电子元器件编号规则新编
3XXX ：包装，纸箱、纸张类，如外箱，包装盒，说明书，标贴等4XXX ：金属件或金属附件类，如螺丝，垫片，簧片，散热片等
5XXX: 电气类器件: 如线束及附件, 电机, 开关, 继电器, 光电传感器, 插头, 插座, 电源线,电缆等.
6XXX: PCB 组装（PCB 组装的编号范围暂定为（6000 - 6099 之
间）, 组装单元（6100 －6999 ）
7XXX: 集成电路, 软件代码, PWB, 组装及其他不能归类为5XXX, 6XXX 的分立电子元器件.
原理图的编号范围暂定为：06XX,07XX,08XX,09XX
PWB 的编号范围暂定为:7000- 7499 之间软件代码的编号范围暂定为:7500-7999 之间
1.7以下列举了一些电子元器件的命名字母缩写:
电阻RE 电容CP 电感IN 电池BT 蜂鸣器BZ 器变压TS 集
成电路IC
混合厚膜电路
HB 传感器SN 开关SW
继电
器RL
马达MT 晶体或振荡器CR 插头插座SK 三极管TR
二极
管DE
齐纳二极
管ZD 电阻阵列RA 电容阵列CA 电感阵列LA 整流
桥BG 短路导线LD 磁珠FR 线圈CL 束扎带BD 变阻器VR 防雷击放
电管AR 光电耦合器PH 导线WR 保险丝FS
1.8所有元器件的编号同一归类为数据库文档, 便于检索且必须防止某
编号对应多个元器件或某元器件被重复编号的现象.
1.9若反映元器件的元器件的图纸发生修改则以后
缀来表示以: A-B-C-D-E-F-G-H-J-K-L-M-N-P-Q-R-T-U-W-X-Y-Z
为顺序.
注: 1.后缀以大写英文字母表示，在后缀中不使用字母: I,O,S,V 防止混淆.
2.若后缀为Z 仍需要变更图纸，则废止原器件编号，以新的器件编号替
代。
1.10本标准中未列明的元器件在以后的修正版中补充反映
1.11在产品正式发行产品构成表之前对于新出现的元器件可以不编号，
在正式发行构成表后正式统一编号。
2.1电阻: 电阻编号以字母RE 开始,后续 6 位数字表示规格. 其中
第 1 位数字表示电阻器导电材料，其中0 为片状电阻，以字母表示的为插装电阻
第 2 位数字表示标称功率, 后 4 位数字表示阻值. 对于第 2 位数字分类如下:
0: 3W 1: 2W 3: 1W 4: 1/2W 5: 1/4W 6: 1/8W 7: 1/10W 8: 1/16W 9: 其他
后 4 位对阻值的表示方法如下:
2.1.1对于精度为5% 的电阻第 1 位为0, 其后 2 位表示基数,最后
1 位表示10 的次数.(对于阻值小于10 欧的电阻, 编号最后 1 位
为9(10 -1) 如电阻: 470K/0.1W/+-5% 0603 封装编号为:
RE070474
电阻: 47 欧/1/4W/+-5% 1206 封装编号为: RE050470 电阻:
1.2 欧/1/8W/+-5% 0805 封装编号为: RE060129 电阻: 0 欧
/1/8W (规格: 阻值小于50 毫欧) 0805 封装编号为
RE060000
2.1.2对于精度为1%的电阻前 3 位表示基数, 最后 1 位表示10 的次
数. (对于阻值10<=阻值<100 欧的电阻, 编号最后 1 位为9(10-
1), 阻值小于10 欧的电阻, 编号最后 1 位为8(10 -2).
如电阻: 470K/0.1W/+-1%
0603 封装编号
为
:
RE074703
电阻: 36.2K/0.1W/+-1%
0603
封装编号
为
:
RE073622
电阻: 1.2 欧/1/8W/+-1%
0805
封装
编号
为
:
RE061208
电阻: 12 欧/1/4W/+-1%
1206
封装编号
为
:
RE051209
2.1.3压敏电阻的命名：压敏电阻以RE 开头，第一到第六位为电阻压敏
型号，第7 位为备注。
2.1.4热敏电阻的命名：热敏电阻以RE开头，第一到第六位为电阻压
敏型号，第7 位为备注。
2.2电容: 电容的编号以字母CP 开始, 后续7 位数字表示电容的规格.
其中第 1 位表示电容类型. 分类如下:
上表中以数字命名的为贴片电容，以字母命名的包括贴片电容和插装电容。
第 2 位表示耐压值, 分类如下:
第 3 位表示精度. 分类如下:
第 4 位数字：
对于贴片陶瓷电容，表示封装尺寸. 分类如下:
104次方
编码如下：
2.9.2 对于不能列入上述类型的集成电路按如下方法编码：
第 2-6 位数字：与集成电路序列号相同，不足 5 位者前位补 0 ；第
1 位数字用 来区别序列号相同的不同集成电路，编码范围： 0～ 9。
例如： ADSL AFE IC
I80234
编码为 IC080234 ； RS232 电平转换 IC
MAX3220 编码为
IC003220 ；
RS232 电平转换
IC SP3220 编码为IC103220
74 系列逻辑门电
路74VHC14
编码为
ICL00014 ；
74 系列逻辑门电
路74HC14
编码为
ICL10014 ；
2.9.3 对MCU 控制芯片的命
名：
以MCU 开头，接下来1～ 5 位是MCU 型号，第7 位为备注。
2.10导线: 导线的编号以字母WR 开始, 后面跟随 6 位数字. 其中第 1
位数字表示颜色. 规定如下:
1: 棕2: 红3: 橙4: 黄5: 绿6: 蓝7: 紫8: 灰9: 白0:其他原则上第5-6 位表示线号如: 26# 30# 等. 其余数字不做具体规定2.11变阻器: 变阻器的编号以字母VR 开始, 后跟 6 位数字, 其中第4-6
位数字用来表示揭穿电压值, 且第4-5 位表示基数, 第 6 位表示
10 的次数. 其余数字不做具体规定. 如对于保护电压位430V 的
变阻器,第4-6 位数字表示位431.
2.12磁珠：磁珠以及所有电磁兼容元器件的编号以字母FR 开始, 后面跟
随 6 位数字, 其中第 1 位数字表示分类. 分类如下:
0：贴片磁珠1：插装磁珠9：除磁珠以外的其他所有电磁兼容元器件2.12.1 对于磁珠第2-3 位数字表示规格：当4～6 位数字所表示的阻抗
值相同，但是磁珠的其他特征不同时，用第2～3 位编码来区分，编码范围：00 ～99。第4-6 位数字表示阻抗值(@100MHz) 单位为欧姆，其中第4-5 位数字表示基数，第 6 位数字表示10 的次数：例如：9 表示10 －1次方，0 表示100次方， 4 表示104次方。
如: 1.5ohm@100MHz ：第4-6 位表示为159
电子元件编码规范标准
电子元件分类与编码标准 为了方便电子元器件的购买及生产管理, 且为以后元器件的标准化管理提供可能, 本说明对可能涉及到的电子元器件的编号进行规定。 1: 总体原则 1.1总体规定: 电子元器件的编号统一设想采用字母与数字混合编号方式且统一为9位. 具体 以器件分类名称的字母缩写(2位)开始, 后续6位数字或字母表示器件的具体规格或型号，第7位是附加的备注或特殊的识别标记（除电容的命名方式外） 1.2对于不同规格与不同厂家的元器件原则上采用不同的编号. 1.3对于一些通用类电子元器件, 如: 电阻, 电容, 电感等如规格及外形相同则不同厂家的 产品也可采用统一编号. 1.4对于元器件应有相非通用类电子应的图纸存档. 图纸中应包含器件的外形尺寸, 主要规 格参数, 产品型号, 生产厂家等. 1.5电阻, 电容,电感的标称值原则上在具体规格上说明 1.6对于一些开发项目专用或关联较大以及根据本说明无法明确归类的电子元器件的编号如: PWB, PCB组装单元, 可以用项目编号取代编号的前4位, 后6位表示某具体元器件. 若该器件也在别的项目中使用, 采用同一编号, 保证编号的唯一性。 2.0、编码结构说明： ＸＸ－ＸＸ－ＸＸＸＸＸＸ－ＸＸＸ－Ｘ ｜｜｜｜｜空位（环保区分时备用） ｜｜｜｜误差/封装信息/引脚数/修正编号/空位｜｜｜ ｜｜｜元件种类/电气参数/型号 ｜｜供应商名代码 ｜物品代码 注：编码长度一至，编码中间的“—”不纳入ERP系统，例：RE0120000061280 2.1、电子元器件物品（电子元器件的命名字母缩写）:
2.2、电子元器件材料明细分类编码规则： 2.2.1、电阻类： RE—BB—C1 C2 C3 C4 C5 C6— X1 X2 X3 X4---X4修正编号 X 3 封装及包装形式（见表2.2.1G） X 1X 2 误差（见表2.2.1F） C 3C 4 C 5 C 6 定额电阻（见表2.2.1D特例2.2.1E） C 2 功率（见表2.2.1C） C 1 分类（见表2.2.1A特例见2.2.1B） BB制造厂家 RE固定电阻 表2.2.1A: C 1 分类 表2.2.1B：特例 表2.2.1C：C2功率（
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式 半导体器件(semiconductor device)通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN 结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。 1、物质的分类 按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。导电能力用电阻率衡量。 导体：具有良好导电性能的物质，如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω?cm 绝缘体：导电能力很差或不导电的物质，如玻璃、陶瓷、塑料。 电阻率在108Ω?cm以上 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，如锗、硅。 纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω?cm 2、半导体的特性 与导体、绝缘体相比，半导体具有三个显著特点： (1)电阻率的大小受杂质含量多少的影响极大，如硅中只要掺入百万分之一的杂质硼，硅的电阻率就会从241000Ω?cm下降到0.4Ω?cm，变化了50多万倍; (2)电阻率受环境温度的影响很大。 例如：温度每升高8℃时，纯净硅的电阻率就会降低一半左右;金属每升高10℃时，电阻率只增加4%左右。
电子元器件的命名
电子元器件命名- - （资料是刚工作时前辈们留给我的，仅供参考。需要更多资料请咨询https://www.sodocs.net/doc/4514835251.html,掌柜） 电子元器件,又叫电子芯片,半导体集成电路,广泛应用于各种电子电器设备上. 封装形式: 封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳.它不仅起着安装,固定,密封,保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接.衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好. 封装大致经过了如下发展进程: 结构方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP; 材料方面:金属,陶瓷->陶瓷,塑料->塑料; 引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点; 装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装. DIP Double In-line Package 双列直插式封装.插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种.DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等. PLCC Plastic Leaded Chip Carrier PLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多.PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小,可靠性高的优点. PQFP Plastic Quad Flat Package PQFP封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100以上.
电子元器件编码规则
电子元器件编码规则 Document serial number【UU89WT-UU98YT-UU8CB-UUUT-UUT108】
电子元器件编码规则一、范围 本标准规定了电子元器件编码规则，分别给出详细编码规则。 本标准适用于拓思拓科技有限公司内电子类物料的编号。 二、系统构造的说明 A BB B C - DDDD- XXXX- X 精度空位（环保区分时备 用） 误差/封装信息/引脚数/修 正编号/空位 元件种类/电气参数/型号 元件种类/电气参数/型号 元件种类/电气参数/型号 物品代码 三、内容 1、电阻 A BB B C - DDD D - XXXX - X 精度:1=1% 2=5% 3=10% 4=20% 封装:0402 0603 0805 1206 电阻值:1 Ω=10A0 10Ω=1000 100Ω=1010 1K=1020以此类推 功率: A=1/16W B=1/8W C=1/4W D=1/2W E=1W F=2W G=3W 元件种类:
贴片= SMD 电阻代码R 2.电容 A BB B C - DDD D - XXXX - X 精度:1=1% 2=5% 3=10% 4=20% 封装:0402 0603 0805 1206 A型=A000 B型=B000 电容值:1 pf=10A0 10pf=1000 100pf=1010 1nf=1020以此类推 耐压值: A= B=10V C=16V D=25V E=35V F=50V G=63V 元件种类: 贴片= SMD 电容代码C 3、三极管 A BB B C - DDD D - XXXX - X 厂家 区分 封装:SOT23=ST23 8050 8550 3904
公司电子元器件和模块编码规则管理规定
公司电子元器件和模块编码规则管理规定 Company number【1089WT-1898YT-1W8CB-9UUT-92108】
xx公司企业标准 Q/ 受控号：版本号： C/0 代替Q/ 电子元器件和模块编码规则管理办法 2010-06-17 发布 2010-06-19实施 x x公司发布
前言 本标准规定了制造电子式电能表及系统所需的各种电子元器件及模块的编码规则和管 理办法，并对物料的描述进行规范。 本标准适用于电子式电能表及系统产品在设计、计划、制造、采购、检验、 贮存等生产经营及管理活动中对生产制造电子式电能表及系统产品所需的电子元 器件及模块的描述、编码及管理。 本标准现行有效版本为Q/ B/2版,代替Q/ B/1版。本标准与前版相比，主要 修改： 1、在PCB电子线路板编码规则中增加了对版本号为VS的规则。 2、对新增器件流程作了更改。并同时更改了附录A。 本标准的附录为规范性附录 本标准由xx公司提出 本标准由xx仪表技术中心起草并负责解释 本标准主要起草人：范卓霞、杨惠、应仙茶 本标准主要修改人：马俐霞 本标准实施日期：2008年首次发布，并经2009年1月，6月，2010年5月三次修订
xx公司企业标准 电子元器件和模块编码规则管理办法 受控号：版本号： C/0 1 范围 本标准规定了制造电子式电能表及系统所需的各种电子元器件(简称“器件”)及模块的编码规则和管理办法，并对物料的描述进行规范。 本标准适用于电子式电能表产品及系统在设计、计划、制造、采购、检验、贮存等生产经营及管理活动中对生产制造电子式电能表产品所需的器件、模块进行描述、编码及管理。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。 Q/HL 企业管理信息编码总则 Q/HL 电能表物料编码规则和管理办法 Q/HL 电能表材料采购管理办法 3 术语和定义 器件 包括电阻、敏感电阻、电容、电感、半导体分立元件（二极管、三极管、防雷管、红外发射管、红外接收管、可控硅、光耦、桥堆、霍尔元件、稳压器 等）、集成块、晶振、开关、接插件、电池、液晶、背光组件、蜂鸣器、继电器/继电器组件、变压器、互感器、计度器、滤波谐振器、导线组件等。 模块 指器件装焊在PCB板上加工而成的半成品，包括主印制板装配、电源板装 配、功能板装配、显示板装配、计量板装配、载波板装配、RS485装配、射频板装配、接口板装配、模拟板装配、核心板装配、GPRS板装配、ZigBee板装配等。 新增器件 3.3.1新产品开发及老产品改进所涉及到的新增加的电子元器件。
(整理)元器件封装命名规则ds.
精品文档 精品文档 目 次 1 范围 ................................................................................ 1 2 规范性引用文件 ...................................................................... 1 3制订规则 ............................................................................. 1 3.1以B 开头的封装 ..................................................................... 1 3.2以C 开头的封装 ..................................................................... 1 3.3以D 开头的封装 ..................................................................... 2 3.4以E 开头的封装 ..................................................................... 2 3.5以F 开头的封装 ..................................................................... 2 3.6以G 开头的封装 ..................................................................... 2 3.7以H 开头的封装 ..................................................................... 2 3.8以K 开头的封装 ..................................................................... 2 3.9以L 开头的封装 ..................................................................... 2 3.10以R 开头的封装 .................................................................... 2 3.11以S 开头的封装 .................................................................... 3 3.12以T 开头的封装 .................................................................... 3 3.13以U 开头的封装 .................................................................... 3 3.14以V 开头的封装 .................................................................... 3 3.15以X 开头的封装 .................................................................... 3 3.16以Z 开头的封装 .. (4) 印制板设计 元器件封装命名规则
电子元器件编码规则
电子元器件编码规则 一、范围 本标准规定了电子元器件编码规则，分别给出详细编码规则。 本标准适用于拓思拓科技有限公司内电子类物料的编号。 二、系统构造的说明 A BB B C -DDDD-XXXX- - X 精度空位（环保区分时备 用） 误差/封装信息/引脚数 /修正编号/空位 元件种类/电气参数/型 号 元件种类/电气参数/型 号 元件种类/电气参数/型 号 物品代码
三、内容 1、电阻 A BB B C - DDD D - XXXX - X 精度:1=1% 2=5% 3=10% 4=20% 封装:0402 0603 0805 1206 电阻值:1 Ω=10A0 10Ω=1000 100Ω=1010 1K=1020以此类推 功率: A=1/16W B=1/8W C=1/4W D=1/2W E=1W F=2W G=3W 元件种类: 贴片= SMD 电阻代码R
2.电容 A BB B C - DDD D - XXXX - X 精度:1=1% 2=5% 3=10% 4=20% 封装:0402 0603 0805 1206 A型=A000 B型=B000 电容值:1 pf=10A0 10pf=1000 100pf=1010 1nf=1020以此类推 耐压值: A=6.3V B=10V C=16V D=25V E=35V F=50V G=63V 元件种类: 贴片= SMD 电容代码C
3、三极管 A BB B C - DDD D - XXXX - X 封装:SOT23=ST23 8050 8550 3904 元件种类: NPN=N PNP=P 元件种类: 贴片= SMD 三极管代码Q
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则
一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件得型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分得意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、3三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得材料与极性。 表示二极管时:AN型锗材料、BP型锗材料、CN型硅材料、DP型硅材料。 表示三极管时:APNP型锗材料、BNPN型锗材料、 CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得内型。 P普通管、V微波管、W稳压管、C参量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、 N阻尼管、U光电器件、K开关管、X低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、 Y体效应器件、B雪崩管、J阶跃恢复管、CS场效应管、 BT半导体特殊器件、FH复合管、PINPIN型管、JG激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产得半导体分立器件,由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分,其各部分得符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0光电(即光敏)二极管三极管及上述器件得组合管、 1二极管、 2三极或具有两个pn结得其她器件、
3具有四个有效电极或具有三个pn结得其她器件、 ┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记得半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。 APNP型高频管、 BPNP型低频管、 CNPN型高频管、 DNPN型低频管、 FP控制极可控硅、 GN控制极可控硅、 HN基极单结晶体管、 JP沟道场效应管,如2SJ KN沟道场效应管,如2SK M双向可控硅。 第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号。 两位以上得整数从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号; 不同公司得性能相同得器件可以使用同一顺序号;数字越大,越就是近期产品。 第五部分:用字母表示同一型号得改进型产品标志。 A、B、C、D、E、F表示这一器件就是原型号产品得改进产品。 三、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其她半导体器件得命名法较混乱。 美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途得类型。 JAN军级、 JANTX特军级、 JANTXV超特军级、 JANS宇航级、 无非军用品。 第二部分:用数字表示pn结数目。1二极管、2=三极管、3三个pn结器件、nn个pn结器件。 第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。 N该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。 第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。 多位数字该器件在美国电子工业协会登记得顺序号。 第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件得不同档别。如: JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管 JAN军级、 2三极管、 NEIA注册标志、 3251EIA登记顺序号、 A2N3251A档。 四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分得符号及意义如下:
PCB元件库SCH元件库命名规则
PCB元件库命名规则 2.1 集成电路（直插） 用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装 尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽300mil,引脚间距2.54mm W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm 如：DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装 2.2 集成电路（贴片） 用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装 尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽150mil,引脚间距1.27mm M为介于N和W之间的封装，体宽208mil,引脚间距1.27mm W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm 如：SO-16N表示的是体宽150mil，引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装 若SO前面跟M则表示为微形封装，体宽118mil,引脚间距0.65mm 2.3 电阻 2.3.1 SMD贴片电阻命名方法为：封装+R 如：1812R表示封装大小为1812的电阻封装 2.3.2 碳膜电阻命名方法为：R-封装 如：R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装 2.3.3 水泥电阻命名方法为：R-型号 如：R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装 2.4 电容 2.4.1 无极性电容和钽电容命名方法为：封装+C 如：6032C表示封装为6032的电容封装 2.4.2 SMT独石电容命名方法为：RAD+引脚间距 如：RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装 2.4.3 电解电容命名方法为：RB+引脚间距/外径 如：RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装 2.5 二极管整流器件 命名方法按照元件实际封装，其中BAT54和1N4148封装为1N4148 2.6 晶体管 命名方法按照元件实际封装，其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电路的SOT-23封装，另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名作为封装名 2.7 晶振 HC-49S,HC-49U为表贴封装，AT26,AT38为圆柱封装，数字表规格尺寸 如：AT26表示外径为2mm，长度为8mm的圆柱封装 2.8 电感、变压器件 电感封封装采用TDK公司封装 2.9 光电器件 2.9.1 贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示 如：0805D表示封装为0805的发光二极管 2.9.2 直插发光二极管表示为LED-外径 如LED-5表示外径为5mm的直插发光二极管
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则1，常用电阻器、电位器 第一部分第二部分第三部分第四 部分第五 部分 第六 部分 第七 部分 第八 部分 用字母表示主称用字母表示材 料 用数字或者字 母表示分类 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 符号意义符号意义符号意义额定 功率阻值允许 误差 精密 等级 封装 R 电阻 器H 合成 膜 1，2 普通 W 电位 器S 有机 实芯 3 超音 频 N 无机 实芯 4 高阻T 碳膜 5 高温Y 氧化 膜 7 精密J 金属 膜 （箔 ） 8 电阻 器-高 压 I 玻璃 釉膜 电位 器-特 殊 X 线绕9 特殊 G 高功 率 T 可调 W 微调 M 敏感 2，电容器 第一部分（材 料） 第二 部分 分类 （第 三部 分） （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第四 部分 （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第五 部分 （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第六 部分 符号意义符号意义符号意义容值精密封装
瓷介云母有机电解等级 C 电容 器C 高频 瓷 1 圆片非密 封 非密 封 箔式T 低频 瓷 2 圆形非密 封 非密 封 箔式I 玻璃 釉 3 叠形密封密封烧结 粉液 体O 玻璃 膜 4 独石密封密封烧结 粉固 体Y 云母 5 穿心穿心 V 云母 纸 6 支柱 等 无极 性Z 纸介7 J 金属 化纸 8 高压高压高压 D 铝电 解 9 特殊特殊 A 钽电 解 G 高功率 N 铌电 解 W 微调 Q 漆膜 G 合金 电解 E 其它 电解 材料 B 聚苯 乙烯 等非 极性 有机 薄膜 L 聚酯 等极 性有 机薄 膜 H 复合 介质
电子元件编号规范
电子元件编号规范 □□□□□□□ 备注：元件类型代码、元件功能类型、功能/方位类型为可选项1、元件功能类型以英文第一个字母为代表 如S11BA01——其中B——Boring 2、功能/方位类型范围0……9，A……Z。 3、标号流水码范围0……9，A……Z。 4、元器件功能类型 一、传感器功能类型 S11=D-A73L&3C- D-A73L S12=D-C73L&3C- D-C73L S13=D-Z73L&3C- D-Z73L S14=D-A90L&3C- D-A90L S15= D-A93L&3C- D-A93L S16=SME-8-K-LED-24&SME-8M-DS-24V-K-2,5-OE（三线制） S17=SME-8-S-LED-24 S18= SME-8M-ZS-24V-K-2,5-OE （二线制） S19=KL3157 S1A= D-A54L&3C-D-A54L S1B= D-A72L&3C-D-A72L S1C=MZT7-03ZRS-KW0 S1D= MZC1-2V2PSKP0 S1E= MZT7-03VPS-KW0 S1F=DS1G020 S1G= S1H= S20=IH06-1B5PS-VWK S21=IM08-1B5PS-ZTK或BES516-324-S49-C S22=IM08-1B5PS-ZT1 S23=IM12-02BPS-ZC1
S24= DW-AS-603-M8-123或/ IM12-04BPS-ZC1或/BD2-S3S2-M8 S25=DW-AS-623-M4 S26=DW-AS-603-M8-001/IS 208M/4NO-1B5-S8.3 S27=DW-AS-603-M12或DW-AS-603-M12-120或/ISS 212M/4NO-4E0-S12 S28=DW-AS-623-M12或DW-AS-623-M12-120或/IS 212M/4NO-4E0-S12 S29= /IS 218M/4NO-5E0-S12 S2A=DW-AS-513-M30-002 S2B=IN40-PS30OP79-A12 S2C=IS255MP/4NO-1E5,200-S8.3 S30=HRTR35/66-300-S12 S31=HRTR 3B/66-S-S8或HRTR 3B/66-V-S8 S32=HRTR 3B/66-XL-S8 S33=HRTR 8/24-350-S12 S34=PRKL 3B/6.22-S8 S35=WT9-2P430或HRTL 3B/66-S8 S36=WE/WS9-2P430 S37=PRK 3B/66-S8 S38=EE-SX671P S39=E3JK-DS30M1 S3A=FS-N11P + FU-66Z S3B=FS-V21RP + FU-35FA S3C=FS-N11P + FU-67TZ / FS-N11P + FU-67 S3D=FS-N11P + FU-70TZ'/ FS-N11P + FU-77TZ S3E= HRTR 25B/66-S12 S3F=PZ-V31P S3G=LR-ZB250P S3H= LSSR 3B-S8 + LSER 3B/66-S8 S3I= FS-N11P +FU-E11 S3J=CZ-V21AP + CZ-H32 S3K= GTB6-P4212 S3L= GTB2S-P5451 S3M= FS-N11P +FU40 S3N= LL3-DT01+WLL180T-P432 S3P= LUT3-650 S3Q = FT-M47T S3R = BOW A-0808-PS-C-S49 S3S = BOW A-1616-PS-C-S49 S40=SD2T/2R40-750
元器件封装命名规范
元器件封装命名规范
前言 概述：本文主要描述元器件的封装命名原则。关键词：封装、命名
1.贴装器件 (5) 1.1贴装电容SC （不含贴装钽电容） (5) 1.2贴装二极管（含发光二极管）SD (5) 1.3贴装保险管（含管座）SF (5) 1.4贴装电感SL（不含贴装功率电感 (5) 1.5贴装电阻SR (5) 1.6贴装晶体（含晶体振荡器）SX (6) 1.7小外形晶体管SOT (6) 1.8贴装功率电感SPL (6) 1.9贴装阻排SRN (6) 1.10贴装钽电容STC (6) 1.11球栅阵列BGA (7) 1.12四方扁平封装IC QFP (7) 1.13J引线小外形封装IC SOJ（不含引脚外展式IC） (7) 1.14小外形封装IC SOP (7) 1.15塑封有引线载体（含插座）PLCC (7) 1.16贴装滤波器SFLT (8) 1.17贴装锁相环SPLL (8) 1.18贴装电位器SPOT (8) 1.19贴装继电器SRLY (8) 1.20贴装电池SBAT (8) 1.21贴装变压器STFM (9) 1.22贴装拨码开关SDSW (9) 2.插装器件 (9) 2.1插装无极性电容器CAP (9) 2.2插装有极性圆柱状电容器CAPC (9) 2.3插装有极性方形电容器CAPR (10) 2.4插装二极管DIODE (10) 2.5插装保险管（含管座）FUSE (10) 2.6插装电感器IND (10) 2.7插装电阻器RES (10)
2.8插装晶体XTAL (11) 2.9插装振荡器OSC (11) 2.10插装滤波器FLT (11) 2.11插装电位器POT (11) 2.12插装继电器RLY (11) 2.13插装变压器TFM (12) 2.14插装蜂鸣器BUZZLE (12) 2.15插装LED显示器LED (12) 2.16插装电池BAT (12) 2.17插装电源模块PW (12) 2.18插装传感器SEN (12) 2.19双列直插封装(不含厚膜) DIP (13) 2.20单列直插封装(不含厚膜) SIP (13) 2.21针状栅格阵列封装PGA (13) 2.22双列直插封装厚膜HDIP (13) 2.23单列直插封装厚膜HSIP (13) 2.24插装晶体管TO (14) 2.25开关 (14) 3.插装连接器 (14) 3.1同轴电缆连接器COX (14) 3.2D型电缆连接器DB (15) 3.3电源连接器PWC (15) 3.4视频连接器VDC (15) 3.5音频连接器ADC (15) 3.6USB连接器USB (16) 3.7网口连接器RJ45 (16) 3.8插座PMR (16)
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则 2，电容器
5，半导体二、三极管 一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分的意义分别如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。 表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。 表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、 C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、 N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、 Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、 BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下： 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。 0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、 1-二极管、 2三极或具有两个pn结的其他器件、 3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、 ┄┄依此类推。 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。 S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
公司电子元器件和模块编码规则管理规定精编版
公司电子元器件和模块编码规则管理规定 公司标准化编码 [QQX96QT-XQQB89Q8-NQQJ6Q8-MQM9N]
xx公司企业标准 Q/ 受控号：版本号： C/0 代替Q/ 电子元器件和模块编码规则管理办法 2010-06-17 发布 2010-06-19实施 x x公司发布
前言 本标准规定了制造电子式电能表及系统所需的各种电子元器件及模块的编码规则和管理办法，并对物料的描述进行规范。 本标准适用于电子式电能表及系统产品在设计、计划、制造、采购、检验、贮存等生产经营及管理活动中对生产制造电子式电能表及系统产品所需的电子元器件及模块的描述、编码及管理。 本标准现行有效版本为Q/ B/2版,代替Q/ B/1版。本标准与前版相比，主要修改： 1、在PCB电子线路板编码规则中增加了对版本号为VS的规则。 2、对新增器件流程作了更改。并同时更改了附录A。 本标准的附录为规范性附录 本标准由xx公司提出 本标准由xx仪表技术中心起草并负责解释 本标准主要起草人：范卓霞、杨惠、应仙茶 本标准主要修改人：马俐霞 本标准实施日期：2008年首次发布，并经2009年1月，6月，2010年5月三次修订
xx公司企业标准 电子元器件和模块编码规则管理办法 受控号：版本号： C/0 1 范围 本标准规定了制造电子式电能表及系统所需的各种电子元器件(简称“器件”)及模块的编码规则和管理办法，并对物料的描述进行规范。 本标准适用于电子式电能表产品及系统在设计、计划、制造、采购、检验、贮存等生产经营及管理活动中对生产制造电子式电能表产品所需的器件、模块进行描述、编码及管理。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。 Q/HL 企业管理信息编码总则 Q/HL 电能表物料编码规则和管理办法 Q/HL 电能表材料采购管理办法 3 术语和定义 器件 包括电阻、敏感电阻、电容、电感、半导体分立元件（二极管、三极管、防雷管、 红外发射管、红外接收管、可控硅、光耦、桥堆、霍尔元件、稳压器等）、集成 块、晶振、开关、接插件、电池、液晶、背光组件、蜂鸣器、继电器/继电器组件、变压器、互感器、计度器、滤波谐振器、导线组件等。 模块 指器件装焊在PCB板上加工而成的半成品，包括主印制板装配、电源板装配、功能 板装配、显示板装配、计量板装配、载波板装配、RS485装配、射频板装配、接口板装 配、模拟板装配、核心板装配、GPRS板装配、ZigBee板装配等。 新增器件 3.3.1新产品开发及老产品改进所涉及到的新增加的电子元器件。 3.3.2器件替代或增加品牌，且对品牌有要求的所涉及到的新增加的器件，一般指集成 块、光耦、电池、压敏电阻、热敏电阻、电解电容、红外发射管、红外接收管、变压 器、互感器、液晶等，其它器件视设计要求而定。
电气元件命名规则
一、互感器命名 互感器的种类: 油浸式电流互感器 110kV及以上35-60kV27.5kV及以下 浇注式电流互感器 27.5kV及以上15-20kV10kV及以下 发电机组用电流互感器发电机组用电流互感器 发电机母线用电流互感器发电机母线用电流互感器 GIS组合电器用电流互感器 GIS组合电器用电流互感器 干式电流互感器干式电流互感器 油浸式电压互感器 110kV及以上35-60kV27.5kV及以下 浇注式电压互感器 27.5kV及以上15-20kV10kV及以下 组合式互感器组合式互感器 零序电流互感器零序电流互感器 电容式电压互感器电容式电压互感器 SF6气体电流互感器 SF6气体电流互感器 互感器型号字母含义: LCZ-35Q L 电流互感器 Current transformer C 手车式 Handcart type Z 浇注式 Casting type 35 额定电压（kV） Highest voltage for equipment(kV) Q 结构代号 Structure code LDZB6-10Q L 电流互感器 Current transformer D 单匝式 Z 浇注式 Casting type B 带保护级 Wity protective class 6 设计序号 Design Number 10 额定电压（kV） Highest voltage for equipment(kV) Q 结构代号 Structure code LDJ2-10 L 电流互感器 Current transformer D 带触头盒 J 加强型 Reinforced type 6 设计序号 Design Number 10 额定电压（kV） Highest voltage for equipment(kV) LFSQ-10Q L 电流互感器 Current transformer F 封闭式 Hermetical type S 手车式 Handcart type Q 加强型 Reinforced type 10 额定电压（kV） Highest voltage for equipment(kV)
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式 半导体器件(semiconductor device)通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。 1、物质的分类 按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。导电能力用电阻率衡量。 导体：具有良好导电性能的物质，如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω?cm 绝缘体：导电能力很差或不导电的物质，如玻璃、陶瓷、塑料。 电阻率在108Ω?cm以上 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，如锗、硅。 纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω?cm 2、半导体的特性 与导体、绝缘体相比，半导体具有三个显著特点：
公司电子元器件和模块编码规则管理办法
xx公司企业标准 Q/HL202.15-201 受控号：版本号： C/0 代替Q/HL202.15-2009 电子元器件和模块编码规则管理办法 2010-06-17 发布 2010-06-19实施 x x公司发布
前言 本标准规定了制造电子式电能表及系统所需的各种电子元器件及模块的编码规则和管理办法，并对物料的描述进行规范。 本标准适用于电子式电能表及系统产品在设计、计划、制造、采购、检验、贮存等生产经营及管理活动中对生产制造电子式电能表及系统产品所需的电子元器件及模块的描述、编码及管理。 本标准现行有效版本为Q/HL202.15-2010 B/2版,代替Q/HL202.15-2009 B/1版。本标准与前版相比，主要修改： 1、在PCB电子线路板编码规则中增加了对版本号为VS的规则。 2、对新增器件流程作了更改。并同时更改了附录A。 本标准的附录为规范性附录 本标准由xx公司提出 本标准由xx仪表技术中心起草并负责解释 本标准主要起草人：范卓霞、杨惠、应仙茶 本标准主要修改人：马俐霞 本标准实施日期：2008年首次发布，并经2009年1月，6月，2010年5月三次修订
xx公司企业标准 电子元器件和模块编码规则管理办法 受控号：版本号： C/0 1 范围 本标准规定了制造电子式电能表及系统所需的各种电子元器件(简称“器件”)及模块的编码规则和管理办法，并对物料的描述进行规范。 本标准适用于电子式电能表产品及系统在设计、计划、制造、采购、检验、贮存等生产经营及管理活动中对生产制造电子式电能表产品所需的器件、模块进行描述、编码及管理。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。 Q/HL 202.01 企业管理信息编码总则 Q/HL 202.05 电能表物料编码规则和管理办法 Q/HL 215.02 电能表材料采购管理办法 3 术语和定义 3.1器件 包括电阻、敏感电阻、电容、电感、半导体分立元件（二极管、三极管、防雷管、红外发射管、红外接收管、可控硅、光耦、桥堆、霍尔元件、稳压器等）、集成块、晶振、开关、接插件、电池、液晶、背光组件、蜂鸣器、继电器/继电器组件、变压器、互感器、计度器、滤波谐振器、导线组件等。 3.2模块 指器件装焊在PCB板上加工而成的半成品，包括主印制板装配、电源板装配、功能板 装配、显示板装配、计量板装配、载波板装配、RS485装配、射频板装配、接口板装配、 模拟板装配、核心板装配、GPRS板装配、ZigBee板装配等。 3.3新增器件 3.3.1新产品开发及老产品改进所涉及到的新增加的电子元器件。 3.3.2器件替代或增加品牌，且对品牌有要求的所涉及到的新增加的器件，一般指集成块、光耦、电池、压敏电阻、热敏电阻、电解电容、红外发射管、红外接收管、变压器、互感器、液晶等，其它器件视设计要求而定。 4 职责和管理 4.1企业管理部负责本标准的组织制定、审批和归口管理。