多晶硅生产设备安装前清洗

多晶硅生产设备安装前清洗

一、多晶硅项目设备清洗的目的、意义

多晶硅生产对环境及设备的清洁要求十分高。生产工艺过程比较复杂。尤其是塔器设备，对产品的质量影响极为重要。为了保证一次性开车投产顺利，保证产品质量，在设备的安装过程中，对设备及管线等重要设备的清洗工作需要十分严谨。在清洗过程中，使每个环节质量都达到标准，避免开车质量事故的发生，最大限度地降低调试费用。

针对不同的工艺要求、不同的设备材质以及不同的设备类型，清洗处理要求和达到的基本标准（要求达到无油、无水与无尘的三无要求）也不同。同时符合《脱脂工程施工及验收规范》和《工业设备化学清洗质量标准》。根据项目公司和十一设计院的具体要求本项目的清洗可分为一般清洗和洁净清洗。

多晶硅设备的清洗主要工艺为酸洗、脱脂、钝化、干燥等，其中最关键是脱脂工艺和干燥技术。油脂和水对多晶硅的产品有巨大影响。因此在多晶硅设备的清洗中，以脱脂工艺和干燥工艺为要点。主要清洗还原炉、氢化炉、CDI设备；合成车间、还原氢化车间、精馏系统、中间罐、管道等主要设备。并且为了保证脱脂和干燥的质量，多晶硅设备清洗需要对单台设备进行单台清洗并验收后，再进行安装。

二、污垢主要对多晶硅影响因素

1、油脂：在多晶硅生产过程中，油分子对多晶硅的危害十分严重。实际证明，整个工艺系统几ppm的油含量就可能造成多晶硅质量严重降低，甚至会造成系统污染累积。因此，多晶硅设备的脱脂工艺尤为重要。

2、水分：水中含有大量的氯离子，氯离子对多晶硅制造工艺十分敏感。设备及系统干燥工艺很关键。

3、氯离子残留：水和其他溶液在设备表面残留的氯离子对多晶硅系统设备影响巨大。因此，在清洗后对设备进行纯水冲洗工艺十分重要。

4、氧化物、灰尘其他杂质：其他污垢的存在，对多晶硅的生产影响也很大。因此，在设备清洗过程中，采用酸洗工艺对其他污垢进行清洗十分必要。

三、国内大、中型化工生产装臵清洗现状

国外对设备、管道的清洗十分重视，有专门从事清洗的研究机构。在国外，设计单位在设计化工工艺流程及要求时已经将清洗考虑了进去，并做了概算及投资。清洗方式也有单一的水力清洗发单调发展到化学清洗、机械清洗等。世界各国对清洗行业的组织形式是多种多样的，从单个零件到整个装臵的清洗，既有专业化学清洗公司，也有企业自行组织的清洗队伍。有的设备、管道及零部件需经常定期清洗，并且部分生产设备本身就装有固有的清洗装臵，清洗技术的应用有了很大的进步。

生产多晶硅的工艺较多，各个国家生产厂家在开发新技术、进行技术改造的同时，通过对设备的清洗来降低能耗和保证多晶硅的产品质量。提高设备运转率，延长使用寿命，争取以最低的能耗，生产出合格的多晶硅产品。

四、多晶硅装臵开车前化学清洗的意义

新建多晶硅装臵中的设备、管线、精馏塔、槽、还原炉、氢化炉在制造、储存、运输和安装过程中会产生大量的污物。这些污物主要有：油脂、扎制鳞片、氧化皮、泥沙、焊渣、焊药、防锈油及表面涂层等。其中焊渣、焊药的主要成分为钛、锰、铬、铁等金属氧化物，而切削油和防锈油及表面涂层则是一些高分子

有机物。

新建多晶硅设备进行化学清洗，不仅要进行高要求的除油脂处理，而且还要进行化学清洗和钝化保护处理。随着缓蚀技术的发展，金属设备在化学清洗过程中的腐蚀损失已降到了很小，最终的钝化处理将有助于减小设备运行中的腐蚀。另外，同酸洗时的腐蚀相比，轧制鳞片、氧化锈皮、泥沙、焊渣、防锈油及涂层等引起的设备运行事故更加具有危险性。由于化学清洗之后，得到了干净的金属表面，因而能更快的生产出合格的产品，工厂由此获得的经济效益将大大超过清洗的投资费用。目前，各种新建装臵尤其是高温、高压设备、大型设备和生产工艺要求比较高的设备和管线，再投产前都要进行化学清洗。不仅要清洗设备本体，而且要清洗那些与设备连接有可能把污物带入的其他管道和设备。同样，我们认为多晶硅装臵不仅要清洗工艺系统，其它附属设备的化学清洗和钝化处理对设备的运行安全和寿命意义重大，因此，应将所有的设备必须进行化学清洗。

五、多晶硅设备主要清洗项目

1、还原炉、氢化炉的清洗脱脂钝化干燥

2、CDI系统设备的清洗脱脂钝化干燥

3、还原氢化车间设备的清洗脱脂钝化干燥

4、合成车间设备（不锈钢）的清洗脱脂钝化干燥

5、精馏工序设备的清洗脱脂钝化干燥

6、中间罐区的清洗脱脂钝化干燥

7、管道系统的清洗脱脂钝化干燥

六、附件奥氏体不锈钢设备的化学清洗和钝化

附件：

奥氏体不锈钢设备的化学清洗和钝化

摘要:

从奥氏体不锈钢的钝化机理入手,分析了钝化膜存在的意义、破坏机理和防护措施,给出了参考的清洗钝化剂配方、清洗钝化工艺、操作注意事项,明确了奥氏体不锈钢钝化膜质量的检验方法。

关键词:

奥氏体不锈钢;清洗;钝化;钝化膜;质量检验

奥氏体不锈钢设备在加工、制作和使用过程中,因高温氧化、介质腐蚀等原因,其表面会产生明显颜色不均匀的斑痕或腐蚀痕迹,或出于美观要求,奥氏体不锈钢常常需要进行化学清洗和钝化处理,使设备表面形成完整均匀的表面钝化膜,以提高材料的美观性和耐腐蚀性能,延长不锈钢使用寿命。本文从不锈钢钝化原理入手,就不锈钢清洗方法、钝化工艺以及表面钝化膜质量和均匀性检验开展讨论。

1.奥氏体不锈钢酸洗钝化的原理

奥氏体不锈钢具有良好的耐腐蚀性能和优良的冷热加工性能,广泛用于各类具有防腐蚀和美观要求的设备以及其它容器、设备和机具的制造,表面的钝化膜质量和均匀性,对其耐腐蚀影响很大。

1.1钝化机理

金属经氧化性介质处理,在其表面生成均匀致密的氧化膜,并使腐蚀速度比未处理前有显著下降的现象称金属的化学钝化。钝化机理可以用薄膜理论解释为:钝化

是由于金属与氧化性介质发生电化学反应,在金属表面上生成一层薄而致密、覆盖性良好、附着力强的氧化物膜层,即“钝化膜”;钝化膜独立存在, 通常是氧和金属的化合物, 主要成分为CrO3、FeO与NiO,它是不锈钢防腐蚀的基本屏障,是腐蚀介质扩散的阻挡层,而并不是把金属与腐蚀介质完全隔开,钝化膜具有动态特征,通常在有还原剂(如氯离子)情况下倾向于破坏膜,而在氧化剂(如空气)存在时能保持或修复膜[ 1 ] 。

