电量成正比 ; (B) 电容器的电容与板间电压成反比; (C)平行板电容器的电容与两板正对面积成正比 ;(D) 平行板电容器的电容与两板间距离成正比 7. 一个人站在有光滑转轴的转动平台上，双臂水平地举二哑铃。在该人把二哑铃水平收缩到胸前的过程中，人、哑铃与转动平台组成的系统 （ C ） （A ）机械能守恒，角动量不守恒； （B ）机械能守恒，角动量守恒； （C ）机械能不守恒，角动量守恒； （D ）机械能不守恒，角动量也不守恒； 8. 某气体的速率分布曲线如图所示，则气体分子的最可几速率v p 为 （ A ） (A) 1000 m ·s -1 ; （B ）1225 m ·s -1 ; (C) 1130 m ·s -1 ; (D) 1730 m ·s -1 得分

大学物理期末考试试卷(含答案)

《大学物理（下）》期末考试（A 卷） 一、选择题(共27分) 1. (本题3分) 距一根载有电流为3×104 A 的电线1 m 处的磁感强度的大小为 (A) 3×10-5 T ． (B) 6×10-3 T ． (C) 1.9×10-2T ． (D) 0.6 T ． (已知真空的磁导率μ0 =4π×10-7 T ·m/A) ［ ］ 2. (本题3分) 一电子以速度v 垂直地进入磁感强度为B 的均匀磁场中，此电子在磁场中运动轨道所围的面积内的磁通量将 (A) 正比于B ，反比于v 2． (B) 反比于B ，正比于v 2． (C) 正比于B ，反比于v ． (D) 反比于B ，反比于v ． ［ ］ 3. (本题3分) 有一矩形线圈AOCD ，通以如图示方向的电流I ，将它置于均匀磁场B 中，B 的方向与x 轴正方向一致，线圈平面与x 轴之间的夹角为α，α < 90°．若AO 边在y 轴上，且线圈可绕y 轴自由转动，则线圈将 (A) 转动使α 角减小． (B) 转动使α角增大． (C) 不会发生转动． (D) 如何转动尚不能判定． ［ ］ 4. (本题3分) 如图所示，M 、N 为水平面内两根平行金属导轨，ab 与cd 为垂直于导轨并可在其上自由滑动的两根直裸导线．外磁场垂直水平面向上．当外力使 ab 向右平移时，cd (A) 不动． (B) 转动． (C) 向左移动． (D) 向右移动．［ ］ 5. (本题3分) 如图，长度为l 的直导线ab 在均匀磁场B 中以速度v 移动，直导线ab 中的电动势为 (A) Bl v ． (B) Bl v sin α． (C) Bl v cos α． (D) 0． ［ ］ 6. (本题3分) 已知一螺绕环的自感系数为L ．若将该螺绕环锯成两个半环式的螺线管，则两个半环螺线管的自感系数 c a b d N M B

微电子封装技术作业(一)

第一次作业 1 写出下列缩写的英文全称和中文名称 DIP: Double In-line Package, 双列直插式组装 BGA: ball grid array, 球状矩阵排列 QFP: Quad flat Pack, 四方扁平排列 WLP: Wafer Level Package, 晶圆级封装 CSP: Chip Scale Package, 芯片级封装 LGA: Land grid array, 焊盘网格阵列 PLCC: Plastic Leaded Chip Carrier, 塑料芯片载体 SOP: Standard Operation Procedure, 标准操作程序 PGA: pin grid array, 引脚阵列封装 MCM: multiple chip module, 多片模块 SIP: System in a Package, 系统封装 COB: Chip on Board, 板上芯片 DCA: Direct Chip Attach, 芯片直接贴装，同COB MEMS: Micro-electromechanical Systems, 微电子机械系统 2 简述芯片封装实现的四种主要功能，除此之外LED封装功能。 芯片功能 （1）信号分配;(2)电源分配；（3）热耗散：使结温处于控制范围之内；（4）防护：对器件的芯片和互连进行机械、电磁、化学等方面的防护 LED器件 （2）LED器件：光转化、取光和一次配光。 3 微电子封装技术的划分层次和各层次得到的相应封装产品类别。 微电子封装技术的技术层次 第一层次：零级封装-芯片互连级（CLP） 第二层次：一级封装SCM 与MCM（Single/Multi Chip Module） 第三层次：二级封装组装成SubsystemCOB（Chip on Board）和元器件安装在基板上 第三层次：三级微电子封装，电子整机系统构建 相对应的产品如图（1）所示：

