声表面波器件工艺原理-7粘片工艺原理

七，声表器件粘片工艺原理；

（一）粘结机理：

粘片的实现是粘合剂分子和芯片表面分子及底座（或支架）表面分子、以及粘合剂内部分子间相互作用的结果。粘片的强度取决于粘合剂本身的内聚力（抗拉断能力）和粘合剂与被粘物之间的粘附力。

粘附力存在于两种材料接触面之间，通过范德华力实现吸引或吸附，同一种（不同）粘合剂与不同（同一种）材料之间的粘附力不同。当我们把芯片加压放置于涂敷在底座（或支架）的胶面上时，粘合剂会润湿芯片和底座表面，并渗入芯片和底座表面空隙；胶分子和芯片及底座分子通过接触产生分子引力，使芯片和底座粘合在一起。粘附力一方面取决于表面分子间引力，同时也取决于润湿的渗透度；粘合剂必须渗入表面粗糙处并完全润湿表面，才能得到最完全的分子间交换；在粘合剂的表面张力已经确定的条件下，润湿取决于被粘结物的表面能及粘合剂的黏度；只有当粘合剂的表面能小于被粘物的表面能时，粘合剂才能较好的润湿固体表面；如果存在污染物，湿润程度将降低，会影响粘附力。

当我们进行光（热）固化时，线状结构的粘合剂分子会反应聚合为立体网状大分子，粘合剂的形态也由黏液状变为固态，极大的增强了粘合剂本身的机械强度（即内聚力）。同时粘合剂与被粘物之间的结合也由线状小分子与被粘物分子间的结合转变为网状大分子与被粘物分子间的结合，使粘附力极大增强。

（二） 粘片质量要求：

粘片是把划片后的芯片用粘合剂粘附在管座（金属、陶瓷管座或塑封支架）上，通过热

固化（或光固化）使芯片和管座牢牢粘合在一起。对声表器件不仅要求粘片位置准确、粘结牢固、不裂片、不掉片、不粘污晶片表面和支架压点。同时还要求粘片胶有良好的高温性能，固化后其形变不影响压焊效果，及粘片胶要有良好的吸声效果。

（三） 对与粘片有关材料的介绍：

1，粘合剂（适用于粘片和封装）：

对电子元器件装配用粘合剂的要求是：在机械性能方面要有较好的抗拉、抗剪、抗压、

抗弯强度及适宜的硬度；在物理性能方面，要有良好的耐热、耐湿、耐溶剂、耐高低温冲击等性能，并且要有合适的热膨胀系数，高的绝缘性；此外，还必须在高温和低气压下，没有挥发物出现；对声表器件而言，粘合剂还要有良好的吸声效果等。按固化分类，粘合剂主要分为室温固化、热固化、光固化。其中热固化（室温固化）粘合剂主要成分是环氧树脂或硅橡胶，光固化粘合剂的主要成分是丙烯酸脂。

1）光固化粘合剂：主要成分是低聚物的丙烯酸脂及改性丙烯酸类，再加入配合剂［主

要有交联剂（如丙烯酸）、光敏剂、增塑剂等］。经UV固化，使线性树脂聚合为三维网状结构；有较好的耐振动和抗冲击性能，坚韧易弯曲，有强的粘结力，好的吸声效果。但由于其热膨胀系数较大，与芯片及金属支架会出现热不匹配。以3781胶为例，使用中易出现裂片现象，并有实验显示，当温度>300℃时，胶变深黄色，粘结力和吸声效果开始下降。

光固化厌氧粘合剂：光固化粘合剂和厌氧粘合剂的主要成分都是低聚物的丙烯酸脂，再分别加入各种配合剂即分别组成光固化粘合剂和厌氧粘合剂。厌氧配合剂主要有交联剂（如丙烯酸）、引发剂、促进剂、稳定剂和表面处理剂等，厌氧胶的固化是按游离基聚合反应进行，微量空气存在有利于促进聚合反应，大量空气存在起阻聚作用。厌氧胶为单组分、无溶剂，具有固化速度快，耐油、耐酸碱，能与油污面进行粘结等优点，缺点是接触空气的胶不固化。光固化厌氧粘合剂是在光固化粘合剂中再加入厌氧配合剂而成，具有固化速度快、粘结力强、耐油、耐酸碱等优点。是目前生产在用的粘合剂。

2）热固化粘合剂：环氧树脂有优异的物理、机械和电气性能及良好的吸声效果。固化

过程无副产物生成，固化后的收缩率在热固化树脂中为最小（<2%），有较低的吸水率（0.5%）。

因环氧树脂性能的优劣，在很大程度上与采用的固化剂有关，所以为获得良好的粘结剂性能，常采用低熔点、耐高温的液体酸酐（如647#酸酐）作固化剂；所得产物的耐热性、机械强度及高温电气性能比用其它固化剂优越。另外，常在配方中加入活性增韧剂（如聚酰胺树脂等），能提高固化产物的韧性、抗冲击强度，减小固化收缩率及克服温度循环时的开裂现象。加入无机填料（如晶态石英粉等），能提高粘结剂的强度和耐热性，尤其在改善内应力，减少开裂，降低热膨胀系数等方面，作用明显（填料的加入量要根据树脂黏度、及树脂的润湿程度和工艺要求决定，一般情况，轻质填料为树脂重量的25%以下，重质填料可加到200-300%不等）。此外，为提高粘合剂的粘结强度还常加入偶合剂（如南大-42#），为改善其工艺性，常加入活性稀释剂（如501#稀释剂）等。

3）硅橡胶粘结剂：应用最多的是单组分室温固化硅橡胶粘结剂，它是以端羟基硅橡胶

为主体，配以交联剂、补强填料、有机硅偶联剂等，在干燥条件下反应后，装入密封软管保存；使用时，在室温遇空气中潮气即交联固化，固化会释放醋酸、醇等低分子化合物，影响器件稳定性；因此封装前，须充分固化；可提高温度、湿度使固化加速。该粘结剂具有良好的高低温性能（-200—200℃）、电气性能、防潮性能，缺点是吸声效果稍差，粘结力和内聚力较低，良好的弹性又常会引起键合虚焊（可在其中加入少量环氧树脂予以克服）。

2，与粘片质量有关的金属材料：

主要用作底座、引线、管帽（盖板）、塑封引线框架等。要求：有良好的塑性、延展性，便于冲压、加工；有良好的导电性、导热性、气密性、可焊性；与陶瓷、玻璃、塑料的热膨胀系数相匹配，且有良好的封接特性；用于塑封引线框架还要求有好的平整性。

* 柯伐合金（Fe-Co-Ni）：常用型号有4J29、31、33等，热胀系数为6.2（10-6/℃）主要用作底座、引线、管帽（盖板）、焊环。

* 低碳钢（10#钢）：热胀系数为11.6（10-6/℃），主要用作底座、管帽（盖板）、焊环等。 * 合金42（Fe-42%Ni）：热胀系数为7（10-6/℃），用作引线框架。

* 复铜不锈钢（两面复铜，厚为1:8:1）：热胀系数：11.3（10-6/℃），用作引线框架。

* 铜合金CA505（Sn:13 Cu余量）：热胀系数：17.8（10-6/℃），用作引线框架。

（四）操作注意事项：

粘片操作虽简单，但其工作质量对产品合格率及可靠性都有重要影响，是“细节决定成败”格言的充分体现。具体要求如下：

1，粘片前对管座、芯片要处理干净；操作过程中要严格工艺卫生。这是因为芯片和底

座表面有油脂、灰尘、水分子粘污，会阻碍粘片胶润湿芯片和底座的表面（如会造成缩胶等），使可粘结面积缩小，降低粘附力。

2，粘合剂流平性和涂敷量要适当。胶黏度大，会使润湿面积缩小，使粘附力减小；胶太稀，会粘污支架压点和管座凸缘。涂敷量少，粘结面积就小，胶层也会太薄（有资料介绍，胶厚0.05-0.1mm，剪切力最高），影响粘结力；涂胶量太多又会造成支架和管座粘污。

3，粘片吸头要光滑洁净，吸片和翻转芯片时不能粘污和划伤芯片表面。芯片位置要对准。芯片放下时要轻轻均匀下压，使粘合剂与芯片背面充分均匀接触。加压可提高粘片胶对芯片和底座表面的润湿程度，增加粘结面积，增强粘附力；压力太小，粘结面就小，粘附力也小；压力太大，胶层会太薄。

4，固化要充分。由于环氧树脂、丙烯酸脂等是线性树脂，只有通过固化反应转化为立

体型交联结构的大分子后，才能成为具有高粘结强度及优良化学性能和物理机械性能的胶层；固化不够，会减弱胶的内聚力和与被粘附物的粘附力，固化太过，会使胶的性质发生变化，也会减弱胶的内聚力和粘附力。每种粘结剂都有自己的固化条件，所以必须严格按要求固化，交联才会充分。对热固化胶，加热速度不要太快，否则会影响胶的浸润，产生内应力；固化后宜缓慢冷却；当粘合剂由几种材料配置时，要搅拌均匀后使用。对光固化胶，如

