8261G3J高精度单节锂电池保护芯片

Protection IC for 1-Cell Battery Pack

Features

High Detection Accuracy

Overcharge Detection: ±25mV

Overdischarge Detection: ±50mV

Discharge Overcurrent Detection: ±15mV

Charge Overcurrent Detection: ±30mV High Withstand Voltage

Absolute maximum ratings: 28V

(V- pin and CO pin)

Ultra Small Package

SOT-23-6 Description

The 8261 is the 1-cell protection IC for lithium-ion/lithium-polymer rechargeable battery pack. The high accuracy voltage detector and delay time circuits are built in 8261 with state-of-art design and process.

To minimize power consumption, 8261 activates power down mode when an overdischarge event is detected (for power-down mode enabled version). Besides, 8261 performs protection functions with four external components for miniaturized PCB.

The tiny package is especially suitable for compact portable device, i.e. slim mobile phone and Bluetooth earphone.

Application

Mobile phone battery packs

Digital camera battery packs

Bluetooth earphone Li-ion battery module Typical Application Circuit

Package and Pin Description

Ordering Information Marking Information

Pin No. Symbol pin Description

1 DO Connection of discharge control FET gate

2 V-

Voltage detection between V- pin and VSS pin

(Overcurrent / charger detection pin)

3 CO Connection of charge control FET gate

4 NC No connection

5 V DD Connection for positive power supply input

6 V SS Connection for negative power supply input

Version code

SOT-23-6

1 2 3

6 5 4

1) ~ 3) : Version code

Product version code:

8261 Overcharge

Detection

Voltage

V DET1 (V)

Overcharge

Release

Voltage

V REL1 (V)

Overdischarge

Detection

Voltage

V DET2 (V)

Overdischarge

Release Voltage

V REL2 (V)

Overcurrent

Detection

Voltage V DET3 (V)

0V Battery

Charge Function

Power down

mode

Function

G3P 4.200 4.100 2.750 2.850 0.150 Unavailable Yes G2J 4.325 4.125 2.500 2.900 0.150 Unavailable Yes G3J 4.280 4.080 3.000 3.000 0.080 Available Yes G2N 4.275 4.175 2.300 2.400 0.100 Available Yes Remark Please contact our sales office for the products with detection voltage value other than those specified above.

Absolute Maximum Ratings

Symbol Descriptions Rating

Units V DD

Supply Voltage -0.3 to 7

V V-

V- pin V DD - 28 to V DD + 0.3 V V CO

CO pin V DD -28 to V DD + 0.3 V V DO

Output Voltage

DO pin Vss - 0.3 to V DD + 0.3

V

P D Power Dissipation SOT23-6

250 mW T OPT

Operating Temperature Range -40 to +85 °C T STG

Storage Temperature Range -55 to +125

°C

Applying any over “Absolute Maximum Ratings” practice can permanently damage the device. These data are indicated the absolute maximum values only but not implied any operating performance.

Electrical Characteristics

Symbol

Item Conditions MIN TYP MAX Unit

Detection Voltage

V DET1 Overcharge detection voltage -- V DET1-0.025 V DET1 V DET1+0.025V

V REL1 Overcharge release voltage V DET1 ≠ V REL1

V REL1-0.05 V REL1 V REL1+0.05 V V DET2 Over-discharge detection voltage -- V DET2-0.05 V DET2 V DET2+0.05 V V REL2 Over-discharge release voltage V DET2 ≠ V REL2 V REL2-0.10 V REL2 V REL2+0.10 V V DET3 Discharge overcurrent detection voltage

V DD =3.5V V DET3-0.015 V DET3

V DET3+0.015

V

V DET4 Charge overcurrent detection V DD =3.5V -0.13 -0.10 -0.07 V V SHORT

Load short-circuiting detection voltage

V DD =3.5V

0.30 0.50 0.70 V

Detection Delay Time

- 0.96 1.2 1.4 s

VDD=4.28V , C ISS =1200pF ,

V TH =0.6V

0.96 1.22 1.42 s t VDET1* Output delay time of overcharge

VDD=4.28V , C ISS =1200pF ,

V TH =0.4V

0.95 1.23 1.43 s V DET2 ＞2.5V 120 150 180 ms t VDET2 Output delay time of overdischarge V DET2 ≦2.5V 100 150 200 ms V DET2 ＞2.5V 7.2 9 11 ms t VDET3

Output delay time of discharge over

current V DET2 ≦2.5V 6 9 12 ms t SHORT

Output delay time of Load short-circuiting detection

V DD =

3.5V 240 300 360

μs V DD = 3.5V 7.2 9 11 ms

V DD =3.5V ,

C ISS =1200pF , V TH =0.6V 15.1 19.5 23.8 ms t VDET4*

Output delay time of charge over

current

V DD =3.5V ,

C ISS =1200pF , V TH =0.4V

16.8 21.6 26.4 ms

(Ta = 25o C)

(Continued)

Symbol Item Conditions

MIN

TYP

MAX

Unit

Current Consumption (power-down function enabled)

V DD Operating input voltage V DD - V SS 2.2 6.0

V

I DD Supply

current V DD

= 3.5V,

V-

=0V 1.0 3.0 5.5 μA

I STANDBY Power-down current (power-down

function enabled IC only)

V DD=2.0V, V- floating 0.2 μA

0V battery Charging Function

V0CHA 0 V battery charge starting charger

voltage

0 V battery charging

function “available”

1.0 V

V0INH 0V battery charge inhibition battery

voltage

0 V battery charging

function “unavailable”

(Vcharger=4V~14V)

0.3 V

Output Resistance

R COH CO pin H resistance V CO=3.0V, V DD=3.5V,

V-=0V

- 5 10

K?

R COL CO pin L resistance V CO=0.5V, V DD=4.5V,

V-=0V

- 5 10

M?

R DOH DO pin H resistance V DO=3.0V, V DD=3.5V,

V-=0V

- 5 10

K?

R DOL DO pin L resistance V DO=0.5V, V DD=1.8V,

V-=0V

- 5 10

K?

V- internal Resistance

R VMD Internal resistance between V- and

V DD

V DD

= 1.8V,

V-

=0V 100 300 900 K?

R VMS Internal resistance between V- and

V SS

V DD

= 3.5V,

V-

= 1.0V 100 200 400 K?

*: Please note that a N-channel MOSFET“turning off delay time”will be affected by 1.Input capacitance (C ISS). 2.Gate threshold voltage (V TH); It causes the delay times of overcharge (tV DET1) and charge overcurrent (tV DET4) of 8261 are prolonged approximately “10ms” to turn off the N-channel MOSFETs to cutting off the current flowing path.

Test Circuits

Overcharge, overdischarge and the release detection voltages (test circuit 1)

1) Set V1=3.5V, V2=0V, S1=ON and S2=OFF, then 8261 enters operating mode.

2) Increase V1 voltage (from 3.5V) gradually. The V1 voltage is the overcharge detection voltage (V DET1)

when CO pin goes low (from high).

3) Decrease V1 gradually. The V1 voltage is the overcharge release detection voltage (V REL1) when CO pin

goes high again.

4) Continue decreasing V1. The V1 voltage is the overdischarge detection voltage (V DET2) when DO pin goes

low. Then increase V1 gradually. The V1 voltage is the overdischarge release detection voltage (V REL2), when DO pin returns to high.

Note: The overcharge and overdischarge release voltages are defined in versions.

Discharge overcurrent detection voltage (test circuit 1)

1) Set V1=3.5 V, V2=0V, S1=ON and S2=OFF and XY8261 enter operating condition.

2) Increase V2 (from 0V) gradually. The V2 voltage is the discharge overcurrent detection voltage (V DET3)

when DO pin goes low (from high).

Charge overcurrent detection voltage (test circuit 1)

1) Set V1=3.5V, V3=0V, S1=OFF and S2=ON and XY8261 enter operating condition.

2) Increase V3 gradually. The V3 voltage is the charge overcurrent detection voltage (V DET4) when CO pin

goes low (from high).