1.2钝化膜的破坏

奥氏体不锈钢表面经氧化性介质钝化处理后其表面上形成的钝化膜,在具有起活化作用的Cl- 、Br- 、F- 等卤素离子存在的条件下,易遭到破坏而失去原有的耐蚀性能和装饰性能。其中Cl- 对不锈钢钝化膜的破坏作用最强,同时Cl- 在水中普遍存在,这也就是奥氏体不锈钢设备使用过程中要求Cl- 质量分数不超过25 μg/g 的原因之一,同时要求奥氏体不锈钢不能用盐酸等高氯离子含量的酸进行酸洗。奥氏体不锈钢在化学清洗后或压力容器水试压后,若不能及时将残水清除干净,也要求使用Cl- 质量分数不超过25μg/g的水冲洗设备。

1.3奥氏体不锈钢的化学清洗和钝化

奥氏体不锈钢酸洗和钝化常常是同步完成的,一般采用氧化性较强的硝酸为主剂的清洗钝化剂,如需要钝化的设备表面含有油脂、有机物和其他酸不易溶解的物质,为了提高酸洗和钝化膜质量,要求在钝化前,对被钝化表面进行除油清洗处理。

1.4清洗钝化剂和酸洗钝化膏配方

清洗钝化剂1: 20%硝酸+ 5%氢氟酸+ 75%水

清洗钝化剂2: 5%硝酸+ 2%重铬酸钾+ 93%水

清洗钝化剂3: 20%硝酸+ 10%氢氟酸+ 70%水

酸洗钝化膏配方: 30%硝酸+ 2%氢氟酸,用硫酸钡搅拌成糊状。均以质量比配制。

2.化学清洗和钝化工艺

不同的设备需要采用不同的清洗钝化工艺,一般采用如下方法:

2.1小型零部件或形状复杂的工件和设备,适合于采用浸泡法。优点是清洗钝化液反复使用,生成成本低,钝化时间灵活机动,清洗钝化效果直观;缺点是液体不流动,有时钝化效果不均匀,为使其均匀常采用提拉法。

其工艺流程为:水冲洗—酸洗钝化—水冲洗—除油—水洗—钝化膜检验—干燥。2.2大型成套装臵和设备内表面清洗钝化,

如成套装臵、换热器、容器、塔器、管网的清洗钝化处理,常采用全充满法或喷淋法。采用此类工艺,优点是一次处理的设备数量大,涉及面广,清洗钝化剂可以反复使用,清洗钝化效果均匀;缺点是此法需要的清洗钝化剂用量较大,施工工艺复杂,操作难度大,需要操作人员具有一定的专业水准,多由专业清洗队伍负责完成。其工艺流程为:配管建立清洗系统—注水循环冲洗—加温循环除油—水冲洗—常温循环酸洗钝化—水冲洗—钝化膜检验—设备复位。

2.3大型设备表面清洗钝化采用涂刷酸洗钝化膏的方法进行,如大型容器内外表面、塔器外壁、大口径管道外表面、板材表面等。此方法优点是用料节省,成本低廉,操作工艺简单,适合于维修和安装现场,施工灵活;缺点是钝化效果不均匀,需要手工操作,劳动环境差,施工安全性差。其工艺流程为:表面擦洗—涂刷清洗钝化膏—水冲洗—检验。

2.4设备内外表面或局部清洗钝化常采用擦洗法,如设备施焊区、热处理区、局部腐蚀区及外表面等。此法优点是实施方便,使用药剂节省,成本较低,施工灵活;缺点是钝化质量不稳定,施工环境差,容易发生人身安全事故。

其工艺流程为:表面擦洗—涂刷清洗钝化剂—水冲洗—检验。

3.奥氏体不锈钢清洗钝化应注意的事项

3.1配制清洗钝化液时,应将水按比例注入耐酸容器中,然后再按比例缓慢加酸,防止倒酸速度过快引起飞溅伤人。酸洗钝化处理,应先在水部件或局部表面上或类似的材料上进行清洗钝化现场试验。

3.2清洗钝化前应去除焊缝及母材表面的飞溅、焊药、灰尘等。清除油污必要时可采用有机溶剂、碱洗液或中性洗涤液清洗表面,并用清水冲洗干净。

3.3酸洗钝化操作过程中,操作人员必须仔细观察,认真控制清洗钝化温度和时间。温度低则适当延长处理时间,温度高则时间缩短。防止达不到酸洗钝化效果或过酸洗而引起材料表面过腐蚀。涂膏清洗钝化时,将膏均匀地涂刷于需要酸洗钝化的表面,一般先涂刷焊缝处,氧化皮较厚处略涂厚些,在涂膏未干透前用棉纱或棉布擦去锈蚀物及氧化物。

3.4对碳钢或其它材质的零部件应采取有效的保护措施,对被酸洗产品上的碳钢件应尽可能卸掉,如不能拆卸的需采用涂防护油漆或封橡胶泥的方法,尽量避免钝化液与碳钢部件接触防止遭受腐蚀。

3.5酸洗钝化后的不锈钢表面不应有明显的腐蚀痕迹,颜色应均匀一致,不留斑纹或氧化色。钝化后要彻底冲洗设备表面,不留存残液。酸洗钝化液及冲洗水中控制Cl- 的质量分数不大于25μg/g,宜选用去离子水冲洗设备,酸洗钝化后对钝化表面需采用一定的保护措施。最终酸洗钝化的不锈钢设备或部件成品可以选用聚乙烯薄覆盖或包裹,避免异金属、非金属接触及硬物接触,禁止焊接或打磨操作。3.6操作人员在操作时,必须穿好耐酸服,带好防酸手套、口罩及防护眼罩。在容器内酸洗钝化,必须携带经检查合格的防毒面具,并有专人监护。

3.7酸性钝化废液具有很强的污染特性,应妥善处理达标后才能排放至规定地点。

4.奥氏体不锈钢清洗和钝化质量检验方法

4.1外观检验

酸洗钝化后的不锈钢表面应为均匀的银白色,不得有明显的腐蚀痕迹,焊缝及热影响区表面不得有氧化色,不得有颜色不均匀的班痕[ 2 ] 。用pH 试纸检查材料表面残液的冲洗干净程度, pH 6～7为合格。

4.2钝化膜均匀性检验方法

硝酸- 铁氰化钾蓝点法:在清洗钝化后的不锈钢表面,任意选择3～5个测试点,待酸洗钝化表面干燥后,将刚浸渍过硝酸- 铁氰化钾试验溶液的<50的定性滤纸贴附在待测不锈钢表面, 30 s内观察滤纸出现蓝点的情况[ 3 ] ,无蓝点为合格,有蓝点为不合格。试验后也应该将试验体冲洗干净。硝酸- 铁氰化钾溶液由1 g铁氰化钾、3 mL(65% ～85% )硝酸HNO3 和100 mL 蒸馏水复配而成。该试剂因使用的是氧化性强的硝酸,对钝化膜的破坏能力较弱,所以主要反映出清洗钝化所形成钝化膜的均匀性、完整性或是否有铁离子污染等性能;但储存稳定性差,需要现用现配。

4.3钝化膜致密性检验方法

盐酸- 铁氰化钾蓝点法:在钝化后的不锈钢表面,任意选择3～5个测试点,用蒸馏水冲洗干净,棉纱擦干,然后逐点滴酸性铁氰化钾K3 [ Fe (CN) 6 ]点滴液,并用秒表记录该点滴溶液后出现蓝点的时间,根据蓝点出现的时间快慢来评定钝化膜的质量,根据同一检测面上各点出现蓝点时间的长短评定钝化膜的完整性和均匀程度。对于清洗后有特殊要求的奥氏体不锈钢材质的钝化膜质量,点滴液覆盖面内10 min内出现的蓝色小点不多于8个点为合格。测定完后,先用干布擦干点滴液再用