果光源的频率与光固化胶的感光频率相差甚远，或光功率低于光化学反应的激发能量，这时，时间再长，也无法充分固化。

5，操作环境湿度要小。因为金属、晶片表面具有亲水性，表面容易形成一层水分子膜，湿度越高，水膜越厚，它会阻碍粘结剂与被粘结表面直接接触，降低对被粘结表面的浸润性，而浸润是产生粘结的首要条件。同时湿度大，粘结剂吸收的水分就多，在加热过程中水分蒸发会使胶层中形成针孔或气泡，导致胶层结构疏松，将为水分渗透到粘接表面和胶层，破坏粘附键、破坏粘结剂分子间内聚力，提供条件。

6，粘片胶的选择：由于不同的粘片胶内聚力不同，与不同被粘物的粘附力不同，此外它们的耐温性、耐试剂腐蚀性以及热膨胀系数、固化收缩率等等都不同，因此我们应根据产品要求选择适用的粘片胶（目前，我们采用具有一定抗污能力的厌氧胶作粘片剂，对提高粘结强度就有明显效果）。

（五）问题分析：

1，掉片：

是多种原因造成。由粘结机理可知，粘片强度主要取决于粘合剂本身的内聚力和粘合剂与被粘物之间的粘附力。当粘片胶一经确定，影响粘片强度的主要因素就是：固化和润湿。1）管座和芯片有水汽、灰尘或有机物粘污。造成缩胶或使其不能与粘结面充分浸润接触。2）涂敷粘合剂量少或压力太小，使粘合剂不能与芯片和管座充分均匀接触。另外压力太大，也会将粘结剂挤出，导致胶层过薄。

3）粘合剂内聚力或粘附力差、粘合剂失效或粘合剂耐高温性能差。

4）固化不够或太过。

5）环境湿度太大。

2，裂片：

裂片归根结底是由应力造成，其产生的原因随具体情况而不同。应力常会集中在芯片强度最低部位（如缺陷损伤、表面划痕），当其积累到超过该处的应力承受能力时，缺陷将会失去稳定而发生扩展并直至裂片。

1）热膨胀系数不匹配对裂片的影响：在固化和温度循环过程中，当粘合剂由粘流态转

变为玻璃态（或由高弹态转变为玻璃态）时，会发生体积收缩，材料刚度也随之增加；由于粘片胶与芯片、塑封支架等热膨胀系数相差较大，它的收缩将受到周围材料的约束，并对芯片产生机械应力（剪切应变和拉伸应变），这种应力会随温度的骤减而迅速增大。在热循环所产生应力的反复作用下，将使最初发生的微观损伤，扩展形成宏观裂纹，最终引起芯片开裂。因此建议：

a）采用热膨胀系数与芯片和引线框架材料相接近的粘片剂。

b）采用低黏度树脂，使其具有高填充性，通过添加大量的二氧化硅之类的无机填充剂粉末，可大幅度降低其热膨胀系数，并达到降低内应力的目的。55所有文章介绍，在环氧树脂（黏度7000 mPa.s，热膨胀系数45×10-6/℃）中加入45%的晶态SiO2粉，会使其热膨胀系数降为15×10-6/℃。另外也可尝试在UV胶中加SiO2，降低它的热膨胀系数。

c）当材料具有良好的塑性形变和延展性时，能缓解因热不匹配产生的应力（可在UV

胶或环氧树脂胶中加入无色硅橡胶进行实验）。有资料介绍，厚胶也会对热不匹配起缓冲作用，防止裂片发生（作用有待实验确定）。

d）在所有加温过程中，要尽量作到慢升温、慢降温，减少温度循环次数。另外，为使

固化、老化效果一致，烘箱内温度要保持均匀。

e）其它：

* 密封胶与塑封材料、引线框架材料的热膨胀系数也要尽量接近。（密封胶固化时，产生的收缩应力无处释放，会通过管壳、支架施加在芯片上，造成裂片。）

* 要使引线框架在塑封壳腔内保留一定热涨的空隙。

* 引线框架金属面要尽量平整。

* 可考虑采用高玻璃化温度的粘结剂，以减少反复固化收缩应力的影响。

附：现用各种材料的热膨胀系数（单位：10-6/℃）

LN芯片：沿晶胞a轴：16.7；沿晶胞c轴：2

塑封支架：铜合金（或不锈钢）：16-18；

环氧塑封料：20-30（优）， 50-60（一般）

粘片胶：环氧树脂：40-60；有机硅橡胶：250

UV胶：3781：140（25℃），180（80-120℃）；

2）封装对裂片的影响：产品经封装后，管壳腔内可视为密闭容器，此时有：P1/T1 =P2/T2（其中P1、T1为封装时腔内的压强和温度）；当产品升温至T2时，管壳腔内压强P2将是P1的（T2/T1）倍。换言之，当产品在室温（20℃）常压下包封后，把温度由室温升至200℃，芯片将要承受10倍的大气压力。如果包封时及存放环境湿度大，管壳吸附的水分在高温时也将汽化，会使腔内压力进一步增大。实验发现，没包封产品和包封产品在相同条件下加温，后者的裂片率远高于前者。因此建议：

a）封装前要对待封产品进行充分的予热处理，让产品吸附的水分及粘片胶溶剂充分挥发。b）提高包封温度。可在高温下包封，室温或低于包封温度下固化（注意避免漏胶现象）。c）降低包封环境湿度。妥善保存塑封产品。（半导体技术2007/6文章介绍：塑封容易吸潮，所以对普通元器件，在开封后一般应在8h内用完，否则由于焊接时迅速升温，会使器件内的潮气很快汽化导致芯片损坏）

d）产品密封性要好；塑料透气性和内应力要小。

3）晶片的压电性和高热释电性对裂片的影响：因LN、LT具有高热释电性，当温度变化时，导致晶片自发极化发生变化，使表面感应出大量静电荷；在逆压电效应下，在其伸缩变形方向会产生形变应力。因腔内芯片表面静电释放十分缓慢，随温度升高和保温时间的增加，静电场不断加强，使应力不断增加。因此建议：

a）减少不必要的高温处理和降低处理温度。

b）增长两次高温处理的时间间隔。

c）可进行弱化热释电效应的处理。

4）冲击、震动等对裂片的影响：冲击、震动等外界施加于芯片的机械应力，会引起芯

片缺陷（微纹）的扩展，也是导致裂片的重要原因。

5）材料和工艺控制对裂片的影响：虽然热不匹配、热释电、空腔封装及外界冲击等会

产生不同的应力，但是如果不出现应力集中，裂片发生的可能性会明显减少。而材料缺陷和工艺缺陷则是造成应力集中的主要原因。因此建议：

* 由于晶体缺陷会造成晶格畸变产生应力，这些缺陷包括位错、小角晶界、孪晶、包裹

物及极化不完全残留的多畴结构等；因此要避免使用表面有划痕、麻点或呈橘皮状的晶片；避免使用极化不完全的晶片（同一片有明显两个区域）；避免用粗砂打毛晶片（打毛会损伤晶格）；不使用厚度过薄的晶片。另外，若拉晶时热应力大，其后退火很难消除；因此要加强来料热应力检验。

* 清洗时溶液温差要小于30℃。前工序要尽可能减少微小裂纹及暗伤的出现。

* 划片缺陷是产生裂片的重要诱因。要求：划片深度要适宜（易于分片）、一致，避免使用片内厚度偏差大于±0.05mm的晶片，以免划片吃刀深浅不同；要避免出现崩边、惊纹、毛刺、暗伤。

* 手工粘片本身不造成裂片，但若操作不当，将起重要诱发作用。粘片要求：粘片胶

厚度要均匀一致，不能出现粘结空洞（经多次温度循环，会使空洞增大及在粘结层产生更多

气泡）；因为空洞将严重降低芯片的散热性能和机械性能，导致内部应力的集中。为此要作到支架、芯片洁净，不缩胶；胶厚适宜，涂胶均匀；放片后要轻轻下压，使芯片、支架与粘片胶充分均匀接触浸润。确保固化充分。

* 压焊要压力适当，压力过大会伤害芯片。

* 金属封装时要尽量减小震动冲击。

3，其它：

1）对参数的影响：a）粘结剂粘污芯片表面。b）粘结剂对体波吸声效果差。c）粘结剂

高温性能不良，

2）对压焊的影响：因粘结剂粘污压点及固化后的粘结剂弹性太大，造成虚焊或键合不上。编者：杜文玺duwenxiabc@https://www.sodocs.net/doc/d012875186.html,

墙面砖粘贴施工工艺标准 (1)

墙面砖粘贴施工工艺标准 一、工艺流程： 基层清理→砖墙湿润→吊立线→贴灰饼→做冲筋→抹底灰→抹找平层→分横竖皮数→粘贴面砖→勾缝→质量检查→产品保护。 二、操作要求： 1、饰面砖材料应表面平整、边缘整齐、棱角不得破坏，并具有产品合格证。 2、饰面砖材料表面应光洁，质地坚固，尺寸、色泽一致，不得有暗痕和裂纹，吸水率不大于10％。 3、拌制砂浆应用洁净水。施工时所用胶结材料的品种、掺合比例应符合设计要求，并具有产品合格证。 4、饰面砖分项工程的材料品种、规格、图案、固定方法和砂浆种类，应符合设计要求。 5、镶贴、安装饰面砖的基体，应具有足够的强度、稳定性和刚度。 6、饰面砖应镶贴在平整粗糙的基层上，光滑的基层表面镶贴前应处理。残留的砂浆、尘土和油渍应清除干净。 7、饰面砖应镶贴平整，接缝宽度应符合设计要求；并勾缝密实，以防外墙渗水到室内。 8、镶贴室外突出的檐口、腰线、窗口、雨篷等饰面，必须有流水坡度和滴水线（槽）。 9、饰面砖其粘结强度同时符合以下两项指标时定为合格：⑴每

组试样平均粘结强度不应小于0.40Mpa；⑵每组有一个试样的粘结强度小于0.40Mpa，但不应小于0.30Mpa。当两项指标均不符合要求时，其粘结强度为不合格。 10、砖墙面的打底应先用水湿透后，用1：3水泥砂浆打底，木抹子搓平，隔天浇水养护。 11、对于砼基层打底应用1：1水泥细砂浆（内掺20％107胶）喷或甩到砼基层上，作“毛化处理”后再行打底。 12、饰面砖镶贴前应先选砖预排，以便拼缝均匀。在同一墙面上的横竖排列，不宜有一行以上的非整砖。非整砖行应排在次要部位或阴角处。优良工程不得存在有非整砖现象。 13、外墙饰面砖宜采用1：2水泥砂浆镶贴，砂浆厚度为6-10mm；镶贴用的水泥砂浆可掺适量石灰膏保和易性。 14、勾缝后，应及时将面层残存的水泥浆清洗干净，并做好成品的保护。 15、饰面砖镶贴必须牢固不空鼓、无歪斜、无缺棱掉角和裂缝等缺陷。 16、饰面砖应勾缝密实、表面平整、缝隙宽窄均匀、缝格平直、颜色一致，阴阳角处的砖搭接方向正确。 三、允许偏差：实测允许偏差表（mm）

声表面波滤波器原理和应用

声表面波滤波器原理及应用 1.声表面波滤波器（SAWF）的结构和工作原理 声表面波滤波器（SAWF）是利用压电材料的压电效应和声特性来工作的。具有压电效应的材料能起到换能器的作用，它可以将电能转换成机械能，反之亦然。压电效应包括正压电效应和反压电效应。所谓正压电效应是指压电材料受力变形产生电荷，因而产生电场的效应，即由机械能转换为电能，反压电效应是指压电材料在外加电场的作用下，产生机械形变的效应，也即由电能转换为机械能。 声表面波滤波器（SAWF）的结构如图2—12所示。这种滤波器的基片是由压电材料（如铌酸锂或石英晶体）制成，在基片上蒸镀两组“叉指电极”，一般由金属薄膜用光刻工艺刻成。左侧接信号源的一组称为发送换能器，右侧接负载的一组称为接收换能器，图中a、b分别为电极宽度和极间距离，W为相邻叉指对的重叠长度，称为“叉指孔径”。当交变的电信号u s 加到发送换能器的两个电极上时，通过反压电效应，基片材料就会产生弹性形变，这个随信号变化的弹性波，即“声表面波”，它将沿着垂直于电极轴向（图中x方向）向两个方向传播，一个方向的声表面波被左侧的吸声材料吸收，另一方向的声表面波则传送到接收换能器，由正压电效应产生了电信号，再送到负载R L。但叉指换能器的形状不同时，滤波器对不同频率信号的传送与衰减能力就会不一样。

图2—12 声表面波滤波器结构示意图 为了简便起见，仅分析“均匀”型叉指换能器的频率特性。所谓“均匀”型就是指图2—12中各叉指对的参数a、b、W 都相同，设换能器有n+1个电极，并把换能器分为n节或N个周期（N=n/2），各电极将激发出相同数量的声表面波，声表面波的波长由指装点基的宽度a和间隔b决定，声表面波的频率与传播速度有关，其自然谐振频率（或机械谐振频率）为 v是声表面波的传播速度，约为3×103m/s，比光速小很多，比声速高9倍多。在f0一定，速度v低时（a+b）就可以小，所以声表面波器件的尺寸可以做得很小，但f0很低，则（a+b）就增大，SAWF的尺寸就增大，因此它适合工作在高频或超高频段。 叉指换能器的尺寸决定后，换能器的f0就固定了，当外加信号的频率等于f0时，换能器各节电极所激发的声表面波同相叠加，振幅最大，即所激发出的声表面波幅值最大；当外加信号的频率偏离f0时，换能器各节电极所激发的声表面波振

瓷砖胶贴砖施工工艺流程及操作要点之令狐文艳创作

瓷砖胶贴砖施工工艺流程及操作要点 令狐文艳 1.施工工艺流程 基层处理→吊垂直、测平整、找方正→抹底层砂浆→弹线分格→排砖→ 浸砖→瓷片胶毛化处理→镶贴面砖→面砖勾缝与擦缝 2.操作要点 2.1基层处理： 清理墙体表面杂质及松动部位。 2.2吊垂直、测平整、找方正： 对墙面偏差大于5mm的部位，洒水充分润湿后用1:2.5水泥砂浆找补平整，养护24小时。 2.3弹线： 按照图纸要求，根据饰面砖规格并结合实际条件进行排砖、弹线。 2.4排砖： 根据大样图及墙面尺寸进行横、竖向排砖，以保证面砖缝隙均匀，符合设计图纸要求， 注意：大墙面、柱子要排整砖。同一墙面上不得有小于1/3砖的非整砖行、列，非整砖行应排在次要部位，如：窗墙阴角处等。

2.5浸砖（非全瓷砖）： 面砖镶贴前，应挑选颜色、规格一致的砖；浸泡砖时，将面砖清扫干净，放入净水 中浸泡2h以上，取出待表面晾干或擦干净后方可使用。 2.6拌浆： 在浸砖的同时，按瓷砖胶包装上标明的搅拌方法进行现场搅拌，搅拌至砂浆变为膏状且无结块后，停止搅拌，让砂浆熟化大约5-10分钟，在涂抹前再次短时间搅拌。搅拌好的砂浆应在约2小时内使用完毕！已经发展强度的砂浆不能再稀释使用！也不能与干粉再次混合搅拌后使用！要控制好瓷砖胶的和易程度，不流淌、不板结。 2.7毛化处理及镶贴方法： a、瓷砖胶拉毛： 浸砖结束后，待饰面砖背面干燥后，将饰面砖平放，将瓷砖胶均匀涂抹于饰面砖整个背面，并保证饰面砖四角都涂抹上瓷砖胶，瓷砖胶厚度8mm。待瓷砖胶涂抹均匀后，用专用带齿的抹子沿水平方向进行拉毛，齿距5~8mm，保证背面的粗燥度，均匀无漏刮,使其具有良好粘接力。 b、粘贴： 粘贴应自下而上进行，要求面砖专用粘结剂饱满，亏灰时，取下重贴，并随时用靠尺检查平整度，同时保证缝隙宽度一致； 3.严格按已定样板排版图施工，注重进门正视面看不到影缝，

混床操作流程

混床 混床是通过离子交换的方法制取去离子水。当阴阳树脂吸附饱和后，分别用一定浓度的NaOH和HCl再生。本系统双柱混床再生方式采用酸碱分步再生方式。 1工艺参数 a.运行：运行流速15-30米/小时，出水水质达不到设计指标即为运行终点。 b.分层：反洗流速10米/小时，反洗时间15分钟。 c.进碱：碱用量120-160克/升树脂，再生液浓度3～5%，再生液流速3～5米/小时,时间约为30分钟。 d.置换：流速同再生流速，时间为30分钟，至出水pH与进水pH相同为止。 e.进酸：盐酸用量120-160克/升树脂，再生液浓度4～6%，再生液流速3～5米/小时，时间约为30分钟。 f.快冲洗：流速为20米/小时，至排水与进水pH接近为止。 g.混合：压缩空气压力0.1～0.15MPa，气量2.5～3.0米3/米2〃分,混合时间为1～5分钟。 h.正洗：正洗流速为15～30米/小时，以排水符合出水水质指标为终点，正洗结束后转入运行。 2混床操作步骤 ①运行：

a.混床运行前先进行排气，排气时开启上进阀、排气阀，当排气 管路出水时，排气完毕。 b.排气完毕后，打开下排阀，同时关闭排气阀，当柱子下排出水 符合指标，开启出水阀，同时关闭下排阀，混床投入运行。 ②反洗分层 当混床出水水质达不到指标时，树脂就要再生。再生之前，先要进行反洗分层，反洗分层根据阴、阳树脂的比重不同，通过树脂沉降来实现的。 a.开启上排阀，逐渐调节下进阀，以缓慢增大下进流量，直至下 进流速10米/小时左右。使树脂得到充分展开，树脂碎粒、悬 浮物从塔顶部排掉。 b.约15分钟后，逐渐降低下进流量。使树脂颗粒逐步沉降。 分层效果可根据树脂沉降后界面是否清晰来判断，如果一次操作未达到要求，可重复操作直至分层清晰，都仍未达到要求，则须采取强迫失效方法。 ③失效 树脂分层不清是由于阳、阴树脂失效程度不同造的，遇到这种情况可用进碱的方法强制树脂失效。 a.打开下排阀、排气阀，将水排至树脂层上150mm左右。 b.关闭下排阀，打开进碱阀，碱喷水阀，吸碱阀，压力水阀，下 排阀，开启中间增压泵，调节下排阀，使混床进出碱量平衡， 此时碱液自上而下流经整个树脂层，使阳树脂失效。