Load short-circuiting detection voltage (test circuit 1)

1) Set V1=3.5V, V2=0V, S1=ON and S2=OFF and 8261 enter operating condition.

2) Increase V2 immediately (within 10uS) till DO pin goes “low” from high with a delay time which is

between the minimum and the maximum of Load short-circuiting delay time.

Overcharge, overdischarge delay time (test circuit 1)

1) Set V1=3.5V, V2=0V, S1=ON and S2=OFF to enter operating condition.

2) Increase V1 from V DET1-0.2V to V DET1+0.2V immediately (within 10us). The overcharge detection delay

time (t VDET1) is the period from the time V1 gets to V DET1+0.2V till CO pin switches from high to low. 3) Set V1=3.5V, V2=0V, S1=ON and S2 = OFF to enter operating condition.

4) Decrease V1 from V DET2+0.2V to V DET2-0.2V immediately (within 10us). The overdischarge detection delay

time (t VDET2) is the period from the time V1 gets to V DET2-0.2V till DO pin switches from high to low.

Discharge overcurrent delay time (test circuit 1)

1) Set V1=3.5V, V2=0V, S1=ON and S2=OFF to enter operating condition.

2) Increase V2 from 0V to 0.25V immediately (within 10us). The discharge overcurrent detection delay time

(t VDET3) is the period from the time V2 gets to 0.25V till DO pin switches from high to low.

Charge overcurrent delay time (test circuit 1)

1) Set V1=3.5V, V3=0V, S1=OFF and S2=ON to enter operating condition.

2) Increase V3 from 0V to 0.3V immediately (within 10us). The charge overcurrent detection delay time

(t VDET4) is the period from the time V3 gets to 0.3V till CO pin gets to low from high.

8261高精度单节锂电保护芯片

Load short-circuiting delay time (test circuit 1)

1)Set V1=3.5V, V2=0V, S1=ON and S2=OFF to enter operating condition.

2)Increase V2 from 0V to 1.6V immediately (within 10us). The Load short-circuiting detection voltage delay

time (t SHORT) is the period from the time V2 gets to 1.6V till DO pin switches from high to low.

Operating & power down current consumption (test circuit 2)

1)Set V1=3.5V, V2=0V and S1=ON to enter operating condition and measure the current I1. I1 is the

operating condition current consumption (I DD).

2)Set V1=V2=1.5V and S1=ON enter overdischarge condition and measure current I1. I1 is the power

down current consumption (I STANDBY).

Resistance between V- and V DD, V- and V SS (test circuit 2)

1)Set V1=1.8V, V2=0V and S1=ON and XY8261 enters overdischarge condition. V1/I1 is the internal

resistance between V- and VDD pin (R VMD).

2)Set V1=3.5V, V2=1.0V and S1=ON and XY8261 enters discharge overcurrent condition. V2/I2 is the

internal resistance between V- and V SS pin (R VMS).

Output resistance (test circuit 3)

1)Set V1=3.5V, V2=0V, V3=3.0V, S1=OFF and S2=ON to enter operating condition. (V3-V1)/I2 is the

internal resistance (R COH).

2)Set V1=4.5V, V2=0V, V3 =0.5V, S1=OFF and S2=ON to enter overcharge condition. V3/I2 is the internal

resistance (R COL).

3)Set V1=3.5V, V2=0V, V3=3.0V, S1=ON and S2=OFF to enter operating condition. (V3-V1)/I2 is the

internal resistance (R DOH).

4)Set V1=1.8 V, V2=0V, V3 =0.5V, S1=ON and S2=OFF to enter overdischarge condition. V3/I2 is the

internal resistance (R DOL).

0V battery charge starting charger voltage (products with 0V battery charging function is “Available”) (test circuit 4)

1)Set V1=V2=0V, increase V2 gradually.

2)The V1 voltage is the 0V charge inhibition voltage (V0INH) when CO pin switches from low to high (V V- +

0.1V or higher).

0V battery charge inhibition battery voltage (products with 0V battery charging function is “Unavailable”) (test circuit 4)

1)Set V1=0V, V2=4V and increase V1 gradually.

2)The V1 voltage is the 0V charge inhibition voltage (V0INH) when CO pin switches from low to high (V V- +

0.1V or higher).

Note: The charger voltage should not be higher than 14V of 0V battery charge inhibition battery voltage.

Recommended:

1) '0 V charge available' doesn't means 8261 can reco ver the zero-V cell to be full charged if this cell has

been already damaged due to too low voltage.

2) In 8261, the '0 V charge inhibition' voltage is rather lower (0.3V~0.5V). That is, 8261 allows

charging such low voltage cell and recover it.

3) For safety consideration, we strongly recommended to select '0 V charge inhibition' to prevent from

charging a damaged cell.

Test

Circuit

Test circuit 1 Test circuit 2

Test circuit 4

Test circuit 3

Operation

The 8261 provides overcharge, overdischarge, discharge overcurrent, charge overcurrent and load

short-circuiting protections for the 1-cell battery pack. 8261 continuously monitors the voltage of battery between V DD pin and VSS pin to control overcharge and overdischarge protections. When the battery pack is in charging stage, the current flows from the charger to the battery through EB+ and EB-; the voltage between V- pin and VSS pin is negative. On the other hand, when the battery pack is in discharging stage, the current flows from battery to the load through EB+ and EB-; the voltage between V- pin and VSS pin is positive. The 8261 also monitors the voltage which is determined by the current of charge and discharge and the series Rds(on) of MOSFETs between V- pin and V SS pin to detect charge overcurrent and discharge overcurrent current conditions. (1) Normal Condition (Operation mode)

The 8261 turns both the charging and discharging control MOSFETs on when the voltage of battery is in the range from overcharge detection voltage (V DET1) to overdischarge detection voltage (V DET2), and the VM pin voltage is in the range from overcurrent detection voltage (V DET4) to discharge overcurrent detection voltage (V DET3). This is called the normal condition that charging and discharging can be carried out freely.

Caution: The XY8261 may be needed connecting a charger to return to normal condition, when the battery

is connected for the first time.

(2) Overcharge Condition

1) Overcharge Protection:

When the V DD voltage is higher than the overcharge detection voltage (V DET1) and lasts for longer than the overcharge detection delay time (t VDET1), 8261 turns off the external charging MOSFET to protect the pack from being overcharged, which CO pin turns to “L” from “H” level. 2) Overcharge Protection Release:

When the battery voltage is lower than V REL1 and the V- pin voltage is between charge overcurrent detection voltage (V DET4) and discharge overcurrent detection voltage (V DET3), the XY8261 would release this condition.

When the battery voltage is lower than V DET1 and charger is removed, the 8261 can be released from this condition. (3) Overdischarge Condition

1) Overdischarge Protection:

When the V DD voltage is lower than the overdischarge detection voltage (V DET2) and lasts longer than overdischarge detection delay time (t VDET2), 8261 turns off the external discharge MOSFET to protect the pack from being overdischarged, which DO pin turns to “L” from “H” level. In overdischarge condition V- pin is pulled-up to V DD by a resistor (R VMD ) between the V- pin and V DD pin. After that, when V- pin voltage is higher than V DD /2(Typ), the IC gets to power down mode. 2) Overdischarge Protection Release:

The overdischarge protection is released when

(a) a charger is connected and V- pin voltage is lower than -0.7V (Typ.) and battery voltage is higher than

the overdischarge voltage, or

8261高精度单节锂电保护芯片

(b) a charger is connected, and V- pin voltage is higher than –0.7V (Typ.) and battery voltage is higher

than the overdischarge release voltage.

(4) Discharge Overcurrent Condition

1) Discharge Overcurrent Protection:

The 8261 provides discharge overcurrent protection and load short-circuiting protection:

(a) Discharge overcurrent protection occurs when V- pin voltage between V DET3 and V SHORT and lasts for a

certain delay time (t VDET3) or longer .

(b) Load short-circuiting protection occurs when V- pin voltage higher than V SHORT and lasts for a certain

delay time (t SHORT ) or longer .

When above conditions happen, the DO pin goes “L” from ”H” to turn off the discharging MOSFET .

