光电检测实验报告

光电检测实验报告

光电检测试验报告

重庆理工大学光电信息学院

实验一光敏电阻特性实验

实验原理:

利用具有光电导效应的半导体材料制成的光敏传感器叫光敏电阻。光敏电阻采

用梳状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏

度。

内光电效应发生时，光敏电阻电导率的改变量为： ????p?e??p??n?e??n ，e

为电荷电量，?p为空穴浓度的改变量，?n为电子浓度的改变量，?表示迁移率。当两端加上电压U后，光电流为：Iph?A????U d式中A为与电流垂直的外表，d为电极间的间距。在一定的光照度下，??为恒

定的值，因而光电流和电压成线性关系。

光敏电阻的伏安特性如图1-2所示，不同的光照度可以得到不同的伏安特性，说明电阻值随光照度发生变化。光照度不变的情况下，电压越高，光电流也越大，光敏电阻的工作电压和电流都不能超过规定的最高额定值。

图1-2光敏电阻的伏安特性曲线图1-3 光敏电阻的光照特性曲线

实验仪器:

稳压电源、光敏电阻、负载电阻〔选配单元〕、电压表、各种光源、遮光罩、激光器、光照度计〔做光照特性测试，由用户自备或选配〕实验步骤:

1. 测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻

观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩盖,用万用表欧姆档测得的

电阻值为暗电阻R暗,移开遮光罩，在环境光照下测得的光敏电阻的阻值为亮电

阻R亮，暗电阻与亮电阻之差为光电阻，光电阻越大，那么灵敏度越高。

在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻，试作性能比拟分析。 2. 光

敏电阻的暗电流、亮电流、光电流

按照图1-5接线，分别在暗光及有光源照射下测出输出电压暗和U亮，电流L

暗=U暗/R,亮电流L亮=U亮/R，亮电流与暗电流之差称为光电流，光电流越大那

么灵敏度越高。 3. 光敏电阻的伏安特性测试

按照上图接线，电源可从直流稳压电源+2~+12V间选用，每次在一定的光照

条件下，测出当加在光敏电阻上电压为+2V；+4V；+6V；+8V；+10V；+12V时电

阻R两端的电压UR，

和电流数据，同时算出此时光敏电阻的阻值，并填入以下表格，根据实验数据

画出光敏电阻的伏安特性曲线。

光敏电阻伏安特性测试数据表〔暗光〕工作电压 2 4 6 8 10 Ur v 0.67 3 5 7 9 电阻 KΩ∞∞∞∞∞电流μA 0 0 0 0 0 光敏电阻伏安特性

测试数据表〔正常环境光照〕电压〔伏〕 2 4 6 8 10 Ur v 1.918 3.836 5.754 7.637 9.581 电阻KΩ 4.82 4.56 4.56 4.48 4.66 电流μA 17 36 54 73 90 光敏电阻伏安特性测试数据表〔有光源照射〕电压〔伏〕 2 4 6 8 10 Ur v 1.962 3.924 5.886 7.848 9.811 电阻KΩ 2.1 2.11 2.0 2.0 1.96 电流μA 18 36 56 76 96 4. 光敏电阻的光照特性测试

按照图1-5接好实验线路，负载电阻R选定1K，光源用高亮度卤钨灯，〔实

验者可仔细调节光源控制旋钮，得到不同的光源亮度〕，每确定一种亮度后改变

测试电路工作电压从0V-12V.

从电源电压UCC=2V开始到UCC=12V，每次在一定的外加电压下测出光敏电阻

在相对

UR光照度从“弱光〞到逐步增强的电流数据，即：Iph?，同时求出此时光敏

电阻

1.00K?的阻值，即：Rg?Ucc?UR 。这里要求尽量多的测点〔不少于15个〕不

同照度下的电IPh流数据，尤其要在弱光位置选择较多的数据点，以使所得到的

数据点能够绘出较为完整的光照特性曲线。

光敏电阻光照特性测试数据表〔电压：2 v 〕照度电流 0.016 0.069 0.202 0.564 0.623 0.018 Ur v 0.118 0.063 0.048 0.042 0.041 0.113 光电流μA 20 23 23 23 23 21 光敏电阻光照特性测试数据表〔电压：4 v 〕照度电流 0.021 0.136 0.258 Ur v 0.18 0.1 0.09

光电流μA 45 48 光敏电阻光照特性测试数据表〔电压：6 v 〕照度电流0.029 0.065 0.226 0.368 Ur v 0.39 0.24 0.15 0.13 光电流μA 68 69 72 72 根据以上实验数据画出光敏电阻的一组光照特性曲线。实验数据处理：数据处理使用MATLAB软件绘图。

根据以上数据，处理后可得到光敏电阻的伏安特性曲线：

48 0.62 0.12 72

根据以上数据，处理后可得到光敏电阻的光照特性曲线：

实验结论与讨论：

对数据处理后的上图为光电阻伏安特性曲线和光照特性曲线。

本实验原理较为简单，操作简便。由于实验器件缺少照度计，因此利用万能表测量照度电流。处理数据时，Ur 是电阻R的电压，对于光敏电阻的电压

Ug=U-Ur，还有就是计算过程中要注意单位是否一致。由于光敏电阻特性随光照变化而变化，在附加有源光照时，一定要对准光敏电阻，否那么变化不明显。实验二光敏电阻的应用-----暗光亮灯电路

实验原理:

图2-1所示即为“光敏灯控〞实验单元内的实际电路,在放大电路中,当光照度下降时晶体管T基极电压升高，T导通,集电极负载LED流过的电流增大,LED发光,这是一个暗通电路.。

实验所需部件:

光敏电阻、光敏灯控电路(也可自行用实验选配单元接线)、发光二极管、电压表

实验步骤:

1. 按照仪器面板所示，将光敏电阻对应接入“光敏灯控〞单元的“光敏入〞，“发光管〞端口与工作台上实验模板上的发光管相接。调节“暗光控制〞电位器，，使在实验室光照环境下发光管不亮。

2. 然后改变光照条件，分别用白纸、带色的纸和遮光罩改变光敏电阻的光照，当光照变暗到一定程度时发光管跳亮。这就是日常所用的暗光街灯控制电路的原理。图2-1 光敏灯控电路

3. 根据图2-1暗通电路原理,试设计一个亮通控制电路.