20%的醋酸对测定点进行擦洗,然后用脱盐水或蒸馏水冲洗干净。酸性铁氰化钾点滴液由硫酸、盐酸、铁氰化钾和蒸馏水复配而成。酸性铁氰化钾点滴液破坏钝化膜后将产生如下反应:2H+ + Fe = Fe2 + +H2X3Fe2 + + 2 [ Fe (CN) 6 ]3 - = Fe3 [ Fe (CN ) 6 ]2y (深蓝色沉淀)酸性铁氰化钾点滴液在5～35℃下有效使用期限为7天。铁氰化钾无毒,但在加热时分解产生可能产生剧毒物HCN,所以不能在加热条件下使用。本检验方法因使用了高浓度的盐酸,对钝化膜的破坏能力很强,所以主要反映出了形成钝化膜的致密性和阻隔能力。

参考文献

[ 1 ] 余存烨. 不锈钢设备及零部件酸洗钝化技术[ J ]. 清洗世界, 20 (1) : 20 - 24. [ 2 ] 李宁. 不锈钢压力容器钝化工艺的控制[ J ]. 化工科技市场2004 (6) : 25. [ 3 ] 中国化工装备公司. HG - T 2806 - 1996奥氏体不锈钢

[ 4 ] 压力容器制造管理细则

多晶硅装置清洗 文档

多晶硅装置开车前清洗技术 多晶硅生产对环境及设备的清洁要求十分高。生产工艺过程比较复杂。尤其是塔器设备，对产品的质量影响极为重要。为了保证一次性开车投产顺利，保证产品质量，在设备的安装过程中，对设备及管线等重要设备的清洗工作十分严谨。在清洗过程中，使每个环节质量都达到标准。避免开车质量事故的发生。最大限度地降低调试费用，必须做好工艺设备和工艺管道安装前的清洗处理。针对不同的工艺要求、不同的设备材质以及不同的设备类型，清洗处理要求和达到的基本标准（要求达到无油、无水与无尘的三无要求）也不同。同时符合《脱脂工程施工及验收规范》和《工业设备化学清洗质量标准》并根据业主和成达公司的具体要求可分为一般清洗和洁净清洗。 多晶硅设备的清洗主要工艺为酸洗、脱脂、钝化、干燥等，其中最关键是脱脂工艺和干燥技术。油脂和水对多晶硅的产品有巨大影响。因此在多晶硅设备的清洗中，以脱脂工艺和干燥工艺为要点。主要清洗还原炉、氢化炉、CDI设备、合成车间、还原氢化车间、精馏系统、中间罐、管道等主要设备。并且为了保证脱脂和干燥的质量，多晶硅设备清洗需要对单台设备进行单台清洗并验收后，再进行安装。 二、污垢主要对多晶硅影响因素 1、油脂：在多晶硅生产过程中，油分子对多晶硅的危害十分严重。实际证明，整个工艺系统几ppm的油含量就可能造成多晶硅反应速度减慢，产量降低，甚至硅反应停止。因此，多晶硅设备的脱脂工艺尤为重要。 2、水分：水中含有大量的氯离子，氯离子对多晶硅的反应十分敏感。设备及系统干燥工艺很关键。 3、氯离子残留：水和其他溶液在设备表面残留的氯离子对多晶硅影响十分大。因此，在清洗后对设备进行纯水冲洗工艺十分重要。 4、氧化物、灰尘其他杂质：其他污垢的存在，对多晶硅的生产影响也很大。因此，在设备清洗过程中，采用酸洗工艺对其他污垢进行清洗十分必要。 一、概述 多晶硅生产对环境及设备的清洁要求十分高。生产工艺过程比较复杂。尤其是塔器设备，对产品的质量影响极为重要。为了保证一次性开车投产顺利，保证产品质量，在设备的安装过程中，对设备及管线等重要设备的清洗工作十分严谨。在清洗过程中，使每个环节质量都达到标准。避免开车质量事故的发生。最大限度地降低调试费用，必须做好工艺设备和工艺管道安装前的清洗处理。针对不同的工艺要求、不同的设备材质以及不同的设备类型，清洗处理要求和达到的基本标准（要求达到无油、无水与无尘的三无要求）也不同。同时符合《脱脂工程施工及验收规范》和《工业设备化学清洗质量标准》并根据业主和成达公司的具体要求可分为一般清洗和洁净清洗。 多晶硅设备的清洗主要工艺为酸洗、脱脂、钝化、干燥等，其中最关键是脱脂工艺和干燥技术。油脂和水对多晶硅的产品有巨大影响。因此在多晶硅设备的清洗中，以脱脂工艺和干燥工艺为要点。主要清洗还原炉、氢化炉、CDI设备、合成车间、还原氢化车间、精馏系统、中间罐、管道等主要设备。并且为了保证脱脂和干燥的质量，多晶硅设备清洗需要对单台设备进行单台清洗并验收后，再进行安装。 二、污垢主要对多晶硅影响因素 1、油脂：在多晶硅生产过程中，油分子对多晶硅的危害十分严重。实际证明，整个工艺系统几ppm的油含量就可能造成多晶硅反应速度减慢，产量降低，甚至硅反应停止。因此，多晶硅设备的脱脂工艺尤为重要。

硅片生产工艺流程及注意要点

硅片生产工艺流程及注意要点 简介 硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在10级净空房内完成。 工艺过程综述 硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类：能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期望的表面损伤的数量；或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的，因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中，每一步骤都会得到详细介绍。 表1.1 硅片加工过程步骤 1.切片 2.激光标识 3.倒角 4.磨片 5.腐蚀 6.背损伤 7.边缘镜面抛光 8.预热清洗 9.抵抗稳定——退火 10.背封 11.粘片 12.抛光 13.检查前清洗 14.外观检查

15.金属清洗 16.擦片 17.激光检查 18.包装/货运 切片（class 500k） 硅片加工的介绍中，从单晶硅棒开始的第一个步骤就是切片。这一步骤的关键是如何在将单晶硅棒加工成硅片时尽可能地降低损耗，也就是要求将单晶棒尽可能多地加工成有用的硅片。为了尽量得到最好的硅片，硅片要求有最小量的翘曲和最少量的刀缝损耗。切片过程定义了平整度可以基本上适合器件的制备。 切片过程中有两种主要方式——内圆切割和线切割。这两种形式的切割方式被应用的原因是它们能将材料损失减少到最小，对硅片的损伤也最小，并且允许硅片的翘曲也是最小。 切片是一个相对较脏的过程，可以描述为一个研磨的过程，这一过程会产生大量的颗粒和大量的很浅表面损伤。 硅片切割完成后，所粘的碳板和用来粘碳板的粘结剂必须从硅片上清除。在这清除和清洗过程中，很重要的一点就是保持硅片的顺序，因为这时它们还没有被标识区分。 激光标识(Class 500k) 在晶棒被切割成一片片硅片之后，硅片会被用激光刻上标识。一台高功率的激光打印机用来在硅片表面刻上标识。硅片按从晶棒切割下的相同顺序进行编码，因而能知道硅片的正确位置。这一编码应是统一的，用来识别硅片并知道它的来源。编码能表明该硅片从哪一单晶棒的什么位置切割下来的。保持这样的追溯是很重要的，因为单晶的整体特性会随着晶棒的一头到另一头而变化。编号需刻的足够深，从而到最终硅片抛光完毕后仍能保持。在硅片上刻下编码后，即使硅片有遗漏，也能追溯到原来位置，而且如果趋向明了，那么就可以采取正确的措施。激光标识可以在硅片的正面也可在背面，尽管正面通常会被用到。