(完整版)大学物理期末考试试卷(A卷)

第三军医大学2011-2012学年二学期 课程考试试卷(A 卷) 课程名称：大学物理 考试时间：120分钟 年级：xxx 级 专业： xxx 题目部分，（卷面共有26题，100分，各大题标有题量和总分） 一、选择题（每题2分，共20分，共10小题） 1．一导体球壳，外半径为 2R ，内半径为 1R ，壳内有电荷q ，而球壳上又带有电荷q ，以无穷远处电势为零，则导体球壳的电势为( ) A 、 10π4R q ε B 、20π41R q ε C 、202π41R q ε D 、2 0π42R q ε 2．小船在流动的河水中摆渡，下列说法中哪些是正确的( ) (1) 船头垂直河岸正对彼岸航行，航行时间最短 (2) 船头垂直河岸正对彼岸航行，航程最短 (3) 船头朝上游转过一定角度，使实际航线垂直河岸，航程最短 (4) 船头朝上游转过一定角度，航速增大，航行时间最短 A 、 (1)(4) B 、 (2)(3) C 、 (1)(3) D 、 (3)(4) 3．运动员起跑时的动量小于他在赛跑过程中的动量。下面叙述中哪些是正确的( ) A 、这一情况违背了动量守恒定律 B 、 运动员起跑后动量的增加是由于他受到了力的作用 C 、 运动员起跑后动量增加是由于有其他物体动量减少 4．一均匀带电球面，电荷面密度为σ球面内电场强度处处为零，球面上面元dS 的一个带电量为s d σ的电荷元，在球面内各点产生的电场强度 ( ) A 、处处为零 B 、不一定都为零 C 、处处不为零 D 、无法判定 5．一质点从静止开始作匀加速率圆周运动，当切向加速度和法向加速度相等时，质点走过的圈数与半径和加速度的关系怎样( ) A 、 与半径和加速度都有关 B 、 与半径和加速度都无关 C 、 与半径无关，而与加速度有关 D 、 与半径有关，而与加速度无关

大学物理考试题库完整

普通物理Ⅲ 试卷（ A 卷） 一、单项选择题 1、运动质点在某瞬时位于位矢r 的端点处,对其速度的大小有四种意见,即 (1)t r d d ； (2)dt r d ； (3)t s d d ； (4)22d d d d ?? ? ??+??? ??t y t x ． 下述判断正确的是( ) (A) 只有(1)(2)正确 (B) 只有(2)正确 (C) 只有(2)(3)正确 (D) 只有(3)(4)正确 2、一个质点在做圆周运动时,则有( ) (A) 切向加速度一定改变,法向加速度也改变 (B) 切向加速度可能不变,法向加速度一定改变 (C) 切向加速度可能不变,法向加速度不变 (D) 切向加速度一定改变,法向加速度不变 3、如图所示,质量为m 的物体用平行于斜面的细线联结置于光滑的斜面上,若斜面向左方作加速运动,当物体刚脱离斜面时,它的加速度的大小为( ) (A) g sin θ (B) g cos θ (C) g tan θ (D) g cot θ 4、对质点组有以下几种说法： (1) 质点组总动量的改变与内力无关； (2) 质点组总动能的改变与内力无关； (3) 质点组机械能的改变与保守内力无关． 下列对上述说法判断正确的是( ) (A) 只有(1)是正确的 (B) (1) (2)是正确的 (C) (1) (3)是正确的 (D) (2) (3)是正确的 5、静电场中高斯面上各点的电场强度是由：（ ） (A) 高斯面内的电荷决定的 (B) 高斯面外的电荷决定的 (C) 空间所有电荷决定的 (D) 高斯面内的电荷的代数和决定的 6、一带电粒子垂直射入均匀磁场中，如果粒子的质量增加为原来的2倍，入射速度也增加为原来的2倍，而磁场的磁感应强度增大为原来的4倍，则通过粒子运动轨道所围面积的磁通量增大为原来的：（ ） (A) 2倍 (B) 4倍 (C) 0.5倍 (D) 1倍 7、一个电流元Idl 位于直角坐标系原点 ，电流沿z 轴方向，点P (x ，y ，z )的磁感强度沿 x 轴的分量 是： （ ）