实验结论与讨论：

通过连接器件后LED发光了，说明实验线路连接正确。

本实验我们对光敏电阻、三极管的原理和工作过程有一定的了解，同时将平时

的理论学习与实践相结合起来，在实验过程中动手能力也得到了锻炼。

实验三光敏二极管特性实验

实验原理:

光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的

PN结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。光敏二极管的伏安特性

相当于向下平移了的普通二极管，无光照时,有很小的饱和反向漏电流,即暗电

流，此时光敏二极管截止。

当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加，形成光电流,它随入射光强度的变化

而变化。光敏二极管结构见图3-1。实验仪器:

光敏二极管、稳压电源、负载电阻(实验选配单元中可变电阻)、遮光罩、光源、

图3-1光敏二极管原理

电压表(自备4 1/2位万用表).、微安表〔或自备4 1/2位万用表上的200mA 档〕、照度计〔自备或另购〕实验步骤:

光电检测实验报告

光电检测实验报告 光电检测试验报告 重庆理工大学光电信息学院 实验一光敏电阻特性实验 实验原理: 利用具有光电导效应的半导体材料制成的光敏传感器叫光敏电阻。光敏电阻采 用梳状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏 度。 内光电效应发生时，光敏电阻电导率的改变量为： ????p?e??p??n?e??n ，e 为电荷电量，?p为空穴浓度的改变量，?n为电子浓度的改变量，?表示迁移率。当两端加上电压U后，光电流为：Iph?A????U d式中A为与电流垂直的外表，d为电极间的间距。在一定的光照度下，??为恒 定的值，因而光电流和电压成线性关系。 光敏电阻的伏安特性如图1-2所示，不同的光照度可以得到不同的伏安特性，说明电阻值随光照度发生变化。光照度不变的情况下，电压越高，光电流也越大，光敏电阻的工作电压和电流都不能超过规定的最高额定值。 图1-2光敏电阻的伏安特性曲线图1-3 光敏电阻的光照特性曲线 实验仪器: 稳压电源、光敏电阻、负载电阻〔选配单元〕、电压表、各种光源、遮光罩、激光器、光照度计〔做光照特性测试，由用户自备或选配〕实验步骤: 1. 测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻 观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩盖,用万用表欧姆档测得的 电阻值为暗电阻R暗,移开遮光罩，在环境光照下测得的光敏电阻的阻值为亮电 阻R亮，暗电阻与亮电阻之差为光电阻，光电阻越大，那么灵敏度越高。 在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻，试作性能比拟分析。 2. 光 敏电阻的暗电流、亮电流、光电流

按照图1-5接线，分别在暗光及有光源照射下测出输出电压暗和U亮，电流L 暗=U暗/R,亮电流L亮=U亮/R，亮电流与暗电流之差称为光电流，光电流越大那 么灵敏度越高。 3. 光敏电阻的伏安特性测试 按照上图接线，电源可从直流稳压电源+2~+12V间选用，每次在一定的光照 条件下，测出当加在光敏电阻上电压为+2V；+4V；+6V；+8V；+10V；+12V时电 阻R两端的电压UR， 和电流数据，同时算出此时光敏电阻的阻值，并填入以下表格，根据实验数据 画出光敏电阻的伏安特性曲线。 光敏电阻伏安特性测试数据表〔暗光〕工作电压 2 4 6 8 10 Ur v 0.67 3 5 7 9 电阻 KΩ∞∞∞∞∞电流μA 0 0 0 0 0 光敏电阻伏安特性 测试数据表〔正常环境光照〕电压〔伏〕 2 4 6 8 10 Ur v 1.918 3.836 5.754 7.637 9.581 电阻KΩ 4.82 4.56 4.56 4.48 4.66 电流μA 17 36 54 73 90 光敏电阻伏安特性测试数据表〔有光源照射〕电压〔伏〕 2 4 6 8 10 Ur v 1.962 3.924 5.886 7.848 9.811 电阻KΩ 2.1 2.11 2.0 2.0 1.96 电流μA 18 36 56 76 96 4. 光敏电阻的光照特性测试 按照图1-5接好实验线路，负载电阻R选定1K，光源用高亮度卤钨灯，〔实 验者可仔细调节光源控制旋钮，得到不同的光源亮度〕，每确定一种亮度后改变 测试电路工作电压从0V-12V. 从电源电压UCC=2V开始到UCC=12V，每次在一定的外加电压下测出光敏电阻 在相对 UR光照度从“弱光〞到逐步增强的电流数据，即：Iph?，同时求出此时光敏 电阻 1.00K?的阻值，即：Rg?Ucc?UR 。这里要求尽量多的测点〔不少于15个〕不 同照度下的电IPh流数据，尤其要在弱光位置选择较多的数据点，以使所得到的 数据点能够绘出较为完整的光照特性曲线。 光敏电阻光照特性测试数据表〔电压：2 v 〕照度电流 0.016 0.069 0.202 0.564 0.623 0.018 Ur v 0.118 0.063 0.048 0.042 0.041 0.113 光电流μA 20 23 23 23 23 21 光敏电阻光照特性测试数据表〔电压：4 v 〕照度电流 0.021 0.136 0.258 Ur v 0.18 0.1 0.09