机器设备管理流程图

机器设备管理流程 图 1

机器设备管理流程图 为了加强设备全过程管理，提高企业装备水平，保证安全生产和设备正常、经济运行，特制订本标准。本标准对原设备管理通则的主要修改内容如下： ——理顺了设备管理从规划选型、维护管理、检修到更新全过程的管理流程，新增了管理流程图。 ——强调了设备管理的主要指标纳入方针目标和经济责任制考核。各级责任和要求。 设备管理通则 1 范围 本标准规定了设备规划、选型、使用、检修、改造、更新一生管理的基本任务和管理原则。 2 规范性引用文件 国务院《全民所有制工业交通企业设备管理条例》 3 术语和定义 3.1 设备 是固定资产的主要组成部分，是工业企业中可供长期使用并在使用中基本保持原有实物形态的物资资料的总称。 3.2 设备管理 是以企业经营目标为依据，经过一系列的技术、经济、组织措施，对设备的规划、设计、制造、选型、购置、安装、使用、维护、修理、改造及更新、调拨，直至报废全过程的管理活动。 4 职责

4.1 装备环保部负责公司从选型到报废的全过程管理。 4.2 计划财务部、安全生产管理部、培训中心等部门协助装备环保部做好设备的计划、资金、考核、安全、培训等管理。 4.3 各分厂（部门）负责本部门设备的组织、协调及日常管理。 5 管理业务流程（见下页图） 6 管理内容与方法 6.1 设备管理准则 6.1.1设备管理的基本任务是经过对设备实行技术和经济的综合管理，以达到设备寿命周期费用最低，设备的综合效能最高，企业经济效益最好的目的。 6.1.2 设备管理应当依靠技术进步、促进生产发展和预防为主，坚持设计、制造与使用结合，维护与计划检修相结合，修理、改造与更新相结合，专业管理与群众管理相结合，技术管理与经济管理相结合的原则。 6.1.3 对工艺发生明显变化或有特殊要求，以及质量不稳定时应经过对设备的检修和改造或采取其它有效措施，以保持对生产工艺的适用性。 6.1.4 设备管理实行主管副总经理统一领导，建立公司、分厂（部门）分级管 设备管理流程图

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多晶硅还原炉接地故障预防措施 摘要：高纯三氯氢硅与氢气在还原炉内反应生成硅为改良西门子法生产多晶硅的关键步骤，还原炉运行情况对多晶硅的质量、产量及设备本体有极大的影响。接地故障是还原炉非正常停炉的常见原因。文章分析、总结接地故障发生的原因并提出相应预防措施。 关键词：多晶硅还原炉接地故障 多晶硅是光伏产业与半导体行业的基础材料，随着光伏行业快速发展，多晶硅的需求量也日益增大。目前，我国的多晶硅生产大多是采用改良西门子法，改良西门子法是生产多晶硅最成熟的工艺，全世界采用该法生产的多晶硅产量占总产量的70%-80%[1]。三氯氢硅与氢气在还原炉内反应生成硅为整个工艺的关键步骤，同时也是最主要的能耗环节，约占综合电耗的50%，占总生产成本的20%-40%[2]。多晶硅生产企业要达产达标，实现节能降耗就必须严格把控还原炉的运行。还原炉一旦非正常停车，将对多晶硅的产量、质量，设备本体，生产成本等造成严重的影响。接地故障是还原炉非正常停炉的常见原因，文章依据生产经验分析、总结接地故障发生的原因并提出相应预防措施。 一、还原工艺 经提纯和净化的三氯氢硅与氢气按一定比例进入还原炉，在还原炉内通电的炽热硅芯表面，三氯氢硅发生氢还原反应生成硅。硅沉积下来使硅芯直径逐渐变大，直至达到规定尺寸的硅棒。其主要反应方程式如下[3，4]： SiHCl3+H2→Si+ HCl SiHCl3→Si+ HCl+ SiCl4 氢还原反应同时生成二氯二氢硅、四氯化硅、氯化氢。还原尾气经冷却器冷却后，直接送往还原尾气分离回收工序。还原工艺流程如图1所示。 图1 还原工艺流程简图 二、接地故障原因分析 还原炉接地故障是指对大地绝缘的带电电极与基盘或炉壁意外导通。电器设备检测到接地后，会立即自动切断供给还原炉的电源以保护人身及设备安全。分析、总结还原炉发生接地故障的原因有如下几点。 1.四氟套拉弧 还原炉的电极与基盘是通过聚四氟乙烯套筒（简称：四氟套）隔绝的。在启

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浅谈多晶硅生产中的设备清洗 随着智能工业、信息技术及太阳能产业的发展，对高纯度多晶硅材料的需求居高不下，使国内涌现出一股搭上多晶硅项目的热潮。但多晶硅生产装置对设备和周围环境的清洁度要求非常高，系统的油脂、水分、氯离子、氯化物、灰尘和杂物等杂质对产品质量影响很大，易产生安全隐患并引发安全事故。 标签：多晶硅;生产;设备清洗 1 多晶硅装置开车前对设备清洗的意义 各种金属及非金属杂质对多晶硅的纯度影响极大，主要影响因素如下。 1.1 油脂 在多晶硅生产过程中，油分子对多晶硅的危害十分严重。实践证明，在整个工艺系统中，几ppm的油量就可能造成多晶硅反应速度减慢、产量降低甚至硅反应停止，因此，多晶硅设备的脱脂工艺尤为重要。 1.2 水分 水中含有大量的氯离子，氯离子对多晶硅的反应十分敏感，对设备及管道有堵塞和腐蚀作用，因此，设备及系统干燥工艺很关键。 1.3 氯离子残留 水和其他溶液在设备表面残留的氯离子对多晶硅影响很大，因此，在清洗后对设备进行纯水冲洗工艺十分重要。 1.4 金属氧化物、氯化物、灰尘及其他杂质 这些杂质的存在，对多晶硅的生产影响也很大，因此，在设备清洗过程中，采用酸洗工艺对其他污垢进行清洗十分必要。 2 多晶硅设备的清洗工艺分析 2.1 对设备制造阶段的清洗工作要高度重视 许多人对多晶硅设备制造初期的清洗工作不够重视，认为对付过去就可以了，这是我们必须要改正的，在具体清洗时必须严格按照化学设备制造规范和多晶硅生产工艺进行。另外，还要注意洁净度的要求等相关内容的选择，因为有所差异，所以一旦选错将出现很严重的后果。金属设备、管道等处于制造、贮存以及运输状态时，会在振动、大气腐蚀的作用下在金属表面形成一层氧化皮和铁锈，

多晶硅生产工艺流程.doc

多晶硅生产工艺流程(简介) -------------------------来自于网络收集多晶硅生产工艺流程,多晶硅最主要的工艺包括，三氯氢硅合成、四氯化硅的热氢化（有的采用氯氢化），精馏，还原，尾气回收，还有一些小的主项，制氢、氯化氢合成、废气废液的处理、硅棒的整理等等。 主要反应包括：Si+HCl---SiHCl3+H2（三氯氢硅合 成）;SiCl4+H2---SiHCl3+HCl（热氢化）;SiHCl3+H2---SiCl4+HCl+Si （还原）多晶硅是由硅纯度较低的冶金级硅提炼而来，由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法。改良西门子法是目前主流的生产方法，采用此方法生产的多晶硅约占多晶硅全球总产量的85％。但这种提炼技术的核心工艺仅仅掌握在美、德、日等7家主要硅料厂商手中。这些公司的产品占全球多晶硅总产量的90%，它们形成的企业联盟实行技术封锁，严禁技术转让。短期内产业化技术垄断封锁的局面不会改变。 西门子改良法生产工艺如下： 这种方法的优点是节能降耗显著、成本低、质量好、采用综合利用技术，对环境不产生污染，具有明显的竞争优势。改良西门子工艺