《大学物理(一)》期末考试试题]

《大学物理（一）》综合复习资料 一．选择题 1． 某人骑自行车以速率V 向正西方行驶，遇到由北向南刮的风（设风速大小也为V ），则他感到风是从 （A ）东北方向吹来．（B ）东南方向吹来．（C ）西北方向吹来．（D ）西南方向吹来． [ ] 2．一质点在平面上运动，已知质点位置矢量的表示式为j bt i at r 2 2 +=（其中a 、b 为常量）则该质点作 （A ）匀速直线运动．（B ）变速直线运动．（C ）抛物线运动．（D ）一般曲线运动． [ ] 3．一轻绳绕在有水平轮的定滑轮上，滑轮质量为m ，绳下端挂一物体．物体所受重力为P ，滑轮的角加速度为β．若将物体去掉而以与P 相等的力直接向下拉绳子，滑轮的角加速度β将 （A ）不变．（B ）变小．（C ）变大．（D ）无法判断． 4． 质点系的内力可以改变 （A ）系统的总质量．（B ）系统的总动量．（C ）系统的总动能．（D ）系统的总动量． 5．一弹簧振子作简谐振动，当位移为振幅的一半时，其动能为总能量的 （A ）1/2 .（B ）1/4.（C ）2/1.(D) 3/4.（E ）2/3. [ ] 6．一弹簧振子作简谐振动，总能量为E 1，如果简谐振动振幅增加为原来的两倍，重物的质量增为原来的四倍，则它的总能量E 1变为 （A ）4/1E .（B ） 2/1E ．（C ）12E .（D ）14E ． [ ] 7．在波长为λ的驻波中，两个相邻波腹之间的距离为 （A ）λ／4． （B ）λ/2．（C ） 3λ/4 . （D ）λ． [ ] 8．一平面简谐波沿x 轴负方向传播．已知x ＝b 处质点的振动方程为)cos(0φω+=t y ，波速为u ，则波动方程为：

(完整word版)微电子技术概论期末试题

《微电子技术概论》期末复习题 试卷结构： 填空题40分，40个空，每空1分， 选择题30分，15道题，每题2分， 问答题30分，5道题，每题6分 填空题 1.微电子学是以实现电路和系统的集成为目的的。 2.微电子学中实现的电路和系统又称为集成电路和集成系统，是微小化的。 3.集成电路封装的类型非常多样化。按管壳的材料可以分为金属封装、陶瓷封装和塑料封装。 4.材料按其导电性能的差异可以分为三类：导体、半导体和绝缘体。 5. 迁移率是载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度。 6.PN 结的最基本性质之一就是其具有单向导电性。 7.根据不同的击穿机理，PN 结击穿主要分为雪崩击穿和隧道击穿这两种电击穿。 8.隧道击穿主要取决于空间电荷区中的最大电场。 9. PN结电容效应是PN结的一个基本特性。 10.PN结总的电容应该包括势垒电容和扩散电容之和。 11.在正常使用条件下，晶体管的发射结加正向小电压，称为正向偏置，集电结加反向大电压，称为反向偏置。 12.晶体管的直流特性曲线是指晶体管的输入和输出电流-电压关系曲线， 13.晶体管的直流特性曲线可以分为三个区域：放大区，饱和区，截止区。 14.晶体管在满足一定条件时，它可以工作在放大、饱和、截止三个区域中。 15.双极型晶体管可以作为放大晶体管，也可以作为开关来使用，在电路中得到了大量的应用。 16. 一般情况下开关管的工作电压为 5V ，放大管的工作电压为 20V 。 17. 在N 型半导体中电子是多子，空穴是少子； 18. 在P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。 19. 所谓模拟信号，是指幅度随时间连续变化的信号。 20. 收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号是模拟信号。 21. 所谓数字信号，指在时间上和幅度上离散取值的信号。 22. 计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又叫做数字信号。 23. 半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、二极