In discharge overcurrent and load short-circuiting conditions, V- pin is pulled-down to V SS pin by the internal resistor (R VMS ). 2) Discharge Overcurrent and Load Short-Circuiting Protection Release:

The IC detects the status by monitoring V- pin voltage that is inversely proportional to the impedance (Rload) between two terminals (EB+ and EB-). The Rload increases while the V- pin voltage decreases. When the V- pin voltage equals to V SHORT or lower , discharge overcurrent status returns to normal mode. The relation between V- and Rload is shown as follows:

(5) Charge Overcurrent Condition

The 8261 provides charge overcurrent protection to prevent the battery pack from being connected to an unexpected charger .

1) Charge Overcurrent Protection

When the voltage of V- pin is lower than charge overcurrent detection voltage (V DET4) and lasts for a certain delay time (t DET4) or longer , the CO pin goes “L” from ”H” to turn off the charging MOSFET . 2) Charge Overcurrent Release: Charge overcurrent protection can be only released by disconnecting the

charger . (6) Power Down Condition

1) Entering to Power Down Mode:

8261 enters the power down mode when overdischarge protection occurs and V- pin voltage is higher than V DD /2 (typical). The V- pin voltage is pulled-up to the V DD through the R VMD resistor. The internal circuits is shut off, therefore, the power-down current (I STANDBY ) is reduced to be low 0.2uA (Max.). 2) Power Down Mode Release:

The power down mode is released when a charger is connected and V- pin voltage is lower than V DD /2 (typical).

Note: Power down condition is for power down mode enabled version only.

RVMS

RVMS + Rload

X VDD V-=

; where

V- ≦ Vshort

Block Diagram

VSS DO V-CO

VDD

(a) Normal condition (b) Overcharge condition (c) Charge overcurrent condition

*: The charger is assumed to charge with a constant current.

Timing Chart

(1) Overcharge, Charge Overcurrent Operation

V V V V V V CO pin voltage

Battery voltage

current

Charge/Discharge V-pin voltage

V V

(2) Overdischarge, Discharge Overcurrent, Load Short-Circuiting Operation

(a) Normal condition (b) Overdischarge condition (c) Discharge overcurrent condition (d) Load short-circuit condition

*: The charger is assumed to charge with a constant current.

Battery

V-Charge/DO pin V t

V V V V V t

t

t

voltage

pin voltage

V V Charge Current

Discharge current

voltage

V

Recommended Application Circuit

Table1 Constant for external components

Symbol Parts Purpose Recommended Min . Max . Remarks

FET1

N channel

MOSFET

Discharge control

----

----

----

*1) 0.4 V < Threshold voltage < Overdischarge detection voltage. Gate to source withstand voltage > Charger voltage.

FET2

N channel MOSFET

Charge control ---- ---- ----

*1) 0.4 V < Threshold voltage <

Overdischarge detection voltage. Gate to source withstand voltage > Charger voltage.

R1 Resistor

ESD protection for power fluctuation

470? 240? 1K ? *2) Set Resistance to the value 2R1

C1

Capacitor For power fluctuation

0.1uF

0.022uF

1.0uF

*3) Install a 0.22uF capacitor or higher .

R2 Resistor Protection for reverse

connection of a charger 1K ? 300? 2K ? *4) The resistor is preventing big current when a charger is connected

in reverse.

*1) If the threshold voltage of an FET is lower than 0.4V, the FET may failed to stop the charging current.

If an FET has a threshold voltage equal to or higher than the overdischarge detection voltage, discharging may be stopped before overdischarge is detected.

If the charger voltage is higher than the withstanding voltage between the gate and source, the FET may be damaged. *2) Employing an over-specification (listed in above table) R1 may result in overcharge detection voltage and release voltage

higher than the defined voltage (listed in page 4)

If R1 has a higher resistance, the IC may be damaged caused by over absolute maximum rating of VDD voltage when a charger is connected reversely.

EB+

EB-

*3) Applying a smaller capacitance C1 to system, DO may failed to function when load short-circuiting is detected.

*4) If R2 resistance is higher than 2k?, the charging current may not be cut when a high-voltage charger is connected.

Caution: 1) The above constants may be changed without notice.

2) The application circuit above is for reference only. To determine the correct constants,

evaluation of actual application is required.

Precautions: 1) The application condition for the input voltage, output voltage, and load current should not exceed the package power dissipation.

2) Do not apply an electrostatic discharge to this IC that exceeds the performance ratings

of the built-in electrostatic protection circuit.

Package Information

SOT-23-6 Dimensions

θ°

θ1

2. Reference: JEDECMO-178AA

3. SOT23-5 / SOT23-6

锂电池为什么要加保护板才能用

锂电池为什么要加保护板才能用 保护板的功能主要是对充电型电池的电芯进行保护，维持电池充放电过程中的安全稳定，对整个电池电路系统性能起着重要的作用。（如：锂电池一般由电芯、保护板、外壳组成、例如手机电池） 1保护板的主要功能 1）过充保护功能： 过充保护功能是指在达到某个电压(以下称为过充电检测电压)时，禁止由充电器继续充电。即，将控制过充的MOS管进入关断状态，停止充电。 2）过放保护功能： 过放电保护功能是在电池的电压变低时，停止对负载放电。将控制过放的MOS管进入关断状态，禁止其放电。该过程正好与过充电检测时的动作相反。 3）过流保护功能： 过电流保护功能是在消耗大电流时停止对负载的放电，此功能的目的在于保护电池及MOS管，确保电池在状态下的安全性。过电流检测之后， 电池与负载脱离后将恢复到常态，可以再充电或放电。 4）短路保护功能：短路保护原理同3） 注： 〈1〉保护IC：是保护芯片的核心。通过取样电池电压进行判断，发出各种指令控

制MOS管，对电芯进行管理。 〈2〉MOS管：在保护板电路中主要起开关作用2 3典型的保护板电路 以单节保护板电路（DW01+P）为例：4 5 保护板的分类 1、按材料分类 1）镀金保护板—简称金板 五金保护板 普通镀金保护板 镀厚金保护板 沉金保护板 2）镀锡保护板—简称锡板 普通锡板 无铅锡板 2、按电池分类

1）单节保护板 2）双节保护板 3）多节保护板6保护板的市场容量 全球市场容量约100KK/M 1）A级市场（40KK/M） 注：A级市场的保护IC主要的生产商有精工、理光、美之美；MOSFET 主要的生产商有三洋、AO； 2）B级市场（40KK/M） 注：B级市场的保护IC主要的生产商有富晶、新德、中星微；MOSFET主要的生产商有三合微、华瑞、南海、喧昶、茂达； 3）C级市场（20KK/M） 注：C级市场的保护IC主要的生产商有士兰、黑森林、金微科； MOSFET主要的生产商有珠海南科、黑森林、金微科； 电池保养常识： 1 记忆效应镍氢充电电池上常见的现象。具体表现就是：如果长期不充满电就开始使用电池的话，电池的电量就会明显下降，就算以后想充满也充不满了。所以保养镍

锂电池保护芯片原理

锂电池保护芯片原理 The Standardization Office was revised on the afternoon of December 13, 2020

锂电池保护原理 锂电池保护板是对串联锂电池组的充放电保护；在充满电时能保证各单体电池之间的电压差异小于设定值（一般±20mV），实现电池组各单体电池的均充，有效地改善了串联充电方式下的充电效果；同时检测电池组中各个单体电池的过压、欠压、过流、短路、过温状态，保护并延长电池使用寿命；欠压保护使每一单节电池在放电使用时避免电池因过放电而损坏。 成品锂电池组成主要有两大部分，锂电池芯和保护板，锂电池芯主要由正极板、隔膜、负极板、电解液组成；正极板、隔膜、负极板缠绕或层叠，包装，灌注电解液，封装后即制成电芯，锂电池保护板的作用很多人都不知道，锂电池保护板，顾名思义就是保护锂电池用的，锂电池保护板的作用是保护电池不过放、不过充、不过流，还有就是输出短路保护。 01锂电池保护板组成