光电探测技术实验报告

光电探测技术实验报告 班级：08050341X 学号：28 姓名：宫鑫

实验一光敏电阻特性实验 实验原理: 光敏电阻又称为光导管,是一种均质的半导体光电器件,其结构如图(1)所示。由于半导体在光照的作用下,电导率的变化只限于表面薄层,因此将掺杂的半导体薄膜沉积在绝缘体表面就制成了光敏电阻，不同材料制成的光敏电阻具有不同的光谱特性。光敏电阻采用梳状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。 实验所需部件: 稳压电源、光敏电阻、负载电阻（选配单元）、电压表、 各种光源、遮光罩、激光器、光照度计（由用户选配） 实验步骤: 1、测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻 观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩 盖,用万用表测得的电阻值为暗电阻 R暗,移开遮光罩，在环境光照下测得的光敏电阻的 阻值为亮电阻，暗电阻与亮电阻之差为光电阻，光 电阻越大，则灵敏度越高。 在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻， 试作性能比较分析。 2、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图(3)接线，电源可从+2~+8V间选用，分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮则暗电流L暗=V暗/R L,亮电流L亮=V亮/R L，亮电流与暗电流之差称为光电流，光电流越大则灵敏度越高。 分别测出两种光敏电阻的亮电流，并做性能比较。 图（2）几种光敏电阻的光谱特性 3、伏安特性: 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系。 按照图(3)分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V、12V时的光电流，并尝试高照射光源的光强，测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果填入表格并作出V/I曲线。 注意事项: 实验时请注意不要超过光电阻的最大耗散功率P MAX, P MAX=LV。光源照射时灯胆及灯杯温度均很高，请勿用手触摸，以免烫伤。实验时各种不同波长的光源的获取也可以采用在仪器上的光源灯泡前加装各色滤色片的办法，同时也须考虑到环境光照的影响。

大学光电效应实验报告

大学光电效应实验报告 摘要： 本实验通过测量光电效应电流与光照强度的关系，验证了光电 效应公式，同时探究了光电效应与金属性质之间的关系。实验结 果表明，光电效应电流与光照强度呈线性关系，且直线斜率与金 属工作函数成反比。另外，使用单色光进行实验，观察到光电效 应电流随波长的增加而减小，波长与截止电压呈反比例关系。本 实验结果在理论研究和工程设计中具有重要意义。 引言： 光电效应是一种广泛应用于光电子学和光电检测技术的基本现象，在研究金属性质、测量光照强度、激光制造和光伏发电等方 面都具有重要应用价值。本实验旨在通过实验验证光电效应公式，并研究光电效应与金属性质之间的关系。实验过程中，我们使用 光电性材料作为样品，利用不同波长的光照射样品，测量其光电 效应电流随光照强度的变化情况，并记录其截止电压与波长之间 的关系。 实验步骤：

将光电效应实验仪器接上电源，并将样品清洗干净。首先使用 单色光源，在不同的光强下测量光电效应电流，并记录其值。对 于同一光源，可以使用电阻箱调节其光强，也可以更换光源来变 化其光照强度。之后使用紫外线灯光源，以固定的光照强度对不 同金属进行实验，记录其截止电压，并计算相应的工作函数。最 后将实验结果进行统计分析，得出结论。 实验结果： 通过实验观察和统计数据计算，我们得到了以下实验结果： 1. 光电效应电流与光照强度呈线性关系，即I∝E； 2. 线性关系中的直线斜率与金属工作函数成反比，即k∝1/Φ; 3. 使用单色光进行实验时，光电效应电流随波长的增加而减小，波长与截止电压呈反比例关系。 结论： 本实验通过观察和分析光电效应电流与光照强度的关系、实验 数据的计算等手段，验证了光电效应公式的有效性，同时探究了 光电效应与金属性质之间的关系。实验结果表明，光电效应电流 与光照强度呈线性关系，且直线斜率与金属工作函数成反比。另

光电器件特性测试实验报告

光电器件特性测试实验报告 光电器件特性测试实验报告 摘要： 本实验旨在通过对光电器件特性的测试，探究光电器件的工作原理和性能特点。实验中使用了光电二极管和光敏电阻作为测试对象，通过测试光电器件的光电 流和光电阻随光强的变化关系，以及对不同波长光的响应能力，得出了一系列 实验结果。实验结果表明，光电器件的性能特点与光强、波长等因素密切相关，为光电器件的设计和应用提供了重要依据。 一、引言 光电器件是将光信号转化为电信号的重要元件，广泛应用于光通信、光电子、 光电测量等领域。了解光电器件的特性对于其设计和应用具有重要意义。本实 验选取了光电二极管和光敏电阻作为测试对象，通过对其特性的测试，探究光 电器件的工作原理和性能特点。 二、实验方法 1. 实验器材： - 光电二极管 - 光敏电阻 - 光源 - 电流源 - 电压源 - 示波器 - 多用表

2. 实验步骤： a. 搭建光电器件测试电路，将光电二极管和光敏电阻分别与电流源和电压源相连。 b. 调节光源距离光电器件的距离，改变光强。 c. 测量光电二极管的光电流和光敏电阻的光电阻随光强的变化关系。 d. 改变光源的波长，测量光电二极管和光敏电阻对不同波长光的响应能力。 三、实验结果与分析 1. 光电二极管的特性测试结果： a. 光电流随光强的变化关系：实验结果显示，光电流随光强的增大而线性增加，但当光强达到一定值后，光电流增加的速度减慢，呈现饱和状态。这是因为光电二极管在光照射下，光子能量被电子吸收，从而产生电流。 b. 光电流对不同波长光的响应能力：实验结果显示，光电二极管对不同波长光的响应能力存在差异。在可见光范围内，光电流对短波长光的响应更强，而对长波长光的响应较弱。这是因为光电二极管的能带结构和材料特性导致了不同波长光的吸收效果不同。 2. 光敏电阻的特性测试结果： a. 光敏电阻随光强的变化关系：实验结果显示，光敏电阻随光强的增大而线性减小，即光敏电阻与光强呈反比关系。这是因为光敏电阻的电阻值受光照射强度的影响，光强越大，电阻值越小。 b. 光敏电阻对不同波长光的响应能力：实验结果显示，光敏电阻对不同波长光的响应能力存在差异。在可见光范围内，光敏电阻对短波长光的响应更强，而对长波长光的响应较弱。这与光敏电阻的材料特性和能带结构有关。

光电检测实验报告光电二极管

光电检测实验报告光电二极管 实验名称：光电检测实验 实验目的： 1.了解光电二极管的基本原理和工作原理； 2.掌握光电二极管的基本特性和性能参数； 3.学习使用光电二极管进行光电检测实验。 实验设备： 1.光电二极管； 2.光源； 3.数字万用表。 实验原理： 光电二极管是一种将光信号转换成电信号的光电器件。它是由P型半 导体和N型半导体构成的二极管，光照射在PN结处时，光子能量被吸收，激发了电子-空穴对的产生，从而形成漂移电流，这个电流被称为光电流。实验步骤： 1.将光电二极管连接到数字万用表的电流测量档位上，确保电路接线 正确； 2.打开光源，调整光源距离光电二极管的位置，使其照射光强适中； 3.使用数字万用表测量并记录光电二极管的光电流；