法生产多晶硅所用设备主要有：氯化氢合成炉，三氯氢硅沸腾床加压合成炉，三氯氢硅水解凝胶处理系统，三氯氢硅粗馏、精馏塔提纯系统，硅芯炉，节电还原炉，磷检炉，硅棒切断机，腐蚀、清洗、干燥、包装系统装置，还原尾气干法回收装置；其他包括分析、检测仪器，控制仪表，热能转换站，压缩空气站，循环水站，变配电站，净化厂房等。 （1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅， 其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑ （2）为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水氯化氢(HCl)与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅(SiHCl3)。 其化学反应Si+HCl→SiHCl3+H2↑ 反应温度为300度，该反应是放热的。同时形成气态混合物 (Н2,НС1,SiНС13,SiC14,Si)。 （3）第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要分解:过滤硅粉，冷凝SiНС13,SiC14，而气态Н2,НС1返回到反应中或排放到大气中。然后分解冷凝物SiНС13,SiC14，净化三氯氢硅（多级精馏）。

设备管理流程

使工厂内所有生产设备得到有效的管理 2. 适用范围 适用于公司范围内与生产相关的设备。 3. 操作流程/职责和工作要求 见《设备仪器购置验收方法》 设备编号方法： 例如： J 5 — OEE — 01 C 公司代码 顺序号 设备型号 分类号 类别号 （1）公司代码：（英语单词第一个字母） 电子（ ELECTRONIC）用“E”表示； 通讯（COMMUNICATION）用“C”表示； 科技（ TECHNOLOGY）用“T”表示； （2）类别号：公司所有设备均用“J”表示； （3）分类号：“5”代表生产专用设备 “6”代表通用设备 “8”代表其它 填写电脑记录《设备登记台帐》，记录如下内容： 设备名称、型号、泰丰编号、生产厂家、价格、 购置日期、安装地点 设备安放固定地点使用，设备移动必须由设备 课工程师或技术员进行 贴设备状态标签，注明内容：设备名称、型号、 编号；贴准用证，准用证上填写日期及有效期 并签字。

生产部门按设备操作规程使用设备，关键设备操作工必须经过专门培训才能上岗 在规定时间内对设备进行保养，指导文件：设备操作规程 每天对设备使用、运行及保养状况进行巡检 每年一次检查设备状态完好，重新填写准用证。 每年初制定《设备检修计划》，检修设备范围：波峰机、切脚机、高低温试验箱、机械振动台、高频热合机 （1）更换设备已磨损的部件； （2）检查机械及电器各部件的功能是否正常；（3）调整与紧固各部件； （4）保养与润滑各运动部件； （5）校验设备上与产品品质相关的仪表，填写《仪器校验报告》； （6）检修完毕后，填写《设备检修记录》； 设备故障第一时间到位（5分钟内）； 判断设备的故障严重程度； 尽可能找到维持生产的临时方法； 在连续时间内完成修理工作； 更换零件需经主管同意后外出购买； 重大故障填写记录 预计半年以上不使用的设备停用； 暂时因故障无法修复的设备停用； 停用设备贴“停用证”，并在档案中注明。 超过折旧年限，无使用价值的设备； 损坏无修复价值的设备。 报废残值处理另作报告

硅片生产工艺技术流程

顺大半导体发展有限公司太阳能用 硅单晶片生产技术 目录 一、硅片生产工艺中使用的主要原辅材料 1、拉制单晶用的原辅材料，设备和部件： 2、供硅片生产用的原辅材料，设备和部件： 二、硅片生产工艺技术 1、硅单晶生产部 （1）、腐蚀清洗工序生产工艺技术 对处理后原材料质量要求 （2）、腐蚀清洗生产工艺流程 ①多晶硅块料，复拉料和头，尾料处理工艺流程 ②边皮料酸碱清洗处理工艺流程 ③埚底料酸清洗处理工艺流程 ④废片的清洗处理工艺流程 （3）、硅单晶生长工艺技术 （4）、单晶生长中的必备条件和要求 ①单晶炉 ②配料与掺杂 （5），单晶生长工艺参数选择 （6）、质量目标： （7）、硅单晶生长工艺流程

2、硅片生产部 （1）、硅片加工生产工艺技术 （2）、硅片加工工艺中的必备条件和要求 ①切割机 ②切割浆液 （3）、质量目标 （4）、硅片加工工艺技术流程 ①开方锭生产工艺流程 ②切片生产工艺流程 （5）、硅片尺寸和性能参数检测

前言 江苏顺大半导体发展有限公司座落于美丽的高邮湖畔。公司始创生产太阳能电池用各种尺寸的单晶和多晶硅片。拥有国内先进的拉制单晶设备104台，全自动单晶炉112台。年产量可达到××××吨。拥有大型先进的线切割设备×××台。并且和无锡尚德形成了合作联盟（伙伴），每×可以向尚德提供×××硅单晶片。同时河北晶于2004年，占地面积××××。公司现在有×××名员工，从事澳、南京等光伏组件公司都和顺大形成了长年的合作关系。为了公司的进一步发展，扩大产业链，解决硅单晶的上下游产品的供需关系，2006年在扬州投资多晶硅项目，投资规模达到××亿。工程分两期建设，总规模年产多晶硅6000吨。2008年底首期工程已经正式投入批量生产，年产多晶硅×××吨。 太阳能用硅片生产工艺十分复杂，要通过几十道工序才能完成，只有发挥团队精神才能保证硅片的最终质量。编写该篇壮大资料的目的：首先让大家了解整个硅片生产过程，更重要的是让各生产工序中的每一位操作人员明确自己的职责，更自觉地按操作规程和规范做好本职工作，为顺大半导体发展有限公司的发展，尽自己的一份力量。

多晶硅还原炉内的8大反应

多晶硅还原炉内的8大反应 钟罩式多晶硅还原炉内各反应我认为主要有以下8种，希望和大家探讨一下如何控制取得最大的沉积速度 ⑴SiHCl3＋H2＝Si＋3HCl↑(1050-1100℃) ⑵2SiHCl3＝Si＋2HCl↑＋SiCl4 （热分解） ⑶SiHCl3＝SiH2Cl2＋HCl↑(900-1000℃) ⑷Si＋2HCl≒SiH2Cl2(＞1200℃或低温腐蚀) ⑸SiHCl3＝SiH2Cl2＋SiCl4（Si＋SiCl4≒SiCl2） ⑹SiCl4＋2H2＝Si＋4HCl↑（高温下） ⑺4SiHCl3＝Si＋2H2↑＋3SiCl4（热分解） ⑻Si＋4HCl＝2H2↑＋SiCl4（腐蚀） ⑴SiHCl3＋H2＝Si＋3HCl↑(1050-1100℃) ⑺4SiHCl3＝Si＋2H2↑＋3SiCl4（热分解） 不是什么秘密，还原炉里面主要发生以上2个反应，主要看操作条件怎样控制，希望大家能够交流一下 改良西门子法的[wiki]多晶硅[/wiki]反应已经路人皆知了，什么涉密不涉密的。还原炉控制的关键还是配料比、温度等，根据所要得到的产品质量不同（太阳能级、[wiki]电子[/wiki]级）操作有所差别，这才是秘密。 回复上面各楼的兄弟，特别是5楼的，如果反应都是按照您说的那样那多晶硅早就降价了。上面一位楼主说的对，其实上面7个反应都会发生，谁占主要反应主要还是靠温度还是配比。另回复9楼，二氯二氢硅进去要长硅粉阻塞尾气管线要[wiki]爆炸[/wiki]的，在实际中非常危险的。兄弟 原料混合气是SiHCl3＋H2，产物是Si、HCl、SiCl4以及多余的H2，当然，由于是可逆反应，还会有剩余的SiHCl3，但是总的来说，原料气的利用率并不高，只有30％左右 主要是要控制反应温度，还有电流了！其中还会生成大量的SICL4.

硅片清洗的方法

硅片清洗的方法 一、硅片清洗的重要性 硅片清洗是半导体器件制造中最重要最频繁的步骤，而且其效率将直接影响到器件的成品率、性能和可靠性。 现在人们已研制出了很多种可用于硅片清洗的工艺方法和技术，常见的有：湿法化学清洗、超声清洗法、兆声清洗法、鼓泡清洗法、擦洗法、高压喷射法、离心喷射法、流体力学法、流体动力学法、干法清洗、微集射束流法、激光束清洗、冷凝喷雾技术、气相清洗、非浸润液体喷射法、硅片在线真空清洗技术、RCA标准清洗、等离子体清洗、原位水冲洗法等。这些方法和技术现已广泛应用于硅片加工和器件制造中的硅片清洗。 表面沾污指硅表面上沉积有粒子、金属、有机物、湿气分子和自然氧化物等的一种或几种。超纯表面定义为没有沾污的表面, 或者是超出检测量极限的表面。 二、硅片的表面状态与洁净度问题： 硅片的真实表面由于暴露在环境气氛中发生氧化及吸附，其表面往往有一层很薄的自然氧化层，厚度为几个埃、几十个埃甚至上百埃。真实的硅片表面是内表面和外表面的总合，内表面是硅与自然氧化层的界面，。外表面是自然氧化层与环境气氛的界面，它也存在一些表面能级，并吸附一些污染杂质原子，而且不同程度地受到内表面能级的影响，可以与内表面交换电荷，外表面的吸附现象是复杂的。 完好的硅片清洗总是去除沾污在硅片表面的微粒和有害膜层，代之以氧化物的、氯化物的或其它挥发元素(或分子)的连续无害膜层，即具有原子均质的膜层。硅片表面达到原子均质的程度越高．洁净度越高。 三、硅片表面沾污杂质的来源和分类： 在硅片加工及器件制造过程中，所有与硅片接麓的外部媒介都是硅片沾污杂质的可能来源。这主要包括以下几方面：硅片加工成型过程中的污染，环境污染，水造成的污染，试剂带来的污染，工业气体造成的污染，工艺本身造成的污染，人体造成的污染等。

设备管理流程

版次：A/ 0 设备管理流 程 1 目的 使工厂内所有生产设备得到有效的管理 2.适用范围 适用于公司范围内与生产相关的设备。 3.操作流程/职责和工作要求 工作要求相关文件/记录 设备工程师/ 设备主管 设备工程师/ 设备主管 设备工程师/ 设备主管 设备技术员/ 工程师 设备技术员/ 工程师 见《设备仪器购置验收方法》 设备编号方法： 例如：J 5 —OEE —01 C J T T 0T 丁 +公司代码顺序号 1 f设备型号 1 F分类号类别号 （1 ）公司代码：（英语单词第一个字母） 电子（ELECTRONIC用“ E”表示；通讯 （COMMUNICAT用）NC” 表示；科技 （TECHNOLOG丫用“T”表示； （2 ）类别号：公司所有设备均用“ J ”表示; （3）分类号：“ 5”代表生产专用设备 “ 6 ”代表通用设备 “ 8 ”代表其它 填写电脑记录《设备登记台帐》，记录如下内容: 设备名称、型号、泰丰编号、生产厂家、价格、 购置日期、安装地点 设备安放固定地点使用，设备移动必须由设备课工程师 或技术员进行 贴设备状态标签，注明内容：设备名称、型号、编 号；贴准用证，准用证上填写日期及有效期并签字。 《设备登 记台帐》

版 次：A / 0 设备管理流 程 日常修理 停用 报废 职责 工作要求 相关文件 /记录 操作工/生产 部组长、主管/ 设备工程师 生产部门按设备操作规程使用设备，关键设备 操作工必须经过专门培训才能上岗 操作工 在规定时间内对设备进行保养， 指导文件：设备 操作规程 《设备保 养记录》 设备技术员/ 工程师 每天对设备使用、运行及保养状况进行巡检 每年一次检查设备状态完好，重新填写准用证。 《设备巡 检记录》 设备工程师 每年初制定《设备检修计划》，检修设备范围： 波峰机、切脚机、高低温试验箱、机械振动台、 高频热合机 设备技术员/ 工程师 （1） 更换设备已磨损的部件； （2） 检查机械及电器各部件的功能是否正常； （3） 调整与紧固各部件； （4） 保养与润滑各运动部件； （5） 校验设备上与产品品质相关的仪表，填写 《仪器校验报告》； （6） 检修完毕后，填写《设备检修记录》 ； 《仪器校 验报告》 《设备检 修记录》 设备技术员/ 工程师 设备故障第一时间到位（5分钟内）； 判断设备的故障严重程度； 尽可能找到维持生产的临时方法； 在连续时间内完成修理工作； 更换零件需经主管同意后外出购买； 重大故障填写记录 《设备维 修记录》 设备工程师 预计半年以上不使用的设备停用； 暂时因故障无法修复的设备停用； 停用设备贴“停用证”，并在档案中注明。 设备工程师/ 主管 超过折旧年限，无使用价值的设备； 损坏无修复价值的设备。 报废残值处理另作报告 《报废申 请报告》 编制： 审核： 批准：

单晶硅片制作工艺流程

单晶硅电磁片生产工艺流程 ?1、硅片切割，材料准备： ?工业制作硅电池所用的单晶硅材料，一般采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的边长一般为10~15cm，厚度约200~350um，电阻率约1Ω.cm的p型（掺硼）。 ?2、去除损伤层： ?硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷，这就会产生两个问题，首先表面的质量较差，另外这些表面缺陷会在电池制造过程中导致碎片增多。因此要将切割损伤层去除，一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约10um。 ? ? 3、制绒： ?制绒，就是把相对光滑的原材料硅片的表面通过酸或碱腐蚀，使其凸凹不平，变得粗糙，形成漫反射，减少直射到硅片表面的太阳能的损失。对于单晶硅来说一般采用NaOH加醇的方法腐蚀，利用单晶硅的各向异性腐蚀，在表面形成无数的金字塔结构，碱液的温度约80度，浓度约1~2%，腐蚀时间约15分钟。对于多晶来说，一般采用酸法腐蚀。 ? 4、扩散制结：

?扩散的目的在于形成PN结。普遍采用磷做n型掺杂。由于固态扩散需要很高的温度，因此在扩散前硅片表面的洁净非常重要，要求硅片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片表面的碱残留和金属杂质。 ? 5、边缘刻蚀、清洗： ?扩散过程中，在硅片的周边表面也形成了扩散层。周边扩散层使电池的上下电极形成短路环，必须将它除去。周边上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降，以至成为废品。 目前，工业化生产用等离子干法腐蚀，在辉光放电条件下通过氟和氧交替对硅作用，去除含有扩散层的周边。 扩散后清洗的目的是去除扩散过程中形成的磷硅玻璃。 ? 6、沉积减反射层： ?沉积减反射层的目的在于减少表面反射，增加折射率。广泛使用PECVD淀积SiN ,由于PECVD淀积SiN时,不光是生长SiN 作为减反射膜,同时生成了大量的原子氢,这些氢原子能对多晶硅片具有表面钝化和体钝化的双重作用,可用于大批量生产。 ? 7、丝网印刷上下电极： ?电极的制备是太阳电池制备过程中一个至关重要的步骤，它不仅决定了发射区的结构，而且也决定了电池的串联电阻和电