1、控制ic， 2、开关管，另外还加一些微容和微阻而组成。控制ic 作用是对电池的保护，如达到保护条件就控制mos进行断开或闭合（如电池达到过充、过放、短路、过流、等保护条件），其中mos管的作用就是开关作用，由控制ic开控制。 锂电池（可充型）之所以需要保护，是由它本身特性决定的。由于锂电池本身的材料决定了它不能被过充、过放、过流、短路及超高温充放电，因此锂电池锂电组件总会跟着一块精致的保护板和一片电流保险器出现。锂电池的保护功能通常由保护电路板和PTC协同完成，保护板是由电子电路组成，在-40℃至+85℃的环境下时刻准确的监视电芯的电压和充放回路的电流。 02保护板的工作原理 1、过充保护及过充保护恢复 当电池被充电使电压超过设定值VC，具体过充保护电压取决于IC)后，VD1翻转使Cout变为低电平，T1截止，充电停止.当电池电压回落至VCR，具体过充保护恢复电压取决于IC)时，Cout变为高电平，T1导通充电继续， VCR必须小于VC一个定值，以防止频繁跳变。 2、过放保护及过放保护恢复 当电池电压因放电而降低至设定值VD（，具体过充保护电压取决于IC）时， VD2翻转，以短时间延时后，使Dout变为低电平，T2截止，放电停止，当电池被置于充电时，内部或门被翻转而使T2再次导通为下次放电作好准备。 3、过流、短路保护

FM2113(单节锂电池保护IC)

概述 FM2113内置高精度电压检测电路和延迟电路，是用于单节锂离子/锂聚合物可再充电电池的保护IC 。此IC 适合于对单节锂离子/锂聚合物可再充电电池的过充电、过放电和过电流进行保护。 特点 高精度电压检测电路 各延迟时间由内部电路设置（无需外接电容） 有过放自恢复功能 工作电流：典型值3uA ，最大值6.0uA （VDD=3.9V ） 连接充电器的端子采用高耐压设计（CS 端和OC 端，绝对最大额定值是20V ） 允许0V 电池充电功能 宽工作温度范围：-40℃~+85℃ 采用SOT23-6封装 产品应用 1节锂离子可再充电电池组 1节锂聚合物可再充电电池组 引脚示意图及说明 SOT23-6 引脚号 引脚名称 引脚说明 1234 5 6 OD CS OC NC VDD VSS 1 OD 放电控制用MOSFET 门极连接端 2 CS 过电流检测输入端，充电器检测端 3 OC 充电控制用MOSFET 门极连接端 4 NC 悬空 5 VDD 电源端，正电源输入端 6 VSS 接地端，负电源输入端

FM2113(文件编号：S&CIC1162) 单节锂电池保护IC 电气特性

FM2113(文件编号：S&CIC1162) 单节锂电池保护IC

FM2113(文件编号：S&CIC1162) 单节锂电池保护IC *3、C1有稳定VDD电压的作用，请不要连接0.01μF以下的电容。 *4、使用MOSFET的阈值电压在过放电检测电压以上时，可能导致在过放电保护之前停止放电。 *5、门极和源极之间耐压在充电器电压以下时，N-MOSFET有可能被损坏。 工作说明 正常工作状态 此IC持续侦测连接在VDD和VSS之间的电池电压，以及CS与VSS之间的电压差，来控制充电和放电。当电池电压在过放电检测电压（VDL）以上并在过充电检测电压（VCU）以下，且CS端子电压在充电过流检测电压（VCIP）以上并在放电过流检测电压（VDIP）以下时，IC的OC和OD端子都输出高电平，使充电控制用MOSFET和放电控制用MOSFET同时导通，这个状态称为“正常工作状态”。此状态下，充电和放电都可以自由进行。 注意：初次连接电芯时，会有不能放电的可能性，此时，短接CS端子和VSS端子，或者连接充电器，就能恢复到正常工作状态。 过充电状态 正常工作状态下的电池，在充电过程中，一旦电池电压超过过充电检测电压（VCU），并且这种状态持续的时间超过过充电检测延迟时间（TOC）以上时，FM2113会关闭充电控制用的MOSFET（OC端子），停止充电，这个状态称为“过充电状态”。 过充电状态在如下2种情况下可以释放： 不连接充电器时， （1）由于自放电使电池电压降低到过充电释放电压（VCR）以下时，过充电状态释放，恢复到正常工作状态。 （2）连接负载放电，放电电流先通过充电控制用MOSFET的寄生二极管流过，此时，CS端子侦测到一个“二极管正向导通压降（Vf）”的电压。当CS端子电压在放电过流检测电压（VDIP）以上且电池电压降低到过 充电检测电压（VCU）以下时，过充电状态释放，恢复到正常工作状态。 注意：进入过充电状态的电池，如果仍然连接着充电器，即使电池电压低于过充电释放电压（VCR），过充电状态也不能释放。断开充电器，CS端子电压上升到充电过流检测电压（VCIP）以上时，过充电状态才能释放。 过放电状态 正常工作状态下的电池，在放电过程中，当电池电压降低到过放电检测电压（VDL）以下，并且这种状态持续的时间超过过放电检测延迟时间（TOD）以上时，FM2113会关闭放电控制用的MOSFET（OD端子），停止放电，这个状态称为“过放电状态”。 过放电状态的释放，有以下三种方法： （1）连接充电器，若CS端子电压低于充电过流检测电压（VCIP），当电池电压高于过放电检测电压（VDL）时，过放电状态释放，恢复到正常工作状态。 （2）连接充电器，若CS端子电压高于充电过流检测电压（VCIP），当电池电压高于过放电释放电压（VDR）时，过放电状态释放，恢复到正常工作状态。 （3）没有连接充电器时，如果电池电压自恢复到高于过放电释放电压（VDR）时，过放电状态释放，恢复到正常工作状态，即“有过放自恢复功能”。 放电过流状态（放电过流检测功能和负载短路检测功能）

锂电池保护板工作原理资料

锂电池保护板工作原理 锂电池保护板根据使用IC,电压等不同而电路及参数有所不同,下面以DW01 配MOS管8205A进行讲解: 锂电池保护板其正常工作过程为: 当电芯电压在2.5V至4.3V之间时，DW01 的第1脚、第3脚均输出高电平(等于供电电压)，第二脚电压为0V。此时DW01 的第1脚、第3脚电压将分别加到8205A的第5、4脚，8205A内的两个电子开关因其G极接到来自DW01 的电压，故均处于导通状态，即两个电子开关均处于开状态。此时电芯的负极与保护板的P-端相当于直接连通，保护板有电压输出。 2.保护板过放电保护控制原理:

当电芯通过外接的负载进行放电时,电芯的电压将慢慢降低,同时DW01 内部将通过R1电阻实时监测电芯电压,当电芯电压下降到约2.3V时DW01 将认为电芯电压已处于过放电电压状态，便立即断开第1脚的输出电压，使第1脚电压变为0V，8205A内的开关管因第5脚无电压而关闭。此时电芯的B-与保护板的P-之间处于断开状态。即电芯的放电回路被切断，电芯将停止放电。保护板处于过放电状态并一直保持。等到保护板的P 与P-间接上充电电压后，DW01 经B-检测到充电电压后便立即停止过放电状态，重新在第1脚输出高电压，使8205A内的过放电控制管导通，即电芯的B-与保护板的P-又重新接上，电芯经充电器直接充电。 4.保护板过充电保护控制原理: 当电池通过充电器正常充电时,随着充电时间的增加,电芯的电压将越来越高，当电芯电压升高到4.4V时,DW01 将认为电芯电压已处于过充电电压状态，便立即断开第3脚的输出电压，使第3脚电压变为0V，8205A内的开关管因第4脚无电压而关