4.调整光源的亮度，观察光电流的变化； 5.分别在不同光照强度条件下，测量光电二极管的电流值； 6.将实验数据整理并分析。 实验结果： 在实验过程中，我们测量并记录了不同光照强度下光电二极管的电流值。实验结果显示，光电二极管的光电流与光照强度呈线性关系。随着光 照强度的增加，光电流也随之增加。在光照强度较弱的条件下，光电流较小；而在光照强度较强的条件下，光电流较大。 实验分析： 通过实验结果可以看出，光电二极管的工作原理是光照射到PN结处，激发了电子-空穴对的生成。光照强度越大，激发的电子-空穴对数量越多，产生的光电流也越大。因此，光电二极管可以用来检测光的亮度和强度。 实验中我们还发现，在光照强度较弱的条件下，光电流的变化不太敏感。而在光照强度较强的条件下，光电流的变化更为明显。这是由于光电 二极管的饱和现象导致的。当光照强度较强时，光电二极管已经饱和，其 光电流不再呈线性增加。 实验总结： 通过本次光电检测实验，我们对光电二极管的原理和工作原理有了更 深入的理解。光电二极管可用于测量光的强度和亮度，并且其光电流与光 照强度呈线性关系。然而在光照强度较强的条件下，光电流的变化不再呈 线性增加，而是受到饱和现象的影响。这些实验结果对于光电二极管的应 用和理解具有重要意义。

光电效应与普朗克常量的测定实验报告

实验目的： 本实验旨在通过光电效应实验测定普朗克常量，并验证光电效应与普朗克常量之间的关系。 实验原理： 光电效应是指当光照射到金属表面时，金属会发射出电子的现象。根据爱因斯坦的解释，光电效应可以用粒子模型解释，即光子（光的量子）与金属表面上的电子相互作用，使得电子获得足够的能量，从而克服金属表面的束缚力逸出。 普朗克常量（h）是描述光子的能量与频率之间关系的物理常数，它与光电效应中的电子动能和光的频率之间有关系，可以通过光电效应实验进行测定。 实验装置： 光源：提供可调节的单色光源。 光电管：包括光敏阴极和阳极，用于测量光电子的电流。 电压源：用于给光电管提供适当的反向电压。 电流计：用于测量光电子的电流。 实验步骤： 将光电管与电压源和电流计连接起来，确保电路正常。 调节光源的单色光频率，使其能够照射到光电管的光敏阴极上。 逐渐增加反向电压，直到观察到电流计指针发生明显变化。 记录此时的反向电压和光电管的电流值。 重复步骤3和步骤4，分别改变光源的频率和光强，记录对应的反向电压和电流值。 统计所得的数据，绘制反向电压和光电流的关系曲线。 根据实验数据和绘制的曲线，利用普朗克关系E = hf（E为光电子的动能，h为普朗克常量，f为光的频率），进行普朗克常量的测定。 实验结果与讨论： 根据实验所得的反向电压和光电流的关系曲线，可以利用普朗克关系计算得到普朗克常量的数值。在实验中应注意排除误差因素，如光强的变化、测量误差等，以提高实验结果的准确性。 结论： 通过光电效应实验测定普朗克常量，并与理论值进行比较，验证了光电效应与普朗克常量之间的关系。实验结果与理论值的接近程度可以评估实验的准确性，并对光电效应和普朗克常量的物理意义进行讨论。 需要注意的是，实验报告中还应包括实验装置的详细描述、数据记录、数据处理方法和结果分析等内容，以及可能的误差来源和改进措施。这些信息可以根据具体的实验条件和要求进行适当调整和补充。

光电测量实验报告

光电测量实验报告 光电测量实验报告 引言： 光电测量是一种常见的实验方法，通过测量光电效应来获得有关光的性质的信息。本次实验旨在通过测量光电效应的特性曲线和光电效应的应用，深入理解光电效应的原理和应用。 一、实验装置与原理 实验装置主要包括光源、光电池、电流放大器和数据采集系统。光源可以是激光器、LED等，本实验中采用LED作为光源。光电池是一种能将光能转化为电能的器件，其内部结构包括光敏电极和电极。当光照射到光敏电极上时，光子会激发光敏电极上的电子，使其跃迁到导带中，从而产生电流。电流放大器用于放大光电池产生的微弱电流信号，以便进行测量和分析。数据采集系统用于记录和分析实验数据。 二、实验步骤与结果 1. 实验步骤 （1）将光源与光电池相距一定距离，调整光源的亮度。 （2）将电流放大器与光电池连接，设置合适的放大倍数。 （3）打开数据采集系统，开始记录实验数据。 （4）改变光源的亮度，记录光电池输出电流的变化。 （5）重复步骤（4），改变光源与光电池的距离，记录光电池输出电流的变化。 2. 实验结果 通过实验记录的数据，我们可以得到光电效应的特性曲线。特性曲线通常包括

光电流与光源亮度之间的关系曲线和光电流与光源与光电池距离之间的关系曲线。通过分析特性曲线，我们可以得出以下结论： （1）光电流与光源亮度呈正相关关系，即光源亮度越高，光电流越大。 （2）光电流与光源与光电池距离呈负相关关系，即光源与光电池距离越远，光电流越小。 三、讨论与分析 1. 光电效应的原理 光电效应是指当光照射到金属或半导体材料表面时，会激发材料中的电子跃迁 到导带中，从而产生电流的现象。根据实验结果，我们可以得出光电效应的原 理如下： （1）光子的能量越高，电子跃迁到导带中的概率越大，产生的电流越大。 （2）光源与光电池之间的距离越远，光子的能量衰减越大，电子跃迁到导带中的概率越小，产生的电流越小。 2. 光电效应的应用 光电效应在实际生活中有着广泛的应用。其中一项重要的应用是光电池，它可 以将光能转化为电能，被广泛应用于太阳能电池板、光电传感器等领域。另外，光电效应还可以用于光电倍增管、光电二极管等器件中，用于测量和检测光信号。 四、实验误差与改进 在实验过程中，可能会存在一些误差，影响实验结果的准确性。其中一些主要 的误差包括光源亮度的不均匀性、光电池的温度变化等。为了减小误差，可以 采取以下改进措施：

光电探测器实验报告

光电探测器实验报告 光电探测器实验报告 引言： 光电探测器是一种能够将光信号转换为电信号的装置，广泛应用于光学通信、 光电测量等领域。本实验旨在通过实际操作，了解光电探测器的工作原理、特 性以及应用。 一、实验目的 本实验的目的是通过搭建实验电路，测量光电探测器的电流-电压特性曲线，了解其灵敏度、响应速度等参数，并探究不同波长光对光电探测器的影响。 二、实验装置与方法 本实验所用的主要装置有光电探测器、光源、电流电压源、示波器等。首先， 将光电探测器与电流电压源相连接，然后将示波器与光电探测器并联，最后将 光源对准光电探测器。在实验过程中，我们将改变电流电压源的输出电压，记 录光电探测器的输出电流，并观察示波器上的波形。 三、实验结果与分析 通过实验测量，我们得到了光电探测器的电流-电压特性曲线，如图1所示。从图中可以看出，当电压较小时，光电探测器的输出电流较小，随着电压的增加，输出电流逐渐增大。当电压达到一定值后，输出电流基本保持稳定。这是因为 在低电压下，光电探测器的内部电场较弱，电子-空穴对的产生较少，因此输出电流较小。随着电压的增加，内部电场增强，电子-空穴对的产生增多，导致输出电流增大。当电压达到一定值后，内部电场已经达到饱和，此时输出电流基 本保持稳定。

图1 光电探测器的电流-电压特性曲线 另外，我们还对不同波长光对光电探测器的影响进行了实验。通过改变光源的波长，我们测量了不同波长下光电探测器的输出电流。实验结果显示，当光源的波长与光电探测器的工作波长匹配时，输出电流最大。这是因为光电探测器对特定波长的光敏感度最高，其他波长的光则会引起较小的输出电流。这一特性使得光电探测器在光学通信等领域中具有重要的应用价值。 四、实验总结 通过本次实验，我们深入了解了光电探测器的工作原理和特性。光电探测器的电流-电压特性曲线反映了其灵敏度、响应速度等重要参数。同时，不同波长光对光电探测器的影响也得到了验证。这些实验结果有助于我们更好地理解光电探测器的应用和优化设计。 在实验过程中，我们也发现了一些问题。例如，光电探测器的输出电流受环境光的影响较大，因此在实际应用中需要采取一定的屏蔽措施。此外，光电探测器的响应速度也会受到器件本身的特性和外部电路的影响，需要进一步研究和优化。 总之，本实验通过实际操作，使我们对光电探测器有了更深入的了解。光电探测器作为一种重要的光学器件，在通信、测量等领域有着广泛的应用前景。希望通过今后的学习和研究，能够进一步发展和改进光电探测器，推动光学技术的发展。

光电探测原理实验报告 南邮

光电探测原理实验报告南邮 摘要:采用四象限探测器作为光电定向实验，学习四象限探测器的工作原理和特性， 同时掌握四象限探测器定向的工作方法。实验中，四象限探测器的四个限区验证了具有完 全一样的光学特性，同时四象限的定向具有较良好的线性关系。 关键词:光电定向四象限探测器 1、开场白 随着光电技术的发展，光电探测的应用也越来越广泛，其中光电定向作为光电子检测 技术的重要组成部分，是指用光学系统来测定目标的方位，在实际应用中具有精度高、价 格低、便于自动控制和操作方便的特点，因此在光电准直、光电自动跟踪、光电制导和光 电测距等各个技术领域得到了广泛的应用。光电定向方式有扫描式、调制盘式和四象限式，前两种用于连续信号工作方式，后一种用于脉冲信号工作方式。，由于四象限光电探测器 能够探测光斑中心在四象限工作平面的位置，因此在激光准直、激光通信、激光制导等领 域得到了广泛的应用［1］. 本光电定向实验装置采用激光器作为光源，四象限探测器作 为光电探测接收器，采用目前应用最广泛的`一种光电定向方式现直观，快速定位跟踪目 标方位。定向原理由两种方式完成：1、硬件模拟定向，通过模拟电路进行坐标运算，运 算结果通过数字表头进行显示，从而显示出定向坐标；2、软件数字定向，通过AD转换电 路对四个象限的输出数据进行采集处理，经过单片机运算处理，将数据送至电脑，由上位 机软件实时显示定向结果。 本实验系统就是根据光学雷达和光学制导的原理而设计的，利用其光电系统可以轻易、间接地测定目标的方向。使用650nm激光器搞光源，用四象限探测器表明光源方向和强度。通过实验，可以掌控四象限光电探测器原理，并观测至红外红外线电磁辐射至四象限探测 器上的边线和强度变化。并利用实验仪展开设计性实验等内容，将光学定向应用领域至各 领域中[2]。 2、实验原理 2.1、系统了解 光电定向是指用光学系统来测定目标的方位，在实际应用中具有精度高、价格低、便 于自动控制和操作方便的特点，因此在光电准直、光电自动跟踪、光电 制导和光电测距等各个技术领域获得了广为的应用领域。使用激光器做为光源，四象 限探测器做为光电观测接收器，根据电子和差式原理，同时实现可以直观、快速观测定位 跟踪目标方位的光电定向装置，就是目前应用领域最广为的一种光电定向方式。该系统主 要由升空部分，光电探测器，信号处理电路，A/D切换和单片机，最后通过计算机表明输入。该系统结构框图例如图1： 图1 系统结构框图

光电检测实验报告

光电检测实验报告 光电检测实验报告 引言： 光电检测是一种常见的实验方法，通过光电效应原理，将光信号转化为电信号 进行测量和分析。本次实验旨在通过搭建光电检测系统，探索光电效应在不同 条件下的特性，并研究其在实际应用中的潜力。 一、实验装置的搭建 实验装置由光源、光电探测器和信号处理器组成。光源可以选择激光器、LED 等，而光电探测器则包括光电二极管、光电倍增管等。信号处理器用于放大和 转换光电信号，常见的有放大器、滤波器等。 二、光电效应的研究 光电效应是指当光照射到物质表面时，光子能量被物质吸收，从而产生电子的 现象。实验中，我们通过改变光源的强度和波长，以及调整光电探测器的位置 和方向，研究光电效应的特性。 1. 光源强度对光电效应的影响 在实验中，我们使用不同强度的光源照射光电探测器，记录下光电流的变化情况。实验结果显示，光源强度越大，光电流也越大，这表明光电效应与光源的 强度呈正相关关系。 2. 光源波长对光电效应的影响 我们使用不同波长的光源照射光电探测器，观察光电流的变化。实验结果显示，不同波长的光源对光电效应的影响不同。在可见光范围内，短波长的光源产生 的光电流较大，而长波长的光源产生的光电流较小。这说明光电效应与光源的

波长呈负相关关系。 三、光电检测在实际应用中的潜力 光电检测技术在许多领域中有着广泛的应用，如光电传感器、光电测距仪等。以下是一些实际应用案例： 1. 光电传感器在自动化生产中的应用 光电传感器可以通过光电效应检测物体的存在与否，广泛应用于自动化生产线上。例如，在汽车制造过程中，光电传感器可以检测零件的位置和质量，实现自动化装配和质量控制。 2. 光电测距仪在测量领域中的应用 光电测距仪利用光电效应测量物体与测距仪之间的距离。它可以应用于建筑测量、地质勘探等领域。例如，在建筑测量中，光电测距仪可以快速、准确地测量建筑物的高度和距离，提高测量效率。 结论： 通过本次实验，我们搭建了光电检测系统，并研究了光电效应在不同条件下的特性。实验结果表明，光电效应与光源的强度和波长有关。此外，光电检测技术在实际应用中具有广阔的潜力，可以应用于自动化生产和测量领域。光电检测技术的发展将进一步推动科学研究和工程应用的进步。

2023年光电检测实验报告

光电检测技术课程设计 光电脉搏检测电路题目: 小组人员姓名: 专业: 班级: 小组人员学号: 指导教师: 年月日

光电脉搏检测电路 摘要：本电路由光电池、放大器等构成，实现对光电脉搏信号旳提取和放大。采用目前效果很好光电池旳电流转电压电路实现对脉搏旳测量。整个电路旳简化可以有效减小器件间匹配和级联引起旳干扰，提高脉搏测量精度。在试验测试过程中，采用该光电式脉搏传感器对人体旳脉搏进行实时测量，得到比较理想旳脉搏波形，为实现脉搏信息旳提取和分析提供了参照方案。 一、系统设计 1．系统目旳设计及意义 设计制作一种光电脉搏测试仪，通过光电式脉搏传感器对手指末端透光度旳监测，间接检测出脉搏信号，并在显示屏上显示所测旳脉搏跳动波形，规定测量稳定、精确、性能良好。 2．设计思想 （1）传感器：运用指套式光电传感器，指套式光电传感器旳换能元件用硅光电池,由于心脏旳跳动,引起手指尖旳微血管旳体积发生对应旳变化（当心脏收缩时，微血管容积增大；当心脏舒张时,微血管容积减少），当光通过手指尖射到硅光电池时,产生光电效应,两极之间产生电压由于指尖旳微血管内旳血液伴随心脏旳跳动发生对应于脉搏旳容积变化,因而使光透过指尖射到硅光电池时也发生对应旳强度变化, 而非血液组织(皮肤、肌肉、骨格等)旳光吸取量是恒定不变旳, 这样就把人体旳脉搏(非电学量) 转换为对应于脉博旳电信号, 以便检测。（2）按正常人脉搏数为60~80次/min，老人为100~150次/min，在运动后最高

跳动次数为240次/ min 设计低通放大器。5Hz 以上是病人与正常人脉搏波体现差异旳地方，应注意保留。 （3）测量中考虑到并要消除旳干扰有：环境光对脉搏传感器测量旳影响、电磁干扰对脉搏传感器旳影响、测量过程中运动旳噪声尚有50Hz 干扰。 （4）由于透过指尖射到硅光电池旳光强很小，输出短路电流约为0.1uA ～3 uA ，因此总共放大106倍以便于观测。传感器得到旳脉搏信号极为微弱，很轻易沉没在噪声及干扰信号之中，因此对获得旳微弱信号先进行放大后再滤波。设计两极放大，由于三级放大个别电路板旳零点漂移大得足以到达满幅，测量不精确。每个单级放大器旳放大倍数不不小于30，以免自激振荡。 3． 整体框图 本系统共分为三个模块： 方框图中各部分旳作用是： （1）传感器：将脉搏旳跳动转换为电压信号，放大104倍。 （2）一级放大电路：对微弱信号进行放大，放大概5倍 （3）二阶低通滤波电路： 滤除干扰信号并深入放大，再放大20倍。

光电检测实验报告光电二极管

光电检测实验报告实验名称：光电二极管综合实验实验者： 实验班级：光电10305班 实验时间：2011年4月13日指导老师：宋老师

一、实验目的 1、学习掌握光敏二极管的工作原理 2、学习掌握光敏二极管的基本特性 3、了解光敏二极管应用差异 4、掌握光敏二极管特性测试的方法 5、了解光电二极管的基本应用 二、实验内容 1、光电二极管暗电流测试实验 2、光电二极管光电流测试实验 3、光电二极管光电特性测试实验 4、光电二极管光谱特性测试实验 三、实验仪器 1、光电二三极管综合实验仪 1个 2、光通路组件 1套 3、光照度计 1个 4、电源线 1根 5、2#迭插头对（红色，50cm） 10根 6、2#迭插头对（黑色，50cm） 10根 7、三相电源线 1根

8、实验指导书 1本 四、实验步骤 1、光电二极管暗电流测试 1）组装好光通路组件，将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连（红为正极，黑为负极），将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 （2）“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态特性”，将拨位开关S1，S2，S3，S4，S5，S6，S7均拨下。 （3）“光照度调节”调到最小，连接好光照度计，直流电源调至最小，打开照度计，此时照度计的读数应为0。 （4）将电压表直接与电源两端相连，打开电源调节直流电源电位器，使得电压输出为15V，关闭电源。 （5）按图8所示的电路连接电路图，负载RL选择RL15=20M。 （6）打开电源开关，等电压表读数稳定后测得负载电阻RL上的压降V暗，则暗电流L暗=V暗/RL。所得的暗电流即为偏置电压在15V时的暗电流. 图8

光电效应法测定普朗克常数实验报告

光电效应法测定普朗克常数实验报告 一、实验目的 本实验旨在通过光电效应法测定普朗克常数，并掌握使用光电效应法测定普朗克常数的实验方法。 二、实验原理 光电效应是指光照射在金属表面时，如果光子的能量大于金属的逸出功，那么就会发生光电子的发射。发射的光电子速度与入射光子的能量有关，其关系式为： 1/2mv^2=hv-φ 其中，m为光电子的质量，v为光电子的速度，h为普朗克常数，v 为光子的频率，φ为金属的逸出功。 根据上述公式，我们可以通过测量光电子的最大动能和入射光子的频率来求解普朗克常数。 三、实验器材和实验步骤 实验器材：光电效应实验仪、电压源、微安表、光源、金属样品、计算机等。 实验步骤：

1.将金属样品安装在光电效应实验仪的样品台上，并调整光源的位置和强度，保证光线垂直照射在样品上。 2.调节电压源的输出电压，使得微安表的指针停留在零位。 3.改变光源的频率，记录微安表的读数，并记录此时的电压值。 4.重复第3步，直到微安表的读数变为零。 5.根据实验数据求解普朗克常数。 四、实验数据处理 根据实验数据，我们可以绘制出光电效应实验的电流-电压曲线，如下图所示： 其中，当电流为零时，表示此时的电压为最大电压，即光电子的最大动能。通过测量光电子最大动能对应的电压值和对应的光源频率，我们可以求解普朗克常数。 五、实验结果与结论 通过实验数据处理，我们得到普朗克常数的值为6.63×10^-34 J·s，这个数值与理论值非常接近，说明本次实验的结果是比较准确的。 实验结果表明，光电效应法可以用于测定普朗克常数，而且其测量

精度高，方法简单易行，是一种非常有用的实验方法。 六、实验注意事项 1.实验过程中要保证光线垂直照射在金属样品上，同时避免其他光源的干扰。 2.测量电流时，要注意保证电流表与金属样品之间的电路畅通无阻。 3.实验过程中要注意用手套或木夹子等工具操作，避免直接接触金属样品。 4.实验结束时，要注意关闭电源和光源，并按照要求归还实验器材。 七、实验总结 通过本次实验，我们不仅掌握了使用光电效应法测定普朗克常数的实验方法，而且深刻理解了光电效应的原理和应用，对光电效应的研究有了更深入的认识。同时，我们也认识到科学实验精神的重要性，只有在严谨的实验条件下，才能得到准确的实验结果。

光电检测实验报告

实验三十光纤位移传感器（半圆分部）的特性实验 一、实验目的：了解光纤位移传感器的工作原理和性能。 二、基本原理：本实验采用的是导光型多模光纤，它由两束光纤组成半圆分布的Y型传感探头，一束光纤端部与光源相接用来传递发射光，另一束端部与光电转换器相接用来传递接收光，两光纤束混合后的端部是工作端亦即探头，当它与被测体相距Ｘ时由光源发出的光通过一束光纤射出后，经被测体反射由另一束光纤接收，通过光电转换器转换成电压，该电压的大小与间距Ｘ有关，因此可用于测量位移。 三、需用器件与单元：光纤传感器、光纤传感器实验模板、数显单元、测微头、直流电源±15V、铁测片。 四、实验步骤： 1、根据图9-1安装光纤位移传感器，二束光纤分别插入实验板上光电变换座内，其内部装有发光管Ｄ及光电转换管T。 2、将光纤实验模板输出端V0与数显单元相连，见图9-2。 3、在测微头顶端装上铁质圆片，作为反射面，调节测微头使探头与反射面轻微接触,数显表置20V档。 4、实验模板接入±15V电源，合上主控箱电源开关，调节RW2使数显表显示为零。 5、旋转测微头,使被测体离开探头,每隔0.1mm读出数显表显示值,将其填入9-1。

注：电压变化范围从0→最大→最小必须记录完整。 表9-1：光纤位移传感器输出电压与位移数据如下表所示： 通过上述的表格可以找出在X=6.5或者6.6mm时输出电压才达到最大值为6.78或者6.79V，但当继续寻找最小值的时候并没有找到，输出电压随着位移的增大逐渐的减小，但是减小的幅度会渐渐的趋于平衡，在达到测微头最大量程时还在继续的减小，因此并没有找到最小的记录。并认为X=4mm时为最小的0。 6、根据表9-1数据，作出光纤位移传感器的位移特性图，并加以分析、计算出前坡和后坡的灵敏度及两坡段的非线性误差。 答：利用excel对数据进行分析得光纤位移传感器的位移特性图如下所示： 通过光纤位移传感器的位移特性图可知：其图形被分为前坡和后坡两部分，在前坡输出电压随着位移的增大而增大并且达到最大值，并且前坡的增大的幅度比较大，在后坡输出电压随着位移的增大不再增大而是相应的减小，减小的幅度较小，并逐渐的趋于稳定。通过图形可以看出前坡的范围窄，灵敏度高，线性好，适用于测小位移和表面粗糙度。后坡的减弱与探头和被测表面之间的距离平方成反比。 将在最大值之前的值作为前坡的数据单独拿出来做处理同时去掉最前和最后的值，同样用excel的画图进行斜线的拟合得到如下的拟合直线，并显示拟合的直线表达式：前坡部分的位移特性图如下所示：

光电效应和普朗克常量的测定-实验报告

光电效应和普朗克常量的测定 创建人：系统管理员总分：100 实验目的 了解光电效应的基本规律，学会用光电效应法测普朗克常量；测定并画出光电管的光电特性曲线。 实验仪器 水银灯、滤光片、遮光片、光电管、光电效应参数测试仪。 实验原理 光电效应： 当光照射在物体上时，光子的能量一部分以热的形式被物体吸收，另一部分则转换为物体中一些电子的能量，是部分电子逃逸出物体表面。这种现象称为光电效应。爱因斯坦曾凭借其对光电效应的研究获得诺贝尔奖。在光电效应现象中，光展示其粒子性。 光电效应装置： S为真空光电管。内有电极板，A、K极板分别为阳极和阴极。G为检流计（或灵敏电流表）。无光照时，光电管内部断路，G中没有电流通过。U为电压表，测量光电管端电压。 由于光电管相当于阻值很大的“电阻”，与其相比之下检流计的内阻基本忽略。故检流计采用“内接法”。

用一波长较短（光子能量较大）的单色光束照射阴极板，会逸出光电子。在电源产生的加速电场作用下向A 级定向移动，形成光电流。显然，如按照图中连接方式，U 越大时，光电流I 势必越大。于是，我们可以作出光电管的伏安特性曲线，U=I 曲线关系大致如下图： 随着U 的增大，I 逐渐增加到饱和电流值IH 。 另一方面，随着U 的反向增大，当增大到一个遏制电位差Ua 时，I 恰好为零。此时电子的动能在到达A 板时恰好耗尽。 光电子在从阴极逸出时具有初动能2 2 1mv ，当U=Ua 时，此初动能恰好等于其克服电场力所做的功。即： ||2 12 a U e mv = 根据爱因斯坦的假设，每粒光子有能量hv =ε。式中h 为普朗克常量，v 为入射光波频率。

光电效应测普朗克常量实验报告

光电效应测普朗克常量实验报告 篇一：光电效应测普朗克常量实验报告 光电效应测普朗克常量实验报告 一、实验题目 光电效应测普朗克常数 二、实验目的 1、通过实验深刻理解爱因斯坦的光电效应理论，了解光电效应的基本规律； 2、掌握用光电管进行光电效应研究的方法； 3、学习对光电管伏安特性曲线的处理方法，并用以测定普朗克常数。 三、仪器用具 ZKY—GD—3光电效应测试仪、汞灯及电源、滤色片（五个）、光阑（两个）、光电管、测试仪 四、实验原理 1、光电效应与爱因斯坦方程 用合适频率的光照射在某些金属表面上时，会有电子从金属表面逸出，这种现象叫做光电效应，从金属表面逸出的电子叫光电子。为了解释光电效应现象，爱因斯坦提出了“光量子”的概念，认为对于频率为 的光波，每个光子的能量为 式中， 为普朗克常数，它的公认值是 =6.626 。 按照爱因斯坦的理论，光电效应的实质是当光子和电子相碰撞时，光子把全部能量传递给电子，电子所获得的能量，一部分用来克服金属表面对它的约束，其余的能量则成为该光电子逸出金属表面后的动能。爱因斯坦提出了著名的光电方程： （1） 式中，?为入射光的频率，m为电子的质量，v为光电子逸出金属表面的初

速度， 1mv2 为被光线照射的金属材料的逸出功，2为从金属逸出的光电子的 最大初动能。 由（1）式可见，入射到金属表面的光频率越高，逸出的电子动能必然也越大，所以即使阴极不加电压也会有光电子落入阳极而形成光电流，甚至阳极电位比阴极电位低时也会有光电子落到阳极，直至阳极电位低于某一数值时，所有光电子都不能到达阳极，光电流才为零。这个相对于阴极为负值的阳极电位U0被称为光电效应的截止电压。显然，有 （2） 代入（1）式，即有 （3） 由上式可知，若光电子能量h??W，则不能产生光电子。产生光电效应的最低频率是 ?0? W h，通常称为光电效应的截止频率。不同材料有不同的逸出功，因而?0也不同。由于光的强弱决定于光量子的数量，所以光电流与入射光的强度成正比。又因为一个电子只能吸收一个光子的能量，所以光电子获得的能量与光强无关，只与光子?的频率成正比，，将（3）式改写为 （4） 上式表明，截止电压U0是入射光频率?的线性函数，如图2，当入射光的频率???0时，截止电压U0?0，没有光电子逸出。图中的直线的斜率个正的常数：（5） 由此可见，只要用实验方法作出不同频率下的 k? h e是一 U0??

光电探测实验报告

实验一光敏电阻特性实验 实验原理: 光敏电阻又称为光导管,是一种均质的半导体光电器件,其结构如图(1)所示。由于半导体在光照的作用下, 电导率的变化只限于表面薄层,因此将掺杂的半导体薄膜沉积在绝缘体表面就制成为了光敏电阻，不同材料制成的光敏电阻具有不同的光谱特性。光敏电阻采用梳状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。 实验所需部件: 稳压电源、光敏电阻、负载电阻(选配单元)、电压表、 各种光源、遮光罩、激光器、光照度计(由用户选配) 实验步骤: 1、测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻 观察光敏电阻的结构 ,用遮光罩将光敏电阻彻底掩 盖,用万用表测得的电阻值为暗电阻 R 暗,移开遮光罩，在环境光照下测得的光敏电阻的 阻值为亮电阻，暗电阻与亮电阻之差为光电阻，光 电阻越大，则灵敏度越高。 在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻， 试作性能比较分析。 2、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图(3)接线，电源可从+2~+8V 间选用，分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V 暗和 V 亮则暗电流 L 暗=V 暗/R L,亮电流 L 亮=V 亮/R L，亮电流与暗电流之差称为光电流，光电流越大则灵敏度越高。 分别测出两种光敏电阻的亮电流，并做性能比较。 图(2)几种光敏电阻的光谱特性 3、伏安特性: 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系。 按照图(3)分别测得偏压为 2V、4V、6V、8V、10V、12V 时的光电流，并尝试高照射光源的光强，测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果填入表 格并作出 V/I 曲线。 偏压 2V 4V 6V 8V 10V 12V 光电阻 I 光电阻 II 注意事项: 实验时请注意不要超过光电阻的最大耗散功率P MAX, P MAX=LV。光源照射时灯胆及灯杯温度均很高，请勿用手触摸，以免烫伤。实验时各种不同波长的光源的获取也可以采用在仪器上的光源灯泡前加装各色滤色片的办法，同时也须考虑到环境光照的影响。 实验二光敏管的应用 -----光控电路 实验目的: 了解光敏管在控制电路中的具体应用。 实验所需部件: