蚀刻工艺流程

1.1开启等离子刻蚀机电源开关、冷却水开关，开氧气（O2）和四氟化碳(CF4)

气瓶开关（两小格即可）。

1.2打开射频电源预热20分钟。

1.3将扩散完、待加工的硅片整齐地叠在一起，在最上面、最下面的硅片上加同

规格的塑料薄片，用四氟片压好，盖上盖板，平衡拧紧螺丝，（控制好力度，要压紧，但也不要太过用力，以免压碎硅片）放入离子刻蚀机反应室，对准盖好上盖板。

1.4打开机械泵，开主抽，开始抽真空，抽到最低，同时开启氧气和四氟化碳，

并按工艺条件调节氧气和四氟化碳的流量比例。

1.5打开射频电源Ua，调节电压到工艺设定条件，真空室开始发出粉红偏白的

辉光，再调节C1和C2匹配，是入射功率最大，反射功率最小。

1.6刻蚀设定时间（详见工艺）到后，关闭射频电源Ua，关闭氧气和四氟化碳。

1.7继续抽真空，抽到最低，关主抽开充气，反复两至三次。

1.8打开上盖板，取出已去边的硅片，拿开上下塑料薄片，取上、下及中间（每

隔10片左右抽一片）的硅片, 用万用表检测硅片四个周边电阻值是否符合工艺规范之要求。

1.9工作结束后，把硅片夹放回真空室，开主抽，抽一会儿真空（10秒即可），

关主抽，关机械泵，关射频电源和冷却水，关闭氧气和四氟化碳气瓶开关。

TFT屏幕工艺标准流程经过

第二章TFT 显示器的制造工艺流程和工艺环境要求 清洗—成膜—光刻—刻蚀—剥离 阵列段是从投入白玻璃基板，到基板上电气电路制作完成。具体见下图： CF 工序是从投入白玻璃基板，到黑矩阵、三基色及ITO 制作完成。具体见下 成膜 [膜[Glass 基[PR 塗布 曝光 [Mask 現像 刻蚀 剥離 [TFT 基 重复[Glass 基

Cell工序是从将TFT基板和CF基板作定向处理后对贴成盒，到切割成单粒后贴上片光片。具体见下图： Module工序是从LCD屏开始到驱动电路制作完成，形成一个显示模块。具体示意图如下： [ＬＣＤ 绑 [驱动 装 [连接电 [保护 [BLU］ [信号基 検 [LCD Module] 第一节阵列段流程 一、主要工艺流程和工艺制程 （一）工艺流程 上海天马采用背沟道刻蚀型（BCE）TFT显示象素的结构。具体结构见下图：

C ' Storage capacitor ITO pixel electrode Cros-s ection -C’ a-Si TFT C Select line Data line 对背沟道刻蚀型TFT结构的阵列面板，根据需要制作的膜层的先后顺序和各层膜间的相互关系，其主要工艺流程可以分为5个步骤（5次光照）：第一步栅极（Gate）及扫描线形成 具体包括：Gate层金属溅射成膜，Gate光刻，Gate湿刻等工艺制程（各工艺制程的具体介绍在随后的章节中给出）。经过这些工艺，最终在玻璃基板上形成扫描线和栅电极，即Gate电极。工艺完成后得到的图形见下图：

第二步 栅极绝缘层及非晶硅小岛（Island ）形成 具体包括：PECVD 三层连续成膜，小岛光刻，小岛干刻等工艺制程（各工艺制程的具体介绍在随后的章节中给出）。经过这些工艺，最终在玻璃基板上形成 TFT 用非晶硅小岛。工艺完成后得到的图形见下图： C C' Cross-section CC’ C C' SiN a-Si/n+

工艺流程图识图基础知识

工艺流程图识图基础知识 工艺流程图是工艺设计的关键文件，同时也是生产过程中的指导工具。而在这里我们要讲的只是其在运用于生产实际中大家应了解的基础知识（涉及化工工艺流程设计的内容有兴趣的师傅可以找些资料来看）。它以形象的图形、符号、代号，表示出工艺过程选用的化工设备、管路、附件和仪表等的排列及连接，借以表达在一个化工生产中物量和能量的变化过程。流程图是管道、仪表、设备设计和装置布置专业的设计基础，也是操作运行及检修的指南。 在生产实际中我们经常能见到的表述流程的工艺图纸一般只有两种，也就是大家所知道的PFD和P&ID。PFD实际上是英文单词的词头缩写，全称为Process Flow Diagram，翻译议成中文就是“工艺流程图”的意思。而P&ID也是英文单词的词头缩写，全称为Piping and Instrumentation Diagram，“&”在英语中表示and。整句翻译过来就是“工艺管道及仪表流程图”。二者的主要区别就是图中所表达内容多少的不同，PFD较P&ID内容简单。更明了的解释就是P&ID图纸里面基本上包括了现场中所有的管件、阀门、仪表控制点等，非常全面，而PFD图将整个生产过程表述明白就可以了，不必将所有的阀门、管件、仪表都画出来。 另外，还有一种图纸虽不是表述流程的，但也很重要即设备布置图。但相对以上两类图而言，读起来要容易得多，所以在后面只做简要介绍。 下面就介绍一下大家在图纸中经常看到的一些内容及表示方法。 1 流程图主要内容 不管是哪一种，那一类流程图，概括起来里面的内容大体上包括图形、标注、图例、标题栏等四部分，我们在拿到一张图纸后，首先就是整体的认识一下它的主要内容。具体内容分别如下： a 图形将全部工艺设备按简单形式展开在同一平面上，再配以连接的主、辅管线及管件，阀门、仪表控制点等符号。 b 标注主要注写设备位号及名称、管段编号、控制点代号、必要的尺寸数据等。 c 图例为代号、符号及其他标注说明。 d 标题栏注写图名、图号、设计阶段等。

SUS304不锈钢蚀刻工艺说明

銘瑞通SUS304不锈钢蚀刻工艺说明 Designer:张辉亭 DATE:2014/9/17

SUS304不锈钢蚀刻背胶工艺流程 清洗清洗 开料预烤曝光显影检验蚀刻脱模清洗烘干检验 贴胶压合拆废料检验包装出货

开料 1.开料前检验钢片原材料有无擦花、刮伤、折角、并弯折钢片有无弹性，以检验钢片韧性及硬度是否合格. 2.用卡尺测量钢片厚度，看是否与流转单上所要求厚度一致. 3.开料尺寸公差控制在±1mm内，要求在裁切时需一次裁断，裁切后钢片边缘不能有卷边，毛刺等现象. 4.开料时需戴厚棉手套操作，避免被钢片边缘割伤. 5.开料钢片时规定专用剪床开料，每次开料前后对剪床各部件加以擦拭，打油，每2个月对剪床刀口进行一次抛光.

清洗 1.钢片来料如有油渍，污垢等不良，需浸泡浓度10﹪碱性除油剂30min 2.双面磨板，速度2.0m/min 厚度0.1-0.15mm，磨刷压力2.5-2.7A，厚度为0.2-0.25mm磨刷压力2.3-2.5A， 烘干温度85±3℃ 3.清洗时不能过酸性除油，微蚀等一切呈酸性物质

涂布 固化 1.用湿膜丝印，湿膜不可以加开油水，保证湿膜丝印性能，油墨不可过期使用 2.采用双面涂布机涂布,用猪笼架插架避免板面划伤。 3.丝印后静止10min,方可烘烤,烘烤第一面80℃ 20min, 4.注意插架时避免擦花油墨,涂布时不可污染钢片表面,注意台面清洁,不能用洗网水清洁台面,台面不能贴任何胶带和异物导致蚀刻后造成板面凹坑不良。

曝光 1.曝光前先检查菲林版本或型号有无出错,如有异形钢片菲林(单PCS过大或者拼板不规则)通知工程确认 2.对底片时对准菲林四周阴阳盘夹边,烫底片时至少保证烫点离阴阳焊盘至少5mm 3.夹边时夹条需采用与生产钢片相等厚度的FR4或PET夹边.如菲林是生产0.2mm的钢片就用0.2mm的FR4或PET夹边 4.生产时每生产5PNL必须检查一次菲林,查看菲林四周阴阳PAD有无透光偏位，菲林有无擦花 5.曝光擦气时需真空延时5秒后才可擦气，以防止曝光不良，曝光能量设定为8-9格

(工艺技术)蚀刻工艺

一蝕刻技術 利用對金屬表面的侵蝕作用，從金屬表面去除金屬的處理技術。 (1) 電解蝕刻(electrolytic etching) 用母模作導電性陰極，以電解液作媒介，對加工部分，集中實施蝕刻的侵蝕去除法。 (2) 化學蝕刻(chemical etching) 利用耐藥品被膜，把蝕刻侵蝕去除，作用集中於所要部位的方法。 照相蝕刻技術(photo-etching process) 在金屬表面全面均勻形成層狀的感光性耐藥品被膜(photo resist)，而透過原圖底片，用紫外線等曝光，後施以顯像處理，來形成所要形狀的耐藥品被膜之被覆層，再以蝕刻浴的酸液或鹼液，對露出部產生化學或電化學侵蝕作用，來溶解金屬的加工技術。

(3) 化學蝕刻技術之特性 a. 不需要電極、母型(master)等工具，故無需此等工具之維護費。 b. 由規劃到生產間所需時間短，可作短期加工。 c. 材料之物理、機械性質不受加工影響。 d. 加工不受形狀、面積、重量之限制。 e. 加工不受硬度、脆性之限制。 f. 能對所有金屬(鐵、不銹鋼、鋁合金、銅合金、鎳合金、鈦、史泰勒合 金)實施加工。 g. 可高精度加工。 h. 可施複雜、不規則、不連續之設計加工。 i. 面積大，加工效率良好，但小面積時，其效率比機機械加工差。 j. 水平向之切削易得高精度，但深度、垂直方向不易得到同機機械加工之

精度。 k. 被加工物之組成組織宜均勻，對不均質材，不易加工順利。二蝕花加工(咬花加工)演進 (1) 第1階段：補助目的掩飾成形品上之缺陷。 (2) 第2階段：裝飾目的提高商品價值。 (3) 第3階段：應用複合花紋邁入更高度的意匠設計時代。 (4) 第4階段：應用立體花紋進入更高品質之時代。 三咬花加工之特性(針對模具) (1) 加工時，幾乎不產生熱量，故不會引起熱變形或熱變質。 (2) 大型模具亦可加工。 (3) 加工時不會產生毛邊、應變、硬化等不良現象。 (4) 曲面、側面之加工容易。

蚀刻天线制作方法与制作流程简介

目前我们了解的天线制作技术主要有三种：绕线式天线、印刷天线和蚀刻天线。此外还有真空镀膜法生产RFID天线的，上述几种生产方法的特点比较如下： 2.1 绕线式天线 绕线和印刷技术在中国大陆得到了较为广泛的应用，大部分的 RFID标签制造商也是采用此技术。 利用线圈绕制法制作RFID标签时，要在一个绕制工具上绕制标签线圈并进行固定，此时要求天线线圈的匝数较多。这种方法用于频率围在125-134KHz的RFID标签，其缺点是成本高、生产速度慢、生产效率较低。 2.2 印刷天线 印刷天线是直接用导电油墨（碳浆、铜浆、银浆等）在绝缘基板（或薄膜）上印刷导电线路，形成天线的电路。主要的印刷方法已从只用丝网印刷扩展到胶印、柔性版印刷、凹印等制作方法，较为成熟的制作工艺为网印与凹印技术。其特点是生产速度快，但由于导电油墨形成的电路的电阻较大，它的应用围受到一定的局限。 2.3 蚀刻天线 印制电路的蚀刻技术主要应用于欧洲地区，而在，目前仅少数软性电路板厂有能力运用此技术制造RFID标签天线。 蚀刻技术生产的天线可以运用于大量制造13.56M、UHF频宽的电子标签中，它具有线路精细、电阻率低、耐候性好、信号稳定等优点。 3、蚀刻天线制作方法简介 蚀刻天线常用铜天线和铝天线,其生产工艺与挠性印制电路板的蚀刻工艺接近。 3.1 蚀刻天线的制作流程 挠性聚酯覆铜(铝)板基材――贴感光干膜／印感光油墨――连续自动曝光――显像――蚀刻――退膜--水洗--干燥—质检—包装 3.2 制作流程说明 挠性聚酯覆铜(铝)板基材：采用软板专用的合成树脂胶（环氧胶、丙烯酸胶）将铜箔(铝箔)与聚酯膜压合在一起，经高温后固化后而成，其电性能、耐高温性、耐腐蚀性较强。材料的组成截面图如下：

化工工艺流程图画法

第十二章化工工艺图

第十二章 化工工艺图 ?教学内容： ?1、化工制图中的一些标准规范和绘制方法； ?2、化工制图前的准备工作； ?3、化工工艺图。 ?教学要求： ?1、熟悉化工设备图样的基本知识； ?2、掌握化工流程方案图、带控制点的工艺流程图　的画法与阅读。 ?重难点： ?化工流程方案图、带控制点的工艺流程图的画法。

?§1 化工制图中的一些标准规范和绘制方法 ?一、视图的选择 ?绘制化工专业图样(这里主要指化工零件图、化工设备图)，首先要选定视图的表达方案，其基本要求和机械制图大致相同，要求能准确地反映实际物体的结构、大小及其安装尺寸，并使读图者能较容易地明白图纸所反映的实际情况。 ?大多数化工设备具有回转体特征，在选择主视图的时候常会将回转体主轴所在的平面作为主视图的投影平面。如常见的换热器、反应釜等。一般情况下，按设备的工作位置，将最能表达各种零部件装配关系、设备工作原理及主要零部件关键结构形状的视图作为主视图。

?主视图常采用整体全剖局部部分剖（如引出的接管、人孔等）并通过多次旋转的画法，将各种管口（可作旋转）、人孔、手孔、支座等零部件的轴向位置、装配关系及连接方法表达出来。 ?选定主视图后，一般再选择一个基本视图。对于立式设备，一般选择俯视图作为另一个基本视图；而对于卧式设备，一般选择左视图作为另一个基本视图。另一个基本视图主要用以表达管口、温度测量孔、手孔、人孔等各种有关零部件在设备上的周向方位。 ?

?有了两个基本视图后，根据设备的复杂程度，常常需要各种辅助视图及其他表达方法如局部放大图、某某向视图等用以补充表达零部件的连接、管口和法兰的连接以及其他由于尺寸过小无法在基本视图中表达清楚的装配关系和主要尺寸。需要注意，不管是局部放大图还是某某向视图均需在基本视图中作上标记，并在辅助视图中也标上相同的标记，辅助视图可按比例绘制，也可不按比例绘制，而仅表示结构关系。

一、工艺流程示意图

一、工艺流程示意图 二、工艺简介 1、格栅 格栅主要用于拦截漂浮物与悬浮物物质，如纤维、果皮、塑料制品等，以便减轻后续处理构筑物的处理负荷和防止水泵堵塞。 2、调节池 调节池的作用是使污水的水量和水质（浓度、水温等指标）实现稳定和均

衡，从而改善污水可处理性的构筑物。 3、水解酸化 水解（酸化）处理方法是一种介于好氧和厌氧处理法之间的方法，和其它工艺组合可以降低处理成本提高处理效率。水解酸化工艺根据水解发酵菌、产酸菌与产甲烷菌生长速度不同，将厌氧处理控制在反应时间较短的厌氧处理第一和第二阶段，即在大量水解发酵细菌、酸化菌作用下将不溶性有机物水解为溶解性有机物，将难生物降解的大分子物质转化为易生物降解的小分子物质的过程，从而改善废水的可生化性，为后续处理奠定良好基础。水解是指有机物进入微生物细胞前、在胞外进行的生物化学反应。微生物通过释放胞外自由酶或连接在细胞外壁上的固定酶来完成生物催化反应。酸化是一类典型的发酵过程，微生物的代谢产物主要是各种有机酸。 4、生物接触氧化 生物接触氧化技术是好氧生物膜污水处理方法，该系统由浸没于污水中的填料、填料表面的生物膜、曝气系统和池体构成。在有氧条件下，污水与固着在填料表面的生物膜充分接触，通过生物降解作用去除污水中的有机物、营养盐等，使污水得到净化。接触氧化池内均安装了生物填料，具有以下几方面特点： （1）由于填料的比表面积大，池内的充氧条件良好，生物接触氧化池内单位容积的生物固体量都高于活性污泥法曝气池及生物滤池，因此，生物接触氧化池具有较高的容积负荷，接触氧化法的容积负荷可高达 3～10KgCODc r/ ( m3·d) ，高于SBR 法的2～5KgCODc r/ ( m3·d) ，因此缩短了处理时间，减少了处理设备的体积，降低了投资。处理时间短，节约占地面积。 （2）由于相当一部分微生物固着生长在填料表面，生物膜的脱落和生长可以保持很好的平衡，不存污泥膨胀问题，运行管理简便。 （3）由于生物接触氧化池内生物固体量多，水流属完全混合型，因此生物接触氧化池对水质水量的骤变有较强的适应能力，曝气加速了生物膜的更新，使生物膜活性提高。

蚀刻工艺之酸性氯化铜蚀刻液

目录 摘要 (1) 1设计任务书 (2) 1.1项目 (2) 1.2设计内容 (2) 1.3设计规模 (2) 1.4设计依据 (2) 1.5产品方案 (2) 1.6原料方案 (2) 1.7生产方式 (3) 2 工艺路线及流程图设计 (3) 2.1工艺路线选择 (3) 2.2内层车间工艺流程简述 (4) 3．车间主要物料危害及防护措施 (6) 3.1职业危害 (6) 3.2预防措施 (6) 4.氯酸钠/盐酸型蚀刻液的反应原理 (7) 4.1蚀刻机理 (7) 4.2蚀刻机理的说明 (8) 4.3蚀刻中相关化学反应的计算 (8) 5．影响蚀刻的因素 (6) 5.1影响蚀刻速率的主要因素 (10) 5.2蚀刻线参数设计 (10) 6 主要设备一览表 (12) 7车间装置定员表 (13) 8投资表 (13) 9安全、环保、生产要求 (14) 致谢 (15) 参考文献 (16)

蚀刻工艺之酸性氯化铜蚀刻液 摘要：本文介绍了印制电路板制造过程中的酸性氯化铜蚀刻液，并对其蚀刻原理和影响蚀刻的因素进行了阐述。 关键词：印制电路板；酸性氯化铜；蚀刻； 分类号：F407.7 Brief principies to acid chlorination copper etching and factors analysis Chen yongzhou (Tutor:Pi-yan) (Department of Chemistry and Environmental Engineering, Hubei NormalUniversity , Huangshi ,Hubei, 435002) Abstract: In this paper acid chlorination etching solution was introduced. Meanwhile the etching principle and the factors affecting the etching rate been explain. Keywords: PCB;acid chlorination copper solution;etching

玻璃表面蚀刻的原理

玻璃表面蚀刻的原理 热度 6已有 84 次阅读2010-10-23 17:15|个人分类:理论和实践| 玻璃表面化学深蚀刻的工艺原理与操作方案 2007-12-17 18:57 本文对平板玻璃表面化学蚀刻做一些较为通俗的理性论述: 一、化学蚀刻的原理： 我们知道玻璃属于无机硅物质中的一种，非晶态固体。易碎；透明。它与我们的生活密不可分，现代人已不再满足于物理式机械手段加工的艺术玻璃制品，更致力于用多种化学方式对玻璃表面进行求新求异深加工，以求得到更好的视觉享受，从而使玻璃产品的附加值再度得到提高. 例如对玻璃表面进行化学粗化[蒙砂；玉砂]，化学深蚀刻[凹蒙；冰雕]，化学抛光及其它工艺，本文论述的重点将是玻璃化学的氧化与还原反应的构造及工艺操作控制性。 对于玻璃蚀刻液中起氧化反应的物质是选择纯液质的能与玻璃起氧化反应的可以是H2SO4; HCL, HNO3. 它们能与玻璃中的硅原子发生氧化作用, 形成SIO2, 做为蚀刻液中设定的络合剂氢氟酸正好能将SIO2再次分解, 从而形成我们设计的化学反应程式,达到对玻璃表面进行蚀刻的目地。例如程式: a:3SI+4HNO3=3SIO2+2H2O+4NO b:SIO2+6HF = H2[SIF6]+2H2O 对玻璃蚀刻液配制可以展现的物质性质包含氧化剂;络合剂;缓冲剂;催化剂;附加剂;表面活性剂;酸雾抑制剂. 如下再例: 氧化剂： H2SO4 ; HCL ; HNO3; 还原剂： HF 缓冲剂： H2O; CH3COOH; 催化剂： NH4NO3; CuSO4; NaNO2; AgNO3; 附加剂： Br2 酸雾抑制剂： FC-129; FC-4; FT248TM 湿润活性剂 ; 长直链烷基TH系；烷基酚聚氧乙烯醚 按重量百分比配制玻璃蚀刻液可以视深蚀刻、浅蚀刻及抛光要求对蚀刻液中各物质百分比投料进行调整. 如下续例: 缓冲剂--------------------------------------- 40----67% 氧化剂--------------------------------------- 15----38% 络合剂--------------------------------------- 27----45% 催化剂--------------------------------------- 0.03---0.06 附加剂--------------------------------------- 0.05---0.1 表面湿润活性剂--------------------------- 0.04 酸雾抑制剂----------------------------------0.003

IC工艺流程简介

晶体的生长 晶体切片成wafer 晶圆制作 功能设计à模块设计à电路设计à版图设计à制作光罩 工艺流程 1) 表面清洗 晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。 2) 初次氧化 有热氧化法生成SiO2 缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力 氧化技术 干法氧化Si(固) + O2 àSiO2(固) 湿法氧化Si(固) +2H2O àSiO2(固) + 2H2 干法氧化通常用来形成，栅极二氧化硅膜，要求薄，界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当SiO2膜较薄时，膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时，膜厚与时间的平方根成正比。因而，要形成较厚的SiO2膜，需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2及OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时，因在于OH基在SiO2膜中的扩散系数比O2的大。氧化反应，Si 表面向深层移动，距离为SiO2膜厚的0.44倍。因此，不同厚度的SiO2膜，去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜为透明，通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为200nm，如果预告知道是几次干涉，就能正确估计。对其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式计算出 (d SiO2) / (d ox) = (n ox) / (n SiO2)。SiO2膜很薄时，看不到干涉色，但可利用Si的疏水性和SiO2的亲水性来判断SiO2膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。 SiO2和Si界面能级密度和固定电荷密度可由MOS二极管的电容特性求得。(100)面的Si的界面能级密度最低，约为10E+10 -- 10E+11/cm –2 .e V -1 数量级。(100)面时，氧化膜中固定电荷较多，固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素。 3) CVD(Chemical Vapor deposition)法沉积一层Si3N4(Hot CVD或LPCVD)。 1 常压CVD (Normal Pressure CVD) NPCVD为最简单的CVD法，使用于各种领域中。其一般装置是由(1)输送反应气体至反应炉的载气体精密装置；(2)使反应气体原料气化的反应气体气化室；(3)反应炉；(4)反应后的气体回收装置等所构成。其中中心部分为反应炉，炉的形式可分为四个种类，这些装置中重点为如何将反应气体均匀送入，故需在反应气体的流动与基板位置上用心改进。当为水平时，则基板倾斜；当为纵型时，着反应气体由中心吹出，且使基板夹具回转。而汽缸型亦可同时收容多数基板且使夹具旋转。为扩散炉型时，在基板的上游加有混和气体使成乱流的装置。 2 低压CVD (Low Pressure CVD) 此方法是以常压CVD 为基本，欲改善膜厚与相对阻抗值及生产所创出的方法。主要特征：(1)由于反应室内压力减少至10-1000Pa而反应气体，载气体的平均自由行程及扩散常数变大，因此，基板上的膜厚及相对阻抗分布可大为改善。反应气体的消耗亦可减少；(2)反应室成扩散炉型，温度控制最为简便，且装置亦被简化，结果可大幅度改善其可靠性与处理能力(因低气压下，基板容易均匀加热)，因基可大量装荷而改善其生产性。 3 热CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) 此方法生产性高，梯状敷层性佳(不管多凹凸不平，深孔中的表面亦产生反应，及气体可到达表面而附着薄膜)等，故用途极广。膜生成原理，例如由挥发性金属卤化物(MX)及金属有机化合物(MR)等在高温中气相化学反应(热分解，氢还原、氧化、替换反应等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔点金属、金属、半导体等薄膜方法。因只在高温下反应故用途被限制，但由于其可用领域中，则可得

蚀刻液分类及工艺流程

蚀刻液分类及工艺流程 一、目前PCB业界使用的蚀刻液类型有六种类型： 酸性氯化铜碱性氯化铜氯化铁过硫酸铵硫酸/铬酸硫酸/双氧水蚀刻液前三种常用。 二、各种蚀刻液特点 酸性氯化铜蚀刻液 1) 蚀刻机理：Cu+CuCl2→Cu2Cl2 Cu2Cl2+4Cl-→2(CuCl3)2- 2) 影响蚀刻速率的因素：影响蚀刻速率的主要因素是溶液中Cl-、Cu+、Cu2+的含量及蚀刻液的温度等。 a、Cl-含量的影响：溶液中氯离子浓度与蚀刻速率有着密切的关系，当盐酸浓度升高时，蚀刻时间减少。在含有6N的HCl溶液中蚀刻时间至少是在水溶液里的1/3，并且能够提高溶铜量。但是，盐酸浓度不可超过6N，高于6N盐酸的挥发量大且对设备腐蚀，并且随着酸浓度的增加，氯化铜的溶解度迅速降低。添加Cl-可以提高蚀刻速率，原因是：在氯化铜溶液中发生铜的蚀刻反应时，生成的Cu2Cl2不易溶于水，则在铜的表面形成一层氯化亚铜膜，这种膜能够阻止反应的进一步进行。过量的Cl-能与Cu2Cl2络合形成可溶性的络离子(CuCl3)2-，从铜表面上溶解下来，从而提高了蚀刻速率。 b、Cu+含量的影响：根据蚀刻反应机理，随着铜的蚀刻就会形成一价铜离子。较微量的Cu+就会显著的降低蚀刻速率。所以在蚀刻操作中要保持Cu+的含量在一个低的范围内。 c、Cu2+含量的影响：溶液中的Cu2+含量对蚀刻速率有一定的影响。一般情况下，溶液中Cu2+浓度低于2mol/L时，蚀刻速率较低；在2mol/L时速率较高。随着蚀刻反应的不断进行，蚀刻液中铜的含量会逐渐增加。当铜含量增加到一定浓度时，蚀刻速率就会下降。为了保持蚀刻液具有恒定的蚀刻速率，必须把溶液中的含铜量控制在一定的范围内。 d、温度对蚀刻速率的影响：随着温度的升高，蚀刻速率加快，但是温度也不宜过高，一般控制在45~55℃范围内。温度太高会引起HCl过多地挥发，造成溶液组分比例失调。另外，如果蚀刻液温度过高，某些抗蚀层会被损坏。 碱性氯化铜蚀刻液 1) 蚀刻机理：CuCl2+4NH3→Cu(NH3)4Cl2 Cu(NH3)4Cl2+Cu→2Cu(NH3)2Cl 2) 影响蚀刻速率的因素：蚀刻液中的Cu2+浓度、pH值、氯化铵浓度以及蚀刻液的温度对蚀刻速率均有影响。 a、Cu2+离子浓度的影响：Cu2+是氧化剂，所以Cu2+的浓度是影响蚀刻速率的主要因素。研究铜浓度与蚀刻速率的关系表明：在0~82g/L时，蚀刻时间长；在82~120g/L时，蚀刻速率较低，且溶液控制困难；在135~165g/L时，蚀刻速率高且溶液稳定；在165~225g/L时，溶液不稳定，趋向于产生沉淀。 b、溶液pH值的影响：蚀刻液的pH值应保持在8.0~8.8之间，当pH值降到8.0以下时，一方面对金属抗蚀层不利；另一方面，蚀刻液中的铜不能被完全络合成铜氨络离子，溶液要出现沉淀，并在槽底形成泥状沉淀，这些泥状沉淀能

网版制作工艺流程(doc 6)

网版制作工艺流程 目前，市场网版制作工艺因其原材料不同，生产工艺也就有所不同。据了解，目前市场上用来制作网版的原材料有三种类型：液态型直接法感光胶，预敏化型的直接法胶片及间接法胶片。由于三种原材料的特性与功能不同，其使用操作工艺也就有所不同。 一、液态型直接法感光胶 感光胶的优点是工艺简单、经济、实用。其特性有曝光速度快，网版经久耐用而且去膜容易，优良的耐溶性，其生产工艺流程是： 网前处理及选网→配胶→涂胶→干燥→曝光→显影→待用 其工作环境为温度15~20℃，相对温度50~65％，黄灯下暗房操作。 ※网前处理及选网 新丝网在使用前必须用磨网膏进行网前处理，每个网版都要用脱脂剂彻底脱脂，具体操作方法是用水淋湿丝网两面，涂上磨网膏或脱脂剂，然后用毛刷涂均匀并静置1分钟，最后用清水冲洗干净。 使用过的网如果不再使用，可用脱膜剂浸泡，然后清洗干净，使用前必须做脱脂处理工艺。 丝网清洗好后，烘干处理待用。制网者可根据所需要的网牍目数进行选网：丝

印线路一般用120T／cm，阻焊100－120T／cm，字符100－120T／cm，碳桥油43－120T，印剥离兰胶18－36T。 ※配胶 直接法感光胶目前市上有二种类型：一种是单液型，这种类型是把敏化剂在生产时直接配制的感光胶，可直接使用的类型；另一种是“二元固化”感光胶。这种感光胶在使用前必须进行配置，即把敏化剂加入适量水均匀搅拌后倒入感光胶中，经过上下左右充分搅拌，即配制完成。配胶工作最少要在使用前两个小时完成，最佳的方法是在前一个工作日下班前配好胶，第二天上班即用。切记，配好的胶必须静置2小时以上，让胶中泡沫消失才可使用，否则会出现意想不到的质量事故。 ※涂胶 把干燥好的待用网放置在涂胶台上，把适量的感光胶倒入刮刀内，先涂印刷面（丝网的凸面），后涂油墨面（丝网的凹面），一般每面3刀次，如果要求厚网版，那么可分多次涂刷，即第一次涂胶后，立即放入30－40℃的烘箱中烘干，取出丝网再次涂胶，根据所要求厚度，决定涂胶次数，注意一般印刷面（凸面）要比油墨面（凹面）多涂2－3刀次。 涂胶工艺十分重要，网版质量好坏，全靠涂胶，要求版面厚度均匀一致，有立体感。 ※干燥 丝印感光胶涂刷完后，先静置1－2分钟，然后把丝网放进40℃左右的烘箱中

金属蚀刻工艺流程

金属蚀刻工艺流程 (一)金属蚀刻工艺流程 金属的种类不同，其蚀刻的工艺流程也不同，但大致的工序如下：金属蚀刻板→除油→水洗→浸蚀→水洗→干燥→丝网印刷→千燥→水浸2～3min→蚀刻图案文字→水洗→除墨→水洗→酸洗→水洗→电解抛光→水洗→染色或电镀→水洗→热水洗→干燥→软布抛(擦光)光→ 喷涂透明漆→干燥→检验→成品包装。 1．蚀刻前处理 在金属蚀刻之前的工序都是前处理，它是保证丝印油墨与金属面具有良好附着力的关键工序，因此必须要彻底清除金属蚀刻表面的油污及氧化膜。除油应根据工件的油污情况定出方案，最好在丝印前进行电解除油，保证除油的效果。除氧化膜也要根据金属的种类及膜厚的情况选用最好的浸蚀液，保证表面清洗干净。在丝网印刷前要干燥，如果有水分，也会影响油墨的附着力，而且影响后续图纹蚀刻的效果 甚至走样，影响装饰效果。 2．丝网印刷 丝网印刷要根据印刷的需要制作标准图纹丝印网版。图纹装饰工序中，丝印主要起保护作用，涂感光胶时次数要多些，以便制得较厚的丝网模版，这样才使得遮盖性能好，蚀刻出的图纹清晰度高。丝网版的胶膜在光的作用下，产生光化学反应，使得光照部分交联成不溶于水的胶膜，而未被光照部分被水溶解而露出丝网空格，从而在涂有胶膜丝网版上光刻出符合黑白正阳片图案的漏网图纹。 把带有图纹的丝印网版固定在丝网印刷机上，采用碱溶性耐酸油墨，在金属板上印制出所需要的图纹，经干燥后即可进行蚀刻。 3．蚀刻后处理 蚀刻后必须除去丝印油墨。一般的耐酸油墨易溶于碱中。将蚀刻板浸入40～60g／L的氢氧化钠溶液中，温度50～80℃，浸渍数分钟即可退去油墨。退除后，如果要求光亮度高，可进行抛光，然后进行染色，染色后为了防止变色及增加耐磨、耐蚀性，可以喷涂透明光漆。 对于一些金属本身是耐蚀性能好而且不染色的，也可以不涂透明漆，要根据实际需要而定。 (二)化学蚀刻溶液配方及工艺条件 蚀刻不同的金属要采用不同的溶液配方及工艺条件，常用金属材料的蚀刻溶液配方及工艺条件见表6―4～表6-6。

玻璃蚀刻液的配方及使用方法

玻璃蚀刻液的配方及使用方法 218.15.161.* 1楼 在当前的装饰装璜热潮中，雕刻有各种花纹图案、书法字体的 玻璃、镜、器皿等深受消费者欢迎。玻璃工艺品的雕刻其关键 在于蚀刻液的配制。现将一种原料易购、成本低、制作简单的 蚀刻液配方及使用方法介绍如下： 50-60℃热水18.4%、氢氟酸铵23.5%、草酸12.4%、硫 酸铵15.7%、甘油6.5%、硫酸钡23.5%，此外还添加少许有机 染料适当配色。上述成份混和搅拌均匀即可。配方中的原料在 各地化工商店均有售。加工前预先把玻璃制品洗涤干净，再进 行温热，温热的方式可视玻璃制品大小而定。小件的放入热水 中浸泡一下，大件的放在火炉旁烘一下就行了。最后用毛笔蘸 透蘸匀蚀刻液在玻璃表面书写文字或描出花纹图案，约经2分 钟，一件精美的玻璃雕刻工艺品即展现于眼前。 ?2005-9-18 23:17 ?回复 218.15.182.* 2楼 玻璃蚀刻液的配制 配方： 单位：克 醋氟化氨15 草酸7 硫酸铵8 硫酸纳14 甘油35 水10 配方2： （醋）醋氟化氨180 硫酸30 水90 按配方将各原料溶于60℃左右的热水中，搅拌均匀即可，此配 方可用毛笔蘸少许本剂在玻璃上描绘图案，还可用排笔均匀地 涂上一层蚀刻液，即可成毛玻璃。 ?2005-9-18 23:22

回复 218.15.182.* 3楼 酸在艺术玻璃上的运用 酸在艺术玻璃上的运用 玻璃可以抵抗许多种酸，而磷酸和氢氟酸能够轻易地腐蚀和抛光 玻璃表面。用氢氟酸等物质对玻璃表面进行腐蚀具有很大的危险 性，它可以伤及人的皮肤甚至骨头，且挥发的气体具有毒性和腐 蚀性。 因此，对玻璃进行酸洗必须格外小心，需要有专业的萃取、冲洗 设备，包括排除腐蚀性气体的防护罩、广口的塑料容器、合适的 储藏空间和工作设备。塑料的长柄勺是很有用的工具，但在金属 勺外包裹蜡后也可以使用。工作人员在处理酸时要穿上防护服、 防护靴并戴上面罩。建议配备碱性中和设备以解决突发事件。 腐蚀的深度和效果取决于酸的强度和温度、玻璃的品质和浸泡时 间。酸洗玻璃需要根据不同的情况调整酸洗的方法。大致上，4 份水核60%浓度的氢氟酸是普遍适用的，如果要进行深度酸洗， 则需要2份水和1份氢氟酸，切记必须将酸加入水中，而不是将 水加入酸中。4份水与1份酸在2小时的情况下可以腐蚀大约 1.5mm厚度的玻璃。来自斯堪的那维亚的一个配方是：3份60%浓 度的氢氟酸+5份水+1份90%浓度的硫酸。 有一种酸的配方可以使碱石灰玻璃表面达到绸缎般无光的效果： 氢氟酸（60%）1.0kg=2磅 氟化氢铵 0.2kg=6盎司 硫酸 0.2kg=6盎司 许多艺术家用酸腐蚀玻璃器皿的表层或里层，达到理想的效果。 产生灯泡效果的酸洗操作程序大致为：用热水清洗玻璃，将腐蚀 溶液喷洒在玻璃表面或将玻璃浸入腐蚀溶液中20秒后用热水清 洗。 想在玻璃表面获得装饰性的图案可以使用蜡纸模板抵抗酸的侵 蚀。通常将加热的玻璃进入熔融的蜡中，在蜡全部覆盖在玻璃表 面后，除去装饰纹样部分的蜡，将玻璃浸入腐蚀溶液中以获得期 待的效果。蜡、液体（石油）沥青和铅箔是覆盖在玻璃表面抵抗 腐蚀的常用材料。被称为乳白色蚀剂或法蓝西浮雕的腐蚀溶液， 是一种具有粘性的、腐蚀速度慢但仍然具有毒性的酸洗溶液。为 安全，但操作时需谨慎。它的配方是：

玻璃蚀刻配方设计方案

玻璃蚀刻液的配方及使用方法 在当前的装饰装璜热潮中，雕刻有各种花纹图案、书法字体的玻璃、镜、器皿等深受消费者欢迎。玻璃工艺品的雕刻其关键在于蚀刻液的配制。现将一种原料易购、成本低、制作简单的蚀刻液配方及使用方法介绍如下： 50-60℃热水18.4%、氢氟酸铵23.5%、草酸12.4%、硫酸铵15.7%、甘油6.5%、硫酸钡23.5%，此外还添加少许有机染料适当配色。上述成份混和搅拌均匀即可。配方中的原料在各地化工商店均有售。加工前预先把玻璃制品洗涤干净，再进行温热，温热的方式可视玻璃制品大小而定。小件的放入热水中浸泡一下，大件的放在火炉旁烘一下就行了。最后用毛笔蘸透蘸匀蚀刻液在玻璃表面书写文字或描出花纹图案，约经2分钟，一件精美的玻璃雕刻工艺品即展现于眼前。 玻璃蚀刻液的配制 配方： 单位：克 醋氟化氨15 草酸7 硫酸铵8 硫酸纳14 甘油35 水10 配方2： （醋）醋氟化氨180 硫酸30 水90 按配方将各原料溶于60℃左右的热水中，搅拌均匀即可，此配方可用毛笔蘸少许本剂在玻璃上描绘图案，还可用排笔均匀地涂上一层蚀刻液，即可成毛玻璃。 酸在艺术玻璃上的运用 酸在艺术玻璃上的运用 玻璃可以抵抗许多种酸，而磷酸和氢氟酸能够轻易地腐蚀和抛光玻璃表面。用氢氟酸等物质对玻璃表面进行腐蚀具有很大的危险性，它可以伤及人的皮肤甚至骨头，且挥发的气体具有毒性和腐蚀性。 因此，对玻璃进行酸洗必须格外小心，需要有专业的萃取、冲洗设备，包括排除腐蚀性气体的防护罩、广口的塑料容器、合适的储藏空间和工作设备。塑料的长柄勺是很有用的工具，但在金属勺外包裹蜡后也可以使用。工作人员在处理酸时要穿上防护服、防护靴并戴上面罩。建议配备碱性中和设备以解决突发事件。 腐蚀的深度和效果取决于酸的强度和温度、玻璃的品质和浸泡时间。酸洗玻璃需要根据不

玻璃蚀刻液的配制

玻璃蚀刻液的配制 玻璃蚀刻液（一） 1、用途 本剂是由氟化铵、草酸、硫酸铵等原料制成，主要用于普通玻璃的蚀刻，在玻璃及其制品上刻出人们所喜爱的图案。本剂也可用来制造其它毛玻璃制品。 2、原料 （1）氢化铵：分子式NH4F 白色六水晶体。易潮解，易溶于水和甲醇，较难溶于乙醇。能升华，在本剂中起腐蚀玻璃的作用。选用工业品。 （2）草酸：本剂中用作还原剂。选用工业品。 （3）硫权铵：选用工业品。 （4）甘油：选用工业品。 （5）硫酸钠：本剂中用作填充剂。选用工业品。 3、配方（重量份） 氟化铵15，草酸7，硫酸铵8，硫酸钠14，甘油35，水10 4、制备及使用方法 按配方量将各原料溶于60℃左右的热水中，搅拌混合均匀即可。 使用时，首先把要刻的玻璃制品洗净、晾干，最好用电炉或红外线灯将玻璃稍加温热，这样便于蚀刻。蚀刻时用硬毛毛笔蘸少许本剂，在玻璃上描绘图案，几分 钟后，此图案即可在玻璃上出现。 在制毛玻璃时，可将玻璃清洗干净，晾干，用刷子均匀地涂上一层蚀刻液，即可 制成毛玻璃。 玻璃蚀刻液（二） 1、用途 本剂是以氢氟酸、硫酸等强酸性物质为原料组成的快速玻璃蚀刻液。本剂的特点是蚀刻速度快、方便，原料易得。缺点是，本剂腐蚀性和毒性较大，使用时必须 注意安全。 2、原料 （1）氢氟酸：即氟化氢的水溶液，无色易流动液体。在空气中发烟。有强烈的腐蚀性和毒性，能侵蚀玻璃，需贮于铅制、蜡制或塑料容器中。在本剂中用作蚀 刻玻璃主要原料。选用工业品。 （2）硫酸：纯品为无色油状液体。工业品含有杂质则呈黄、棕等色。用水稀释时，应将浓硫酸慢慢地注入水中，并随时搅和，千万不能将水注入浓硫酸中，以防浓硫酸猛烈飞溅，引起事故。本剂中用作蚀刻助剂。选用工业品。 （3）水：自来水。 3、配方（体积份） 氢氟酸180，硫酸30，水90 4、制备方法 按配方量将氢氟酸和硫酸混合，然后把混合酸慢慢加入到水中。千万不能水往酸 中加。 5、使用方法 本剂用于蚀刻玻璃时，首先要把玻璃洗净干燥。然后把洁净的玻璃制品表面涂上一层预先熔化的石蜡，石蜡涂层要薄而均匀。根据设计要求，在石蜡上切画图案，

蚀刻工艺

蚀刻工艺

一蝕刻技術 利用對金屬表面的侵蝕作用，從金屬表面去除金屬的處理技術。 (1) 電解蝕刻(electrolytic etching) 用母模作導電性陰極，以電解液作媒介，對加工部分，集中實施蝕刻的侵蝕去除法。 (2) 化學蝕刻(chemical etching) 利用耐藥品被膜，把蝕刻侵蝕去除，作用集中於所要部位的方法。 照相蝕刻技術(photo-etching process) 在金屬表面全面均勻形成層狀的感光性耐藥品被膜(photo resist)，而透 過原圖底片，用紫外線等曝光，後施以顯像處理，來形成所要形狀的耐藥 品被膜之被覆層，再以蝕刻浴的酸液或鹼液，對露出部產生化學或電化學 侵蝕作用，來溶解金屬的加工技術。 2

(3) 化學蝕刻技術之特性 a. 不需要電極、母型(master)等工具，故無需此等工具之維護費。 b. 由規劃到生產間所需時間短，可作短期加工。 c. 材料之物理、機械性質不受加工影響。 d. 加工不受形狀、面積、重量之限制。 e. 加工不受硬度、脆性之限制。 f. 能對所有金屬(鐵、不銹鋼、鋁合金、銅合金、鎳合金、鈦、史泰勒合 金)實施加工。 g. 可高精度加工。 h. 可施複雜、不規則、不連續之設計加工。 i. 面積大，加工效率良好，但小面積時，其效率比機機械加工差。 j. 水平向之切削易得高精度，但深度、垂直方向不易得到同機機械加工之 3

精度。 k. 被加工物之組成組織宜均勻，對不均質材，不易加工順利。 二蝕花加工(咬花加工)演進 (1) 第1階段：補助目的掩飾成形品上之缺陷。 (2) 第2階段：裝飾目的提高商品價值。 (3) 第3階段：應用複合花紋邁入更高度的意匠設計時代。 (4) 第4階段：應用立體花紋進入更高品質之時代。 三咬花加工之特性(針對模具) (1) 加工時，幾乎不產生熱量，故不會引起熱變形或熱變質。 (2) 大型模具亦可加工。 (3) 加工時不會產生毛邊、應變、硬化等不良現象。 (4) 曲面、側面之加工容易。 4

蚀刻工艺

蚀刻工艺 蚀刻是金属板模图纹装饰过程中的关键，要想得到条纹清晰、装饰性很强的图纹制品，必须注意控制好蚀刻工艺的条件。主要是蚀刻溶液的温度和蚀刻时间。溶液温度稍高，可以提高金属溶解的速度，也就是蚀刻的速度，缩短蚀刻所需要的时间，但是蚀刻溶液一般都是强酸液，强酸液在温度高的情况下腐蚀性强，容易使防护的涂层或耐蚀油墨软化甚至溶解，使金属非蚀刻部位的耐蚀层附着力下降，导致在蚀刻和非蚀刻交界处的耐蚀涂层脱落或溶化，使蚀刻图纹模糊走样，影响图纹的美观真实和装饰效果，因此温度不宜超过45℃。同样，如果蚀刻的时间太长，特别是蚀刻液温度较高的情况下，耐蚀油墨或防护涂层浸渍时间过长，也同样起到上述的副作用和不良后果，因此时间控制上也要适当，不能浸得太久，一般不宜超过20～25min。 (四)化学蚀刻图纹装饰实例 1．装饰用的材料 装饰用的金属板材：普通钢材、不锈钢、铜及铜合金、铝及铝合金等，以不锈钢板为例说明，板厚l～3mm。 化工原料：丝印感光胶(例如浙江昆山市化工涂料厂生产的DH重氮型)，耐酸油墨有 99-956型和99-200K型等一(广东顺德大良油墨厂产品)，其他为常用化学化工药品。 2．工艺流程 不锈钢板→除油→水洗→干燥→丝网印刷→干燥→水浸→蚀刻图纹叶(片)水洗→除墨→水洗→抛光→水洗→着色→水洗叶(片)硬化处理→封闭处理→清洗叶(片)干燥→检验→产品。 3．具体操作及注意事项 (1)除油除油是为了使丝印油墨与板材有良好的附着力，所以金属板在印前必须彻底把油除干净。除油的方法很多，可以根据情况及需要选择，例如采用常规的化学除油、表面活性剂除油，甚至电解除油、超声除油等，也可以选用商品的专用除油剂。彻底清洗干净后，经干燥再转入丝网印刷。 (2)丝网印刷选用l50目不锈钢、聚酯或尼龙单丝维网，用绷网机固定在网框上，再用上浆器刮涂DH重氮型感光胶，涂覆2～3次，涂膜干燥后，将拍摄好的图纹黑白胶片附着在涂膜丝网上，经曝光、显影后，即制得丝印模板，然后再将不锈钢板、图纹模板固定在丝网印刷机对应位置上，采用碱溶性的耐酸油墨，印上所需要的图纹，自然干燥(或烘干)。如果烘烤，则温度不宜过高及时间不宜过长，否则油墨的碱溶性降低，到除油墨时，不易清除干净。一般情况下，自然干燥1h。烘干为55～60℃，4～5min。

蚀刻工艺(酸性、碱性、微蚀)

PCB外层电路的蚀刻工艺 在印制电路加工中﹐氨性蚀刻是一个较为精细和覆杂的化学反应过程, 却又是一项易于进行的工作。只要工艺上达至调通﹐就可以进行连续性的生产, 但关键是开机以后就必需保持连续的工作状态﹐不适宜断断续续地生产。蚀刻工艺对设备状态的依赖性极大, 故必需时刻使设备保持在良好的状态。目前﹐无论使用何种蚀刻液﹐都必须使用高压喷淋﹐而为了获得较整齐的侧边线条和高质量的蚀刻效果﹐对喷嘴的结构和喷淋方式的选择都必须更为严格。 对于优良侧面效果的制造方式﹐外界均有不同的理论、设计方式和设备结构的研究, 而这些理论却往往是人相径庭的。但是, 有一条最基本的原则已被公认并经化学机理分析证实﹐就是尽速让金属表面不断地接触新鲜的蚀刻液。在氨性蚀刻中﹐假定所有参数不变﹐那么蚀刻的速率将主要由蚀刻液中的氨（NH3）来决定。因此, 使用新鲜溶液与蚀刻表面相互作用﹐其主要目的有两个﹕冲掉刚产生的铜离子及不断为进行反应供应所需要的氨（NH3）。 在印制电路工业的传统知识里﹐特别是印制电路原料的供货商们皆认同﹐并得经验证实﹐氨性蚀刻液中的一价铜离子含量越低﹐反应速度就越快。事实上﹐许多的氨性蚀刻液产品都含有价铜离子的特殊配位基（一些复杂的溶剂）﹐其作用是降低一价铜离子（产品具有高反应能力的技术秘诀）﹐可见一价铜离子的影响是不小的。将一价铜由5000ppm降至50ppm, 蚀刻速率即提高一倍以上。 由于在蚀刻反应的过程中会生成大量的一价铜离子, 而一价铜离子又总是与氨的络合基紧紧的结合在一起﹐所以要保持其含量近于零是十分困难的。而采用喷淋的方式却可以达到通过大气中氧的作用将一价铜转换成二价铜, 并去除一价铜, 这就是需要将空气通入蚀刻箱的一个功能性的原因。但是如果空气太多﹐又会加速溶液中的氨的损失而使PH值下降﹐使蚀刻速率降低。氨在溶液中的变化量也是需要加以控制的, 有一些用户采用将纯氨通入蚀刻储液槽的做法, 但这样做必须加一套PH计控制系统, 当自动监测的PH结果低于默认值时﹐便会自动进行溶液添加。 在相关的化学蚀刻（亦称之为光化学蚀刻或PCH）领域中﹐研究工作已经开始﹐并达至蚀刻机结构设计的阶段。此方法所使用的溶液为二价铜, 不是氨-铜蚀刻, 它将有可能被用