锂电池保护板的简单检测方法

锂电池保护板的简单检测方法 锂电池保护板对锂电池进行过充、过放、过流（充电过流、放电过流和短路）保护，有些保护板上设计有热敏电阻，用于对电池进行过热保护，但过热保护通常是由外电路完成的，并不由保护板实现。保护板上的热敏电阻仅仅是给外电路提供一个温度传感器。如果保护板不良，电池就很容易损坏。本文介绍一种锂电池保护板的简单检测方法。 检测电路如下图： 电路很简单，主要元件就是一个电容和两个电阻，两个开关可以用鳄鱼夹或手动搭线都没问题的。色框内的部分是锂电池保护板的内电路。 原理： 电解电容C连接到保护板上的电池接点（B+，B-）上，充当电池，可进行充电和放电，连接时别弄错极性就行。电压表（数字万用表20V电压档）并联在电容两端，用于监视电池电压。 初始时，电容C没电，保护板上的控制芯片无工作电源，保护板处于全关断状态，即使接通开关K2，电容也不会充电。断开开关K2，电容也无电可放。即使电容有电，但电压达不到保护芯片的工作电压，也不会通过R1、R2放电。 如果带保护板的锂电池（比如手机电池）放置太久，电池因自身放电和保护板电路耗电使电池电压低于保护板上控制芯片的工作电压，保护板则全关断。测量电池引出电极P+、P-无电压，充电也充不进，就相当于上述这种初始情况。对这样的电池，一般人只能将它报废处理。其实很多时候电池并没有坏，只是必须拆开电池的封装外壳跳过保护板直接给电池芯充电，当电池芯的电压达到保护板上控制芯片的工作电压之后，电池才起死回生，能正常充电和使用。 本电路中，电容C充当电池的作用，下文关于电路原理的叙述中一律称之为电池。 接通开关K2，如前所述，电池并不会充电。按下按钮开关K1，5V电源通过R1、保护板的P+、B+（保护板上的这两个接点是直通的）、K1给电池充电，电压表上可实时读取电池两端的电压，当电池电压上升到控制芯片的工作电压（约2V）时，放开K1，这时保护板已正常工作，电池会继续充电，电池电压持续上升。如果想知道保护板在多大的电池电压下开始工作，不要长按K1，按一下，放一下，让电池电压每次上升一点点，注意观察电池电压，当电压到某个值时，不按K1电池电压也继续上升，则这个值就是保护板开始工作的最低电池电压值。 当电池电压上升到过充启动电压时（约），保护板关断充电通路，进入过充保护状态，充电停止。这时电压表上显示的就是过充保护电压。由于电压表有内阻，以及保护板上控制芯片工作也需要耗电（电流很小），所以电池通过这两条通路缓慢放电，电压表上可看到电池电压缓慢下降。当下降到控制芯片的过充解除电压（约）时，过充

锂电池组保护板均衡充电基本工作原理

成组锂电池串联充电时，应保证每节电池均衡充电，否则使用过程中会影响整组电池的性能和寿命。常用的均衡充电技术有恒定分流电阻均衡充电、通断分流电阻均衡充电、平均电池电压均衡充电、开关电容均衡充电、降压型变换器均衡充电、电感均衡充电等。而现有的单节锂电池保护芯片均不含均衡充电控制功能;多节锂电池保护芯片均衡充电控制功能需要外接CPU，通过和保护芯片的串行通讯（如I2C总线）来实现，加大了保护电路的复杂程度和设计难度、降低了系统的效率和可靠性、增加了功耗。 本文针对动力锂电池成组使用，各节锂电池均要求充电过电压、放电欠电压、过流、短路的保护，充电过程中要实现整组电池均衡充电的问题，设计了采用单节锂电池保护芯片对任意串联数的成组锂电池进行保护的含均衡充电功能的电池组保护板。仿真结果和工业生产应用证明，该保护板保护功能完善，工作稳定，性价比高，均衡充电误差小于50mV。 锂电池组保护板均衡充电基本工作原理 采用单节锂电池保护芯片设计的具备均衡充电能力的锂电池组保护板示意图如图1所示。其中：1为单节锂离子电池;2为充电过电压分流放电支路电阻;3为分流放电支路控制用开关器件;4为过流检测保护电阻;5为省略的锂电池保护芯片及电路连接部分;6为单节锂电池保护芯片（一般包括充电控制引脚CO，放电控制引脚DO，放电过电流及短路检测引脚VM，电池正端VDD，电池负端VSS等）;7为充电过电压保护信号经光耦隔离后形成并联关系驱动主电路中充电控制用MOS管栅极;8为放电欠电压、过流、短路保护信号经光耦隔离后形成串联关系驱动主电路中放电控制用MOS管栅极;9为充电控制开关器件;10为放电控制开关器件;11为控制电路;12为主电路;13为分流放电支路。单节锂电池保护芯片数目依据锂电池组电池数目确定，串联使用，分别对所对应单节锂电池的充放电、过流、短路状态进行保护。该系统在充电保护的同时，通过保护芯片控制分流放电支路开关器件的通断实现均衡充电，该方案有别于传统的在充电器端实现均衡充电的做法，降低了锂电池组充电器设计应用的成本。

锂电池保护芯片均衡充电设计

锂电池保护芯片均衡充电设计 常用的均衡充电技术包括恒定分流电阻均衡充电、通断分流电阻均衡充电、平均电池电压均衡充电、开关电容均衡充电、降压型变换器均衡充电、电感均衡充电等。成组的锂电池串联充电时，应保证每节电池均衡充电，否则使用过程中会影响整组电池的性能和寿命。而现有的单节锂电池保护芯片均不含均衡充电控制功能；多节锂电池保护芯片均衡充电控制功能需要外接CPU,通过和保护芯片的串行通讯（如I2C总线）来实现，加大了保护电路的复杂程度和设计难度、降低了系统的效率和可靠性、增加了功耗。 ?本文针对动力锂电池成组使用，各节锂电池均要求充电过电压、放电欠电压、过流、短路的保护，充电过程中要实现整组电池均衡充电的问题，设计了采用单节锂电池保护芯片对任意串联数的成组锂电池进行保护的含均衡充电功能的电池组保护板。仿真结果和工业生产应用证明，该保护板保护功能完善，工作稳定，性价比高，均衡充电误差小于50mV。 ?锂电池组保护板均衡充电基本工作原理 ?采用单节锂电池保护芯片设计的具备均衡充电能力的锂电池组保护板示意图如图1所示。其中：1为单节锂离子电池；2为充电过电压分流放电支路电阻；3为分流放电支路控制用开关器件；4为过流检测保护电阻；5为省略的锂电池保护芯片及电路连接部分；6为单节锂电池保护芯片（一般包括充电控制引脚CO,放电控制引脚DO,放电过电流及短路检测引脚VM,电池正端VDD,电池负端VSS等）；7为充电过电压保护信号经光耦隔离后形成并联关系驱动主电路中充电控制用MOS管栅极；8为放电欠电压、过流、短路保护信号经光耦隔离后形成串联关系驱动主电路中放电控制用MOS管栅极；9为充电控制开关器件；10为放电控制开关器件；11为控制电路；12为主电路；

锂电池保护芯片原理

锂电池保护原理 锂电池保护板就是对串联锂电池组得充放电保护;在充满电时能保证各单体电池之间得电压差异小于设定值(一般±2０mV),实现电池组各单体电池得均充,有效地改善了串联充电方式下得充电效果；同时检测电池组中各个单体电池得过压、欠压、过流、短路、过温状态，保护并延长电池使用寿命；欠压保护使每一单节电池在放电使用时避免电池因过放电而损坏。 成品锂电池组成主要有两大部分,锂电池芯与保护板,锂电池芯主要由正极板、隔膜、负极板、电解液组成;正极板、隔膜、负极板缠绕或层叠,包装,灌注电解液,封装后即制成电芯，锂电池保护板得作用很多人都不知道，锂电池保护板，顾名思义就就是保护锂电池用得,锂电池保护板得作用就是保护电池不过放、不过充、不过流,还有就就是输出短路保护。 01锂电池保护板组成

1、控制iｃ, 2、开关管,另外还加一些微容与微阻而组成。控制iｃ作用就是对电池得保护,如达到保护条件就控制ｍos进行断开或闭合（如电池达到过充、过放、短路、过流、等保护条件),其中mｏs管得作用就就是开关作用，由控制ic开控制。锂电池(可充型)之所以需要保护,就是由它本身特性决定得。由于锂电池本身得材料决定了它不能被过充、过放、过流、短路及超高温充放电,因此锂电池锂电组件总会跟着一块精致得保护板与一片电流保险器出现。锂电池得保护功能通常由保护电路板与ＰTＣ协同完成，保护板就是由电子电路组成,在-40℃至+85℃得环境下时刻准确得监视电芯得电压与充放回路得电流。 02保护板得工作原理 1、过充保护及过充保护恢复 当电池被充电使电压超过设定值VC(４、２5－4、35V,具体过充保护电压取决于IC)后,VD1翻转使Cout变为低电平,T1截止，充电停止、当电池电压回落至ＶCＲ(3、８-4、１Ｖ,具体过充保护恢复电压取决于IＣ）时，Cout变为高电平,T1导通充电继续, VCR必须小于ＶC一个定值,以防止频繁跳变。 2、过放保护及过放保护恢复 当电池电压因放电而降低至设定值VD(２、3-２、5V,具体过充保护电压取决于IC)时, VD2翻转,以短时间延时后,使Dout变为低电平,T2截止,放电停止，当电池被置于充电时,内部或门被翻转而使T2再次导通为下次放电作好准备。 3、过流、短路保护 当电路充放回路电流超过设定值或被短路时,短路检测电路动作,使MOS管关断,电流截止。

锂电池充电保护方案

方案一：BP2971 电源管理芯片 特点 ·输入电压区间（Pack+）：～12V ·FET 驱动 CHG和DSG FET驱动输出 ·监测项 过充监测 过放监测 充电过流监测 放电过流监测 短路监测 ·零充电电压，当无电池插入·工作温度区间： Ta= -40～85℃·封装形式: 6引脚 DSE（） 应用 ·笔记本电脑 ·手机 ·便携式设备 绝对最大额定值 ·输入电源电压：～7V

·最大工作放电电流：7A ·最大充电电流： ·过充保护电压（OVP）： ·过充压延迟： ·过充保护电压（释放值）：·过放保护电压（UVP）：·过放压延迟：150ms ·过放保护电压（释放值）： ·充电过流电压（OCC）：-70mV ·充电过流延迟：9ms ·放电过流电压（OCD）：100mV ·放电过流延迟：18ms ·负载短路电压：500mV ·负载短路监测延迟：250us ·负载短路电压（释放值）：1V 典型应用及原理图

图1：BP2971应用原理图 引脚功能 NC（引脚1）：无用引脚。 COUT（引脚2）：充电FET驱动。此引脚从高电平变为低电平，当过充电压被V-引脚所监测到 DOUT（引脚3）：放电FET驱动。此引脚从高电平变为低电平，当过放电压被V-引脚所监测到 VSS (引脚4)：负电池链接端。此引脚用于电池负极的接地参考电压 BAT（引脚5）：正电池连接端。将电池的正端连接到此管脚。并用的输入电容接地。 V-（引脚6）：电压监测点。此引脚用于监测故障电压，例如过冲，过放，

过流以及短路电压。 芯片功能原理图 芯片功能性模式 监测参数 参数可变（选）区间过充监测电压～ 50mV steps V OVP

锂电池保护芯片原理

锂电池保护原理 锂电池保护板是对串联锂电池组的充放电保护；在充满电时能保证各单体电池之间的电压差异小于设定值（一般±20mV），实现电池组各单体电池的均充，有效地改善了串联充电方式下的充电效果；同时检测电池组中各个单体电池的过压、欠压、过流、短路、过温状态，保护并延长电池使用寿命；欠压保护使每一单节电池在放电使用时避免电池因过放电而损坏。 成品锂电池组成主要有两大部分，锂电池芯和保护板，锂电池芯主要由正极板、隔膜、负极板、电解液组成；正极板、隔膜、负极板缠绕或层叠，包装，灌注电解液，封装后即制成电芯，锂电池保护板的作用很多人都不知道，锂电池保护板，顾名思义就是保护锂电池用的，锂电池保护板的作用是保护电池不过放、不过充、不过流，还有就是输出短路保护。 01锂电池保护板组成

1、控制ic， 2、开关管，另外还加一些微容和微阻而组成。控制ic 作用是对电池的保护，如达到保护条件就控制mos进行断开或闭合（如电池达到过充、过放、短路、过流、等保护条件），其中mos管的作用就是开关作用，由控制ic开控制。锂电池（可充型）之所以需要保护，是由它本身特性决定的。由于锂电池本身的材料决定了它不能被过充、过放、过流、短路及超高温充放电，因此锂电池锂电组件总会跟着一块精致的保护板和一片电流保险器出现。锂电池的保护功能通常由保护电路板和PTC协同完成，保护板是由电子电路组成，在-40℃至+85℃的环境下时刻准确的监视电芯的电压和充放回路的电流。 02保护板的工作原理 1、过充保护及过充保护恢复 当电池被充电使电压超过设定值VC(4.25-4.35V，具体过充保护电压取决于IC)后，VD1翻转使Cout变为低电平，T1截止，充电停止.当电池电压回落至VCR(3.8-4.1V，具体过充保护恢复电压取决于IC)时，Cout变为高电平，T1导通充电继续，VCR 必须小于VC一个定值，以防止频繁跳变。 2、过放保护及过放保护恢复 当电池电压因放电而降低至设定值VD（2.3-2.5V，具体过充保护电压取决于IC）时，VD2翻转，以短时间延时后，使Dout变为低电平，T2截止，放电停止，当电池被置于充电时，内部或门被翻转而使T2再次导通为下次放电作好准备。 3、过流、短路保护 当电路充放回路电流超过设定值或被短路时，短路检测电路动作，使MOS管关断，电流截止。

DW01+_锂电池保护芯片

一、 描述 DW01+是一个锂电池保护电路，为避免锂电池因过充电、过放电、电流过大导致电池寿命缩短或电池被损坏而设计的。它具有高精确度的电压检测与时间延迟电路。 二、 主要特点 ?工作电流低； ?过充检测4.3V，过充释放4.05V； ?过放检测2.3V，过放释放3.0V； ?过流检测0.15V，短路电流检测1.0V； ?充电器检测； ?过电流保护复位电阻； ?工作电压范围广； ?小封装。 三、 应用 ?单一锂电池保护电路。 四、 内部框图

五、 极限参数 参数符号参数范围单位 电源电压VDD VSS-0.3~VSS+12 V OC输出管脚电压VOC VDD-15~VDD+0.3 V OD输出管脚电压VOD VSS-0.3~VDD+0.3 V CSI输入管脚电压VCSI VDD+15~VDD+0.3 V 工作温度Topr -40~+85 ℃ 存储温度Tstg -40~+125 ℃ 六、 电气特性参数（除非特别指定，Tamb=25℃） 参数符号测试条件最小值典型值最大值单位工作电压 工作电压VDD -- 1.5 -- 10 V 电流消耗 工作电流IDD VDD=3.9V -- 4.0 6.0 uA 待机电流IPD VDD=2.0V -- 0.3 0.6 uA 检测电压 过充电检测电压VOCD -- 4.25 4.275 4.30 V 过充电释放电压VOCR -- 4.05 4.075 4.10 V 过放电检测电压VODL -- 2.40 2.50 2.60 V 过放电释放电压VODR -- 2.90 3.00 3.10 V 过电流1检测电压VOI1 -- 0.12 0.15 0.18 V 过电流2（短路电流）检测电压VOI2 VDD=3.6V 0.80 1.00 1.20 V 过电流复位电阻Rshort VDD=3.6V 50 100 150 KΩ过电器检测电压VCH -- -0.8 -0.5 -0.2 V 迟延时间 过充电检测迟延时间TOC VDD=3.6V~4.4V 150 340 500 ms 过放电检测迟延时间TOD VDD=3.6V~2.0V 80 200 300 ms 过电流1检测迟延时间TOI1 VDD=3.6V 5 13 20 ms 过电流2（短路电流）检测迟延时间TOI2 VDD=3.6V -- 5 50 us 其他 OC管脚输出高电平电压Voh1 -- VDD-0.1 VDD-0.02 -- V OC管脚输出低电平电压Vol1 -- -- 0.01 0.1 V OD管脚输出高电平电压Voh2 -- VDD-0.1 VDD-0.02 -- V OD管脚输出低电平电压Vol2 -- -- 0.01 0.1 开始向零伏电池充电的充电器电压VOCHA DW01+ 1.50 -- -- V

锂电池充电保护IC原理

锂电池充电保护IC原理 锂离子电池因能量密度高，使得难以确保电池的安全性。具体而言，在过度充电状态下，电池温度上升后能量将过剩，于是电解液分解而产生气体，因内压上升而导致有发火或破裂的危机。反之，在过度放电状态下，电解液因分解导致电池特性劣化及耐久性劣化(即充电次数降低)。 锂离子电池的保护电路就是要确保这样的过度充电及放电状态时的安全性，并防止特性的劣化。锂离子电池的保护电路是由保护IC、及两颗Power-MOSFET所构成。其中保护IC为监视电池电压；当有过度充电及放电状态时，则切换以外挂的Power-MOSFET来保护电池，保护IC的功能为: (1)过度充电保护、(2)过度放电保护、(3)过电流/短路保护。以下就这三项功能的保护动作加以说明 (1) 过度充电： 当锂电池发生过度充电时,电池内电解质会被分解,使得温度上升并产生气体,使得压力上升而可能引起自燃或爆裂的危机,锂电池保护IC用意就是要防止过充电的情形发生。 过度充电保护IC原理： 当外部充电器对锂电池充电时,为防止因温度上升所导致的内压上升,需终止充电状况,此时保护IC需检测电池电压,当到达4.25V时(假设电池过充点为4.25V)及激活过充电保护,将Power MOS由ON'OFF,进而截止充电。另外,过充电检出,因噪声所产生的误动作也是必须要注意的,以免判定为过充保护,因此需要延迟时间的设定,而delay time也不能短于噪声的时间。 (2) 过度放电： 在过度放电的情形下,电解液因分解而导致电池特性劣化,并造成充电次数的降低,锂电池保护IC用以保护其过放电的状况发生, 达成保护动作。 过度放电保护IC原理：为了防止锂电池过度放电之状态,假设锂电池接上负载,当锂电池电压低于其过放电电压检测点(假设设定为2.3V),将激活过放电保护,将Power MOS由ON'OFF,进而截止放电,达成保护以避免电池过放电现象发生, 并将电池保持在低静态电流的状态(standby mode),此时耗电为0.1uA

DW03二合一锂电保护芯片

DW03 二合一锂电池保护电路一、描述 DW03产品是单节锂离子/锂聚合物可充电电池组保护的高集成度解决方案。DW03包括了先进的功率MOSFET，高精度的电压检测电路和延时电路。 DW03具有非常小的SOT23-5的封装，这使得该器件非常适合应用于空间限制得非常小的可充电电池组应用。 DW03具有过充，过放，过流，短路等所有的电池所需要保护功能，并且工作时功耗非常低。 该芯片不仅仅为手机而设计，也适用于一切需要锂离子或锂聚合物可充电电池长时间供电的各种信息产品的应用场合。 二、主要特点 充电器反接保护功能； 内部集成等效65 mΩ的先进的功率MOSFET； 超小封装SOT23-5； 外围电路简单； 过温保护； 过充电电流保护； 过放电自恢复功能； 3段过流保护：1，过放电电流1 2，过放电电流2 3. 负载短路电流； 充电器检测； 0V电池充电功能； 延迟时间内部设定； 高精度电压检测； 低静态电流：正常工作电流：2.8μA 待机电流：1.6uA； 兼容ROHS和无铅标准； 三、应用 单芯锂离子电池组； 锂聚合物电池组； 典型应用电路

四、 订货信息 注意：“YW ”代表日期，“Y ”代表年份，“W ”代表星期 五、 管脚外形及描述 六、 极限参数 DW03 二合一锂电池保护电路

七、 电气特性参数（除非特别指定，A T =25℃） DW03 二合一锂电池保护电路

功能框图 VM 八、 功能描述 DW03监控电池的电压和电流，并通过断开充电器或负载，保护单节可充电锂电池不会因为过充电压，过放电压，过充电流，过放电流以及短路等情况而损坏。系统外围电路简单。MOSFET 已内置，等效电阻典型值为65m Ω。 正常工作模式 如果没有检测到任何异常情况，输出管一直打开，充电和放电过程都将自由转换。这种情况称为正常工作模式。 过充电压情况（OCV ） 在正常条件下的充电过程中，当电池电压高于过充检测电压（VCU ）,并持续时间达到过充电压检测延迟时间（tCU ）或更长，DW03将关断MOSFET 以停止充电。这种情况称为过充电压情况。 以下两种情况下，过充电压情况将被释放： 1、 当电池电压低于过充解除电压（VCL ），DW03打开输出管，回到正常工作模式。

锂电池保护板常用IC、MOS场效应管

锂电池保护板常用IC、MOS场效应管，详细清单如下: S-8261AANMD-G2NT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节 S-8261AAJMD-G2JT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节 S-8261ABJMD-G3JT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节 S-8261ABPMD-G3PT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节 S-8261ABRMD-G3RT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节 S-8261ABMMD-G3MT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节 S-8261ACEMD-G4ET2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：磷酸铁锂保护板 S-8261AAOMD-G2OT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节 S-8241ACLMC-GCLT2G 封装：SOT-23-5 品牌：SEIKO 备注：单节 S-8242AAA-M6T2GZ 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：双节 S-8242AAD-M6T2GZ 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：双节 S-8242AAF-M6T2GZ 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：双节 S-8242AAY-M6T2GZ 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：双节 S-8242AAK-M6T3GZ 封装：SOT-23-7 品牌：SEIKO 备注：双节 S-8232AAFT-T2-G 封装：TSSOP-8 品牌：SEIKO 备注：双节 S-8232ABFT-T2-G 封装：TSSOP-8 品牌：SEIKO 备注：双节 S-8232AUFT-T2-G 封装：TSSOP-8 品牌：SEIKO 备注：双节 S-8253AAAFT-TB-G 封装：TSSOP-8 品牌：SEIKO 备注：2-3节 S-8253AAD-T8T1GZ 封装：TSSOP-8 品牌：SEIKO 备注：2-3节 S-8254AAAFT-TB-G 封装：TSSOP-16 品牌：SEIKO 备注：三-四节 S-8254AABFT-TB-G 封装：TSSOP-16 品牌：SEIKO 备注：三-四节 S-8254AAFFT-TB-G 封装：TSSOP-16 品牌：SEIKO 备注：三-四节 S-8254AAGFT-TB-G 封装：TSSOP-16 品牌：SEIKO 备注：三-四节 S-8254AAJFT-TB-G 封装：TSSOP-17 品牌：SEIKO 备注：三-四节 S-8254AANFT-TB-G 封装：TSSOP-18 品牌：SEIKO 备注：三-四节 S-8254AAKFT-TB-G 封装：TSSOP-19 品牌：SEIKO 备注：三-四节 R5400N101FA-TR-F 封装：SOT-23-5 品牌：RICOH 备注：单节 R5400N110FA-TR-F 封装：SOT-23-5 品牌：RICOH 备注：单节 R5400N150FA-TR-F 封装：SOT-23-5 品牌：RICOH 备注：单节 R5400N149FA-TR-F 封装：SOT-23-5 品牌：RICOH 备注：单节 R5402N101KD-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：单节 R5402N110KD-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：单节 R5402N149KD-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：单节 R5402N163KD-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：单节 R5402N128EC-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：单节 R5402N163KD-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：单节 R5460N207AF 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节 R5460N207AA 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节 R5460N208AA 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节 R5460N208AF 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节 R5460N212AF 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节 R5460N214AF 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节 R5460N214AC 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节 R1211N002D-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：DC/DC升压 R1224N102H-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：DC/DC降压 R1224N332F-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：DC/DC降压 MM1414CVBE 封装：TSSOP-20 品牌：MITSUMI 备注：三-四节 MM3076XNRE 封装：SOT23-6 品牌：MITSUMI 备注：单节 MM3177FNRE 封装：SOT23-6 品牌：MITSUMI 备注：单节 VA7021P/C 封装：SOT-23-6 品牌：中星微备注：单节，中星微代理，中国最低价格DW01+ 封装：SOT-23-6 品牌：富晶备注：单节 FS312 封装：SOT-23-6 品牌：富晶备注：单节 CS213 封装：SOT-23-6 品牌：新德备注：单节 STC5NF20V 封装：TSSOP-8 品牌：ST 备注：配套MOS管 FTD2017M 封装：TSSOP-8 品牌：三洋备注：配套MOS管 ECH8601M 封装：SNT-8A 品牌：三洋备注：配套MOS管 UPA1870BGR 封装：TSSOP-8 品牌：NEC 备注：配套MOS管 FS8205A 封装：TSSOP-8 品牌：富晶备注：配套MOS管 SM8205ACTC 封装：SOT-23-6 品牌：茂达备注：配套MOS管 SM8205AOC 封装：TSSOP-8 品牌：茂达备注：配套MOS管 AO8810 封装：TSSOP-8 品牌：AOS 备注：配套MOS管 AO8820 封装：TSSOP-8 品牌：AOS 备注：配套MOS管 AO8822 封装：TSSOP-8 品牌：AOS 备注：配套MOS管 AO8830 封装：TSSOP-8 品牌：AOS 备注：配套MOS管 AO9926B 封装：TSSOP-8 品牌：AOS 备注：配套MOS管 SDC6073 封装：MSOP-8 品牌：SDC光大备注：单节，二合一的保护IC

DW03D(二合一锂电池保护IC)

DW03D(文件编号：S&CIC0953)二合一锂电池保护IC 一、 概述 DW03D产品是单节锂离子/锂聚合物可充电电池组保护的高集成度解决方案。DW03D包括了先进的功率MOSFET，高精度的电压检测电路和延时电路。 DW03D具有非常小的TSS08-8的封装,这使得该器件非常适合应用于空间限制得非常小的可充电电池组应用。 DW03D具有过充，过放，过流，短路等所有的电池所需保护功能，并且工作时功耗非常低。 该芯片不仅仅是为手机而设计，也适用于一切需要锂离子或锂聚合物可充电电池长时间供电的各种信息产品的应用场合。 二、 特点 ?内部集成等效45m?-60m?的先进的功率MOSFET； ?过充电流保护； ?3段过流保护：过放电流1、过放电流2（可选）、负载短路电流； ?充电器检测功能；?延时时间内部设定； ?高精度电压检测； ?低静态耗电流：正常工作电流3.8uA ?兼容ROHS和无铅标准。 ?采用TSSOP-8封装形式塑封。 三、 应用 ?单芯锂离子电池组；?锂聚合物电池组。 四、 订货信息 型号封装过充检测电压 [V CU]（V） 过充解除电压 [V CL]（V） 过放检测电压 [V DL]（V） 过放解除电压 [V DR]（V） 过流检测电流 [I OV1]（A） 打印标记 DW03D TSSOP-8 4.3 4.1 2.4 3.0 2.5 DW03D 五、 管脚外形及描述

DW03D (文件编号：S&CIC0953) 二合一锂电池保护IC 六、 极限参数 参数 符号 参数范围 单位 电源电压 VDD VSS-0.3~VSS+12 V OC 输出管脚电压 VOC VDD-15~VDD+0.3 V OD 输出管脚电压 VOD VSS-0.3~VDD+0.3 V CSI 输入管脚电压 VCSI VDD+15~VDD+0.3 V 工作温度 Topr -40~+85 ℃ 存储温度 Tstg -40~+125 ℃ 七、 电气特性参数 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 工作电压 工作电压 VDD -- 1.5 -- 10 V 电流消耗 工作电流 IDD VDD = 3.9V -- 4.0 6.0 uA 检测电压 过充电检测电压 VOCD -- 4.25 4.30 4.35 V 过充电释放电压 VOCR -- 4.05 4.10 4.15 V 过放电检测电压 VODL -- 2.30 2.40 2.50 V 过放电释放电压 VODR -- 2.90 3.00 3.10 V 过电流1检测电压 VOI1 -- 0.12 0.15 0.18 V 过电流2（短路电流）检测电压 VOI2 VDD = 3.6V 0.80 1.00 1.20 V 过电流复位电阻 Rshort VDD = 3.6V 50 100 150 K Ω 过电器检测电压 VCH -- -0.8 -0.5 -0.2 V 迟延时间 过充电检测迟延时间 TOC VDD = 3.6V~4.4V -- 80 200 ms 过放电检测迟延时间 TOD VDD = 3.6V~2.0V -- 40 120 ms 过电流1检测迟延时间 TOI1 VDD = 3.6V 5 13 20 ms 过电流2（短路电流）检测迟延时间 TOI2 VDD = 3.6V -- 5 50 us 其他 OC 管脚输出高电平电压 V oh1 -- VDD-0.1VDD-0.02 -- V OC 管脚输出低电平电压 V ol1 -- -- 0.01 0.1 V OD 管脚输出高电平电压 V oh2 -- VDD-0.1VDD-0.02 -- V OD 管脚输出低电平电压 V ol2 -- -- 0.01 0.1 R DS (on) V GS = 2.5V , I D = 3.3A -- 22.0 30.0 单个MOS 管漏极到源极的导通阻 抗 R DS (on) V GS = 4.5V , I D = 8.2A -- 16.0 20.0 m Ω

锂电池保护板设计

锂电池保护板设计文件编码（008-TTIG-UTITD-GKBTT-PUUTI-WYTUI-8256）

字体大小： 锂离子电池保护板设计 锂离子电池保护器IC有适用于单节的及2~4节电池组的.这里介绍这类保护器的要求,并重点介绍单节锂离子电池保护器电路. 对锂离子电池保护器的基本要求: 1．充电时要充满,终止充电电压精度要保护±1%; 2．在充、放电过程中不过流,并有短路保护; 3．到达终止放电电压要禁止继续放电,终止放电电压精度在±3%左右; 4．对深度放电的电池(低于终止放电电压)在充电前以涓流方式预充电;5．为了工作稳定可靠,防止瞬态电压变化的干扰,内部有过充电、过放电、过流保护的延时电路,防止瞬态干扰造成误动作; 6．在多个串联的电池组充电时,要保护各节电池电压的匹配平衡,匹配精度要求±10%左右; 7．自身耗电省(无论在充、放电时保护器都是通电工作的).单节电池保护器耗电一般小于10μA,多节的一般在20μA左右;在到达终止放电时,它处于关闭状态,一般耗电2μA以下; 8．保护器电路简单,外围元器件少,占空间小,可以做在电池或电池组中. 富精单节锂离子电池保护器DW01

这里以富精单节锂离子电池保护器DW01为例来说明保护器的电路及工作原理.该器件主要特点:终止充电电压有、及(分别由型号后缀A、B、C表示),充电电压 精度可达±30mV(±%);耗电省,在工作电压时工作电流典型值7μA,到达终止放电后耗电仅μA;有过充、过放、过流保护,并有延时以免瞬态干扰;过放电电压,精度±%;小尺寸5管脚SOT-23封装;工作温度范围-20~+80℃. DW01组成的单节锂离子电池保护电路上图,其内部结构简化图及外部元器件图如下图所示.V1为控制放电的MOSFET,V2为控制充电的MOSFET,R1、C1用来消除充电器输入电压的纹波及干扰电压,R2为防止充电器电源接反时保护CS端的电阻,R 3为V2的偏置电阻,FU为保险丝,BATT+及BATT-为电池组的正极和负极(此保护器电路置于电池中). 在正常充、放电时,V1、V2都导通.充电电流从BATT+流入,经保险丝向电池充电,经V1、V2后由BATT-流出.正常放电时,电流由BATT+经负载RL(图1中未画出)后,经BATT-及V2、V1流向电池负极,其电流方向与充电电流方向相反.由于V1、V2 的导通电阻RDS(ON)极小,因此损耗较小. 几种保护的工作状态如下: