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2013金属腐蚀理论及应用试题答案

2013金属腐蚀理论及应用试题答案
2013金属腐蚀理论及应用试题答案

2013金属腐蚀理论及应用试题

一、名词解释:(5分)

平衡电位:当金属正离子进入溶液成为水合金属离子后,由于静电作用不仅水合了该金属正离子能回到金属中去,而且也能将溶液中水合了的其他正离子吸引

到金属上去。当这两个相反过程速率相等且又可逆时,会产生一个稳定的

电极电位,称为平衡电位。

腐蚀电位:在金属腐蚀过程中,腐蚀金属电极表面上常常有两个或更多个电极电极反应同时进行,当这些电极反应的阴极反应和阳极反应痛同时以相等的速率

进行时,电极反应将发生相互耦合,阴、阳极反应的电位由于极化原因而

相互靠拢,最后达到一个共同的非平衡电位,此电位称之为混合电位,也

称为腐蚀电位。

绝对电位:浸在某一电解质溶液中并在其界面发生电化学反应的导体称之为电极。当金属和电解质溶液接触时,在金属/溶液界面处将产生电化学双电层,此双

电层的金属相与溶液相直接的电位差称之为电极电位。单个电极上的双电

层电位差的绝对值称之为绝对电位。但是单个电极的绝对电位无法测定。AISI:AISI是美国的一种行业标准,是“美国钢铁学会标准”的英文首字母缩写。

选择性氧化:在多个元素氧化过程中,存在着竞争氧化的现象,即存在着某一个元素优先氧化的问题,这个现象叫做选择性氧化。

二、回答下列问题:(15分)

1.含有二氧化碳的软水,通过两套不同的供水系统,(1)软水流经铜管进入镀锌的钢水槽,半年左右镀锌的钢水槽发生穿孔腐蚀;(2)软水流经镀锌管后进入镀锌的钢水槽,四年多尚未发现镀锌的钢水槽有局部腐蚀。请问这是为什么?

答:(1)软水含有CO2呈酸性,为导电的腐蚀介质。铜与锌、铁比较,无论标准电位还是电偶序,其电位数值都较高,因此,理论上会发生电偶腐蚀。其原因有两种可能:

第一种可能性:如果铜管与镀锌水箱直接连接,在连接处附近会发生电偶腐蚀,导致水箱泄漏。

第二种可能性:如果采取了绝缘措施,对铜管而言,水中含氧可发生氧去极化腐蚀,即阳极Cu→Cu2++2e,阴极O2+4H++4e→2H2O,结果使水流经铜管后含有了Cu2+离子。含有Cu2+离子的水进入水箱后,与锌发生置换反应,实质是发生了铜离子还原的阴极反应Cu2++2e→Cu(Cu2+是极强的氧化剂),使铜沉积于水箱的靠近进口的部分表面,这样沉积铜的表面为阴极,金属锌为阳极,发生了间接电偶腐蚀。当镀锌层消耗后漏出铁时,铁仍为阳极,继续腐蚀,直至穿孔。

(2)不存在电偶腐蚀问题,发生的腐蚀为均匀腐蚀,而且镀锌层在常温水中耐腐蚀性较好,所以使用寿命更长。

2.为了防止双金属腐蚀,有人把涂料涂刷在贱金属(电位较负的金属)上,以防贱金属加速腐蚀,你对这种做法有何看法?

答:这种做法是不对的,会加速贱金属的腐蚀,原因如下:

涂料一般指有机涂层,除添加锌粉等的特殊涂层外,一般有机涂层不导电,多为阴极性涂层,而且有空隙,避免不了水分子的渗透,因此单独使用涂料很容易出现大阴极

小阳极的局部腐蚀电池情况。而电化学腐蚀原理表明:小阳极大阴极组合会加速阳极腐蚀,反之大阳极与小阴极的连接则会降低腐蚀速率。

因此,大阴极小阳极的组合不是过早穿孔,就是空隙处膜下发生腐蚀而产生的腐蚀产物使涂层鼓泡、脱落,其防腐寿命很短。

3.第二次世界大战后不久,美国制造了一艘豪华游船“海洋在召唤号”,船体用蒙乃尔(Monel)做外壳,用钢钉铆接。可在海洋中试航不久,船体主要构架发生了严重的破坏,最后不得不报废了,请你分析一下是什么原因?属于什么形态腐蚀,你认为用什么防护措施可以减轻或防止其腐蚀破坏。

答:船体报废的原因:

船体用钢钉铆接后,钢钉与蒙乃尔合金的金属活泼性不同,在海水这种电解质溶液中形成原电池的原理,加速了两种金属中间的化学腐蚀,致使船体主要构架严重破坏,最后报废。

所属的腐蚀类型:

这种腐蚀是一种电化学腐蚀,是电偶腐蚀,也是缝隙腐蚀,均是局部腐蚀的一种形式。电偶腐蚀是两种或两种以上不同电极电位的金属处于腐蚀介质内相互接触而引起的电化学腐蚀,又称接触腐蚀或双金属腐蚀。缝隙腐蚀它可能发全于溶液停滞的缝隙之中或屏蔽的表面内,这样的缝隙可以在金属与金属或金属与非金属的接合处形成。

防护措施:

电偶腐蚀的主要防止措施有:

①选择在工作环境下电极电位尽量接近(最好不超过50毫伏)的金属作为相接触的电偶对;

②减小较正电极电位金属的面积,尽量使电极电位较负的金属表面积增大;

③尽量使相接触的金属电绝缘,并使介质电阻增大;

④充分利用防护层,或设法外加保护电位。选择防护方法时应考虑面积律的影响,以及腐蚀产物的影响等。

三、奥氏体不锈钢与铁素体不锈钢均会产生晶间腐蚀,它们的机理有何异同?(10)

答: 奥氏体不锈钢晶间腐蚀的机理主要有“贫Cr理论”, 晶界区选择性溶解理论,阳极相理论,吸附理论

(1)“贫Cr理论”

含碳量较高的奥氏体不锈钢的晶间腐蚀是由于晶界区的贫铬所引起的。C在奥氏体中的饱和溶解度<0.02%,不锈钢的C含量一般都高于这一数值。当不锈钢固溶处理后,C处于过饱和状态。当不锈钢再次经过敏化温度范围(600~800℃)加热后又处于腐蚀介质中时,由于在加热过程中沿晶界析出了铬的碳化物,导致晶界附近铬的含量下降而出现贫铬区,当贫铬区铬的含量低于某种腐蚀介质的最低耐蚀铬含量要求时,贫铬区作为阳极被腐蚀。由于贫铬区很窄,又紧挨着晶界,所以表现为晶界腐蚀。

(2)晶界区选择性溶解理论

不锈钢在强氧化性介质中也会发生晶间腐蚀,但不发生在经过敏化处理的不锈钢,而是发生在经固溶处理的不锈钢上。对于这类晶间腐蚀显然不能用贫Cr理论来解释,可用晶界区选择性溶解理论来解释。当晶界上析出了σ相(FeCr金属间化合物),或是有

杂质(如P、Si )偏析,在强氧化性介质中便会发生选择性溶解,以致发生晶间腐蚀.而敏化加热时析出的碳化物有可能使杂质不富集或者程度减轻,从而消除或减少晶间腐蚀倾向。

(3)阳极相理论

随着冶炼工艺的提高,已能够生产出低碳、超低碳不锈钢,因而碳化物析出而引起的晶间腐蚀已大为减少。然而当超低碳不锈钢,特别是高Cr、Mo钢在650~800℃受热后在强氧化性介质中也会发生晶间腐蚀,但不发生在经过敏化处理的不锈钢,而是发生在经固溶处理的不锈钢上对于这类晶间腐蚀显然不能用贫Cr理论来解释。这是因为在晶界形成了Fe-Mo或Mo-Fe金属间化合物,在过钝化条件发生了选择性溶解。

(4)吸附理论

杂质(如P、Si)的偏析,在强氧化性介质中便会发生选择性溶解,以致发生晶间腐蚀。

铁素体不锈钢晶间腐蚀的机理主要有亚稳相溶解理论,亚稳沉淀相理论,贫铬理论(1)亚稳相溶解理论

这种理论认为高温在晶界形成奥氏体薄膜,这种膜是富C而贪Cr的。有人认为在化学介质中晶间腐蚀就是沿着这种不稳定的奥氏体薄膜进行的;而也有人认为受腐蚀的是这种奥氏体所转变成的马氏体。

(2)亚稳沉淀相理论

这种理论认为高温(约高于1000℃)时,晶界富集碳而形成奥氏体,快速冷却时,在γ/界面沉淀易于腐蚀的碳化物,故有晶间腐蚀趋势。在750℃的附近加热,碳化铁转α

化为碳化铬,故耐晶间腐蚀。

(3)贫铬理论

这种理论指出,敏化处理时,碳向晶界的扩散较铬为快,因此在晶界及其邻近区域的铬由于(CrFe)23C6在晶界的沉淀而发生贫铬现象。如果铬量降低到钝化所需的铬量极限以下,由于构成大阴极一小阳极的微电池,加速了沿晶粒间界的腐蚀。贫铬理论不仅长期以来可以满意地说明奥氏体不锈钢的晶间腐蚀问题,近年来也较满意地解释铁素体不锈钢的晶间腐蚀问题。

铁素体不锈钢晶间腐蚀的特点:

1.铁素体不锈钢从约925℃以上急速冷却(变为敏化态),易发火晶间腐蚀,另外,从冷却速度的影响来看,以空冷后的晶间腐蚀倾向最大;

2.焊后的普通铁素体不锈钢产生晶间腐蚀的位置是在焊接接头的紧邻熔合线处;

3.对于已处于晶间腐蚀敏感状态的铁素体不锈钢,一般经由大约700~800℃短时间回火处理便可减少或消除晶间腐蚀倾向;

4.与奥氏体不锈钢不一样,铁索体不锈钢碳含量降低至超低碳钢级(0.03%C),还不足以避免晶间腐蚀倾向,而须要更高的纯度。

四、以海上采油平台(材料为Q235钢)为例,说明海洋腐蚀的特点?(10分)

答: 海水是一种含有多种盐类的电解质溶液,除了电位很负的镁及其合金外,大部分金属材料在海水中都氧去极化腐蚀。

对于处于海水环境中的海上采油平台来说,如同轮船一样飘浮在海面上,制造平台的Q235碳钢分别处于全浸区、潮汐区、飞溅区和大气区,锚固金属处于海泥区。

海洋环境腐蚀机理为阴极氧去极化控制的电化学腐蚀过程,因此其腐蚀速度主要由海水的含氧量决定,氧含量高则腐蚀性强。

1)全浸区:平均低潮线以下的位置为海水全浸区。根据海洋的深度不同,又分为浅海区和深海区,二者并无确切的深度界限,一般所说的浅海区大多指100~200m以内的海水。海洋环境因素如温度、含氧量、盐度、pH值等随海洋的深度而变化,所以海水深度必然影响到全浸区金属的腐蚀行为。其中是最为主要的因素是温度和含氧量。全浸区中钢铁的腐蚀速度在0.07~0.18mm/a。浅海区海水氧处于饱和态,温度高,海水流速大腐蚀比深海区大,海洋生物会粘附在金属材料上。一般来说,20m水深以内的海水较深层海水具有更强的腐蚀性。深海区的含氧量较小,温度接近0℃,海洋生物的活性减小。2)潮汐区:指平均高潮位与平均低潮位之间的区段,对于海洋平台金属,潮汐区海水含氧多为阴极区域,全浸区含氧低为阳极区域,结果导致靠近平均低潮线的全浸区腐蚀速度大于潮汐区。金属表面与含氧充分的海水周期性地接触,引起腐蚀。与飞溅区相比,潮汐区的氧扩散没有飞溅区那样快,也无强烈的海水冲击。潮汐区金属表面温度受气温影响也受海水温度的影响,通常接近于表层海水温度。潮汐区的腐蚀通常是平均高潮位和平均低潮位最为严重,这是氧浓差电池的作用。潮差段因供氧充分,成为阴极,受到一定程度的保护,腐蚀减轻。低潮位以下全浸区因供氧相对较少成为阳极,使腐蚀加速。在工程设计上,有时把潮差区并入飞溅区一起考虑,并不是因为两段间的腐蚀是一样的,而是从施工、维护和阴极保护方面加综合考虑,使之协调一致。

3)飞溅区:指平均高潮线以上海洋飞溅所能湿润的位置。在这个部位,金属材料表面连续不断地被海水湿润,海水又与空气充分接触,含氧量充分,含盐量很高,加上海水的冲击作用,腐蚀在这个部位最为严重。当很高的风速和海流速造成强烈的海水运动时,海水的冲击会在飞溅区成磨耗-腐蚀联合作用的破坏。同时强烈的海水冲击不断地破坏腐蚀产物和保护涂层,增加了飞溅区的腐蚀。

4)大气区:飞溅区以上为海洋大气区,金属表面液膜中含导电粒子量低于海水,所以腐蚀速度最低。

5)海泥区:主要由海底沉积物构成,含盐度高,电阻率低,因此是良好的电解质,对金属的腐蚀要比陆地上土壤要高。由于氧浓度十分低,所以海泥区的腐蚀比全浸区要低。

五、锡在电动序表中相对铁是阴极,为什么大量用镀锡板制作食品包装的罐头盒;而锌相对铁是阳极,为什么在高于60℃使用时,镀锌管反而会加速基体铁管的腐蚀?(10)

答:锡在电动序及含氧的介质中对铁是阴极。但在作为食品包装罐头盒的情况下,属于缺氧环境,食品中含有有机酸,电化学腐蚀过程为阴极氢去极化的过程。一方面锡易与食品中羰酸形成络合物而使锡离子浓度极低通过能斯特方程式计算,当腐蚀产生的离子与络合剂络合后,溶液中离子含量极低,实际电极电位变得更负,另一方面氢在锡上析出的过电位很高,所以在缺少氧去极化剂的情况下锡优先铁而溶解,为阳极,而且腐蚀速度很慢,铁为阴极而被保护。关键是锡形成络合物,铁不形成络合物,所以导致实际电位次序改变。

锌在高于60℃的水中使用时,形成疏松颗粒状的腐蚀产物,没有保护性。由于锌的电位很负,腐蚀速度很高,之所以用作耐腐蚀材料是因为腐蚀产物的保护性而使腐蚀速度减小,一旦腐蚀产物失去保护性,镀锌层很快就会被消耗掉。因为镀锌层在60~90℃水中腐蚀速度极快,是否发生了电化学极性逆转已不重要,所以镀锌层不能用于热水中。

六、引起冷却水(淡水和海水)系统中材料腐蚀的主要影响因素有哪些?其基本防护途径是什么?(10分)

答: 引起冷却水(淡水和海水)系统中材料腐蚀的主要影响因素有:

(1)水中溶解氧

循环冷却水系统中,冷却水含有丰富的溶解氧,在正常情况下,循环冷却水在30℃左右时,水中含氧4~6mg/L。溶解氧对钢铁有两个相反的作用,一是参加阴极反应,加速钢铁腐蚀;二是钢铁表面形成氧化膜,抑制钢铁的腐蚀。一般,主要因素往往不会超过临界点值,所以溶解氧是加速腐蚀的主要因素。

(2)水中溶解盐的浓度

水中溶解盐的浓度对腐蚀的影响综合起来有以下三个方面。

①水中Cl1-、SO42-等离子的含量高时,将使水的导电性增大,容易发生电化学作用,使腐蚀加剧。

②水中的PO43-、CrO42-等离子能钝化钢铁或生成难溶沉淀沉积于金属表面,起到防腐作用。如产生Fe(OH)2的胶体状沉淀物下降,腐蚀速度减慢。

③可使氧的溶解度下降,进而使阴极过程减弱,导致腐蚀速度减慢。

(3)水的温度

像大多数化学反应一样,水的温度对腐蚀的影响,其速率随着水温的升高而成比例的增加。一般情况下水温每升高10℃,钢铁的腐蚀速率增加30%,主要是由于水温升高导致氧扩散系数增大,溶液电导增加,腐蚀电流增大。但是,水温升高可使水中溶解氧浓度减少。因此,多方面的因素对实际装置的影响表现是不一样的。

(4)水的PH值

在正常温度下,水的pH值一般在4.3~10.0之间,碳钢在这样的水溶液中,它的表面常形成Fe(OH)2覆盖膜,此时腐蚀速率几乎与pH值无关,pH值在10.0以上时,铁表面被钝化,腐蚀速率继续下降。当pH值低于4.0时,铁表面保护层被溶解,水中H+浓度因而发生析氢反应,腐蚀速率将急剧增加。由于水中钙硬的存在,CaCO3保护膜在PH值偏酸性时不易形成,其腐蚀速度比偏碱时高。

(5)水流速度

碳钢在冷却水中被腐蚀的主要原因是氧的去极化作用,而腐蚀的速度又与氧的扩散速度有关。流速的增加将使金属壁和介质接触面的层流便薄而有利于溶解氧扩散到金属表面。同时,流速增大时,可冲去沉积在金属表面的腐蚀、结垢等生成物,使溶解氧更易于向金属表面扩散,导致腐蚀加速,所以碳钢的腐蚀速度随水流速度的增加而加大。一般来说,水流速在0.6~1m/s时,腐蚀速度最小。

基本防护途径:

(1)材料的选定

材料的选定是海水直流冷却系统防腐设计的首要原则。

海水直流冷却系统常用材料如下:

①海水取放水管: 通常为钢管(或衬里) 或钢筋混凝土管。

②海水配管: 主要为铸铁管(或衬里) , 也有少量塑料管(聚氯乙烯、聚乙烯)、不锈钢管和混凝土管。

③海水换热器: 换热管材通常为铝黄铜(HA l- 77- 2A )、白铜(铜镍合金、B10、B30) 和钛管(TA2) , 也有少量采用耐海水不锈钢管; 管板通常为锡黄铜(Cu- 40Zn- 112Sn)、铝青铜(Cu- 9Al-3Fe- 1Mn- 1Ni)、白铜(B10、B30) 和钛板。

④海水泵: 通常为低镍铸铁, 也有铜合金和316L不锈钢等材质。

(2)阴极保护

阴极保护是海水直流冷却系统中重要防腐技术之一。在绝大多数情况下, 金属在海

水中的腐蚀为电化学腐蚀。在一定条件下, 将金属进行阴极极化以减小和防止金属腐蚀的方法称之为阴极保护法。阴极保护技术包括: 外加电流阴极保护和牺牲阳极阴极保护两种方法。适用于铸铁、低碳钢、低合金钢、不锈钢、铜合金、铝合金、钛等设备的防腐。其不仅可以防止均匀腐蚀, 对防止孔蚀、缝隙腐蚀、应力腐蚀等也是有效的。

对于海水直流冷却系统, 需要进行阴极保护的主要结构与设备有:取水头及引水钢管、拦污栅、清污机、海水泵、旋转滤网、二次滤网、凝汽器、收球网、冷却器、管道和埋地侧管线等。

(3)涂层防腐

涂层防腐是海水直流冷却系统中重要防腐技术之一。主要用于低碳钢和低合金钢设备的防腐。其防腐效果主要取决于涂料的性能, 但配套品种和施工工艺亦十分重要。

用于海水体系的防腐涂层主要包括金属涂层和有机涂层。

金属涂层主要包括纯Zn、纯Al和Zn-Al合金涂层, 其中又以Zn-Al合金(Al> 30% ) 涂层防腐效果最好, 经验表明:金属涂层和有机涂层配套使用,在海洋条件下的保护寿命可达10a以上。有机涂层作为海水体系防腐涂层种类主要有:环氧树脂漆、乙烯树脂漆、氯化橡胶漆、聚氨酯漆、无机富锌底漆等。

另外, 涂层与阴极保护联合使用, 是经济、有效的防腐方法。

(4)缓蚀剂

亚铁离子成膜是目前发电厂铜合金凝汽器海水直流冷却系统中广泛采用的一种防腐方法, 对铜合金的冲击腐蚀、脱锌腐蚀和应力腐蚀都有明显效果。成膜所需的亚铁离子可以由加入硫酸亚铁提供或采用电解法直接产生。成膜方式可以是一次造膜、运行中定期加入或低浓度连续注入。亚铁离子成膜工艺直接影响成膜效果, 成膜不当则没有保护效果, 甚至会加速腐蚀; 另外, 对于污染海水特别是H2S等还原性物质污染时, 亚铁造膜亦没有保护效果。

(5)联合保护

在海水直流冷却系统中, 通常采用多种防腐对策进行联合保护, 才能达到良好效果。以电厂凝汽器为例, 防止铜合金管泄漏的较有效措施为采用海绵球清洗、亚铁成膜及阴极保护三者的联合保护。海水管路通常采用涂层、阴极保护等防腐措施进行联合保护。

七、有一条钢自来水管从城市的地下通过,试提出两种合理的防腐措施对其进行有效的保护.

答: 水管的腐蚀环境:自来水管在城市地下通过,管内遭受自来水腐蚀,管外遭受土壤腐蚀及杂散电流腐蚀。

管内防腐措施:

(1)管道衬里自来水不能被污染,所以一般不使用普通有机涂层。可以使用无机涂层、金属镀层或无毒有机涂层,无机涂层常用水泥砂浆衬里,适用于直径较大管道;金属涂层可用热浸镀锌或热浸镀铝钢管;无毒有机涂层可使用聚氨酯涂层等。

(2)高压水射流清洗

可以采用用高压水射流对水管进行周期性清洗的方法,高压水射流清洗是一种比较普遍采用地方法,它是利用从高压泵打出来的高压水经水管到达喷嘴,然后把高压力低流速的水转换为低压力高流速的射流对管道内部进行连续不断的冲洗,从而使管道内部的垢物脱落下来,这样可以抑制管道内部的腐蚀,恢复了管道的通水能力,经试验研究这种方法有很好的效果,并且达到了高效,节能的效果。

(3)在钢管内使用塑料衬里管道。

管外防腐措施:

腐蚀比管内严重,是防腐的重点。首先用抛光机将表面的锈除净,用破布将浮锈、灰尘、油污擦拭干净,露出金属光泽。然后涂刷涂层。使用的涂层可以是: (1)熔结环氧粉末防腐层

熔结环氧粉末防腐层是将防腐用环氧粉末通过静电涂覆技术,涂覆在230度左右的钢管上,环氧粉末在钢管表面熔融并固化。

(2)三层聚乙烯防腐层

三层聚乙烯防腐层的结构为溶解环氧-共聚物胶粘剂-聚乙烯防腐层,简称三层PE。该防腐层是以环氧粉末涂料为底漆,以改性聚烯烃为中间层,以聚乙烯为面层,由于改性聚烯烃分子链上接枝了马来酸酐,因此可以与环氧底漆形成化学结合,同时又可以和面层形成物理融合,从而形成统一的整体,表现出优异的性能。

(3)石油沥青涂层(石油沥青+玻璃布+表面聚氯乙烯膜),特点是技术成熟,成本较低。

(4)石油沥青涂层+阴极保护。或聚氨酯涂层、2PE、3PE等。

八、根据腐蚀反应的特点,用系统防护的观点,控制金属腐蚀,有哪些途径和方法?(10)

答: (1)合理设计结构,在设计设备时就从设备的形状、安装等方面来防止或减缓腐蚀速度。考虑制造加工方法对防腐蚀的影响及防腐施工的方便性。

(2)合理选择材料。根据金属材料的腐蚀数据,选择对特定环境腐蚀率低、价格便宜、性能好的材料,是常用的、简便的控制腐蚀的方法,可以使设备获得经济、合理的使用寿命。

(3)在界面上采取防腐措施,如电化学保护,施加防护涂层等。金属保护中常用对其表面进行处理以防止腐蚀。金属在接触使用环境之前,先用钝化剂或成膜剂(铬酸盐、磷酸盐、碱、硝酸盐和亚硝酸盐混合液等)处理,表面生成稳定密实的钝化膜,抗蚀性大大增加。用有机涂料保护大气中的金属结构是应用最广的传统防腐手段。

(4)改进环境条件,如对介质进行处理,添加缓蚀剂等,如果能消除金属材料和设备在使用环境中引起腐蚀的各种因素,腐蚀就会中止或减缓。但是多数环境条件是无法控制的,如大气和土壤中的水分、海水中的氧等都不可能除去。生产流程也是不能任意改动的,这时可以调整局部环境。例如锅炉进水先去氧(加入脱氧剂Na2SO3和N2H4等),可保护锅炉管少受腐蚀;先除去密闭仓库进入空气的水分,可免贮存金属部件生锈;在水中经常加入碱或酸以调节pH至最佳范围(通常接近中性),可以防止冷却水对换热器和其他设备的结垢、穿孔;炼制石油的工艺中也常加碱或氨,使生产流体保持中性至弱碱性。

(5)通过各种合理的管理措施,加强对关键部位的监控和改善维修等措施来最终达到提高整个设备运行中的耐腐蚀能力。

九、某电站海水循环冷却系统原设计用材为耐海水腐蚀低合金钢10CrMoAl,但在使用5年后出现严重的腐蚀泄漏,检修切开管道发现管内壁被锈层覆盖,锈层中含有大量锈瘤,锈瘤外壳呈黄褐色,较为致密,打破外壳后内层为比较疏松的浮锈,锈层下的金属基体腐蚀严重,呈不均匀的溃疡状腐蚀,个别腐蚀坑深度较大,出现穿孔。在损坏的阀门内壁有水流状腐蚀沟槽。试用腐蚀失效分析方法分析与推测腐蚀失效原因。(10)

答: 腐蚀失效分析方法一般分为两步:(1)现场调查;(2)实验室分析。

(1)在现场调查的过程中要了解以下几点:

1.了解失效设备的名称、尺寸、形状、材料牌号、制造厂家及全部的制造工艺历史(了解冶炼、铸造、加工、热处理及装配等情况)、投入运行日期、运行记录、维修记录、工艺流程及操作规程等。

2.了解失效设备或部件的结构和制造特征以及失效部件和碎片的腐蚀外观,如附着物和腐蚀生成物的收集以及一切可疑的杂物和痕迹的观察等。

3.了解腐蚀失效设备或管线的服役条件及服役历史(介质环境、温度、压力和以前相关的监测情况),应特别注意环境细节和异常工况,如突发超载、温度变化、压力和偶然与强腐蚀介质的接触等。

4.听取操作人员及佐证人介绍发现腐蚀失效的情况及其相应的处理方法。

5.收集同类或相似部件过去曾发生过的腐蚀失效情况。

(2)实验室分析。题目中已经写明现场调查所需要得到的主要内容,所以以下着重从所观察的现象上分析腐蚀失效原因。

1.题目中指出发现管内壁被锈层覆盖,锈层中含有大量锈瘤这可能是因为循环冷却水在冷却塔散热时暴露在空气中,会有粉尘,微生物,细菌等进入,而循环水中的环境特别适宜这类生物在里面生存,并大量繁殖,时间久了形成大量污垢,粘泥等附着在管道内壁上.对内壁造成腐蚀,剥落下来的铁锈与粘泥混杂后再与水中的钙离子镁离子等结合产生氧化铁碳酸钙碳酸镁等等的混合物,成分复杂. 因此可以在管道内部发现大量呈黄褐色的锈瘤,并且锈瘤在肉眼下观察时,显得比较致密。

2.腐蚀介质:从腐蚀介质方面考虑,在循环水处理过程中,大多数用自来水补充。而自来水中一般都溶解有一定量的氯离子、O2、CO2,并且还溶解有各种各样的盐类,包括Na盐,Ca盐和Mg盐等,这些物质都会与循环水设备即管道形成原电池。

3.基体严重腐蚀及穿孔的原因:一方面,在水的重复利用过程中,随着水分的蒸发,水中的溶解盐类、悬浮固体及非挥发性有机物浓度逐步增大,超过一定浓度时在管道、设备特别是在换热面上发生结垢;另一方面,在水中有溶解氧存在的条件下,以及铁的阳极发生反应,可以促进形成腐蚀电池,造成严重的垢下腐蚀;锈瘤覆盖下的贫氧区与裸露的富氧区之间也能形成氧浓差电池,使金属遭受局部腐蚀,当形成氧浓差电池后,局部区域会由于发生强烈的点蚀而产生穿孔。

4.阀门内壁有水流状腐蚀沟槽的分析:材料的耐点蚀性能与钢中夹杂物特性、脱氧程度、磷含量及其偏析等冶金因素有关。钢表面形成的腐蚀沟槽,与材料中的带状组织有关。平行腐蚀沟槽与钢中的磷偏析有很好的对应性。同时,具有磷偏析的钢通常会形成铁素体和珠光体平行相间分布的带状组织。此外,钢中的条状夹杂物也会造成蚀坑沟槽状的腐蚀形态。

另外条件允许的话,可进行以下分析以进一步确定腐蚀失效原因1)微观组织分析:用金相显微镜、电子显微镜观察腐蚀失效部件的显微组织2)化学成分分析:主要是采用光谱法等测定腐蚀部件的材料是否符合技术要求,有无用错材料或出现成分偏差,必要时可进行微量元素分析或微区成分分析。3)腐蚀产物分析表面形貌观察还要配合相应的腐蚀产物分析结果,才能更有效地分析出材料失效的原因。4)腐蚀形貌观察:腐蚀形貌真实地反映了材料被腐蚀的全过程,通过对材料腐蚀表面形貌的观察,可以进一步详细了解腐蚀过程

十、根据自己的研究方向,查找一个以上有关的腐蚀型式试验标准,对其

简要描述。(10)

答:本人研究生阶段研究的课题:光功能陶瓷材料-Y2O3系透明陶瓷的制备及其光物性研究。我研究的是粉状化合物,不存在腐蚀问题,只是变质问题,因而通过查找,了解了几个腐蚀型式试验标准。

所谓型式试验type test,就是在按某种设计制造一个或多个样品来确定该设计是否符合本标准的全部要求而进行的试验。

标准1:不锈钢点蚀电位测量的试验标准

标准号Standard No.:GB/T 17899-1999,这个标准规定了不锈钢点蚀电位测量方法的试样、试验溶液、试验仪器和设备、试验条件和步骤、试验结果和试验报告。

此标准适用于动电位法测量不锈钢在中性3.5%氯化钠溶液中的点蚀电位。

(1).取样:从板材取样时应使试验面平行于板材的轧面,试验面用符合GB/T 2481.1规定的粒度的砂纸进行研磨,一直磨到粒度为W20的砂纸。为了防止缝隙腐蚀,研磨后可以进行钝化处理(在50℃、20% ~ 30%的硝酸中浸泡1 h以上)。用钎焊或点焊的方法将导线焊在试样上。试样的绝缘,应使最终暴露的试验面的面积为1cm2,板材试样为10mm×10mm,并使试验面处于试样上未受钎焊或点焊热影响的部位。非试验面部分和导线用环氧树脂、乙烯树脂或石蜡松香混熔物等绝缘物进行涂覆。在测定前,用符合GB/T 2481.1规定的粒度为W28号的砂纸进行仔细打磨。打磨后用蒸馏水货去离子水冲洗,再用丙酮或酒精去油。实验前至少准备三个平行试样。

(2).试验溶液的配制:试验溶液为3.5%氯化钠溶液,用符合GB/T 1266规定的分析纯氯化钠35g溶于965mL蒸馏水或去离子水中配制而成。

(3).试验仪器和设备由恒电位仪、电位扫描装置、记录仪、玻璃电解槽(容积大于300mL)和恒温槽组成。参比电极推荐用甘汞电极或氯化银电极,辅助电极用铂电极或石墨电极,辅助电极的面积至少是工作电极面积的2倍。但是在对比试验中,每次试验的参比电极和辅助电极应分别一致。

(4).试验条件和步骤:先将试验溶液注入电解槽中,溶液的体积与试样面积之比不小于200mL/cm2,然后将试验溶液加热并在恒温槽中保温,试验温度为30℃±1℃,测量前向溶液通入纯氮或纯氩,进行半小时以上的预除氧。试验过程中保持对溶液连续通气,通气速度按每升试验溶液0.5mL/min控制。把经过最终打磨试样的试验面全浸没于溶液中,试样的试验面要完全浸没在液面下约0.5~1cm,放置约10min后,从自然电位开始,以电位扫描速度20mV/min进行阳极极化,直到阳极电流达到500~1000μA/cm2为止。若由于装置方面的原因而无法采用20mV/min的条件时,可以用接近20mV/min的电位扫描速度进行。试验后,除去绝缘物,用10倍以上的放大镜检查有无缝隙腐蚀发生,若有发生,则舍去此测量值。每次试验要使用新的试样和试验溶液。

标准2:不锈钢10%草酸浸蚀试验方法

标准号:GB4334.1-84,这个标准适用于检验奥氏体不锈钢晶间腐蚀的筛选试验方法,试样在10%草酸溶液中电解浸蚀后,在显微镜下观察被浸蚀表面的金相组织,以判定是否需要进行硫酸一硫酸铁、65%硝酸、硝酸一氢氟酸以及硫酸一硫酸铜等长时间热酸试验,必要时也可以作为独立的无损检验方法。

此本标准大致上以下几步,

1)对试样进行各种处理、按标准制备好试样。

2)试验溶液:将100g草酸(HG 3——988——76,优级纯)溶解于900ml蒸馏水或去离子水中,配制成10%草酸溶液。

3)把浸蚀试样作为阳极,倒入10%草酸溶液,以不锈钢杯或不锈钢片作为阴极,接通电路,电流密度为1A/c㎡,浸蚀时间90s,浸蚀溶液温度20~50℃。

注:用10%过硫酸胺溶液浸蚀时,电流密度为1A/c㎡,浸蚀时间5~10min。

4)试样浸蚀后,用流水洗净、干燥。在金相显微镜下观察试样的全部浸蚀表面,放大倍数为200~500倍,根据标准判定组织的类别。

5)浸蚀组织的分类,根据标准可查找到显示晶界形态浸蚀组织分类、显示凹坑形态浸蚀组织的分类、筛选试验与其他试验方法

金属腐蚀理论复习题

金属腐蚀理论复习题

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金属腐蚀理论及腐蚀控制复习题 第一章 绪论 思考题 1.举例说明腐蚀的定义,腐蚀定义中的三个基本要素是什么,耐蚀性和腐蚀性概念的区别。 答:腐蚀的定义:工程材料和周围环境发生化学或电化学作用而遭受的破坏 举例:工程材料和周围环境发生相互作用而破坏 三个基本要素:腐蚀的对象、腐蚀的环境、腐蚀的性质。 耐蚀性:指材料抵抗环境介质腐蚀的能力。 腐蚀性:指环境介质对材料腐蚀的强弱程度。 2.金属腐蚀的本质是什么,均匀腐蚀速度的表示方法有哪些? 答:⑴金属腐蚀的本质:金属在大多数情况下通过发生化学反应或是电化学反应后,腐蚀产物变为化合物或非单质状态;从能量观点看,金属与周围的环境组成了热力学上不稳定的体系,腐蚀反应使体系能量降低。 ⑵均匀腐蚀速度的表示方法: ①深度:年腐蚀深度 (p V ) V P =t h ?=d -V △h 是试样腐蚀后厚度的减少量,单位mm ;V -代表失重腐蚀速 度; t 是腐蚀时间,单位y;d 是金属材料的密度;VP 所以的单位是mm /y 。 ②增重: V + =St W +? = St W W 10- W0代表腐蚀前金属试样的质量,单位g ; W 1代表腐

蚀以后经除去腐蚀产物处理的试样质量,单位g; S代表试样暴露的表面积,单位m 2; t 代表腐蚀的时间,单位h 。 ③失重:失重腐蚀速度(-V ) - V = St W -?=St W W 1 0- W0代表腐蚀前金属试样的质量,单位g; W1代表 腐蚀以后经除去腐蚀产物处理的试样质量,单位g; S 代表试样暴露的表面积, 单位m 2; t 代表腐蚀的时间,单位h 。 计算题 计算题 1. 根据表1中所列数据分别计算碳钢和铝两种材料在试验介质中的失重腐蚀速度V- 和年腐蚀深度Vp,并进行比较,说明两种腐蚀速度表示方法的差别。 表1 解:由题意得: (1)对碳钢在30%HNO 3( 25℃)中有: Vˉ=△W ˉ/st =(18.7153-18.6739)/45×2×(20×40+20×3+40×30)×0.000001 =0.4694 g/㎡?h 又d=m /v=18.7154/20×40×0.003=7.798g /c m2 ?h V p=8.76Vˉ/d=8.76×0.4694/7.798=0.53m m/y 对铝在30%HNO 3(25℃)中有: V ˉ=△W ˉ铝/s t =(16.1820-16.1347)/2×(30×40+30×5+40×5)×45×10-6

2013微机原理试题答案课案

12/13学年第二学期末考试试题(A卷) 课程名称微机原理与接口技术 有点参考价值哦 一、填空题(每空1分,共20分) 1、系统总线由(数据总线)、(地址总线)、(控制总线)三类传输线组成。 2、8位二进制补码10110110代表的十进制负数是( -74 )。 3、8086 无论在最大方式,还是在最小方式下都可寻址( 1M )的存储空间。 4、指令MOV DX,OFFSET BUFFER的源操作数的寻址方式是(立即数)。 5、存储器是计算机系统中的存储装置,用来存放(数据)和(程序)。 6、8253芯片内部共包含( 3 )个( 16 )位(减法)计数器。 7、掉电后信息丢失的存储器是(RAM ),掉电后信息不丢失的存储器是(ROM )。 8、I/O接口有(独立编址)和(统一编址)两种编址方式,8088/8086系统采用的是(独立编址)编址方式。 9、某8位D/A转换器,输出电压为0~5V,当输入数字量为40H时,其对应的输出电 压是(1.25 )V。 10、设被测温度的变化范围为0°C~100°C,若要求测量误差不超过0.1°C,应选择(10 )位的A/D转换器? 11、8088CPU的管脚IO/M为低电平时,表示CPU访问(接口),I O/M为高 电平时,表示CPU访问(存储器)。

二、判断题(每题1分,共10分) 1、在8088微处理器引脚中,ALE信号是地址锁存信号。(√) 2、计算机中的运算器、控制器和内存储器合称为中央处理机。(×) 3、CPU访问存储器时,段地址可以由默认的段寄存器提供。(√) 4、数据总线上传送的信息有数据,也可能有指令代码。(√) 5、逻辑地址不是物理地址,但它是唯一的。(×) 6、对部分地址译码的存储器电路,存储器的每一个存储单元都只有一个唯一的物理地址。(×) 7、只读存储器具有掉电后数据不会丢失的特点。(√) 8、IP寄存器是用来存放指令的偏移地址的,用户程序不能直接访问IP寄存器。 (√) 9、串行通信的数据传输速率比并行通信高。(×) 10、逐次逼近型AD转换器和双积分型AD转换器相比具有转换速度快的优点。(√) 三、选择题(每题2分,共20分) 1、数据的输入输出指的是( A )进行数据交换。 A. CPU与外设B.内存与外存 C.存储器与外设D. CPU与存储器 2、指令MOV AX,[DI]中,源操作数的寻址方式为( A )。 A.寄存器间接寻址B.寄存器相对寻址 C.直接寻址D.变址寻址 3、与外存相比,内存的特点是( C )。 A.容量大、速度快、成本高B.容量小、速度快、成本低 C.容量小、速度快、成本高 D.容量大、速度快、成本低

微机原理试题及答案

1 一、选择题(20分,在每小题的4个备选答案中选出一个正确的答案编号填写在该题空白处,每题2分) 1.指令MOV DX,[BX]的寻址方式是 D 。 (A)立即寻址(B)直接寻址(C)寄存器寻址(D)寄存器间接寻址2.若AL的内容为3FH,执行SHL AL,1指令后,AL的内容为 A 。 (A)7EH (B)1FH (C)9FH (D)7FH 解析:shl al ,1 即目的操作数各位左移一次,移动一次,相当于将目的操作数乘以2。3fh=63 63*2=126 126=7eh 故选A 3.属于在工作中需定时刷新的存储器的芯片是 B 。 (A)SRAM (B)DRAM (C)EEPROM (D)EPROM 4.某EPROM芯片上有19条地址线A 0~A 18 ,它的容量为 C 。 (A)128K (B)256K (C)512K (D)1024K 5.8086/8088CPU的SP寄存器是多少位的寄存器 B 。 (A)8位(B)16位(C)24位(D)32位 6.在STOSB指令执行的时候,隐含着寄存器的内容作为操作数的偏移地址, 该寄存器是 D 。 (A)SP (B)BX (C)SI (D)DI 解析:stos数据串存储指令功能:将累加器al或ah中的一个字或字节,传送到附加段中以di为目标指针的目的串中,同时修改di,以指向串中的下一个单元。 7.8255工作在方式0时,下面哪种说法不正确 C 。 (A)A口输入无锁存能力(B)A、B口输出有锁存能力 (C)C口输入有锁存能力(D)A、B、C三个口输出均有锁存能力 解析:对于方式0,规定输出信号可以被锁存,输入不能锁存 8.采用DMA方式来实现输入输出是因为它 A 。 (A)速度最快(B)CPU可不参与操作(C)实现起来比较容易(D)能对突发事件做出实时响应 9.工作在最小模式下,8086/8088CPU芯片中,将地址信号锁存的信号是 C 。 (A)DT/R (B)DEN (C)ALE (D)AEN 10.在LOOP指令执行的时候,隐含着对计数器减1的操作,该计数器是用寄存 器 C 。 (A)AX (B)BX (C)CX (D)DX 解析:loop:循环指令。指令执行前必须事先见重复次数放在cx寄存器中,每执行一次loop指令,cx自动减1。 二、填空题(每小题2分,共10分) 1.两个无符号数相等,该两数相减后ZF标志= 1 。解析:zf: 全零标志位。本次运算结果为0时,zf=1,否则zf=0。 2.执行LODSB后,SI的内容较该指令执行前增加1,说明DF= 0 。

金属腐蚀理论总复习题

金属腐蚀理论及腐蚀控制复习题 第一章 绪论 思考题 1.举例说明腐蚀的定义,腐蚀定义中的三个基本要素是什么,耐蚀性和腐蚀性概念的区别。 答:腐蚀的定义:工程材料和周围环境发生化学或电化学作用而遭受的破坏 举例:工程材料和周围环境发生相互作用而破坏 三个基本要素:腐蚀的对象、腐蚀的环境、腐蚀的性质。 耐蚀性:指材料抵抗环境介质腐蚀的能力。 腐蚀性:指环境介质对材料腐蚀的强弱程度。 2.金属腐蚀的本质是什么,均匀腐蚀速度的表示方法有哪些? 答:⑴金属腐蚀的本质:金属在大多数情况下通过发生化学反应或是电化学反应后,腐蚀产物变为化合物或非单质状态;从能量观点看,金属与周围的环境组成了热力学上不稳定的体系,腐蚀反应使体系能量降低。 ⑵均匀腐蚀速度的表示方法:深度:年腐蚀深度 (p V )V P =t h ?=8.76d -V △h 是试样腐蚀后厚度的减少量,单位mm;V -代表失重腐蚀速度; t 是腐蚀时间, 单位y ;d 是金属材料的密度;V P 所以的单位是mm/y 。 失重:失重腐蚀速度(-V ) - V = St W -?=St W W 10- W0代表腐蚀前金属试样的质量,单位g ; W1代表腐 蚀以后经除去腐蚀产物处理的试样质量,单位g ;S 代表试样暴露的表面积,单 位m 2; t 代表腐蚀的时间,单位h 。 计算题 计算题 1. 根据表1中所列数据分别计算碳钢和铝两种材料在试验介质中的失重腐蚀速度V- 和年腐蚀深度Vp ,并进行比较,说明两种腐蚀速度表示方法的差别。 表1 解:由题意得: (1)对碳钢在30%HNO 3( 25℃)中有: V ˉ=△W ˉ/st

微机原理试题及答案

微机原理试题及答案 微机原理试题及答案 一、填空题(每空1分,共15分) 1、在计算机中,对带符号数的运算均采用补码。带符号负数1100 0011的补码为_10111101_。2、单片机通常采用“三总线”的应用模式,芯片内部设有单独的地址总线、数据总线_ 和控制总线。 3、当使用80C51单片机时,需要扩展外部程序存储器,此时EA应为_0__。 4、若(A)=B3H,(R0)=A8H,执行指令XRL A,R0之后,(A)=_1BH__。 5、在80C51单片机中,带借位减法SUBB指令中,差的D7需借位时,_CY_=1,差的D3需借位时,AC_=1。 6、80C51单片机中,在调用子程序前,用_PUSH__指令将子程序中所需数据压入堆栈,进入执行子程序时,再用___POP__指令从堆栈中弹出数据。 7、在十六进制数与ASCII码值的转换过程中,当十六进制数在0~9之间时,其对应的ASCII码值为该十六进制数加___30H______。 8、外部中断INT0和INT1有两种触发方式:___电平触发方式_____和__边沿触发方式__。 9、在单片机串行通信中,依发送与接收设备时钟的配置情况,串行通信可以分为 __异步通信___和__同步通信_。10、若累加器A中的数据为

0111 0010B,则PSW中的P=__0___。二、选择题(每题1分,共15分) 1、单片机是在一片集成电路芯片上集成了以下部分,除了( D ) A、微处理器 B、存储器 C、I/O接口电路 D、串口通信接口2、一个机器周期包含多少个晶振周期(D ) A、2 B、6 C、8 D、12 3、80C51单片机有21个特殊功能寄存器,其中与串行口相关的有以下几个,除了( B ) A、SBUF B、TCON C、SCON D、PCON 4、 80C51系列单片机具有4个8位的并行I/O口,其中哪个口工作时需要外接上拉电阻(A ) A、P0 B、P1 C、P2 D、P3 5、寄存器中的内容为地址,从该地址去取操作数的寻址方式称为( C ) A、寄存器寻址 B、直接寻址 C、寄存器间接寻址 D、变址寻址6、源地址为1005H。目的'地址为 0F87H。当执行指令“JC rel”时,rel为( B )。A、7EH B、80H C、82H D、84H 7、若(R0)=30H,(30H)=75H,(75H)=90H,执行指令MOV A,@R0后,(A)=__B____。A、30H B、75H C、90H D、00H 8、下列哪个语句是起始地址设置伪指令( A )。A、ORG B、END C、DW D、EQU 9、在80C51单片机中,各中断优先级最低的是( D )。A、外部中断0 B、外部中断1 C、定时器0 D、计数器1 10、80C51单片机的中断响应时间至少需要( C )个完整的机器周期。A、1 B、2 C、3 D、5 11、在80C51单片机中,

金属腐蚀理论及腐蚀控制答案

《金属腐蚀理论及腐蚀控制》 (跟着剑哥走,有肉吃。) 习题解答 第一章 1.根据表1中所列数据分别计算碳钢和铝两种材料在试验介质中的失重腐蚀速度V- 和年腐蚀深度V p,并进行比较,说明两种腐蚀速度表示方法的差别。 解:由题意得: (1)对碳钢在30%HNO3( 25℃)中有: Vˉ=△Wˉ/st = mh 又有d=m/v=20×40×=cm2h Vp=ˉ/d=×=y 对铝在30%HNO3(25℃)中有: Vˉ=△Wˉ铝/st = =㎡h

d=m铝/v=30×40×5×=cm3 说明:碳钢的Vˉ比铝大,而Vp比铝小,因为铝的密度比碳钢小。 (2)对不锈钢在20%HNO 3( 25℃)有: 表面积S=2π×2 .0+2π××= m2 015 Vˉ=△Wˉ/st= g/ m2h 试样体积为:V=π××= cm3 d=W/V== g/cm3 Vp=ˉ/d=×=y 对铝有:表面积S=2π×2 .0+2π××= m2 02 Vˉ=△Wˉ/st= g/ m2h 试样体积为:V=π×2 2×= cm3 d=W/V== g/cm3 Vp=ˉ/d=×=y 试样在98% HNO3(85℃)时有: 对不锈钢:Vˉ=△Wˉ/st = g/ m2h Vp=ˉ/d=×=y 对铝:Vˉ=△Wˉ/st= m2h Vp=ˉ/d=×=y 说明:硝酸浓度温度对不锈钢和铝的腐蚀速度具有相反的影响。

3.镁在L NaCl 溶液中浸泡100小时,共放出氢气330cm3。试验温度25C,压力760mmHg;试样尺寸为2020 (mm)的薄板。计算镁试样的失重腐蚀速度V p。(在25C时水的饱和蒸汽压为) 解:由题意得:该试样的表面积为: S=2×(20×20+20×+20××6 10-m2 10-=840×6 压力P= mmHg = mmHg= 根据PV=nRT 则有放出的氢气的物质的量为: n=PV/RT=×330×6 10-/×(25+= 又根据Mg +2+ H H—>+2 Mg+ 2 Mg腐蚀的量为n(Mg)= 所以:Vˉ=nM(Mg)/St=×840×6 10-×100= g/ m2h 查表得:d Mg= g/cm3 有:Vp=ˉ/d=×=y 4.表面积4cm2的铁试样,浸泡在5%盐酸溶液中,测出腐蚀电流为Icor = 。计算铁试样的腐蚀速度V-和V p。 解:由题意得: 根据Vˉ=A/nF=i cor可知 Vˉ=(A/nF)I cor/s =××2××4×= m2h 查表得d(Fe)= cm3 Vp=ˉ/d=×=y 即铁试样的腐蚀速度Vˉ= g/㎡*h Vp=y 第二章

微机原理试题集题库(带答案)

微机原理及应用习题集库 (2) 一、填空 (2) 二、单项选择题 (8) 三、程序分析题(每小题6分,共24分) (22) 四、判断题(在对的后面画√,错的后面画×): (34) 五:分析判断题(判断对错,并指出错误原因) (42) 六、简答题: (45) 七、程序题 (51) 八、接口芯片的综合编程题 (66) (一)8255A (66) (二)8259A (72) (三). 其它端口编程题 (75)

微机原理及应用习题集库 (请认真复习4、5、7、10、11章后的习题) 一、填空 1.87的原码是 0101 0111B=57H ,补码是 01010111B ,反码 01010111B 。 2.SP总是指向栈顶,若原先SP=2000H,SS=2000H,问CPU执行指令PUSH AX 后,AL内容压入物理地址为 21FFEH 存储单元中,AH内容压入物理地址为 21FFFH 存储单元中。 3.以BX基址寻址,约定的段寄存器是 DS ,以BP基址寻址,约定的段寄存 器是 SS ,变址寻址约定的段寄存器是 DS 。 4.假设某个字的值是1234H,其低位字节地址是20H,高位字节地址是21H,那么 该字地址是 20H 。 5.8086/8088的状态标志有 6(SF、PF、AF、OF、ZF、CF)个。8086/8088系统中,存储器是分段的,每段最大长度是 64K 字节,段内偏移地址从 0000H 到 FFFFH 。 6、CPU访问存储器进行读写操作时,通常在 T3状态去检测READY ,一旦检测

到READY无效,就在其后插入一个 T w周期。 7、汇编语言源程序中的语句有三种类型,它们是指令语句,伪指令 语句,宏指令语句。 8、、8086CPU寻址外设可以有两种方式,一种是直接寻址方式,另一种是间 接寻址方式。 9、CPU与外设之间的连接部件称为 I/O接口,它的基本功能是在 CPU与外设之间起缓冲作用。 10、C PU从主存取出一条指令并执行该指令的时间称(),它通常用若干个() 来表示,而后者又包括若干个()。 ①指令周期②机器周期③时钟周期 答:1-2-3 14、数据的输入/输出指的是CPU与 I/O接口进行数据交换。 15.已知X= -120,则X的原码(用八位二进制表示)是____________,补码(用八位二进制表示)是____________。 16、8088中的指令INT n用(N )指定中断类型。 17、8088的ALE引脚的作用是(地址锁存允许)。 18.一片8255A端口A有( 3 )种工作方式,端口B有( 2 )种工作方式。 19.当8255A口工作在方式1输出时,A口输入信号联络线的名称是 IBF ,

金属腐蚀与防护

《金属腐蚀与防护》教设计案 一、教材分析 山东科技出版选修《化学反应原理》第一章第三节三、金属腐蚀与防护,在学习电解及原电池原理的基础上,通过分析铜铁接触形成原电池的例子,理解金属腐蚀的电化学原理及防护的原则,介绍电化学在生产生活中的应用。 二、教学目标 【教学目标】 知识与技能:1.理解金属的电化学腐蚀,学会防止金属腐蚀的一般方法.2.结合电化学原理,探究分析影响金属腐蚀的外界条件. 过程与方法:从实验探究过程提高对实验现象的观察能力和分析能力 情感、态度与价值观:通过学习金属腐蚀与生产,生活实际相联系的内容,增强学生的学习兴趣,发展学生们的探究能力 【重点难点】金属腐蚀的电化学原理以及防护的原则。 三、教学过程 1、从生活案例引入(图片) 2、分析学习目标 3、对预习情况进行分析 4、学生实验探究并进行讨论,得出结论 5、总结并练习 学案设计如下: 【课前预习】 1、金属的腐蚀 (1)概念:金属或合金与周围环境中的物质发生反应而腐蚀损耗的现象。金属腐蚀一般分为和。 (2)铁锈的生成原理是怎样的?(用反应化学方程式表示) 2、金属的防护 (1)改变金属组成和结构,如在金属中添加其他元素形成等。 (2)加,如在钢铁表面涂油或油漆、覆盖塑料、镀不活泼金属等。 (3)电化学防护 【课内探究】 一、金属腐蚀

[实验探究] 将经过酸洗除锈的铁钉,用饱和食盐水浸泡一下,放入下图具支试管中,观察导管中水柱变化,并思考引起变化的原因? 相同点: 不同点: 练习:如图所示,水槽中的试管内有一枚铁钉,放置数天观察: (1)铁钉在逐渐生锈,则铁钉的腐蚀属于__________腐蚀. (2)若试管内的液 面上 升,则原溶液呈 _____________性,发生__________腐蚀;电极反应: 负极___________________,正极____________________. (3)若试管内的液面下降,则原溶液呈__________性,发 生__________腐蚀;电极反应:负极____________,正 极____________________. 总结: 二、金属的防护 电化学防护: ①牺牲阳极保护法——原理。(阴极):被保护的金属 设备;(阳极):比被保护的金属活泼的金属。 ②外加电流的阴极保护法——原理::被保护的金属设 备;:惰性电极。

微机原理试题及答案 (1)

学年第学期微机原理及应用(A)课程试卷 卷16 班级姓名得分任课教师 一、选择题:(每题分,共18分) 1、DMAC向CPU发出请求信号,CPU响应并交出总线控制权后将( 3)。 反复执行空操作,直到DMA操作结束 进入暂停状态, 直到DMA操作结束 进入保持状态, 直到DMA操作结束 进入等待状态, 直到DMA操作结束 2、有一个实时数据采集系统,要求10ms进行一次数据采集,然后进行数据 处理及显示输出,应采用的数据传送方式为( 3 )。 无条件传送方式查询方式 中断方式直接存储器存取方式 3、在数据传送过程中,数据由串行变并行,或由并行变串行的转换可通过 (3 )来实现。 计数器寄存器移位寄存器 D触发器 4、8088 CPU输入/输出指令可寻址外设端口的数量最大可达(4 )个。 128 256 16K 64K 5、CPU响应中断后,通过( 4)完成断点的保护。 执行开中断指令执行关中断指令 执行PUSH指令内部自动操作 6、并行接口芯片8255A具有双向数据传送功能的端口是(1 )。 PA口PB口 PC口控制口 7、8088CPU处理动作的最小时间单位是(2 )。 指令周期时钟周期机器周期总线周期8.堆栈是内存中(4 )。 先进先出的ROM区域后进先出的ROM区域 先进先出的RAM区域后进先出的RAM区域

9、计算机中广泛应用的RS-232C实质上是一种(3 )。 串行接口芯片串行通信规程(协议) 串行通信接口标准系统总线标准 5--1 10、高速缓冲存储器(CACHE)一般是由( 1 )芯片组成。 SRAM DRAM ROM EPROM 11、鼠标器是一种(3 )。 手持式的作图部件手持式的光学字符识别设备 手持式的座标定位部件手持式扫描器 12、传送速度单位“bps”的含义是( 2 )。 bytes per second bits per second baud per second billion bytes per second 二、填空题:(每空1分,共12分) 1、CPU在响应中断后,自动关中。为了能实现中断嵌套,在中断服务程序中, CPU必须在保护现场后,开放中断。 2、在计算机运行的过程中,有两股信息在流动,一股是数据,另 一股则是控制命令。 3、指令MOV BX,MASK[BP]是以 ss 作为段寄存器。 4、指令REPE CMPSB停止执行时,表示找到第一个不相等的字符 或 CX=0 。 5、设CF=0,(BX)= 7E15H,(CL)= 03H,执行指令 RCL BX,CL后, (BX) = ,(CF)=,(CL)=。0F0A9H 1 3 6、在8088 CPU中,一个总线周期是 CPU从存储器或I/O端口存取一个字 节的时间。 8253定时/计数器有 3 个独立的16位计数器,每个计数器都可按二进制或 bcd 来计数。 三、程序设计(共40分) 1.(10分)假设X和X+2单元与Y和Y+2单元中分别存放的是两个双

微机原理试题和答案

微机原理试题 一、单项选择题(每小题1分,共20分) 1.8086CPU由两个独立的工作单元组成,它们是执行单元EU和( ). A)总线控制逻辑器B)内部通信寄存器 C)指令寄存器D)总线接口单元 2.8086系统若用256KB*1动态存储器芯片可望构成有效存储系统的最小容量是( ). A)256KB B)512KB C)640KB D)1MB 3.Intel8255A使用了()个端口地址。 A)1 B)2 C)3 D)4 4.PC机中为使工作于一般全嵌套方式的8259A中断控制器能接受下一个中断请求,在中断服务程序结束处就( ). A)发送OCW2指令B)发送OCW3指令C)执行IRET指令D)执行POP指令5.RAM是随机存储器,它分为( )两种. A)ROM和SRAM B)DRAM和SRAM C)ROM和DRAM D)ROM和CD-ROM 6.在程序运行过程中,确定下一条指令的物理地址的计算表达式是() A)CS×16+IP B)DS×16+SI C)SS×16+SP D)ES×16+DI 7.( )是以CPU为核心,加上存储器,I/O接口和系统总线构成的. A)微处理器B)微型计算机C)微型计算机系统D)计算机 8.对于掉电,8086/8088CPU是通过( )来处理的. A)软件中断B)可屏蔽中断C)非屏蔽中断D)DMA 9.计算机的存储器采用分级存储体系的主要目的是()。 A)便于读写数据B)减小机箱的体积 C)便于系统升级D)解决存储容量、价格和存取速度之间的矛盾 10.8259A的OCW1----中断屏蔽字( )设置. A)在ICW之前B)只允许一次C)可允许多次D)仅屏蔽某中断源时11.将十六进制数163.5B转换成二进制数是)( ) A)1101010101.1111001 B)110101010.11001011 C)1110101011.1101011 D)101100011.01011011 12.Intel 8086/8088微处理器有()地址线,直接寻址内存空间的范围是()。A)10条,64KB B)20条,64KB C)16条,1M D)20条,1M 13.Intel 8086/8088微处理器的标志寄存器中,作为记录指令操作结果的标志是()。 A)CF,OF,PF,AF,SF,ZF B) CF,PF,ZF,SF C) OF,DF,IF,SF,ZF,CF D) IF,DF,OF,CF 14.下述对标志寄存器中标志位不产生影响的指令是()。 A)JMP NEXT B) TEST AL,80H C) SHL AL,1 D) INC SI 15.简单的汇编语言程序可以通过()来建立、修改和执行。 A)连接程序B) 调试程序C) 汇编程序D) 编辑程序 16.累加器AL中的内容是74H,执行CMP AL,47H指令后,累加器AL中的内容是()A)2DH B)0D3H C)00H D)74H 17.LINK程序执行后可以生成一个以()为扩展名的文件。 A).COM B).EXE C).OBJ D).LST 18.在8086/8088汇编语言源程序中,两个有符号的整数A和B比较后为了判断A是否大

2013金属腐蚀理论及应用试题答案

2013金属腐蚀理论及应用试题 一、名词解释:(5分) 平衡电位:当金属正离子进入溶液成为水合金属离子后,由于静电作用不仅水合了该金属正离子能回到金属中去,而且也能将溶液中水合了的其他正离子吸引 到金属上去。当这两个相反过程速率相等且又可逆时,会产生一个稳定的 电极电位,称为平衡电位。 腐蚀电位:在金属腐蚀过程中,腐蚀金属电极表面上常常有两个或更多个电极电极反应同时进行,当这些电极反应的阴极反应和阳极反应痛同时以相等的速率 进行时,电极反应将发生相互耦合,阴、阳极反应的电位由于极化原因而 相互靠拢,最后达到一个共同的非平衡电位,此电位称之为混合电位,也 称为腐蚀电位。 绝对电位:浸在某一电解质溶液中并在其界面发生电化学反应的导体称之为电极。当金属和电解质溶液接触时,在金属/溶液界面处将产生电化学双电层,此双 电层的金属相与溶液相直接的电位差称之为电极电位。单个电极上的双电 层电位差的绝对值称之为绝对电位。但是单个电极的绝对电位无法测定。AISI:AISI是美国的一种行业标准,是“美国钢铁学会标准”的英文首字母缩写。 选择性氧化:在多个元素氧化过程中,存在着竞争氧化的现象,即存在着某一个元素优先氧化的问题,这个现象叫做选择性氧化。 二、回答下列问题:(15分) 1.含有二氧化碳的软水,通过两套不同的供水系统,(1)软水流经铜管进入镀锌的钢水槽,半年左右镀锌的钢水槽发生穿孔腐蚀;(2)软水流经镀锌管后进入镀锌的钢水槽,四年多尚未发现镀锌的钢水槽有局部腐蚀。请问这是为什么? 答:(1)软水含有CO2呈酸性,为导电的腐蚀介质。铜与锌、铁比较,无论标准电位还是电偶序,其电位数值都较高,因此,理论上会发生电偶腐蚀。其原因有两种可能: 第一种可能性:如果铜管与镀锌水箱直接连接,在连接处附近会发生电偶腐蚀,导致水箱泄漏。 第二种可能性:如果采取了绝缘措施,对铜管而言,水中含氧可发生氧去极化腐蚀,即阳极Cu→Cu2++2e,阴极O2+4H++4e→2H2O,结果使水流经铜管后含有了Cu2+离子。含有Cu2+离子的水进入水箱后,与锌发生置换反应,实质是发生了铜离子还原的阴极反应Cu2++2e→Cu(Cu2+是极强的氧化剂),使铜沉积于水箱的靠近进口的部分表面,这样沉积铜的表面为阴极,金属锌为阳极,发生了间接电偶腐蚀。当镀锌层消耗后漏出铁时,铁仍为阳极,继续腐蚀,直至穿孔。 (2)不存在电偶腐蚀问题,发生的腐蚀为均匀腐蚀,而且镀锌层在常温水中耐腐蚀性较好,所以使用寿命更长。 2.为了防止双金属腐蚀,有人把涂料涂刷在贱金属(电位较负的金属)上,以防贱金属加速腐蚀,你对这种做法有何看法? 答:这种做法是不对的,会加速贱金属的腐蚀,原因如下: 涂料一般指有机涂层,除添加锌粉等的特殊涂层外,一般有机涂层不导电,多为阴极性涂层,而且有空隙,避免不了水分子的渗透,因此单独使用涂料很容易出现大阴极

微机原理考试试题及答案分析

微型计算机原理与接口技术综合测试题一 一、单项选择题(下面题只有一个答案是正确的,选择正确答案填入空白处) 1.8086CPU通过(A )控制线来区分是存储器访问,还是I/O访问,当CPU执行IN AL,DX 指令时,该信号线为(B )电平。 (1) A. M/ IO B. C. ALE D. N/ (2) A. 高 B. 低 C. ECL D. CMOS 2.n+1位有符号数x的补码表示范围为(B )。 A. -2n < x < 2n B. -2n ≤ x ≤ 2n -1 C. -2n -1 ≤ x ≤ 2n-1 D. -2n < x ≤ 2n 3.若要使寄存器AL中的高4位不变,低4位为0,所用指令为( B )。 A. AND AL, 0FH B. AND AL, 0FOH C. OR AL, 0FH D. OR AL 0FOH 4.下列MOV指令中,不正确的指令是(D )。 A. MOV AX, BX B. MOV AX, [BX] C. MOV AX, CX D. MOV AX, [CX] 5.中断指令INT 17H的中断服务程序的入口地址放在中断向量表地址(C )开始的4个存贮单元内。 A. 00017H B. 00068H C. 0005CH D. 0005EH 6.条件转移指令JNE的条件是( C )。 A. CF=0 B. CF=1 C. ZF=0 D. ZF=1 7. 在8086/8088 CPU中,一个最基本的总线读写周期由(C)时钟周期(T状态)组成,在T1状态,CPU往总线上发(B )信息。 ⑴ A. 1个 B. 2个 C. 4个 D. 6个 ⑵ A. 数据 B . 地址 C. 状态 D. 其它 8. 8086有两种工作模式, 最小模式的特点是(A),最大模式的特点是(C )。 ⑴ A. CPU提供全部控制信号 B. 由编程进行模式设定 C. 不需要8286收发器 D. 需要总线控制器8288 ⑵ A. M/ IN 引脚可直接引用 B. 由编程进行模式设定 C. 需要总线控制器8288 D. 适用于单一处理机系统 9.在8086微机系统的RAM 存储单元器0000H:002CH开始依次存放23H,0FFH,00H,和0F0H四个字节,该向量对应的中断号是( B )。 A. 0AH B. 0BH C. 0CH D. 0DH 10.真值超出机器数表示范围称为溢出,,此时标志寄存器中的( A )位被置位 A. OF B AF C PF D CF 11.8086 系统中内存储器地址空间为1M,而在进行I/O读写是,有效的地址线是( B) A . 高16位 B. 低16位 C. 高8位 D. 低8位 12.8086 CPU中段寄存器用来存放( C ) A. 存储器的物理地址 B. 存储器的逻辑地址 C. 存储器的段基值 D. 存储器的起始地址 13.8259A可编程中断控制器的中断服务寄存器ISR用于( A ) A.记忆正在处理中的中断 B. 存放从外设来的中断请求信号 C.允许向CPU发中断请求 D.禁止向CPU发中断请求 14.8253 可编程定时/计数器的计数范围是( C ) A. 0-255 B. 1-256 C. 0-65535 D. 1-65536

金属腐蚀与防护课后答案

《金属腐蚀理论及腐蚀控制》 习题解答 第一章 1.根据表1中所列数据分别计算碳钢和铝两种材料在试验介质中的失重腐蚀速度V- 和年腐蚀深度V p,并进行比较,说明两种腐蚀速度表示方法的差别。 解:由题意得: (1)对碳钢在30%HNO3( 25℃)中有: Vˉ=△Wˉ/st =(18.7153-18.6739)/45×2×(20×40+20×3+40×30)×0.000001 =0.4694g/ m?h 又有d=m/v=18.7154/20×40×0.003=7.798g/cm2?h Vp=8.76Vˉ/d=8.76×0.4694/7.798=0.53mm/y 对铝在30%HNO3(25℃)中有: Vˉ=△Wˉ铝/st =(16.1820-16.1347)/2×(30×40+30×5+40×5)×45×10-6

=0.3391g/㎡?h d=m铝/v=16.1820/30×40×5×0.001=2.697g/cm3 说明:碳钢的Vˉ比铝大,而Vp比铝小,因为铝的密度比碳钢小。(2)对不锈钢在20%HNO ( 25℃)有: 3 表面积S=2π×2 .0+2π×0.015×0.004=0.00179 m2 015 Vˉ=△Wˉ/st=(22.3367-22.2743)/0.00179×400=0.08715 g/ m2?h 试样体积为:V=π×1.52×0.4=2.827 cm3 d=W/V=22.3367/2.827=7.901 g/cm3 Vp=8.76Vˉ/d=8.76×0.08715/7.901=0.097mm/y 对铝有:表面积S=2π×2 .0+2π×0.02×0.005=0.00314 m2 02 Vˉ=△Wˉ/st=(16.9646-16.9151)/0.00314×20=0.7882 g/ m2?h 试样体积为:V=π×2 2×0.5=6.28 cm3 d=W/V=16.9646/6.28=2.701 g/cm3 Vp=8.76Vˉ/d=8.76×0.7882/2.701=2.56mm/y 试样在98% HNO3(85℃)时有: 对不锈钢:Vˉ=△Wˉ/st =(22.3367-22.2906)/0.00179×2=12.8771 g/ m2?h Vp=8.76Vˉ/d=8.76×12.8771/7.901=14.28mm/y 对铝:Vˉ=△Wˉ/st=(16.9646-16.9250)/0.00314×40=0.3153g/ m2?h Vp=8.76Vˉ/d=8.76×0.3153/2.701=1.02mm/y 说明:硝酸浓度温度对不锈钢和铝的腐蚀速度具有相反的影响。

2013-2014年北京交通大学微机原理试题及答案A答案

北京交通大学考试试题(A卷) 课程名称:微机原理与接口学年学期:2013—2014学年第1学期 课程编号:14L128Q-03 开课学院:电信出题教师:5人 学生姓名:学号:任课教师: 学生学院:班级: 一、填空题(每题2分,共10分) 1.80X86微机系统采用补码存储数据,16位补码表示的数值范围为:____________________。 (-65536~+65535) 2.某RAM芯片,其数据线为D0-D7,地址线为A0-A11,则此芯片的存储容量为:________。 (4KB ) 3.伪指令XBF DW 10 DUP(10,10 DUP(10)),系统为变量XBF 分配的字节数为:________。 (110)/6EH 4.80X86微机系统根据中断向量表,获取中断向量,中断向量表的地址范围为:__________。 (000H~3FFH) 5.DMAC芯片8237A内部有_______个独立的通道,每个通道的选址范围为:_______。 4 64KB 二、选择题(单选,每题2分,共10分) 1.下列哪条指令执行后对状态标志位没有影响。()A A. MOV AL,33H B. ADD AL,33H C. CMP AL,33H D. TEST AL,33H 2.已知X1是定义的一个变量,下列哪条指令与LEA AX,X1结果相同。()D

A. MOV AX,X1 B.ADD AX,X1 C.MOV AX, SEG X1 D. MOV AX, OFFSET X1 3.中断控制器8259中用于存放CPU当前正在服务的中断标志的寄存器为:()B A. 中断请求寄存器IRR B. 中断服务寄存器ISR C. 中断屏蔽寄存器IMR D. 中断优先权判别器PR 4.串行接口芯片8250不能处理下列哪种中断。()C A.接收数据出错 B. 接收缓冲器满 C. 发送数据出错 D. 发送寄存器空 5.某微机系统含有3片8237A,其中一片为主片,两片为从片,试问此系统可以使用多少个DMA通道。()C A.4 B.8 C.10 D.12 三.指令改错(指出指令错误原因,并改错)(共5小题,每小题2分,共10分) (1)MOV DS,1000H (2)PUSH AH (3)CMP [BX], 2000H[SI] (4)INC BX,1 (5)OUT AL, 1234H 答案: (1)立即数不能直接送到段寄存器。 改为:MOV AX,1000H (MOV DS,AX) (2)不能为字节 1分PUSH AX 1分 (3)操作数不能同时为存储器操作数1分 MOV AX,[BX] CMP AX,1000H[SI] MOV [BX],AX (有多种改法) 1分 (4)格式错误 1分INC BX 1分 (5)端口地址>255要将端口地址先送入DX,且格式错误。1分

微机原理_期末考试试题答案

微机原理与接口技术考试试卷(A) 专业学号姓名成绩 一、填空题(每空1分,共20分) 1. 完成下列程序段,从240H端口读取数据,测试其是否为20H,若不是则将241H端口清0,否则转向NEXT。 MOV DX , (1) (2) AL, DX (3) AL, 20H (4)______ MOV DX,(5) MOV AL,0 OUT DX,AL ….. NEXT: …… 2. 图1中的一个共阴极数码管通过8255A和系统ISA总线相连,请完成下列程序段,使该数码管稳定显示“8”(字型编码为7FH)。 图1 MOV DX, (6) MOV AL, (7) OUT DX, AL ;初始化82C55 MOV DX, (8) MOV AL, (9) (10) ;数码管稳定显示“8” 3..8086 CPU有条地址线,可形成的存储器地址空间,地址范围为。 4..中断类型号为24H的中断向量存放在开始的存储单元。 5..一台微机的地址总线为16条,其RAM存储器容量为16KB,首地址为2000H,且地址是连续的,则可用的最高地址是________。 6..一个数据的有效地址EA = 1234H,且DS =5678H,则该数据在内存中的物理地址是________,该数据段的首单元的物理地址是________,末单元的物理地址是________。 7.若当前堆栈指针SP指向2006H单元,则向堆栈中压入5个字的内容后,SP应指向________。8.若8086 CPU引脚状态是M/IO=1,RD=1,WR=0,则此时执行的操作是________。

二、综合题(80分) 1.(10分) 一个异步串行通信口,通过TXD发送一帧数据的字符格式如图2的实线所示: 图2 如果线路上传送的字符格式包括7位ASCII码数据,一位奇偶校验位,一位停止位。要求:(1) 写出该帧字符所传送的数据值,并说明是奇校验还是偶校验。(2) 如果波特率为600bps,请计算传送上面这一帧数据所需要的时间。(3) 若波特率系数K=16,请计算发送时钟频率TXC的频率值。 2. (10分) 图3为两级译码构成口地址译码电路,PS输出低电平为片选信号。试问 图3 图4 (1) 开关K上合,PS的寻址范围是________。(2) 开关K下合,PS的寻址范围是________。 (3) 开关K下合,A3改接B,A4改接A,则PS的寻址范围是________________。 (4) 请用二进制表示法写出图4的译码电路所决定的端口地址。 3. (20分) 某系统外接电路如图5,8255A口地址为2F0H~2F3H,请设计源程序,一次性 的测试开关的位置,当K闭合时,LED亮,K断开时LED灭(提示:C口高4位应为方式0输入,低4位为方式0输出)。 图5 CODE SEGMENT ASSUME CS:CODE BEG: ;C口初始化 ;读C口

四川理工学院金属腐蚀理论及应用试卷

四川理工学院试卷(2007 至2008 学年第 2 学期) 课程名称: 金属腐蚀理论及应用 命题教师: 龚敏,陈琳 适用班级: 2005级材料科学与工程专业(腐蚀与防护方向) 考试 2008年 5月 日 共 6 页 1、 满分100分。要求卷面整洁、字迹工整、无错别字。 2、 考生必须将姓名、班级、学号完整、准确、清楚地填写在试卷规定的地方,否 则视为废卷。 3、 考生必须在签到单上签到,若出现遗漏,后果自负。 4、 如有答题纸,答案请全部写在答题纸上,否则不给分;考完请将试卷和答题卷 分别一同交回,否则不给分。 试 题 一、简答题(共35分) 1. 什么是阳极保护,其适用条件是什么?(6分) 用阳极钝化方法达到减小金属腐蚀的目的,这种防护技术叫做阳极保护。 2分 阳极保护的适用条件是: (1)阳极极化曲线具有活态—钝态转变。 2分 (2)阳极极化时必须使金属的电位正移到稳定钝化区内。 2分 2. ++ >H H Cu Cu E E /0/0 22,为何在潮湿的大气中铜会受到腐蚀; ++

3. 从材料、环境和力学三方面叙述应力腐蚀破裂的主要特征。(6分) (1)主要是合金发生SCC,纯金属极少发生。2分 (2)对环境的选择性形成了所谓“SCC的材料―特定环境组合”。2分 (3)只有拉应力才引起SCC,压应力反而会阻止或延缓SCC的发生。2分 4. 简述腐蚀电池的三个工作环节。(6分) (1)阳极反应:通式:Me→Men++ne 2分 (2)阴极反应:通式:D+me=[D.me] 2分析氢反应:2H++2e=H2 吸氧反应:O2+4H++4e=2H2O (酸性溶液中); O2+2H2O+4e=4OH-(中性或碱性溶液中) (3)电流回路2分金属部分:电子由阳极流向阴极 溶液部分:正离子由阳极向阴极迁移 5. 金属氧化膜具有良好保护性需要满足哪些基本条件?(6分) (1)P-B比大于1是氧化物具有保护性的必要条件。2分 (2)膜有良好的化学稳定性。2分(3)膜有一定的强度和塑性,与基体结合牢固。2分 【或(4)膜与基体金属的热膨胀系数差异小,不易剥落。(5)膜的组织结构致密、缺陷少。】 6. CPT和CCT的含义是什么?如何使用CPT、CCT来评价材料的耐蚀性能?(6分)(1)CPT:临界孔蚀温度1分CCT:临界缝蚀温度1分(2)临界孔蚀温度越高,材料的耐小孔腐蚀性能越好。2分临界缝蚀温度越低,材料的耐缝隙腐蚀性能越差。2分 第2页

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