单晶多晶硅片生产工艺流程详解word版本

在【技术应用】单晶、多晶硅片生产工艺流程详解（上）中，笔者介绍了单晶和多晶硅片工艺流程的前半部分，概述了一些工艺流程和概念，以及术语的相关知识。而本文则是从切片工艺开始了解，到磨片和吸杂，看硅片如何蜕变。 切片 切片综述 当单晶硅棒送至硅片生产区域时，晶棒已经过了头尾切除、滚磨、参考面磨制的过程，直接粘上碳板，再与切块粘接就能进行切片加工了。 为了能切割下单个的硅片，晶棒必须以某种方式进行切割。切片过程有一些要求：能按晶体的一特定的方向进行切割；切割面尽可能平整；引入硅片的损伤尽可能的少；材料的损失尽量少。 碳板 当硅片从晶棒上切割下来时，需要有某样东西能防止硅片松散地掉落下来。有代表性的 是用碳板与晶棒通过环氧粘合在一起从而使硅片从晶棒上切割下来后，仍粘在碳板上。 碳板不是粘接板的唯一选择，任何种类的粘接板和环氧结合剂都必须有以下几个特性：能支持硅片，防止其在切片过程中掉落并能容易地从粘板和环氧上剥离；还能保护硅片不受 污染。其它粘板材料还有陶瓷和环氧。 石墨 是一种用来支撑硅片的坚硬材料，它被做成与晶棒粘接部位一致的形状。大多数情况下， 碳板应严格地沿着晶棒的参考面粘接，这样碳板就能加工成矩形长条。当然，碳板也可以和 晶棒的其它部位粘接，但同样应与该部位形状一致。碳板的形状很重要，因为它要求能在碳板和晶棒间使用尽可能少的环氧和尽量短的距离。这个距离要求尽量短，因为环氧是一种相 当软的材料而碳板和晶棒是很硬的材料。当刀片从硬的材料切到软的材料再到硬的材料，可能会引起硅片碎裂。 这里有一些选择环氧类型参考：强度、移动性和污染程度。粘接碳板与晶棒的环氧应有足够强的粘度，才能支持硅片直到整根晶棒切割完成，因此，它必须能很容易地从硅片上移走，只有最小量的污染。 刀片 当从晶棒上切割下硅片时，期望切面平整、损伤小、沿特定方向切割并且损失的材料尽量小。有一个速度快、安全可靠、经济的切割方法是很值得的。 在半导体企业，两种通常被应用的方法是环型切割和线切割。环型切割通常是指内圆切 割，是将晶棒切割为硅片的最广泛采用的方法。 内圆切割

多晶硅EDI设备清洗方案

EDI设备清洗方案 一、EDI的清洗方法： 根据EDI的运行状态，EDI的清洗采用酸洗—消毒—碱洗的方法来清洗EDI模块。 1.清洗时，EDI的淡水室、浓水室和极水室都需要清洗。即清洗液从“原水进”和”浓水进”清洗口进入EDI，从“产水”、“浓水出”、“极水出”回到清洗水箱。(正洗) 2.第一步酸洗：清洗水箱中配制% 盐酸溶液，循环30分钟。冲洗：清洗水箱中酸洗液放掉后，将水箱中水冲洗至中性，然后将清洗进和回流管清洗到回流水至中性。 第二步消毒碱洗：水箱中配制% NaOH+%NaCL 的溶液，循环50分钟。冲洗：清洗水箱中消毒液放掉后，清洗EDI至水箱中回流水至电导率降至100μs/cm以下。 警告：清洗过程中清洗压力最高不超过，膜块的电源禁止供电，清洗所需用水必须是RO或者EDI系统的产水。 二、清洗步骤： 1.准备 1)关闭EDI。停止EDI运行，确定EDI模块的电源已被切断并把整流器转换钮转到“关闭”位置。 2)关闭下列阀门：原水进水阀、淡水产水阀、淡水冲洗排放阀、极水排放阀、浓水排放阀、浓水循环泵进出口阀。 3)将清洗水箱和相关的清洗管道清洗干净。

4)连接清洗管道。把淡水产水、浓水排放、极水排放的清洗管线直接连接到清洗水箱上。把原水进水、浓水进水清洗管线连接到EDI 系统的原水进水和浓水进水清洗接口上。注意清洗管线必须牢固、紧密，以防止化学药品的喷溅。 2、浓水室酸洗 1)约剂配制：在清洗水箱中注入大约1500L的反渗透产水作为溶剂，然后向其中缓缓加入大约60L (或73kg)37％的盐酸搅拌均匀配制成约%的盐酸溶液。 2)酸洗步骤 (1)将清洗水泵出口软管连接到EDI系统浓水进口，EDI系统浓水出口用软管连接回流到清洗水箱，同时关闭EDI装置本身循环系统的进出阀门来避免药剂进入循环泵； (2)启动清洗泵以15m3/h（正常运行流速的一半）的流速循环清洗15分钟后停止清洗泵并关闭相应阀门让药剂在浓水室内浸泡15分钟左右，再次启动清洗泵循环清洗15分钟左右； (3)停止清洗并排净清洗箱和清洗泵； (4)浓水室冲洗：在清洗水箱中注入大约3000L反渗透水，启动清洗泵冲洗EDI浓水室，清洗流速约为15 m3/h（正常运行流速的一半），边冲洗边排放直到出水PH值接近7为止。 3)淡水室清洗消毒 l、药剂配制：在清洗水箱中注入大约1500L的反渗透产水作为溶剂，然后向其中缓缓加入大约75kg的氯化钠和15kg的固体氢氧化钠搅拌溶解均匀，配制成NaCl 5％／NaOH l％的混合溶液。

半导体制造工艺流程

半导体制造工艺流程 N型硅：掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb P型硅：掺入III族元素—镓Ga、硼B PN结： 半导体元件制造过程可分为 前段（FrontEnd）制程 晶圆处理制程（WaferFabrication；简称WaferFab）、 晶圆针测制程（WaferProbe）； 後段（BackEnd） 构装（Packaging）、 测试制程（InitialTestandFinalTest） 一、晶圆处理制程 晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧化（Oxidation）及沈积，最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。 二、晶圆针测制程 经过WaferFab之制程後，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，而不合格的的晶粒将会被标上记号（InkDot），此程序即称之为晶圆针测制程（WaferProbe）。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒 三、IC构装制程 IC構裝製程（Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路目的：是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。 半导体制造工艺分类 半导体制造工艺分类 一双极型IC的基本制造工艺： A在元器件间要做电隔离区（PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离）ECL（不掺金）（非饱和型）、TTL/DTL（饱和型）、STTL（饱和型）B在元器件间自然隔离 I2L（饱和型） 半导体制造工艺分类 二MOSIC的基本制造工艺： 根据栅工艺分类 A铝栅工艺 B硅栅工艺

硅料的清洗方法讲解(图文)_走过路过不要错过

在一个行业一个产品某种意义上来说都有其一个特定性。要解决一个问题，我们首先要了解产品的来与去。就太阳能原料而言，我们从以下方面来谈它的来去，就是通常我们说的输入。 原生多晶：按常规考虑，原生多晶在生产过程中，生产厂家的成品已经经过清洗处理，在拉单晶和铸多晶时，直接投入即可。但问题是：1、生产厂家处理了没有?2、生产厂家处理的结果是什么?3、在物流、储存时有没有出现杂质侵入等原因。通常一般厂家不放心直接使用，需要把此料进行一次酸洗后才放心。硅料表面和缝隙中压留酸分子，然后再用超声波通过循环纯水进行漂洗。还有一个问题，我们在酸洗和漂洗过程中的硅料不可能悬空在溶液中，如果杂质刚好在两个硅料或硅料与洗篮接触点，那不是还没洗到吗?所以一般要动一下，可能很少有人知道这动的原因，或根本没有在意。 头尾料：在生产硅片中要对硅棒或硅锭进行切方处理，剩下的叫头尾、边皮料。因为大家知道硅料是可以再生利用，所以切下的头尾料要再利用怎么办?那就是清洗。我们先分析头尾料上的杂质：1、切割后金属离子的转移;2、切割液的残留;3、物流留下的污物。这三个问题怎样处理?切割液的残留和物流留下的污物用超声碱洗解决，金属离子用酸洗解决。 碎片料：在我们切片、脱胶、清洗、物流过程中，因为种种原因会产生碎片，碎片的主要特性是粘合，主要杂质为切割砂液，我们可以利用碎片在溶液中的翻转漂浮对其分离清洗，达到它的清洁度一致性。 埚底料：埚底料的主要去除对象是石英，在对埚底料进行处理时，应对大块石英进行打磨，然后在酸液中进行长时间浸泡处理。 综合上述情况，我们注意到了在各种不同类的情况下，要用不同工艺来解决。我们在这洗料过程中要把握：1、料要动2、漂要清3、流程要准确。 其他料：除以上四种料以外还有废电池片、IC料及半导体芯片等一些硅料芯片，要对其除金属、蓝薄、银浆等前期处理。 一、硅料的浸泡 随着多晶硅产能逐渐增加，原料对生产商而言有更多的选择，同时也会放弃一些利用价值低的废料。但对处理相对简单，低成本的可再利用料仍可以降低成本，这些主要是坩埚底料和半导体废片料等。 我们在对埚底料和半成品半导体硅片进行除石英和金属电路处理上通常采用洗篮和花篮静止泡洗12小时(根据酸的浓度和比例)。这种方法是最简易和节约成本的。问题在于静止过程中料的表面和酸反应、酸的处理能力需要长时间慢慢释放。在此种情况下，如果加入循环泵，用于搅拌酸液，缩短浸泡时间更能起到均匀处理的作用。

IATF16949：2016生产设备管理程序

文件编号 生产设备管理程序编制单位 版本/版次总页码 版本编制日期编制记要备注A/0新版编制 批准审核编制

版本/版次 编制日期 设备管理过程乌龟图 满足产品和过程要求的设备 新产品生产需求 过程改进的需求 设备使用状况鉴定 设备完好率98% 基础设施管理规程 设备备件管理规程 设备事故管理规程 设备操作证管理规程 预防性及预见性维护规程 水、电、气管理规程 设备润滑管理规程 设备管理奖罚办法 生产安全管理程序 办公系统 维修工具与设备 设备备件 设备润滑 设备设施 设备管理 过 程 设备管理（人员） 设备维修（人员） 备件计划（人员） 技术技改（人员） 仓库管理（人员） 资产管理（人员） 采购（人员） 设备操作（人员）

版本/版次编制日期 1.目的： 对公司生产设备论证、采购、安装、调试、验收的设备前期管理进行控制，以确保设备的投资效能。对设备进行有效的、有计划的全面预防性维护，确保设备持续满足实现产品符合性的要求。 2.范围： 适用于公司生产设备的管理和控制。 3.职责： 3．1 技术部：编制设备配置的规划、选型，组织设备的调研，组织工艺可行性论证及确定设备的布置。 3．2 财务部：负责组织设备、设施投资的经济可行性论证，设备价格的审核。 3．3 生产部： 3．3．1负责组织设备设施的安装、验收工作，参与设备的商务洽谈。 3．3．2生产部负责设备使用过程的监督、检查与考核；组织编制及实施设备大、项修理。3．4 物资部 3．4．1 负责组织设备的商务洽谈和设备的采购。 3．4．2 负责所购的设备从合同生效到三包期的过程控制。 3．5 设备使用单位 3．5．1 参与设备设施的工艺、经济性论证，参与设备的商务洽谈。 3．5．2 负责设备的申购。 3．5．3 协助设备购置单位和安装单位的实施提供必要的条件。 3．5．4 参与设备验收工作。 3．5．5设备使用单位负责设备的使用、维护和日常检定、修理。 3．6质量部 负责检、测、试设备计量部份的使用、维护和日常检定修理的指导、监督检查与考核。 4.有关术语和定义： 4.1关键设备：企业生产中承担关键工序的设备及对质量、成本、安全、环保以及维修方 面有重大影响的设备。 4.2生产设备：指在工业企业中直接参加生产过程或直接为生产服务的机器设备，主要包

单晶硅生产工艺及单晶硅片生产工艺

单晶硅生产工艺及单晶硅片生产工艺 单晶硅原子以三维空间模式周期形成的长程有序的晶体。多晶硅是很多具有不同晶向的小单晶体单独形成的，不能用来做半导体电路。多晶硅必须融化成单晶体，才能加工成半导体应用中使用的晶圆片。 加工工艺： 加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长（１）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的Ｎ或Ｐ型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。 （２）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（１４２０℃）以上，将多晶硅原料熔化。 （３）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩颈生长使之消失掉。缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（４－６ｍｍ）由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。 （４）放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小。 （５）等径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在正负２ｍｍ之间，这段直径固定的部分即称为等径部分。单晶硅片取自于等径部分。 （６）尾部生长：在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么热应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生，必须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面分开。这一过程称之为尾部生长。长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出，即完成一次生长周期。 单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片 加工流程： 单晶生长—→切断—→外径滚磨—→平边或Ｖ型槽处理—→切片 倒角—→研磨腐蚀—→抛光—→清洗—→包装

多晶硅清洗

多晶硅项目设备清洗建议书 多晶硅清洗详细信息如下：多晶硅生产对环境及设备的清洁要求十分高。生产工艺过程比较复杂。尤其是塔器设备，对产品的质量影响极为重要。为了保证一次性开车投产顺利，保证产品质量，在设备的安装过程中，对设备及管线等重要设备的清洗工作十分严谨。在清洗过程中，使每个环节质量都达到标准。避免开车质量事故的发生。最大限度地降低调试费用，必须做好工艺设备和工艺管道安装前的清洗处理。针对不同的工艺要求、不同的设备材质以及不同的设备类型，清洗处理要求和达到的基本标准（要求达到无油、无水与无尘的三无要求）也不同。同时符合《脱脂工程施工及验收规范》和《工业设备化学清洗质量标准》并根据业主和成达公司的具体要求可分为一般清洗和洁净清洗。多晶硅设备的清洗主要工艺为酸洗、脱脂、钝化、干燥等，其中最关键是脱脂工艺和干燥技术。油脂和水对多晶硅的产品有巨大影响。因此在多晶硅设备的清洗中，以脱脂工艺和干燥工艺为要点。主要清洗还原炉、氢化炉、CDI设备、合成车间、还原氢化车间、精馏系统、中间罐、管道等主要设备。并且为了保证脱脂和干燥的质量，多晶硅设备清洗需要对单台设备进行单台清洗并验收后，再进行安装. 一、概述 多晶硅生产对环境及设备的清洁要求十分高。生产工艺过程比较复杂。尤其是塔器设备，对产品的质量影响极为重要。为了保证一次性开车投产顺利，保证产品质量，在设备的安装过程中，对设备及管线等重要设备的清洗工作十分严谨。在清洗过程中，使每个环节质量都达到标准。避免开车质量事故的发生。最大限度地降低调试费用，必须做好工艺设备和工艺管道安装前的清洗处理。针对不同的工艺要求、不同的设备材质以及不同的设备类型，清洗处理要求和达到的基本标准（要求达到无油、无水与无尘的三无要求）也不同。同时符合《脱脂工程施工及验收规范》和《工业设备化学清洗质量标准》并根据业主和成达公司的具体要求可分为一般清洗和洁净清洗。 多晶硅设备的清洗主要工艺为酸洗、脱脂、钝化、干燥等，其中最关键是脱脂工艺和干燥技术。油脂和水对多晶硅的产品有巨大影响。因此在多晶硅设备的清洗中，以脱脂工艺和干燥工艺为要点。主要清洗还原炉、氢化炉、CDI设备、合成车间、还原氢化车间、精馏系统、中间罐、管道等主要设备。并且为了保证脱