材料连接原理复习大纲

材料连接原理与工艺复习大纲 一、熔化焊连接原理 1、熔化焊是最基本的焊接方法，根据焊接能源的不同，熔化焊可分为电弧焊、气焊、电渣焊、电子束焊、激光焊和等离子焊等。 2、获得良好接头的条件：合适的热源、良好的熔池保护、焊缝填充金属。 3、理想的焊接热源应具有：加热面积小、功率密度高、加热温度高等特点。 4、焊件所吸收的热量分为两部分：一部分用于熔化金属而形成焊缝；另一部分使母材近缝区温度升高，形成热影响区。 5、热能传递的基本方式是传导、对流和辐射，焊接温度场的研究是以热传导为主，适当考虑对流和辐射的作用。熔化焊温度场中热能作用有集中性和瞬时性。 6、当恒定功率的热源作用在一定尺寸的焊件上并作匀速直线运动时，经过一段时间后，焊件传热达到饱和状态，温度场会达到暂时稳定状态，并可随热源以同样速度移动，这样的温度场称为准温度场。 7、在焊接热源的作用下，焊件上某点的温度随时间的变化过程称为焊接热循环。决定焊接热循环的基本参数有四个：加热速度、最高加热温度、在相变温度以上的停留时间和冷却速度。常用某温度范围内的冷却时间来表示冷却速度，冷却速度是决定热影响区组织和性能的最重要参数。 8、焊接热循环的影响因素：材质、接头形状尺寸、焊道长度、预热温度和线能量。 9、正常焊接时，焊条金属的平均熔化速度与焊接电流成正比。 10、熔滴：焊条端部熔化形成滴状液态金属。药皮焊条焊接时熔滴过渡有三种形式：短路过渡、颗粒过渡和附壁过渡。其中碱性焊条：短路过渡和大颗粒过渡；酸性焊条：细颗粒过渡和附壁过渡。 11、药皮溶化后的熔渣向熔池过渡形式：①薄膜形式,包在熔滴外面或夹在熔滴内；②直接从焊条端部流入熔池或滴状落入。 12、熔池形成： ①熔池为半椭球，焊接电流I、焊接电压U与熔池宽度B和熔池深度H的关系：I↑，H↑，B↓；U↑，H↓，B ↑。 ②熔池温度不均匀，熔池中部温度最高，其次为头部和尾部。 ③焊接工艺参数、焊接材料的成分、电极直径及其倾斜角度等都对熔 池中的运动状态有很大的影响。 ④为提高焊缝金属质量，必须尽量减少焊缝金属中有害杂质的含量和 有益合金元素的损失，因此要对熔池进行保护。保护方式：熔渣保护、 气体保护、熔渣气体联合保护、真空保护和自保护。 13、熔化焊焊接接头的形成过程：焊接热过程、焊接化学冶金过程和 熔池凝固和相变过程。 14、在一定范围内发生组织和性能变化的区域称为热影响区或近缝区。故焊接接头主要由焊缝和热影响区构成，其间窄的过渡区称为熔合区。如下图所示： 1——焊缝区（熔化区） 2——熔合区（半熔化区） 3——热影响区 4——母材 15、熔化焊接头形式：对接、角接、丁字接和搭接接头等。待焊部位预先加工成一定形状，称为坡口加工。 16、熔合比：局部熔化母材在焊缝金属中的比例。用来计算焊缝的化学成分。 17、金属的可焊性属于工艺性能，是指被焊金属材料在一定条件下获得优质焊接接头的难易程度。包括接合性能和使用性能。金属的可焊性主要与下列因素有关：①材料本身的成分组织；②焊接方法；③焊接工艺条件。 18、焊接热过程贯穿整个焊接过程，对焊接接头的形成过程（化学冶金、熔池凝固、固态相变、缺陷）以及接头性能具有重要的影响。 19、焊接材料的类型：焊条、焊剂、焊丝、保护气。焊条由焊芯和药皮组成，焊芯起到导电和填充金属的作用，药皮作用为①机械保护作用；②冶金处理作用；③工艺性能良好。药皮的组成分为稳弧剂、造渣剂、造气剂、

声表面波简介

声表面波简介 声表面波技术是六十年代末期才发展起来的一门新兴科学技术，它是声学和电子学相结合的一门边缘学科。由于声表面波的传播速度比电磁波慢十万倍，而且在它的传播路径上容易取样和进行处理，因此，用声表面波去模拟电子学的各种功能，能使电子器件实现超小型化和多功能化。同时，由于声表面波器件在甚高频和超高频波段内以十分简单的方式提供了其它方法不易得到的信号处理功能，因此，声表面波技术在雷达、通信和电子对抗中得到了广泛的应用。 声表面波是沿物体表面传播的一种弹性波。早在九十多年前，人们就对这种波进行了研究。1885 年，瑞利根据对地震波的研究，从理论上阐明了在各向同性固体表面上弹性波的特性。但由于当时的科学技术水平所限，这种弹性表面波一直没有得到实际上的应用。直到六十年代，由于半导体平面工艺以及激光技术的发展，出现了大量人造压电材料为声表面波技术的发展提供了必要的物质和技术基础。 1949 年，美国贝尔电话实验室发现了LiNbO3单晶。1964 年产发表了激发弹性表面波平面结构换邹器的专利。特别应该指出的是，1965 年，怀特（R . M.white）和沃尔特默（F.W.voltmer ）在应用物理杂志上发表了题为“一种新型表面波声－电换能器― 叉指换能器”的论文，从而取得了声表面波技术的关键性突破。 声表面波器件的基本结构和工作原理 声表面波器件是在压电基片上制作两个声一电换能器―叉指换能器。所谓叉指换能器，就是在压电基片表面上形成形状像两只手的手指交叉状的金属图案，它的作用是实现声一电换能。声表面波器件的工作原理是，基片左端的换能器（输入换能器）通过逆压电效应将愉入的电信号转变成声信号，此声信号沿基片表面传播，最终由基片右边的换能器（输出换能器）将声信号转变成电信号输出。整个声表面波器件的功能是通过对在压电基片上传播的声信号进行各种处理，并利用声一电换能器的待性来完成的。 声表面波技术有如下的特点： 第一，声表面波具有极低的传播速度和极短的波长，它们各自比相应的电磁波的传播速度的波长小十万倍。在VHF 和UHF 绳段内，电磁波器件的尺寸是与波长相比拟的。同理，作为电磁器件的声学模拟声表面波器件，它的尺寸也是和信号的声波波长相比拟的。因此，在同一频段上，声表面波器件的尺寸比相应电磁波器件的尺寸减小了很多，重量也随之大为减轻。例如，用一公里长的微波传愉线所能得到的延迟，只需用传输路径为1 。m 的声表面波延迟线即可完成。这表声表面波技术能实现电子器件的超小型化。 第二，由于声表面波系沿固体表面传播，加上传播速度极慢，这使得时变信号在给定瞬时可以完全呈现在晶体基片表面上。于是当信号在器件的输入和输出端之间行进时，就容易对信号进行取样和变换。这就给声表面波器件以极大的灵活性，使它能以非常简单的方式去．完成其它技术难以完成或完成起来过于繁重的各种功能。比如脉冲信号的压缩和展宽，编码和译码以及信号的相关和卷积。一个实际例子是1976 年报道的一个长为一英寸的声表面波卷积器，它具有使两个任意模拟信号进行卷积的功能，而它所适应的带宽可达100MHz ，时带宽积可达一万。这样一个卷积器可以代替由几个快速傅里叶变换（FFT ）链作成的数字卷积器，即实际上可以代替一台专用卷积计算机。此外，在很多情况下，声表面波器件的性能还远远超过了最好的电磁波器件所能达到的水平。比如，用声表面波可以作成时间－带宽乘积大于五千的脉冲压缩滤波器，在UHF 频段内可以作成Q 值超过五万的谐振腔，以及可以作成带外抑制达70dB 、频率达1 低Hz 的带通滤波器。 第三，由于声表面波器件是在单晶材料上用半导体平面工艺制作的，所以它具有很好的一致性和重复性，易于大量生产，而且当使用某些单晶材料或复合材料时，声表面波器件具有极高的温度稳定性。 第四，声表面波器件的抗辐射能力强，动态范围很大，可达100dB 。这是因为它利用的是晶体表面的弹性波而不涉及电子的迁移过程。

铆接技术原理与工艺特点

关于铆接技术 一、 铆接技术原理与工艺特点 常见的铆接技术分为冷铆接和热铆接，冷铆接是用铆杆对铆钉局部加压，并绕中心连续摆动或者铆钉受力膨胀，直到铆钉成形的铆接方法。冷铆常见的有摆碾铆接法及径向铆接法。摆碾铆接法较易理解，该铆头仅沿着圆周方向摆动碾压。 而径向铆接原理较为复杂，它的铆头运动轨迹是梅花状或者说是以圆为中心向外扩展的，铆头每次都通过铆钉中心点。冷铆接最常见的铆接工具有铆接机，压铆机，铆钉枪和铆螺母枪，铆钉枪和铆螺母枪是最常见单面冷铆接所用的工具。这是冷铆接工艺中最具代表性的冷铆接方法，因为使用方便，也只需在工件的一侧进行铆接，相对双面铆接的铆钉锤来说更方便。 就两种铆接法比较而言，径向铆接面所铆零件的质量较好，效率略高，并且铆接更为稳定，铆件无须夹持，即使铆钉中心相对主轴中心略有偏移也能顺利完成铆接工作。而摆碾铆接机必须将工件准确定位，最好夹持铆件。然而径向铆接机因结构复杂，造价高，维修不方便，非特殊场合一般不采用。相反地，摆碾铆接机结构简单，成本低，维修方便，可靠性好，能够满足90％以上零件的铆接要求，因而受到从多人士的亲睐。此外，利用摆碾铆接的原理，还可以制造适宜于多点铆接的多头铆接机，在现代工业生产中有其独特的优势。 热铆接是将铆钉加热到一定温度后进行的铆接。由于加热后铆钉的塑性提高、硬度降低，钉头成型容易，所以热铆时所需的外力比冷铆要小的多；另外，在铆钉冷却过程中，钉杆长度方向的收缩会增加板料间的正压力，当板料受力后可产生更大的摩擦阻力，提高了铆接强度。热铆常用在铆钉材质塑性较差、铆钉直径较大或铆力不足的情况下。

冷铆接法是以连续的局部变形便铆钉成形，其所施压力离铆钉中心越远越大，这恰恰符合材料变形的自然规律。因此，采用冷铆接技术所需设备小，节省费用。能提高铆钉的承载能力，强度高于传统铆接的80%。铆钉材料具有特别好的形变性能，铆杆不会出现质量问题，寿命较高，同时，只要改变铆头（不同的接杆和不同的铆接配件铆螺母铆钉等）的形状，就可以铆接多种形状。 二、 按工作方式分，铆接可分为手工铆接和自动钻铆。手工铆接由于受工人熟练程度和体力等因素的限制，难以保证稳定的高质量连接。而自动钻铆是航空航天制造领域应自动化装配需要而发展起来的一项先进制造技术。自动钻铆技术即利用其代替手工，自动完成钻孔、送钉及铆接等工序，是集电气、液压、气动、自动控制为一体的，在装配过程中不仅可以实现组件溅部件)的自动定位，同时还可以一次完成夹紧、钻孔、送钉、铆接／安装等一系列工作。它可以代替传统的手工铆接技术，提高生产速率、保证质量稳定、大大减少人为因素造成的缺陷。随着我国航空航天产业在性能、水平等方面的不断提高，在铆接装配中发展、应用自动钻铆技术，己经势在必行。具体原因如下： (1)自动钻铆技术减少操作时间。 ①减少成孔次数，一次钻孔完成； ②自动夹紧，消除了结构件之间的毛刺，节约了分解、去毛刺和重新安装工序； ③制孔后在孔边缘的毛刺可以得到控制： ④送钉、定位、铆接。 (2)自动钻铆机提高制孔质量。 ①制孔孔径公差控制在士0．015mm之内； ②内孔表面粗糙度最低为Ra3．2urn； ③制孔垂直度在士0．50以内； ④制孔时结构件之间无毛刺，背部毛刺控制在0．12ram之内； ⑤孔壁无裂纹。 (3)与手工铆接相比，在成本上有大幅度降低，通过比较人工与自动钻铆机安装相同数量的紧固件，所耗费的工时上，可以看出，对于大量同种类的紧固件的安装，自动钻铆机可以节约的工时成倍数增长。

内墙釉面砖的铺贴施工工艺

内墙釉面砖的铺贴施工工艺 一、工艺流程 1、找平：铺贴釉面砖前．应对铺贴的建筑物表面进行处理，清除表面污物．并洒水湿润，然后用水泥沙浆混合找平。待找平层完全干爽后再进行销贴。 2、弹找：根据设计铺贴纹样的要求，确定排砖方案，在干爽的找平层上弹出釉面砖位置及砖缝位置线。 3、铺贴：将釉砖置于清水中浸泡一小时左右，以不冒气泡为准：随后取出，抹干水渍，在找平层上喷洒足够的水，然后在砖背面均匀抹上1：2左右水泥水浆(水泥用合格的普通≤325#硅酸盐水泥)，混合后的标号在200#1,~T(若混合沙浆标号过高，其后期应力会令釉面砖的釉面产生破裂，造成施工质量事故)，沙浆厚度5．-6mm为宜，铺贴大规格釉面砖时适当加厚：随即将砖贴上，用木锤轻轻拍牢工整，避免空鼓．并随时用直尺找平。 4、修整：贴完一定面积后，用水泥浆(或白水泥浆。石膏浆等)在砖缝上填补刮平：最后还应清除砖面污物。加强护养。 5、铺贴时：注意釉面砖等级、规格、色号的不同及图案的组合。 二、填缝剂的使用 填缝剂黏合性强、收缩小、颜色固着力强、具有防裂纹的柔性，装饰感好，抗压耐磨损、抗霉菌的特点，令它能完美的修补地板表面的开裂或破损．它表至可以上油漆，具有良好的防水性。 为达到良好效果，使用时必须注意： 1、填缝在水泥铺砖七天后方可施工(瓷砖胶铺贴两天后即可施工)，施工温度不可低于0℃。 2、首先必须将瓷砖表面或石材表面及连接缝清理干净，最好用湿布将其表面弄湿，但不要留积水，以减少瓷砖上的小孔吸入颜料和水泥，并且保证其着色和最终凝结度。 3、为了有助于控制颜色和减少粉化，在1—2小时内使用棉布或清洁的干毛布擦拭瓷砖表面，除去边连接缝表面的全部水份和残留填缝剂。

声表面波器件工艺原理-9倒装焊工艺原理

九，声表器件倒装焊工艺原理 序：倒装芯片（FC）技术，是在芯片的焊接区金属上制作凸焊点，然后将芯片倒扣在 外壳基座上，以实现机械性能和电性能的连接，由于FC是通过凸焊点直接与底座相连，因此与其它互连技术相比，FC具有最高的封装密度、最小的封装尺寸（线焊可焊的最小陶瓷外壳为3×3mm，而FC可以作到芯片级）、最好的高频性能（电感小）、最小的高度、最轻的重量，以及产品高可靠、生产高工效等。倒装焊工艺：主要由UBM的形成、凸点的制作、倒装焊接三部分组成。 （一）UBM的形成： 当凸焊点材料与芯片上的焊接区金属不能很好浸润粘附时（或接触电阻大，或热匹配差，或两种材料间易形成会导致键合强度降低的金属间化合物），需要在凸焊点与芯片压焊块之间置入一层既能与芯片焊接区金属良好粘附、又能与凸焊点良好浸润、还能有效阻挡两者之间相互反应扩散的金属膜（UBM），因我们无法找到可同时满足上述要求的材料，所以通常UBM由多层金属膜组成。（说明：与凸点连接的还有底座上相应的焊接点，由于在底座制作时该部位已镀有多层金属，能满足要求，固在此不于讨论。） 1，对UBM的各层要求及材料选择： 1）粘附层：要求与铝膜及钝化层间的粘附性好，低阻接触，热膨涨系数接近，热应力小。常选用材料有：Cr、Ti、Ti-W、Al、V等，因它们与Al浸润性很好，固该层可较薄。2）扩散阻挡层：能有效阻挡凸焊点材料与铝间的相互扩散，以免形成不利的金属间化合物，特别是金凸焊点，在高温下与铝可生成Al2Au、AlAu、AlAu2、Al2Au5等脆性金属间化合物及在接触处相互扩散形成空洞，导致键合强度降低甚至失效。该层常用材料有：Ti、Ni、Cu、Pd、Pt、Ti-W等。（当用软焊料如PbSn作凸点时，由于其回流时会吃掉浸润层，直接与阻挡层接触；此时阻挡层应足够厚，且与凸点相浸润，不反应产生有害物） 3）浸润层：要求一方面能和凸焊点材料良好浸润，可焊性好，且不会形成不利于键合 的金属间化合物；另一方面还能保护粘附层和阻挡层金属不被氧化、粘污。该层常选用薄的金膜、金的合金膜或较厚的铜膜（用于焊料凸焊点）。 2，UBM的制作： 1）UBM的组合选择：对于金凸焊点，常选用的UBM为：Cr/Ni/Au、Ti/Ni/Au、Ti/Pt/Au、Ti-W/Au等；对于PbSn凸焊点，常选用的UBM有：Ti-W/Cu、Ti-W/Au/Cu、Cr/Cr-Cu/Cu、Al/Ni-V/Cu、Ti/Cu、Ti-W/Cu/化学镀Ni等。 2）UBM的制作方法：UBM的制作是凸焊点制作的关键工艺，其质量好坏直接影响凸焊点质量、倒装焊接的成功率和封装后凸焊点的可靠性。由于UBM是多层金属，为防止薄膜间形成氧化膜夹层，对UBM的制作基本上都是采用溅射或电子束蒸发，在高真空腔内一次完成（当需要制作厚金属膜时，则采用电镀或化学镀）。为防止多层金属腐蚀时造成凸点脱落，可采用剥离技术（电镀法制凸点除外），既可解决腐蚀不易控制，又可简化工艺，提高芯片凸点可靠性；这对换能器裸露于芯片表面的声表器件尤其适宜。 （二）凸焊点制作： 1，凸焊点常用材料： 要具有电阻率小、延展性好、化学性能稳定等特点，同时凸点（包括UBM）材料还要能承受器件在加工、使用、老化、可靠性实验等过程中所需承受的条件。 1）Au：由于金浸润性好，延展性好，内应力小，接触电阻小，化学性能稳定，因此是 高频、高可靠器件常用的凸点材料。现在已可作节距为20μ，直径为20μ，高为15μ的金凸点。对小尺寸、高密度的金凸点的制作主要是用厚金电镀技术，低密度的金凸点可用金丝球焊切尾制作。目前国内无氰电镀金凸点剪切强度已达11.8 mg/μm2，高度容差±1.4μm（优于美国公司标准：剪切强度>8.7mg/μm2，高度容差：管芯内±1.5μm，圆片内±2.5μm）。

贴地板砖的工艺流程简介

贴地板砖的工艺流程简介-标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII

一、施工准备 （一）、作业条件 1、墙上四周弹好+1.02m(室外公共部分)和+1.0m（室内）水平控制线。 2、板块应预先用水浸湿，并码放好，铺时达到表面无明水。 3、门窗框要固定好，并用1：3水泥砂浆将缝隙堵塞严实。 （二）、材料要求 1、水泥：普通硅酸盐水泥或矿渣硅酸盐水泥。 2、砂：采用洁净无有机杂质的粗砂或中砂，含泥量不大于3%。 3、面砖：进场验收合格后，在施工前应进行挑选，将有质量缺陷的先剔除，然后将面砖按大中小三类挑选后分别码放在垫木上。色号不同的严禁混用，选砖用木条钉方框模子，拆包后块块进行套选，长、宽、厚不得超过±lmm，平整度用直尺检查。 （三）、施工机具 小水桶、半截桶、扫帚、平锹、水平尺、方尺、铁抹子、大杠、筛子、窄手推车、钢丝刷、喷壶、橡皮锤、小线、红铅等 *三、工艺流程 基层处理→找面层标高、弹线→抹找平层砂浆→弹铺砖控制线→铺砖→勾缝、擦缝→养护→踢脚板安装 *四、操作工艺 （一）、基层处理、定标高 1、将基层表面的浮土或砂浆铲掉，清扫干净，有油污时，应用10%火碱水刷净，并用清水冲洗干净。 2、根据+1.0m水平控制线跟设计图纸找出板面标高。 （二）、抹找平层砂浆 1、洒水湿润：在清理好的基层上，用喷壶将地面基层均匀洒水一遍。 2、抹灰饼和标筋：从已弹好的面层水平线下量至找平层上皮的标高（面层标高减去砖厚及粘结层的厚度），抹灰饼间距 1.5米，然后开始从房间一侧开始抹标筋。有地漏的房间，应由四周向地漏方向放射形抹标筋，并找好坡度。抹灰饼和标筋厚度不宜小于20㎜。 3、装档（即再标筋间装铺水泥砂浆）：清净抹标筋的剩余浆渣，涂刷一遍水灰比为0.4-0.5的水泥浆粘结层，要随涂随铺砂浆。然后根据标筋标高，用小平锹将已拌合的水泥砂浆（配合比为1:3-1:4）铺装在标筋之间，抹平后检查其标高是否正确。 （三）、弹控制线 1、先根据排砖图确定铺砌的缝隙宽度。 a) 、根据排砖图及缝宽在地面上弹纵、横控制线。注意该十字线与墙面抹灰时控制房间方正的十字线是否对应平行，同时注意开间方向的控制线是否与走廊的纵向控制线平行，不平行时应调整至平行。 注：排砖原则： ①、开间方向要对称（垂直门口方向分中）。 ②、破活尽量排在远离门口及隐蔽处。 ③、与走廊的砖缝尽量对上。 ⑤、根据排砖原则画出排砖图，有地漏的房间应注意坡度、坡向。 （四）、铺砖 为了找好位置和标离，应从门口开始，纵向先铺2～3行砖，以此为标筋拉纵横水平标高线，铺时应从里面向外退着操作，人不得踏在刚铺好的砖面上，每块砖应跟线，操作程序是： 1、铺砌前将砖板块放入半截水桶中浸水润湿，晾干后表面无明水时，方可使用。 2、找平层上洒水润湿，均匀涂刷素水泥浆（水灰比为0.4～0.5）涂刷面积不要过大，铺多少刷多少； 3、结合层的厚度：一般采用水泥砂浆结合层，厚度为20～30mm；铺设厚度以放上面砖时高出面层标高线3～4mm为宜，铺好后用大杠尺刮平，再用抹子拍实找

墙砖铺贴工程施工工艺

第一节墙砖铺贴工程施工工艺 一、施工准备 1、技术准备 编制室内贴面砖工程施工方案，绘制贴砖排版图，并对工人进行详细的技术交底。 2、材料准备 1.1水泥：PO3 2.5或PS32.5水泥，勾缝剂。 1.2界面剂、十字卡。 1.3砂子：中、粗砂。 1.4墙砖：花色、品种、规格按图纸设计要求，并应有产品合格证。砖表面平整方正， 厚度一致，不得有缺楞、掉角和断裂等缺陷。如遇规格复杂，色差悬殊时，应逐块量度挑选分类存放使用。 3、作业条件 2.1墙柱面暗装管线、电制盒安装完毕，并经检验合格。 2.2墙柱面必须坚实、清洁（无油污、浮浆、残灰等），影响面砖铺贴凸出墙柱面部分 应凿平，过于凹陷墙柱面应用1：3水泥砂浆分层抹压找平。（先浇水湿润后再抹灰）。 二、施工工艺 1、工艺流程 基层处理→选砖→吊垂直、套方、找规矩→贴灰饼→抹底层砂浆→浸砖→排砖→弹线分格→镶贴面砖→面砖勾缝与擦缝 2、施工方法 2.1基层处理 A、光面：凿毛，对油污进行清洗，并用清水洗涤。 B、毛面：清洗，并用清水洗涤 C、再用1：1水泥沙浆加界面剂拌合，甩成小拉毛 2.2选砖 施工前对进场的面砖开箱检查，对规格、颜色严加检查，选砖要求方正、平整，楞角完好。同一规格的面砖，力求颜色均匀。不同规格进行分类堆放，并分层、分间使用。允许几何尺寸公差：长度：±0.5毫米；厚度：±0.3毫米—0.5毫米；圆弧：±0.5毫米。 2.3找平

按照欲做的方正灰饼进行方正抹灰，首先墙面必须提前湿水，在原底灰上抹1：1.5水泥砂浆结合层。局部如有7—12毫米厚必须抹1：3水泥砂浆，表面搓平。注意：使用水泥标号为32.5级，存放过久（界定时间3个月）或有结块的水泥不能使用。 2.4吊垂直、套方、找规矩 吊垂直，找规矩时，应与墙面的窗台、腰线、阳角立边等部位面砖贴面排列方法对称性以及室内地台块料铺贴方正综合考虑，力求整体完美。 2.5贴灰饼 贴灰饼（打墩）、冲筋（打栏），确定基准。 2.6抹底层砂浆 底层砂浆无需抹光，预留粘贴层厚度要均匀。 2.7浸砖 所选用的砖浸泡2—4小时（具体情况具体对待），取出阴干，待表面手摸无水气（空鼓、脱落、膨胀不均是砖没有很好浸水之故）。 2.8排砖 预排砖块应按照设计色样要求。在同一墙面，最后只能留一行（排）非整块面砖，非整块面砖应排在靠近地面或不显眼的阴角等位置；砖块排列一般自阳角开始，至阴角停止（收口）。 2.9弹线分格 找出+50基准线，合理排布起砖标高，顾及五金件、台面的水平通贯处理。阴阳角处理合理，最小尺寸≥50毫米。弹好花色变异分界线及垂直与水平控制线。 2.10贴砖 A、用10：0.5：2.5（水泥：胶：水）胶水泥砂浆粘贴，大砖张贴应掺入适量的细砂，以增加强度，排缝在1.5—2毫米之间，垂直、平整不得超过2毫米。用2米靠尺或拉直线检查。 B、铺贴应从最低一皮开始，并按基准点接线，逐排由下向上铺贴。面砖背面应满涂水泥膏，贴上墙面后用铁抹子木把手着力敲击，使面砖粘牢，同时用木杠（压尺）校平砖面及上皮。 C、砖缝必须横平竖直，间隔距控制在1—1.5毫米范围之内。 D、突出物、管线穿过的部位支撑处，不宜用碎砖粘贴，应用整砖中整割吻合。 E、施工中每铺完一排应重新检查每块面砖，发现空鼓、粘贴不密实，必须及时取下添灰重贴，不得在砖口处赛灰，以免产生空鼓。

贴墙面砖 施工工艺

一般墙面贴砖施工工艺标准 一、墙面柱面贴瓷砖施工准备： （一）材料要求： 1、水泥：325 号普通硅酸盐水泥或矿渣硅酸盐水泥。应有出厂证明或复试单，若出厂超过三个月， 应按试验结果使用。 2、白水泥：325 号白水泥。 3、砂子：粗砂或中砂，用前过筛。 4、瓷砖、陶瓷锦砖：应表面平整，颜色一致，每张长宽规格一致，尺寸正确，边棱整齐，一次进场。 锦砖脱纸时间不得大于40min。 5、石灰膏：应用块状生石灰淋制，淋制时必须用孔径不大于3mm×3mm 的筛过滤，并贮存在沉淀池中。 熟化时间，常温下一般不少于15d；用于罩面时，不应少于30d。使用时，石灰膏内不得含有末熟化的颗粒和其它杂质。 6、生石灰粉：抹灰用的石灰膏可用磨细生石灰粉代替，其细度应通过4900 孔/cm2 筛。用于罩面时， 熟化时间不应小于 3d。 7、纸筋：用白纸筋或草纸筋，使用前三周应用水浸透捣烂。使用时宜用小钢磨磨细。 8、聚乙烯醇缩甲醛（即界面剂）和矿物颜料等。 （二）主要机具： 磅秤、铁板、孔径5mm 筛子、窗纱筛子、手推车、大桶、小水桶、平锹、木抹子、钢板抹子（1mm 厚）、开刀或钢片（20mm×70mm×lmm）、铁制水平尺、方尺、靠尺板、底尺（3000～5000mm×40mm×10～15mm）、大杠、中杠、小杠、灰槽、灰勺、米厘条、毛刷、鸡腿刷子、细钢丝刷、笤帚、大小锤子、粉线包、小线、擦布或棉丝、老虎钳子、小铲、合金钢錾子、小型台式砂轮、勾缝溜子、勾缝托灰板、托线板、线坠、盒尺、钉子、红铅笔、铅丝、工具袋 等。 （三）作业条件： 1、根据设计图纸要求，按照建筑物各部位的具体做法和工程量，事先挑选出颜色一致、同规格的陶 瓷锦砖，分别堆放并保管好。 2、预留孔洞及排水管等应处理完毕，门窗框、扇要固定好，并用1：3 水泥砂浆将缝隙堵塞严实。铝 合金门窗框边缝所用嵌缝材料应符合设计要求，且塞堵密实，并事先粘贴好保护膜。 3、脚手架或吊篮提前支搭好，最好选用双排架子（室外高层宜采用吊篮，多层亦可采用桥式架子等）， 其横竖杯及拉杆等应距离门窗口角150～200mm。架子的步高要符合施工要求。 4、墙面基层要清理干净，脚手眼堵好。 5、大面积施工前应先做样板，样板完成后，必须经质检部门鉴定合格后，还要经过设计、甲方、施 工单位共同认定。方可组织班组按样板要求施工。 二、墙面柱面贴瓷砖操作工艺： 1、工艺流程：基层处理→吊垂直、套方、找规矩→贴灰饼→抹底子灰→ 弹控制线→贴陶瓷锦砖→揭纸、调缝→擦缝

混床操作详细-很有用

混床操作维护手册 1、结构形式 设备本体是带上下碟形封头的圆柱形钢结构，内壁衬5mm耐酸耐碱硬橡胶防 腐；设备内部中排装置由不锈钢管、不锈钢缠绕管焊制而成；集水装置为衬胶多 孔板配滤水帽。进水配水采用喇叭口布水。设备本体内装填强酸强碱型树脂。 成套设备的本体外部装配有各种控制阀门并留有各种仪表接口，便于用户现 场装接和实现水站正常运行。 床内装填料高度： 混床：阳树脂 001x7 600 mm 阴树脂 201x7 1200 mm 混床的运行、再生专门配置了UPVC操作屏。 2、操作说明 2.1 正洗 打开混床进水阀一、排气阀，水流自上而下，当水充满设备时打开下排阀， 关闭排气阀，正洗流速同制水流速，当出水电阻率大于出水要求时，转入制水。 2.2 制水 正洗结束，打开出水阀，关闭下排阀，稳定制水流量，直至出水电阻率小于 要求时，制水周期结束。 2.3 再生 2.3.1 反洗预分层 打开混床反洗阀、反洗排放阀，控制反洗分层流速10 m/h左 右，以树脂充分膨胀流动，且正常颗粒树脂不被水冲出为最佳控 制流速，以阴阳树脂基本分层为反洗终点。 2.3.2 沉降 打开排气阀，使反洗预分层后展开的树脂自然、均匀地沉降下 来，而后打开下排阀，使容器内液面降至树脂层面以上10～20cm 处，避免进再生液时不必要的稀释。 2.3.3 失效 打开混床进碱阀、进水阀二、下排阀，浓度按4％左右控制,并注意当喷射 混床操作屏示意图

器进水流量发生变化时, NaOH吸入量也会发生变化,要加以调整； 进碱时间45分钟左右。 2.3.4 反洗分层 打开混床反洗阀、反洗排放阀，控制反洗分层流速10 m/h左右，以树脂充分膨胀流动，且正常颗粒树脂不被水冲出为最佳控制流速，以阴阳树脂分层界限分明为反洗终点。反洗结束时应缓慢关闭反洗阀，使树脂颗粒逐步沉降，以达到最佳分层效果。如一次操作未达要求，可重复操作以达到满意的效果。 2.3.5 沉降 打开排气阀，使反洗分层时展开的树脂自然沉降下来，并打开中排阀，使容器内液面降至树脂层面以上10～20 cm处，避免进再生液时不必要的稀释。 2.3.6 再生：采取分步再生 ①进碱 打开混床进碱阀、中排阀、反洗进水阀，进碱阀进碱与反洗进水阀进水同步进行，碱、水从中排口排出。再生液浓度、再生时间同“失效”步骤相同。 ②进酸： 打开混床进酸阀、进水阀二、反洗进水阀，进酸阀进酸与进水阀进水同步进行，酸、水从中排口排出。再生液浓度按4％左右控制,并注意当喷射器进水流量发生变化时，HCl吸入量也会发生变化,要加以调整；进酸时间30分钟左右。 2.3.7 置换清洗 由进酸、进碱阀中吸入适量清水（混床出水），由中排阀排出，然后打开混床进水阀二、反洗进水阀，以上下等量水流量进行清洗。清洗时间为半小时或以排水基本中性为终点。 2.3.8 混合 ①排水 打开排气阀、中排阀，将容器内积水排至树脂层面以上10～20 cm处，使树脂层有充分的混合空间。 ②混合 打开反洗排水阀、排气阀、进气阀，氮气（或压缩空气、真空抽气等）压力：1～1.5 kg/cm2，混合时间为10分钟左右，或以容器内两种树脂充分混合而定。 ③排水

声表面波器件工艺原理-3光刻工艺原理

三，声表器件光刻工艺原理： 目录： （一）光刻胶：1，正性光刻胶2，负性光刻胶3，光刻胶的性质 （二）光刻工艺原理（湿法）： 1，匀胶：1）匀胶方法2）粘附性3）光刻胶的厚度4）膜厚均匀性5）对胶面要求6）注意事项 2，前烘：1）前烘目的2）对前烘温度和时间的选择3）前烘方法 3，暴光：1）暴光目的2）暴光技术简介3）暴光条件选择4）暴光不良原因 4，显影：1）显影目的2）显影方法3）影响显影质量的因素4）常见问题5）其它 5，坚膜：1）坚膜目的2）坚膜方法3）问题讨论 6，腐蚀：1）腐蚀目的2）腐蚀因子3）腐蚀方法4）影响因素5）注意事项 7，去胶：1）去胶目的2）去胶方法3）注意事项 8，问题分析：1）光刻分辨率2）控制光刻线宽的方法3）浮胶4）毛刺及钻蚀5）小岛6）针孔 9，小结（光刻各工序需控制的工艺参数） （三）光刻工艺原理（干法）简介： 1，干法腐蚀原理：1）等离子体腐蚀2）离子腐蚀3）反应离子腐蚀 2，干法工艺：1）干法显影2）铝的干法刻蚀3）干法去胶 （四）金属剥离工艺简介：1）剥离工艺特点2）剥离技术3）有关问题 （五）微细光刻技术简介：1）抗蚀剂2）暴光技术3）刻蚀技术4）问题及原因 序： 光刻是SAW器件制造的关键工艺，是一种复印图象同化学腐蚀相结合的综合技术。它先采用照相复印的方法，将光刻版上的图形精确的复印在涂有感光胶的金属膜层上，然后利用光刻胶的保护作用，对金属层进行选择性化学腐蚀，从而在金属层上得到与光刻版相应的图形，并要求图形线条陡直、无钻蚀、无断条和连指等。影响光刻质量的因素很多，除暴光技术外，还有掩膜版、金属膜、光刻胶等的质量以及操作技术和环境条件等。实践表明，光刻质量对器件性能有很大影响，是生产中影响成品率的关键因素。 （一） 光刻胶：按光化学反应的不同，光刻胶大体可分为正性光刻胶和负性光刻胶两类。1，正性光刻胶： 它的特点是原来的胶膜不能被某些溶剂溶解，当受适当波长光照射后发生光分解反应，切断树脂聚合体主链和从链之间的联系，使其变为可溶性物质。因此当用正胶光刻时，可在基片表面得到与光刻版遮光图案完全相同的光刻胶图形，方向相差180度。正性胶分辨率较高，对一些常用金属表面有较好粘附性；但与负胶相比，其稳定性和抗蚀能力较差。目前常用的正性胶为DQN和PMMA。 1）DQN：DQN是一种近紫外NUV（365、435nm）光刻胶，主要由感光剂DQ、基体 材料N和溶剂组成。通常使用的基体材料是酸催化酚醛树脂，具有良好的成膜性和耐磨性，能溶于碱溶液和许多普通溶剂；感光剂DQ（邻叠氮醌化合物）如同基体材料N在碱溶液中溶解的抑制剂，当在基体N中加入20-50%的DQ，混合物（光刻胶）将变为不可溶；溶剂是用来溶解感光剂和基体材料、同时又易挥发的液体，由于溶剂的用量决定光刻胶的黏度（黏度也与温度有关），从而影响光刻胶的涂敷厚度，而厚度又与光聚合反应所需暴光量有关，与胶膜的分辨率有关，所以对溶剂用量的控制也十分重要。 DQN感光机理是，经近紫外光照射，感光剂发生分解，并重新组合为乙烯酮，乙烯酮和空气中的水气反应，产生酸性基，酸性基可与碱性溶液发生中和反应，使不溶性光刻胶可溶

(完整版)地砖铺贴施工工艺标准

地砖铺贴施工工艺标准 一、工艺流程： 基层清理→冲洗干净→弹水平控制线→贴灰饼→做冲筋→抹找平层→铺贴地砖→铺踢脚线→喂缝→质量检查→产品保护。 二、操作要求： 1、饰面砖材料应表面平整、边缘整齐、棱角不得破坏，并具有产品合格证。 2、饰面砖材料表面应光洁，质地坚固，尺寸、色泽一致，不得有暗痕和裂纹，吸水率不大于10％。 3、拌制砂浆应用洁净水。施工时所用胶结材料的品种、掺合比例应符合设计要求，并具有产品合格证。 4、饰面砖分项工程的材料品种、规格、图案、固定方法和砂浆种类，应符合设计要求。 5、镶贴、安装饰面砖的基体，应具有足够的强度、稳定性和刚度。 6、饰面砖应镶贴在平整粗糙的基层上，光滑的基层表面镶贴前应处理。残留的砂浆、尘土和油渍应清除干净。 7、饰面砖应镶贴平整，接缝宽度应符合设计要求；并勾缝密实，以防外墙渗水到室内。 8、镶贴室外突出的檐口、腰线、窗口、雨篷等饰面，必须有流水坡度和滴水线（槽）。 9、饰面砖其粘结强度同时符合以下两项指标时定为合格： ⑴每组试样平均粘结强度不应小于0.40Mpa； ⑵每组有一个试样的粘结强度小于0.40Mpa，但不应小于0.30Mpa。当两项指标均不符合要求时，其粘结强度为不合格。 10、砖墙面的打底应先用水湿透后，用1：3水泥砂浆打底，木抹子搓平，隔天浇水养护。 11、对于砼基层打底应用1：1水泥细砂浆（内掺20％107胶）喷或甩到砼基层上，作“毛化处理”后再行打底。 12、饰面砖镶贴前应先选砖预排，以便拼缝均匀。在同一墙面上的横竖排列，不宜有一行以上的非整砖。非整砖行应排在次要部位或阴角处。优良工程不得存

在有非整砖现象。 13、外墙饰面砖宜采用1：2水泥砂浆镶贴，砂浆厚度为6-10mm；镶贴用的水泥砂浆可掺适量石灰膏保和易性。 14、勾缝后，应及时将面层残存的水泥浆清洗干净，并做好成品的保护。 15、饰面砖镶贴必须牢固不空鼓、无歪斜、无缺棱掉角和裂缝等缺陷。 16、饰面砖应勾缝密实、表面平整、缝隙宽窄均匀、缝格平直、颜色一致，阴阳角处的砖搭接方向正确。 三、允许偏差：实测允许偏差表（mm）

混床离子交换器的优点和工作原理

混床离子交换器就是阳、阴两种离子交换树脂，互相充分地混合在一个离子交换器内，同时进行阳、阴离子交换的设备。简称混床。所谓混床，就是把一定比例的阳、阴离子交换树脂混合装填于同一交换装置中，对流体中的离子进行交换、脱除。由于阳树脂的比重比阴树脂大，所以在混床内阴树脂在上阳树脂在下。一般阳、阴树脂装填的比例为1：2，也有装 填比例为1：1.5的，可按不同树脂酌情考虑选择。混床也分为体内同步再生式混床和体外再生式混床。同步再生式混床在运行及整个再生过程均在混床内进行，再生时树脂不移出设备以外，且阳、阴树脂同时再生，因此所需附属设备少，操作简便。 一、混床离子交换器的优点 (1)出水水质优良，出水pH值接近中性。 (2)出水水质稳定，短时间运行条件变化(如进水水质或组分、运行流速等)对混床出水水质影响不大。 (3)间断运行对出水水质的影响小，恢复到停运前水质所需的时间比较短。 混床设备比较好用一点的还是有机玻璃柱的那种，因为分层的时候比较容易看得清楚。 操作起来，再生效果好。以前我用的那种A3钢的，有个视孔，操作起来真的好麻烦，分层都看不到。 二、混床离子交换器的工作原理 混床床离子交换法，就是把阴、阳离子交换树脂放置在同一个交换器中，在运行前将它们均匀混合，所以可看着是由无数阴、阳交换树脂交错排列的多级式复床，水中所含盐类的阴、阳离子通过该项交换器，则被树脂交换，而得到高度纯水。在混合床中，由于阴、阳树脂是相互混匀的，所以其阴、阳离子交换反应几乎同时进行，或者说，水的阳离子交换和阴离子交换是多次交错进行的，经H型交换所产生的H+和经过OH型交换所产生的OH-都不能积累起来，基本上消除反离子的影响，交换进行得比较彻底。由于进入混合床的初级纯水质较好，交换器的负载较轻，树脂的交换能力很长时间才被子耗竭。本混合床采用体内再生法，再生时首先利用两种树脂的比重不同，用反洗使用权阴、阳离子交换树脂完全分离，阳树脂沉积在下，阴树脂浮在上面，然后阳树脂用盐酸(或硫酸)再生，阴树脂用烧碱再生。 三、混床离子交换器的结构 1、再生装置：阴离子交换树脂再生碱液在高于阴离子交换树脂面300毫米处母管进液(Φ400、500、600采用单母管进液，Φ800、2500采用双母管进液)，管上小孔布液，管外采用塑料窗纱60目尼龙网布包覆。阳离子交换树脂再生酸性由底部排水装置的多孔板上排水帽进入。 2、中排装置：中排装置设置在阴、阳树脂的分界面上，用于再生排泄酸、碱还原液和冲洗型，型式分为双母管或支母管式，管子小孔外包覆塑料窗纱及60目尼龙网各一层。 3、排水装置：采用多孔板上装设PB2-500型叠片式排水帽,或宝塔式ABS型排水帽,多孔板材质按设备规格不同而异。(Φ400、500、600型采用硬聚氯乙烯多孔，Φ800、2500型采用钢衬胶多孔板)。